KR940016473A - 광전음극을 이용한 전자 석판 인쇄술 - Google Patents

광전음극을 이용한 전자 석판 인쇄술 Download PDF

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Abstract

대형 집적 회로의 제조에 중요한 초미세 패턴 도형화는 패턴화된 광전음극을 기초로 한다. 근본적으로, 광전음극은 근접 프린팅 또는 투영 시스템의 완성 시스템에서 마스크의 역할을 한다. 작동시, 광전음극은 가속 인가 전압 및 균일한 자장의 도움으로 레지스트 코팅된 웨이퍼상에 촛점을 맞추는 전자를 방출시키도록 자외선 방사에 의해 조사된다.

Description

광전음극을 이용한 전자 석판 인쇄술
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 활성화, 전자 방출 및 사이클로트론 촛점 맞춤용 설비를 갖는 본 발명의 음극 구성을 도시하는 개략도, 제 2 도는 제 1 도 씬-씬 음극의 다른 구조를 도시하는 도면, 제 3 도는 노출 구역을 드러내는 광전자 비방출 재료와 함께 광전자 방출 재료가 패턴화 되어 있는 또 다른 구성을 도시하는 도면, 제 4 도는 투영된 영상의 크기를 축소하기 위해, 자장 밀도를 변경하는데 이용되는 퓨낼형 투영 구성을 도시하는 개략도.

Claims (17)

  1. 레지스트를 패턴화된 전자 방사로 조사하는 것을 포함하는, 0.25㎛ 이하 크기의 최소 특징 매개변수의 패턴 도형화를 수반하는 디바이스 제조 방법에 있어서, 상기 패턴화된 방사는 자유면 귀금속 광전자 방출 재료를 포함하는 UV 여기 광전음극으로부터 생성되며, 촛점 맞춤 및 전자 가속이 패턴화된 전자 방사의 전체 횡단면을 가로지르는 균일한 전자기장의 적용으로 형성되는 광전음극으로부터 정수의 사이클로트론 공명 주기로 이격되어 상기 레지스트상에 촛점이 맞춰지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 자유면은 멘델레에프 주기율표의 원소번소 44 내지 47 및 75 내지 79로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 필수원소로 구성되는 층이 표면인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 자유면은 100Å 이상의 두께인 광전자 방출층의 표면인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 층은 비패턴화되며, 방출된 전자의 방사는 상기 방출 재료의 일 함수 보다 큰 일 함수를 갖는 자유면을 제공하는 차단층 재료를 덧씌움으로써 패턴화되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 차단층 재료는 광전자 방출 재료의 일 함수 보다 큰 귀금속인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 차단층 재료는 Pt를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  7. 제 3 항에 있어서, 상기 층은 비패턴화되며, 방출된 전자의 방사는 UV 여기 에너지를 흡수 또는 방출하는 기층 차단 구역에 의해 패턴화되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 덧씌움 차단 구역은 텅스텐을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  9. 제 3 항에 있어서, 상기 방출용 재료는 보다 큰 일 함수를 갖는 기층 재료를 노출시키도록 에칭-패턴화되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 자장은 1테슬러 이상의 자장 세기인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전기장은 10KV/Cm 이상인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 영상면과 음극 사이의 간극은 단일 사이클로트론 공명 주기와 일치하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 패턴 영상 겹침은 X-선 조사시 발광하는 기준 마크에 의한 배치를 수반하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 자장은 세기가 증가되고 전자 이동 방향의 횡단면이 감소하여 레지스트상의 영상이 광전음극상의 영상에 비해 크기가 감소되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 영상면에서의 촛점 맞춤은 미세하게 조정되는 자장에 의해 개선되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  16. 투영된 영상의 크기가 변화되는 하나 이상의 투영 전자 영상화 단계를 수반하는 디바이스 제조 방법에 있어서, 이동시 전자들은 이동하는 전자들에 직교하는 횡단면 방향으로 균일한 자장을 통과하며, 상기 자장은 횡단면적이 한번 이상 변화하며, 영상 크기의 변화로 인한 자장의 변화를 수반하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 투영된 전자 영상은 패턴화된 광전음극으로부터 생성되고 상기 균일 자장은 영상의 크기를 축소시키도록 압축되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000011344A (ko) * 1998-07-01 2000-02-25 에이에스엠 리소그라피 비.브이. 전사투영장치와상기장치를이용한디바이스제조방법및상기방법에의하여제조된디바이스

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998048443A1 (en) * 1997-04-18 1998-10-29 Etec Systems, Inc. Multi-beam array electron optics
KR100438806B1 (ko) * 1997-09-12 2004-07-16 삼성전자주식회사 광향상전자방출을이용한전자빔리소그래피방법
GB2333642A (en) * 1998-01-21 1999-07-28 Ibm Photo-cathode electron source having an extractor grid
US6014203A (en) * 1998-01-27 2000-01-11 Toyo Technologies, Inc. Digital electron lithography with field emission array (FEA)
US6376985B2 (en) 1998-03-31 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Gated photocathode for controlled single and multiple electron beam emission
US6515292B1 (en) * 1998-05-19 2003-02-04 California Institute Of Technology High resolution electron projection
KR100647968B1 (ko) 1999-07-22 2006-11-17 코닝 인코포레이티드 극 자외선 소프트 ｘ-선 투사 리소그라피 방법 및 마스크디바이스
AU6208300A (en) 1999-07-22 2001-02-13 Corning Incorporated Extreme ultraviolet soft x-ray projection lithographic method system and lithography elements
US6376984B1 (en) * 1999-07-29 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Patterned heat conducting photocathode for electron beam source
US6476401B1 (en) 1999-09-16 2002-11-05 Applied Materials, Inc. Moving photocathode with continuous regeneration for image conversion in electron beam lithography
US6476402B1 (en) * 2000-07-19 2002-11-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for pyroelectric emission lithography using patterned emitter
US6828574B1 (en) * 2000-08-08 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Modulator driven photocathode electron beam generator
US6776006B2 (en) 2000-10-13 2004-08-17 Corning Incorporated Method to avoid striae in EUV lithography mirrors
US6844560B2 (en) 2001-08-13 2005-01-18 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system comprising a converter plate and means for protecting the converter plate
KR100429843B1 (ko) * 2001-09-22 2004-05-03 삼성전자주식회사 전자 방출 및 상변화물질을 이용한 고밀도정보기록/재생방법 및 이를 응용한 정보저장장치 및 이에사용되는 미디어
WO2003079116A1 (en) * 2002-03-19 2003-09-25 Mapper Lithography Ip B.V. Direct write lithography system
US7019312B2 (en) 2002-06-20 2006-03-28 Mapper Lithography Ip B.V. Adjustment in a MAPPER system
US7015467B2 (en) 2002-10-10 2006-03-21 Applied Materials, Inc. Generating electrons with an activated photocathode
US7161162B2 (en) * 2002-10-10 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Electron beam pattern generator with photocathode comprising low work function cesium halide
US7576341B2 (en) * 2004-12-08 2009-08-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Lithography systems and methods for operating the same
KR100590574B1 (ko) * 2004-12-21 2006-06-19 삼성전자주식회사 전자기장 포커싱 장치 및 이를 채용한 전자빔 리소그라피시스템
JP4894223B2 (ja) * 2005-10-26 2012-03-14 ソニー株式会社 平面型表示装置
KR20060088865A (ko) 2006-07-13 2006-08-07 정효수 광방출 소자, 그 제조방법 및 광방출 소자를 이용한 노광장치
US8692204B2 (en) * 2011-04-26 2014-04-08 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for electron beam detection
US9291578B2 (en) * 2012-08-03 2016-03-22 David L. Adler X-ray photoemission microscope for integrated devices
US9666419B2 (en) * 2012-08-28 2017-05-30 Kla-Tencor Corporation Image intensifier tube design for aberration correction and ion damage reduction
JP2014138163A (ja) * 2013-01-18 2014-07-28 Ebara Corp 電子露光装置
JP2015041648A (ja) * 2013-08-20 2015-03-02 株式会社東芝 パターン形成方法、パターン形成用マスク及びパターン形成装置
US10170274B2 (en) 2015-03-18 2019-01-01 Battelle Memorial Institute TEM phase contrast imaging with image plane phase grating
US10109453B2 (en) 2015-03-18 2018-10-23 Battelle Memorial Institute Electron beam masks for compressive sensors
US10580614B2 (en) 2016-04-29 2020-03-03 Battelle Memorial Institute Compressive scanning spectroscopy
US10295677B2 (en) 2017-05-08 2019-05-21 Battelle Memorial Institute Systems and methods for data storage and retrieval
US10937630B1 (en) * 2020-04-27 2021-03-02 John Bennett Modular parallel electron lithography

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3806756A (en) * 1972-10-16 1974-04-23 Nasa Image tube
US4350919A (en) * 1977-09-19 1982-09-21 International Telephone And Telegraph Corporation Magnetically focused streak tube
GB8422895D0 (en) * 1984-09-11 1984-10-17 Texas Instruments Ltd Electron beam apparatus
GB8514390D0 (en) * 1985-06-07 1985-07-10 Turner D W Electron lithography
GB2180669A (en) * 1985-09-20 1987-04-01 Phillips Electronic And Associ An electron emissive mask for an electron beam image projector, its manufacture, and the manufacture of a solid state device using such a mask
EP0312653A1 (en) * 1987-10-22 1989-04-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electron image projector
JPH01158731A (ja) * 1987-12-15 1989-06-21 Fujitsu Ltd 光電子転写露光方法およびこれに用いられるマスク
US5156942A (en) * 1989-07-11 1992-10-20 Texas Instruments Incorporated Extended source E-beam mask imaging system and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000011344A (ko) * 1998-07-01 2000-02-25 에이에스엠 리소그라피 비.브이. 전사투영장치와상기장치를이용한디바이스제조방법및상기방법에의하여제조된디바이스

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Publication number Publication date
ES2132199T3 (es) 1999-08-16
KR100328799B1 (ko) 2002-08-21
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EP0605964A3 (en) 1994-11-17
EP0605964A2 (en) 1994-07-13
DE69324560D1 (de) 1999-05-27
US5395738A (en) 1995-03-07
TW249865B (ko) 1995-06-21
JPH06283466A (ja) 1994-10-07
DE69324560T2 (de) 1999-09-23
CA2107451A1 (en) 1994-06-30
CA2107451C (en) 1998-08-18

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