KR920002981Y1 - Ic 소자 - Google Patents

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KR920002981Y1
KR920002981Y1 KR2019890011896U KR890011896U KR920002981Y1 KR 920002981 Y1 KR920002981 Y1 KR 920002981Y1 KR 2019890011896 U KR2019890011896 U KR 2019890011896U KR 890011896 U KR890011896 U KR 890011896U KR 920002981 Y1 KR920002981 Y1 KR 920002981Y1
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정학조
이국상
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삼성전자 주식회사
김광호
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device

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Abstract

내용 없음.

Description

IC 소자
제1a도는 양쪽에 열싱크를 형성한 종래의 IC 패키지의 측면도, 제1b도는 한쪽에 열싱크를 형성한 종래의 IC 패키지의 평면도.
제2a도는 본 고안의 IC 패키지의 평면도, 제2b도는 본 고안의 IC 패키지의 측면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : IC 패키지 2, 2' : 리드핀
3, 3' : 열싱크
본 고안은 IC(집적회로)에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 열싱크를 형성한 IC 소자의 듀얼 인라인(dual-in-line)패키지에 관한 것이다.
IC 소자에는, IC 소자를 열로부터 보호하기 위한 수단으로 장치로 열싱크(heat sink)가 형성된 경우가 있다.
종래의 열싱크는 제1a도에 도시한 바와 같이 패키지(1)의 리드핀(2)를 사이나, 제1b도에 도시한 바와 같이 패키지(1)의 한쪽면에 열싱크(3)를 형성하고 있다.
더욱 구체적으로는 고출력의 스테레오 디바이스인 경우에는 제1a도에서 처럼 소자내의 파워 단자 배열을 길이 방향의 양쪽으로 하여 리드핀(2)들을 도출하고, 리이드 핀(2)들 사이에 열싱크(3)를 배치하기 때문에, 리이드 핀들이 많은 경우에는 패키지(1)의 크기가 필연적으로 커질 수 밖에 없었다.
또한 제1b도의 경우처럼 리드핀(2)들이 형성되어 있지 않는 면의 한쪽에만 열싱크(3)를 배치한 경우에는 소자의 열적 평형이 완전치 못하여, 제품 특성상 채널 밸런스가 균일하게 유지될 수 없다는 문제점이 있다.
또, 열싱크(3)가 접지핀을 겸한 경우에도 한쪽에만 열싱크(3)를 형성한 경우에는 양쪽에 열싱크(3)를 형성한 경우보다 IC의 채널에 대한 접지 전위가 불량하였다.
곧, 제1a도에 나타낸 종래의 듀얼 타입의 경우는 열적 평형면 이나 채널의 상태등의 면에 있어서는 양호하나 패키지의 크기가 커지는 문제점이 있고, 또한 제1b도에 나타낸 바와 같이 한쪽에만 열싱크를 형성한 경우에는 패키지의 크기는 줄일 수 있으나 열적 평형 등의 면에서 듀얼타입보다 열악하다는 문제점이 있다.
본 고안은, 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 감안하고, 또한 IC 소자의 경박단소화가 가속화되고 있는 현실을 감안하여 이루어진 것으로서, 본 고안의 목적은 패키지의 크기를 가능한 한 최소화 하면서도, IC소자의 열평형을 개선하고, 접지 전기 저항을 개선한 IC소자를 제공 하는데 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 고안은 리드핀들이 형성되지 않는 패키지의 양쪽면에 열싱크가 각각 마련된 것을 특징으로 하는 IC 소자를 제공한다.
이하 본 고안의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제2a도는 본 고안의 바람직한 실시예의 평면도이고, 제2b도는 측면도이다.
도면상의 IC는 통상적인 듀얼 인 라인 패키지형으로서, 본 고안에 있어서는 열싱크(3), (3')를 리드핀(2), (2')들이 배치되지 않은 패키지의 양쪽면에 각각 형성하였다.
이러한 구성에 의하여 당연히 제1a도에 도시한 바와 같은 듀얼 타입의 소자에 비해, 열싱크(3)의 폭 만큼 패키지(1)의 크기가 줄어드는 것은 물론, 당연히 PCB(Primted Circuit Board)의 실장면적을 줄일 수 있다.
이와동시에, 열싱크(3), (3')가 양쪽에서 평형을 이룬 구조를 가짐으로써 소자가 기능을 발휘하는데 균형을 이룰 수가 있으며, 열적평형 측면에서도 같은 크기의 한쪽면에만 열싱크(3)를 형성한 종래의 소자(제1b도)의 경우에 비해 양호한 효과를 얻을 수 있다.
따라서 본 고안에 의하면 장기 신뢰성이 높은 IC 소자를 제공할 수 있다.

Claims (1)

  1. 리드핀(2), (2')들이 형성되지 않은 패키지(1)의 양쪽면에 열싱크(3), (3')가 각각 마련된 것을 특징으로 하는 IC 소자.
KR2019890011896U 1989-08-12 1989-08-12 Ic 소자 KR920002981Y1 (ko)

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