KR950007080A - 주변회로(esd)보호회로 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 칩설계에 관한 것으로, 내부 셀접지와 주변회로접지를 분리시키고 필드산화 트랜지스터를 이용하여 ESD보호 특성을 개선하기 위한 것이다.
종래에는 방전경로에서의 방전능력은 다이오드의 P-N접합의 면적크기 및 농도에 의존하게 되므로 P-N접합간의 누설전류가 영향을 미쳐 보호기능이 저하되었다.
본 발명은 제1도전형 반도체 기판(11)에 셀영역의 제2도전형 웰(13)과 주변회로 영역의 복수개의 제2도전형웰(12,14)을 형성하는 공정과, 상기 셀영역의 제2도전형웰(13)내에 고농도 제1도전형 불순물영역(19). 주변 영역의 웰(12,14)내에 각각 하나의 고농도 제2도전형 분순물영역(15,23), 34의 고농도 제1도전형 불순물 영역(16,17,18,20,21,22)을 형성하는 공정과, 주변회로영역의 웰(12,14)내에 형성된 각 불순물영역(16,17,18,20,21,22)사이의 표면에 필드산화막(24)을 형성하는 공정과, 상기 불순물영역(17,18)사이와 불순물영역(20,21)사이의 필드산화막(24)에 제1,제2게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 고농도 제2도전형 불순물영역(15,23)에 전원전위를 가하는 공정과, 상기 고농도 제1도전형 불순문영역(17)과 제1게이트전극에 칩외부로의 입출력과 전기적으로 연결하고, 고농도 제1도전형 불순물영역(21)과 제2게이트전극을 접지시키는 공정과, 상기 고농도 제1도전형 불순물영역(16,18,20,22)을 연결하는 공정으로 제조한 것으로, ESD대전시에 필드 트랜지스터의 펀치 쓰로우 및 턴온 특성을 이용하여 방전시키므로 ESD보호기능을 개선하고 ESD회로의 접지를 외부 패드와 연결하지 않으므로 패키지 핀 갯수를 줄일 수 있는 효과가 있다.

Description

주변회로(ESD)보호회로 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 ESD보호회로 구조단면도.

Claims (1)

  1. 제1도전형 반도체 기판(11)에 셀영역의 제2도전형 웰(13)과 주변회로 영역의 복수개의 제2도전형 웰(12,14)을 형성하는 공정과, 상기 셀영역의 제2도전형 웰(13)내에 고농도 제1도전형 불순물영역(19), 주변회로영역의 웰(12,14)내에 각각 하나의 고농도 제2도전형 불순물영역(15,23), 3개의 고농도 제1도전형 불순물영역(16,17,18,20,21,22)을 형성하는 공정과, 주변회로영역의 웰(12,14)내에 형성된 각 불순물영역(15,16,17,18,20,21,22)사이의 필드산화막(24)을 형성하는 공정과, 상기 불순물영역(17,18)사이와 불순물영역(20,21)사이의 필드산화막(24)에 제1,제2게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 고농도 제2도전형 불순물영역(15,23)에 전원전위를 가하는 공정과, 상기 고농도 제1도전형 불순문영역(17)과 제1게이트전극에 칩외부로의 입출력과 전기적으로 연결하고, 고농도 제1도전형 불순물영역(21)과 제2게이트전극을 접지시키는 공정과, 상기 고농도 제1도전형 불순물영역(16,18,20,22)을 연결하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 주변회로 보호회로 제공방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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