KR940026951A - 소비전류삭감기능을 갖춘 반도체 집적회로 - Google Patents

소비전류삭감기능을 갖춘 반도체 집적회로 Download PDF

Info

Publication number
KR940026951A
KR940026951A KR1019940009884A KR19940009884A KR940026951A KR 940026951 A KR940026951 A KR 940026951A KR 1019940009884 A KR1019940009884 A KR 1019940009884A KR 19940009884 A KR19940009884 A KR 19940009884A KR 940026951 A KR940026951 A KR 940026951A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
mode setting
current
semiconductor integrated
control circuit
Prior art date
Application number
KR1019940009884A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0169277B1 (ko
Inventor
히로시 시게하라
Original Assignee
사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사토 후미오, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 사토 후미오
Publication of KR940026951A publication Critical patent/KR940026951A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0169277B1 publication Critical patent/KR0169277B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
    • G11C11/417—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the field-effect type
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 복수의 회로블럭 중 어느 회로블럭의 기능을 사용하지 않는 기간에 그 회로블럭의 AC소비전류뿐 만 아니라 DC소비전류도 삭감할 수 있는 LSI를 제공한다.
이를 위해 본 발명은, 복수의 회로블럭(1∼4)과, 이 회로블럭 중 어느 회로블럭의 기능을 사용하지 않는 기간에 그 회로블럭의 동작주파수를 통상동작시 보다도 낮게 하는 모들 설정하는 모드설정회로(5)를 갖춘 IC(10)에 있어서, 모드설정회로의 모드설정신호에 기초하여 사용하지 않는 회로블럭에서의 DC전류원의 DC전류치를 통상동작시 보다도 낮게 하도록 제어하는 제어회로(121∼124)를 구비한 것을 특징으로 한다.

Description

소비전류삭감기능을 갖춘 반도체 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 IC의 일례를 나타내는 블록도.

Claims (6)

  1. 복수의 회로블럭(1∼4)과, 이 회로블럭중 어느 회로블럭의 기능을 사용하지 않는 기간에 그 회로블럭의 동작주파수를 통상동작시보다 낮게 하는 모드로 설정하는 모드설정회로(5) 및 이 모드통상설정회로(5)의 모드설정회로에 기초하여 상기 사용하지 않는 회로블럭에서의 DC전류원의 DC전류치를 통상동작시 보다도 낮게 하도록 제어하는 제어회로(6)를 구비한 것을 특징으로 하는 소비전류삭감기능을 갖춘 반도체 집적회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어회로(6)는, 상기 사용하지 않는 회로블럭에서의 DC전류원의 DC전류치를 줄이는 비율의 하한을 상기 사용하지 않는 회로블럭의 동작주파수를 낮게하는 비율까지로 하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 소비전류삭감기능을 갖춘 반도체 집적회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 DC전류원은 복수개의 전류원을 갖추고, 상기 제어회로는, 상기 모드설정신호에 기초하여 상기 복수개의 전류원을 선택적으로 동작/비동작상태로 제어하는 것을 특징으로 하는 소비전류삭감기능을 갖춘 반도체 집적회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 모드설정회로(5)는 상기 사용하지 않는 회로블럭의 동작주파수에 따른 모드 설정신호를 출력하고, 상기 제어회로(6)는, 상기 제어회로(6)는, 상기 동작주파수에 따른 모드설정신호에 기초하여 상기 복수개의 전류원을 선택적으로 동작/비동작상태로 제어함으로써 DC전류치를 복수 단계로 제어하는 것을 특징으로 하는 소비전류삭감기능을 갖춘 반도체 집적회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 모드설정회로(5)는 상기 사용하지 않는 회로블럭의 동작주파수에 따른 모드설정신호를 출력하고, 상기 제어회로(6)는, 상기 동작주파수에 따른 모드설정신호에 기초하여 상기 DC전류원의 DC전류치를 결정하는 전류제어신호의 전압치를 제어하는 것을 특징으로 하는 소비전류삼각기능을 갖춘 반도체 집적회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제어회로(6)는, 상기 동작주파수에 따른 모드설정신호에 기초하여 상기 전류제어신호의 전압치를 복수 단계로 제어함으로써 DC전류치를 복수 단계로 제어하는 것을 특징으로 하는 소비전류삭감기능을 갖춘 반도체 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940009884A 1993-05-06 1994-05-06 소비전류삭감기능을 갖춘 반도체 집적회로 KR0169277B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-105582 1993-05-06
JP05105582A JP3142414B2 (ja) 1993-05-06 1993-05-06 消費電流削減機能を有する半導体集積回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940026951A true KR940026951A (ko) 1994-12-10
KR0169277B1 KR0169277B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=14411501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940009884A KR0169277B1 (ko) 1993-05-06 1994-05-06 소비전류삭감기능을 갖춘 반도체 집적회로

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5420528A (ko)
EP (1) EP0623930A1 (ko)
JP (1) JP3142414B2 (ko)
KR (1) KR0169277B1 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0141933B1 (ko) * 1994-10-20 1998-07-15 문정환 저전력의 스테이틱 랜덤 억세스 메모리장치
US5708388A (en) * 1994-12-15 1998-01-13 International Business Machines Corporation Single current source current generating circit for periodically activating and deactivating portions of an IC
KR0172371B1 (ko) * 1995-04-26 1999-03-30 윤종용 반도체 메모리장치의 전원전압 발생회로
KR100568075B1 (ko) * 1996-11-26 2006-10-24 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 반도체집적회로장치
WO1999054937A1 (fr) 1998-04-23 1999-10-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Procede de conception d'un circuit d'alimentation et d'une microplaquette de semi-conducteur
US6097243A (en) * 1998-07-21 2000-08-01 International Business Machines Corporation Device and method to reduce power consumption in integrated semiconductor devices using a low power groggy mode
JP4183310B2 (ja) * 1998-10-08 2008-11-19 株式会社沖データ 駆動回路ならびにこれを用いたプリンタおよびｌｅｄヘッド
JP2009123235A (ja) * 2000-06-16 2009-06-04 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置
KR100443907B1 (ko) * 2001-09-07 2004-08-09 삼성전자주식회사 어드레스 버퍼 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치
US7226857B2 (en) 2004-07-30 2007-06-05 Micron Technology, Inc. Front-end processing of nickel plated bond pads
JP5431930B2 (ja) * 2006-07-18 2014-03-05 アギア システムズ インコーポレーテッド モジュール式電力管理のシステムおよび方法
JP2008199673A (ja) * 2008-05-07 2008-08-28 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置
JP2010057160A (ja) * 2008-08-01 2010-03-11 Nec Electronics Corp 半導体集積回路
US8804449B2 (en) * 2012-09-06 2014-08-12 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods to provide power management for memory devices
US10515670B1 (en) * 2018-06-13 2019-12-24 Nanya Technology Corporation Memory apparatus and voltage control method thereof

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0770222B2 (ja) * 1984-06-04 1995-07-31 株式会社日立製作所 Ｍｏｓスタテイツク型ｒａｍ
JPS63104443A (ja) * 1986-10-22 1988-05-09 Hitachi Ltd 大規模集積回路
US4999519A (en) * 1987-12-04 1991-03-12 Hitachi Vlsi Engineering Corporation Semiconductor circuit with low power consumption having emitter-coupled logic or differential amplifier
JP2559478B2 (ja) * 1988-10-14 1996-12-04 株式会社日立製作所 ビデオメモリ回路
JPH07109864B2 (ja) * 1989-09-13 1995-11-22 シャープ株式会社 スタティックｒａｍ
JPH03278741A (ja) * 1990-03-28 1991-12-10 Nec Corp インターフェイスｉｃのスタンバイ回路
JP2754906B2 (ja) * 1990-11-06 1998-05-20 日本電気株式会社 半導体集積回路
US5208558A (en) * 1990-11-29 1993-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Crystal oscillator having plural inverters disabled after start-up
JPH0527865A (ja) * 1991-07-18 1993-02-05 Furuno Electric Co Ltd プロセツサを備えた装置
US5324992A (en) * 1992-07-01 1994-06-28 Carnegie Mellon University Self-timing integrated circuits having low clock signal during inactive periods

Also Published As

Publication number Publication date
EP0623930A1 (en) 1994-11-09
JPH06314492A (ja) 1994-11-08
KR0169277B1 (ko) 1999-02-01
US5420528A (en) 1995-05-30
JP3142414B2 (ja) 2001-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940026951A (ko) 소비전류삭감기능을 갖춘 반도체 집적회로
MY118314A (en) Semiconductor integrated circuit
KR910001380B1 (ko) 전원절환회로
DE60335961D1 (de) Treiberschaltung für schaltvorrichtung und ansteuerverfahren dafür
HK1051262A1 (en) Dual driver buck regulator
KR910003898A (ko) 전원용 모놀리식집적회로
EP0408368A2 (en) Semi-conductor non-volatile memory device
KR900004122A (ko) 저주파 전력 증폭용 파워 세이브 회로
TW365007B (en) Driving method of semiconductor integrated circuit and the semiconductor integrated circuit
US5083043A (en) Voltage control circuit for a semiconductor apparatus capable of controlling an output voltage
KR970063275A (ko) 반도체집적회로 및 그것을 사용한 회로장치
DE60219602D1 (de) Regelungsschaltung für einen generator
KR960009401A (ko) 비교기 회로
KR870008441A (ko) 파워 인터페이스 회로
JPH01311617A (ja) スイッチング素子駆動装置
JPH04347535A (ja) 電源システム
JP4477448B2 (ja) レベルシフト回路を具えたホールセンサ
ES2065282B1 (es) Fuente de alimentacion conmutada con limitacion de corriente de cortocircuito.
ATE473535T1 (de) Schaltungsanordnung zur erzeugung von gleichspannungen
JPH04296918A (ja) 半導体集積回路装置
KR940017073A (ko) 직류 전류를 회로에 공급하는 장치 및 그 방법
KR970024183A (ko) 집적회로의 동작안전회로
JPH05336655A (ja) 電源制御回路
JPS63318815A (ja) 他電源からの電流流入防止回路を備えたｃ−ｍｏｓ構造の集積回路
KR100572307B1 (ko) 전원 관리 기능을 구비한 컴퓨터 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030930

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee