KR940704006A - 광도파로 디바이스의 제조방법 - Google Patents

광도파로 디바이스의 제조방법

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KR940704006A
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타카시 야마네
준코 와타나베
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세끼자와 다다시
후지쓰 가부시끼가이샤
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Abstract

초전효과를 갖는 결정성인 기판 위에 형성하는 광도파로 패턴의 방전파괴를 실질적으로 소멸 내지 경감시키고, 광도파로 디바이스 제조시의 수율을 향상시킨다. 열처리에 의해서 광도파로패턴(5) 등을 초전성을 갖는 니오브산리튬기판(2) 위에 병렬로 복수개 패턴형성하고, 이것을 소정칩상으로 개개로 분단하여 되는 광도파로 디바이스의 제조방법에 있어서, 광도파로패턴(5) 등의 양단부가 칩유효범위에서 벗어난 위치에서 각각 도통하도록 패턴형성한다.
또 도파로패턴(25) 등의 근방 위치에 다미패턴(26) 등을 패턴형성한다.

Description

광도파로 디바이스의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 의한 광도파로 디바이스의 제조방법의 제 1 실시예의 광도파로 패턴이 패턴형성된 웨이퍼의 요부평면도, 제 2 도는 제 2 실시예의 요부평면도, 제 3 도는 제 3 실시예의 요부평면도, 제 4 도는 제 4 실시예의 요부평면도, 제 5 도는 제 5 실시예의 요부평면도, 제 6 도는 제 6 실시예의 요부평면도, 제 7 도는 제 7 실시예의 요부평면도, 제 8 도는 제 8 실시예의 요부평면도.

Claims (15)

  1. 초전효과를 갖는 기판 위에 금속의 도체패턴을 형성하고, 상기 기판을 가열하여 상기 도체패턴을 열확산처리함으로써, 광도파로패턴을 형성하고, 상기 기판을 칩유효범위로 절단하여 칩상의 광도파로 디바이스를 얻는 광도파로 디바이스의 제조에 있어서, 상기 칩유효범위에서 벗어난 상기 기판 위의 위치에 상기 광도파로패턴의 폭보다 넓은 폭의 도체부를 형성하고, 상기 광도파로패턴용 도체패턴의 적어도 일단을 상기 도체부에 도통하도록, 상기 도체패턴을 형성한 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 위에 상기 광도파로패턴을 복수 병렬로 배치하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 칩유효범위에서 벗어난 상기 기판의 양측에 상기 도체부를 형성하고, 각 광도파로패턴의 양단을 각각의 도체부에 접속한 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 광도파로패턴의 근방 위치에 도체의 패턴인 다미 패턴을 상기 광도파로패턴의 형성과 동시에 상기 기판 위에 패턴형성하는 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 다미패턴은 대략 직선상이고, 단부에 둥근 각부를 갖는 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스의 제조방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 다미패턴은 대략 직선상이고, 일단은 상기 도체부에 접속되고, 다른 단부는 둥근 각부로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스의 제조방법.
  7. 초전효과를 갖는 기판 위에 금속의 도체패턴을 복수 병렬로 형성하고, 상기 기판을 가열하여 상기 도체패턴을 열확산처리함으로써, 복수의 광도파로패턴을 형성하고, 상기 기판을 칩유효범위로 절단하여 칩상의 광도파로 디바이스를 얻는 광도파로 디바이스의 제조방법에 있어서, 상기 칩유효범위에서 벗어난 상기 기판 위의 위치에, 각 광도파로패턴의 단부에 도통하는 연결도체부와, 상기 연결도체부에서 돌출한 방전유발부를 상기 도파로패턴의 형성과 동시에 패턴형성하는 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 칩유효범위에서 벗어난 상기 기판의 양측에 상기 도체연결부를 형성하고, 각 광도파로패턴의 양측을 각각의 도체연결부에 접속한 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스의 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 광도파로패턴에 대하여, 근방위치에서 또한 대략 평행하게 다미패턴을 상기 광도파로패턴의 형성과 동시에 상기 기판 위에 패턴형성하는 동시에, 상기 방전유발부는 상기 연결도체부에서 상기 도파로패턴의 반대측으로 돌출하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스의 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 칩유효범위에서 벗어난 상기 기판 위의 위치에서 또한 상기 방전유발부에 근접하여 비교적 면적이 큰 도체부를 상기 도파로패턴의 형성과 동시에 패턴형성하는 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스의 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서, 상기 방전유발부는 뾰족한 각부를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스의 제조방법.
  12. 제 7 항에 있어서, 상기 칩유효범위에서 벗어난 상기 기판 위의 위치에서 또한 상기 방전유발부에 근접하여 비교적 면적이 작은 섬모양의 도체부를 복수, 상기 도파로패턴의 형성과 동시에 패턴형성하는 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스의 제조방법.
  13. 초전효과를 갖는 기판 위에 금속의 도체패턴을 형성하고, 상기 기판을 가열하여 상기 도체패턴을 가열확산처리함으로써 광도파로패턴을 형성하고, 상기 기판을 칩유효범위로 절단하여 칩상의 광도파로 디바이스를 얻는 광도파로 디바이스의 제조방법에 있어서, 상기 광도파로패턴의 근방에 상기 광도파로용 도체패턴보다 짧은 도체패턴인 다미패턴을, 상기 광도파로패턴의 형성과 동시에 상기 기판 위에 패턴형성하는 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 기판 위에 상기 광도파로패턴을 복수 병렬로 배치되고, 이들의 복수의 광도파로패턴의 각 단부가, 상기 칩유효범위에서 벗어난 상기 기판 위에 형성된 연결도체부에 각각 도통되고, 상기 다미패턴의 일단도 상기 연결도체부에 각각 도통되어 있는 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 다미패턴의 다른 단부는 둥근 각부를 갖는 것을 특징으로 하는 광도파로 디바이스의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940702240A 1992-10-28 1993-10-28 광도파로 디바이스의 제조방법 KR0179664B1 (ko)

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