KR950010100A - 반도체 기억장치 - Google Patents

반도체 기억장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950010100A
KR950010100A KR1019940024100A KR19940024100A KR950010100A KR 950010100 A KR950010100 A KR 950010100A KR 1019940024100 A KR1019940024100 A KR 1019940024100A KR 19940024100 A KR19940024100 A KR 19940024100A KR 950010100 A KR950010100 A KR 950010100A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
substrate
transistor
control circuit
voltage output
Prior art date
Application number
KR1019940024100A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100192089B1 (ko
Inventor
히로시 나카무라
마사키 모모도미
요시히사 이와타
료우헤이 기리사와
Original Assignee
사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사토 후미오, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 사토 후미오
Publication of KR950010100A publication Critical patent/KR950010100A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100192089B1 publication Critical patent/KR100192089B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명은, 누설전류가 크다는 등의 불량칩의 유무에 구애되진 않고 동일 웨이퍼상의 복수 칩을 동시에 검사·시험할 수 있고, 검사·시험시간의 단축을 도모해 얻은 EEPROM을 제공하는 것이다.
본 발명은, EEPROM에 있어서 N형 실리콘 기판(9)에 형성된 p형웰(4)에서 메모리 셀이 매트릭스 배열된 메모리 셀 어레이(5)와, 기판(9)의 전압입력부에서 전압출력부가 접속되고, 그 전압출력부에서 전압을 인가하는가의 여부를 외부입력신호에 의해 제어하는 기판전위 제어회로(3)을 구비하며, 기판전위 제어회로(3)로부터 전압출력부에 전압을 인가하지 않도록 제어될 때에 부유상태인 기판(9)을 p형 웰(4)로부터의 pn접합 순방향전류에 의해 충전하는 것을 특징으로 한다.
선택도 : 제1도

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제1실시예에 따른 NAND셀형 EEPROM의 개략구성을 도시하는 블록도,
제2도는 실시예의 메모리셀의 하나의 NAND셀부의 평면도와 등가회로도,
제3도는 제2도(a)의 A-A′및 B-B ′단면도.

Claims (5)

  1. 제1도전형 반도체 기판에 형성된 제2도전형 웰에서 메모리 셀이 매트릭스 배열된 메모리 셀 어레이와, 전압 출력부가 기판전압 입력부와 접속된 기판전압 제어회로부 및, 상기 기판전압 제어회로에서 상기 전압출력부에서 전압을 인가하는가의 여부를 외부입력신호에 의해 제어하는 수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1도전형 반도체 기억장치에 형성된 제2도전형 웰에서 메모리 셀이 매트릭스 배열된 메모리 셀 어레이와, 상기 기판의 전압입력부에서 전압출력부가 접속되고, 그 전압출력부에서 전압을 인가하는가의 여부를 외부입력 신호에 이해 제어하는 기판전압 제어회로 및, 상기 기판전압 제어회로에서 상기 전압출력부에서 전압을 인가하지 않도록 제어될 때에 부유상태에 있는 상기 전압출력부에 전압을 인가하지 않도록 제어될 때에 부유상태에 있는 상기 기판을 상기 제2도전형 웰로부터의 pn접합 순방향전류에 의해 충전하는 수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 제1도전형 반도체 기판에 형성된 제2도전형 웰에서 메모리 셀이 매트릭스 배열된 메모리 셀 어레이와, 전원 전압입력용 단자 혹은 접지전압 입력전용 단자를 매개로 칩외부로부터 칩내부로 원하는 전압을 입력하는 수단과, 상기 원하는 전압 혹은 칩내부에서 발생한 전압의 어느 하나인 전압이 기판에 인가되는가의 여부를 외부입력신호에 의해 제어하는 수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어하는 수단은 트랜지스터를 포함하고, 이 트랜지스터의 소오스가 상기 기판과 접속되며, 그 트랜지스터의 드레인이 상기 어느 하나인 전압과 직접 혹은 다른 트랜지스터를 매개로 접속되고, 상기 트랜지스터가 상기 외부입력신호의 레벨에서 연동하여 도통·비도통으로 되는 동작을 구비하며, 상기 기판을상기 동작중의 상기 도통·비도통시에 각각 각각 상기 어느 하나의 전압으로 인가 · 비인가하는 것을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 트랜지스터가 상기 기판에 설치된 웰상에서 형성되고, 상기 트랜지스터의 비도통시에 그 트랜지스터가 형성되는 웰에서 기판전압과 같은 전압을 인가하는 것을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940024100A 1993-09-24 1994-09-24 반도체기억장치 KR100192089B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-238146 1993-09-24
JP23814693 1993-09-24
JP11923194A JP3683915B2 (ja) 1993-09-24 1994-05-31 半導体記憶装置
JP94-119231 1994-05-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950010100A true KR950010100A (ko) 1995-04-26
KR100192089B1 KR100192089B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=26457009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940024100A KR100192089B1 (ko) 1993-09-24 1994-09-24 반도체기억장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5768195A (ko)
JP (1) JP3683915B2 (ko)
KR (1) KR100192089B1 (ko)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6728851B1 (en) 1995-07-31 2004-04-27 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US5845313A (en) * 1995-07-31 1998-12-01 Lexar Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture
US6978342B1 (en) 1995-07-31 2005-12-20 Lexar Media, Inc. Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US5657284A (en) * 1995-09-19 1997-08-12 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for testing for defects between memory cells in packaged semiconductor memory devices
US6137119A (en) * 1998-02-27 2000-10-24 Micron Technology, Inc. Apparatus for isolating a conductive region from a substrate during manufacture of an integrated circuit and connecting the conductive region to the substrate after manufacture
US7167944B1 (en) 2000-07-21 2007-01-23 Lexar Media, Inc. Block management for mass storage
GB0123421D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Power management system
GB0123415D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Method of writing data to non-volatile memory
GB0123416D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Non-volatile memory control
GB0123417D0 (en) * 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Improved data processing
GB0123410D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Memory system for data storage and retrieval
US7231643B1 (en) 2002-02-22 2007-06-12 Lexar Media, Inc. Image rescue system including direct communication between an application program and a device driver
KR100466984B1 (ko) * 2002-05-15 2005-01-24 삼성전자주식회사 테스트 소자 그룹 회로를 포함하는 집적 회로 칩 및 그것의 테스트 방법
US6973519B1 (en) 2003-06-03 2005-12-06 Lexar Media, Inc. Card identification compatibility
US7725628B1 (en) 2004-04-20 2010-05-25 Lexar Media, Inc. Direct secondary device interface by a host
US7370166B1 (en) 2004-04-30 2008-05-06 Lexar Media, Inc. Secure portable storage device
US7464306B1 (en) 2004-08-27 2008-12-09 Lexar Media, Inc. Status of overall health of nonvolatile memory
US7594063B1 (en) 2004-08-27 2009-09-22 Lexar Media, Inc. Storage capacity status
JP2011198415A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP5466729B2 (ja) * 2012-06-01 2014-04-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 不揮発性半導体記憶装置
JP2015122027A (ja) * 2013-12-25 2015-07-02 株式会社東芝 半導体システム、半導体部品、及び電源チップ

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51142927A (en) * 1975-06-04 1976-12-08 Nec Corp Memory function testing method for mos memory elements
US4233526A (en) * 1977-04-08 1980-11-11 Nippon Electric Co., Ltd. Semiconductor memory device having multi-gate transistors
JPS5720991A (en) * 1980-07-15 1982-02-03 Nec Corp Margin measuring method
JPS61172295A (ja) * 1985-01-28 1986-08-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS62165791A (ja) * 1986-01-17 1987-07-22 Mitsubishi Electric Corp 基板電圧発生回路
US5008856A (en) * 1987-06-29 1991-04-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Electrically programmable nonvolatile semiconductor memory device with NAND cell structure
JP2685770B2 (ja) * 1987-12-28 1997-12-03 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JPH01231342A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Nec Corp 半導体記憶装置のデータ保持試験方法
JPH01267892A (ja) * 1988-04-18 1989-10-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPH02203286A (ja) * 1989-02-01 1990-08-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の試験方法
EP0545266A3 (en) * 1991-11-29 1993-08-04 Nec Corporation Semiconductor integrated circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JP3683915B2 (ja) 2005-08-17
KR100192089B1 (ko) 1999-06-15
JPH07142688A (ja) 1995-06-02
US5768195A (en) 1998-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950010100A (ko) 반도체 기억장치
US5157291A (en) Switching circuit for selecting an output signal from plural input signals
KR940001251B1 (ko) 전압 제어회로
US4419586A (en) Solid-state relay and regulator
US4814686A (en) FET reference voltage generator which is impervious to input voltage fluctuations
US5313158A (en) Test system integrated on a substrate and a method for using such a test system
US5157281A (en) Level-shifter circuit for integrated circuits
EP0678919A1 (en) Semiconductor device having input protection circuit
KR930020695A (ko) 반도체 기억장치
JPH023186A (ja) ハイキャパシタンス線プログラミング用デコーダ・ドライバ回路
KR900004012A (ko) 반도체 집적회로장치 및 그 조합전자장치
US4855613A (en) Wafer scale integration semiconductor device having improved chip power-supply connection arrangement
WO1986005933A1 (en) Cmos power-on reset circuit
US4931656A (en) Means to dynamically discharge a capacitively charged electrical device
US4611123A (en) High voltage analog solid state switch
KR970029882A (ko) 웨이퍼 테스트 신호발생기를 가지는 반도체 메로리 장치
EP0377839A3 (en) Semiconductor memory device capable of preventing data of non-selected memory cell from being degraded
US4714876A (en) Circuit for initiating test modes
KR920000137A (ko) 불휘발성 반도체기억장치
EP0475346A2 (en) Semiconductor memory device having means for monitoring bias voltage
JP3087839B2 (ja) 半導体装置、そのテスト方法
KR0149226B1 (ko) 반도체 회로를 위한 정전기 보호장치
KR910001775A (ko) 반도체 기억장치
US4423330A (en) Normally off bilateral switch
JPH1079653A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090109

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee