KR940002979A - 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지조성물(1) - Google Patents
반도체 소자 봉지용 에폭시 수지조성물(1) Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 열경화성 수지 조성물에 관한 것으로, 저점도 에폭시 수지를 사용하여 무기충전재 함량을 증가시켜 저응력성 내습특성등을 개선한 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지조성물에 관한 것이다.
본 발명은 에폭시 수지, 제놀수지, 유기난연제, 무기난연제, 개질제, 무기충전재, 기타첨가제로 구성되는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 에폭시 수지를 하기 구조식(I)-(Ⅲ)과 같은 구조를 가지는 화합물 중 선택된 1종 또는 2종 이상을 사용하는 것을 특징으로 한다.
구조식 ( I )
(단, R1, R2는 메틸기 또는 에틸기이다)
구조식 Ⅱ)
구조식 (Ⅲ)
(단,은 시클로 헥산, n은 중합도(1〈n〈2), R은 알킬기를 나타낸다)
2. 제1항에 있어서, 무기충전제 함량을 80∼90wt% 사용한 것을 특징으로 하는 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물.
3. 제2항에 있어서, 무기충전제를 고순도 용융 구상형 실리카와 고순도 용융 파쇄형 실리카를 혼합하여 사용한 것을 특징으로 하는 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물.
4. 제2항에 있어서, 무기충전재를 평균입도가 5∼10㎛와 20~30㎛인 실리카를 혼합하여 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (4)
- 에폭시 수지, 페놀수지, 유기난연제, 무기난연제, 개질제, 무기충전재, 기타첨가제로 구성되는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 에폭시 수지를 하기 구조식 (I)- (Ⅲ)과 같은 구조를 가지는 화합물 중 선택된 1종 또는 2종 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 봉지용 에폭지 수지 조성물.구조식 ( I )(단 R1, R2은 메틸기 또는 에틸기이다)구조식 (ll)구조식 (Ⅲ)(단,은 시클로 헥산, n은 중합도(1〈n〈2), R은 알킬기를 나타낸다)
- 제1항에 있어서, 무기충전재 함량을 80-9owt% 사용한 것을 특징으로 하는 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제2항에 있어서, 무기충전재를 고순도 용융 구상형 실리카와 고순도 용융 파쇄헝 실리카를 혼합하여 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제2항에 있어서, 무기충전재를 평균입도가 5-10㎛와 20∼30㎛인 실리카를 혼합하여 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920012216A KR950005447B1 (ko) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지조성물(1) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920012216A KR950005447B1 (ko) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지조성물(1) |
Publications (2)
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| KR940002979A true KR940002979A (ko) | 1994-02-19 |
| KR950005447B1 KR950005447B1 (ko) | 1995-05-24 |
Family
ID=19336065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920012216A KR950005447B1 (ko) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지조성물(1) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950005447B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI242852B (en) | 2004-05-05 | 2005-11-01 | Orient Semiconductor Elect Ltd | Semiconductor package |
-
1992
- 1992-07-09 KR KR1019920012216A patent/KR950005447B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950005447B1 (ko) | 1995-05-24 |
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