KR940019803A - 반도체 소자 봉지용 수지조성물(2) - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 봉지 재료에 관한 것이다. 본 발명은 내응력성, 내습성 및 고접착성을 가진 반도체 소자 봉지용 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 하기 성분을 함유하는 것을 특징으로 한다. 가) 에폭시 수지, 나) 노블락형페놀수지, 다) 하기 구조식(Ⅰ)을 가진 폴리실록산계 에폭시 화합물의 변성제
(A는 폴리 실록산계 에폭사이드를 나타 냄) 라) 용융 구상 실리카를 파쇄하여 각상 및 구상 용융 실리카의 중간형을 가진 용융 반구상 실리카 충전재, 마) 이형제, 바) 착색제, 사) 경화촉진제, 아) 유기난연제, 자) 무기난연재.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (5)
- 하기 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 봉지용 수지 조성물, 가) 에폭시 수지, 나) 노블락형페놀수지, 다) 하기 구조식(Ⅰ)을 가진 폴리실록산계 에폭시 화합물의 변성제.(A는 폴리 실록산계 에폭사이드를 나타 냄), 라) 용융 구상 실리카를 파쇄하여 각상 및 구상 용융 실리카의 중간형을 가진 용융 반구상 실리카 충전제, 마) 이형제, 바) 착색제, 사) 경화촉진제, 아) 유기난연제, 자) 무기난연제.
- 제1항에 있어서, 충전재(라)는 평균입자 크기가 11-15㎛, 입도분포는 45㎛ 이하가 95%이상, 45㎛ 이상 75㎛ 이하가 4.0% 이하, 75㎛ 이상 150㎛ 이하가 0.1% 이하인 용융 반구상 실리카 충전제인 것으 특징으로 하는 반도체 소자 봉지용 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 수지조성물 전체에 대하여 다)의 변성제의 조성비가 2.0-10.0중량%인 것을 특징을 하는 수지조성물.
- 제1항에 있어서, 수지조성물 전체에 대하여 라)의 충전제의 조성비가 70-85중량%인 것을 특징으로 하는 수지조성물.
- 제1항에 있어서, 다)의 변성제는 α-나프틸기 또는 β-나프틸기를 가진 에폭시 수지가 70-80중량%, 아민관능기의 폴리실록산계 실리콘오일이 20-30중량%인 폴리실록산계 에폭시 화합물을 질소분위기 110-160℃에서 2-5시간 반응시킨 것을 특징으로 하는 수지조성물.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019930001390A KR960011551B1 (ko) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | 반도체 소자 봉지용 수지조성물(2) |
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KR1019930001390A KR960011551B1 (ko) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | 반도체 소자 봉지용 수지조성물(2) |
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KR940019803A true KR940019803A (ko) | 1994-09-15 |
KR960011551B1 KR960011551B1 (ko) | 1996-08-23 |
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ID=19350302
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019930001390A KR960011551B1 (ko) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | 반도체 소자 봉지용 수지조성물(2) |
Country Status (1)
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KR (1) | KR960011551B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100797976B1 (ko) * | 2006-12-31 | 2008-01-24 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
KR100797967B1 (ko) * | 2006-12-31 | 2008-01-24 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한반도체 소자 |
KR100830775B1 (ko) * | 2005-03-01 | 2008-05-20 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 광반도체 장치 |
-
1993
- 1993-02-02 KR KR1019930001390A patent/KR960011551B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100830775B1 (ko) * | 2005-03-01 | 2008-05-20 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 광반도체 장치 |
KR100797976B1 (ko) * | 2006-12-31 | 2008-01-24 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
KR100797967B1 (ko) * | 2006-12-31 | 2008-01-24 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한반도체 소자 |
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KR960011551B1 (ko) | 1996-08-23 |
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