KR950010082A - 반도체 기억장치 - Google Patents
반도체 기억장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950010082A KR950010082A KR1019940004007A KR19940004007A KR950010082A KR 950010082 A KR950010082 A KR 950010082A KR 1019940004007 A KR1019940004007 A KR 1019940004007A KR 19940004007 A KR19940004007 A KR 19940004007A KR 950010082 A KR950010082 A KR 950010082A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- insulating film
- memory device
- semiconductor memory
- interlayer insulating
- field
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/48—Data lines or contacts therefor
- H10B12/482—Bit lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
커패시터 용량을 높이고, 또한 스토레이지노드의 가공정도를 높이게 할 수 있도록 개량된 반도체 기억장치를 얻는 일이다.
비트선(15)이 뻗는 방향으로 소정의 피치로 형성된 복수개의 제1의 필드영역 2a(a)를 구비한다.
복수개의 제1의 필드영역 2a(a)로 형성된 열에 인접하고, 또한 이 열에 평행하게 상기 피치와 같은 피치로 형성된 복수개의 제2의 필드영역 2a(b)가 설치되어 있다.
제1의 필드영역 2a(a)와 제2의 필드영역 2a(b)는 비트선(15)이 뻗는 방향으로 서로 ¼피치 어긋나게 형성되어 있다.
제1의 필드영역 2a(a)와 제2의 필드영역 2a(b)내에는, 비트선(15)이 셀 플레이트 전극(11)항에 메꾸어진 구조를 가진다.
스택트 타이프의 커패시터가 설치되어 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제19도는 본 발명의 일실시예에 관한 반도체 기억장치의 평면도.
Claims (7)
- 트랜스퍼 게이트인 워드선과 데이터선인 비트선의 교차점에 설치된 메모리셀에 의해, 기억정보의 입출력을 행하는 반도체 기억장치에 있어서, 주표면을 가지는 반도체 기판과, 상기 반도체기판의 주표면 중 설치된 필드산화막에 의해 서로 분리되어, 또한 상기 비트선이 뻗는 방향에 소정의 피치로 형성된 복수개의 제1의 필드영역과, 복수개의 상기 제1의 필드영역으로 형성된 열에 인접하여, 또한, 이 열에 평행하게 설치되어, 또한 상기 피치로 형성된 복수개의 제2의 필드영역과를 구비하고, 상기 제1의 필드영역과 상기 제2의 필드영역은, 상기 비트선이 뻗는 방향으로 서로 ¼피치 어긋나게 형성되어 있고, 상기 제1 및 제2의 필드영역은, 각각 (a) 이들의 필드영역 설치된 트랜스퍼 게이트와, (b)상기 반도체기판의 주표면중이며, 또한 상기 트랜스퍼 게이트의 양측에 설치된 한쌍의 소스/드레인영역과, (c)상기 트랜스퍼 게이트를 덮도록 상기 반도체 기판 상에 설치된 제1의 층간절연막과, (d)상기 제1의 층간절연막 중에 설치되어, 상기 소스/드레인영역의 한편의 표면을 노출시키기 위한 비트선 콘택트홀과, (e)상기 비트선 콘택트홀을 지나 상기 소스/드레인영역의 한편에 접촉하도록, 상기 제1의 층간절연막상에 설치된 비트선과, (f)상기 비트선을 덮도록 상기 반도체기판 상에 설치된 제2의 층간절연막과, (g)상기 제2의 층간절연막 중에 설치되어, 상기 소스/드레인영역의 타방의 표면을 노출시키기 위한 스토레이지노드 콘택트홀과, (h)상기 스토레이지노드 콘택트홀을 지나 소스/드레인영역의 타방에 접속되도록, 상기 제2의 층간절연막 상에 설치된 스토레이지노드와, (i)상기 스토레이지노드의 표면을 덮는 커패시터 절연막과, (j)상기 커패시터 절연막을 개재시켜서 상기 스토레이지노드를 덮도록 상기 반도체기판 상에 설치된 셀 플레이트와를 가지는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 필드영역의 평면형상은, 6각형인 반도체 기억장치.
- 제2항에 있어서, 상기 소토레이지노드 콘택트홀은 상기 6각형의 서로 인접하는 2변으로 에워싸는 부분에 설치되어 있는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 필드영역은, 상기 비트선이 뻗는 방향에 대해서 비스듬이 배치되어 있는 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 트랜스퍼 게이트는 폴리실리콘 상에 고융점 금속 실리사이드를 걸쳐서 이룬 폴리사이드 구조인 반도체 기억장치.
- 제5항에 있어서, 상기 트랜스퍼 게이트는, MOSi2/PolySi, WSi2/Poly Si, TaSi2/PolySi 및 TiSi2/Poly Si로 된 군에서 선택된 폴리사이드구조인 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 스토레이지노드는, 그 스토레이지노드의 단부가 상기 비트선 콘택트홀이 형성되어 있는 영역이외의 영역에 위치하도록 패터닝되어 있는 반도체 기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP93-236553 | 1993-09-22 | ||
| JP5236553A JP2585183B2 (ja) | 1992-10-21 | 1993-09-22 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950010082A true KR950010082A (ko) | 1995-04-26 |
Family
ID=66689895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940004007A KR950010082A (ko) | 1993-09-22 | 1994-03-02 | 반도체 기억장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950010082A (ko) |
-
1994
- 1994-03-02 KR KR1019940004007A patent/KR950010082A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910013555A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR950027845A (ko) | 반도체 메모리장치 | |
| KR950012576A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR910020904A (ko) | 반도체기억장치 및 그 제조 방법 | |
| KR910005307A (ko) | 비트라인 접촉영역과 스토레이지 캐패시터 접촉영역을 갖는 반도체 메모리 장치 | |
| KR890016573A (ko) | 반도체기억장치 | |
| KR840007312A (ko) | 적층 캐패시터형 메모리셀을 갖춘 반도체 기억장치 | |
| KR930004709B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| KR890008947A (ko) | 알루미늄-실리콘 합금 배선막과 실리콘 기판간에 오옴접속을 갖는 반도체 메모리장치 | |
| KR940008099A (ko) | 적층 캐패시터 셀을 갖는 반도체 메모리 | |
| KR850006982A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
| US4631705A (en) | Semiconductor integrated circuit memory device | |
| KR930002289B1 (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR900017187A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR970054137A (ko) | 반도체 메모리 셀 구조 및 그 제조방법 | |
| KR930010988A (ko) | 반도체 메모리 셀 | |
| US6538946B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| KR920018958A (ko) | 비휘발성 메모리, 비휘발성 메모리를 갖는 반도체 메모리 장치 및 그 반도체 메모리장치의 제조방법 | |
| KR100258345B1 (ko) | 파워라인의 배치구조를 개선한 반도체 메모리 장치 | |
| KR880011804A (ko) | 반도체 집적회로 장치 | |
| KR950010082A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR960012495A (ko) | 메모리 셀용 스위칭 트랜지스터 및 캐패시터 | |
| KR100440410B1 (ko) | 다중레벨도전체워드라인스트래핑방식 | |
| US20110198706A1 (en) | Semiconductor cell structure, semiconductor device including semiconductor cell structure, and semiconductor module including semiconductor device | |
| US6816399B2 (en) | Semiconductor memory device including ferroelectric memory formed using ferroelectric capacitor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |