JP2015041648A - パターン形成方法、パターン形成用マスク及びパターン形成装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1の実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャートである。
図1に表したように、本実施形態に係るパターン形成方法は、パターン形成用マスクの用意(ステップS101)、タルボ干渉の発生(ステップS102)、電子の放出(ステップS103)及びパターンの形成(ステップS104)を含む。
図2では、干渉用マスクパターンP1が干渉用マスクM1に設けられた例を表している。図2に表したように、干渉用マスクM1は、所定の波長の光を透過する基板10と、基板10に設けられた干渉用マスクパターンP1と、を有する。干渉用マスクパターンP1は、複数の遮光パターンP11と、複数の透光パターンP12と、を有する。遮光パターンP11は、前記光を遮る。透光パターンP12は、前記光を透過する。
図3(a)には、パターン形成用マスクMMの模式的断面図が表される。図3(b)には、パターン形成用マスクMMの模式的平面図が表される。
光電変換部PCは、基板20に一様に形成されていてもよいし、図4(a)〜図4(e)に表したように、基板20の一方面において所望のパターン形状を有していてもよい。
次に、第2の実施形態に係るパターン形成装置について説明する。
図5は、パターン形成装置を例示する模式図である。
図5に表したように、本実施形態に係るパターン形成装置500は、光源510と、ステージ520と、マスク保持部530と、電子レンズ540と、を備える。
次に、第3の実施形態に係るパターン形成方法を説明する。
図6(a)〜図6(c)は、第3の実施形態に係るパターン形成方法を例示する模式図である。
図6(a)には、タルボ干渉による干渉光ILのパターンが例示される。干渉光ILは、干渉用マスクM1によって形成される。図6(a)に表した例では、L/Sパターンの干渉光ILが形成されている。
図7(a)〜図7(d)には、第1の例が表され、図8(a)〜図8(d)には、第2の例が表され、図9(a)〜図9(d)には、第3の例が表される。
図7(a)には、干渉用マスクM1−1の一部領域が表される。干渉用マスクM1−1は、周期的なライン状の遮光パターンP11及び透光パターンP12を有する。干渉用マスクM1−1の透光パターンP12には、欠陥DFが含まれる。
図8(a)には、干渉用マスクM1−2が表される。干渉用マスクM1−2は、透光パターンP12と、透光パターンP12の中に配置された島状の遮光パターンP11と、を有する。干渉用マスクM1−2の透光パターンP12には、欠陥DFが含まれる。
図9(a)には、干渉用マスクM1−3が表される。干渉用マスクM1−3は、遮光パターンP11と、遮光パターンP11の中に配置された島状の透光パターンP12と、を有する。干渉用マスクM1−3の遮光パターンP11には、欠陥DFが含まれる。
次に、第4の実施形態に係るパターン形成方法を説明する。
図10(a)〜図10(e)は、第4の実施形態に係るパターン形成方法を例示する模式図である。
次に、第5の実施形態に係るパターン形成用マスクを説明する。
図11(a)〜図11(c)は、パターン形成用マスクを例示する模式的断面図である。
図11(a)には、パターン形成用マスクMM1が表され、図11(b)には、パターン形成用マスクMM2が表され、図11(c)には、パターン形成用マスクMM3が表される。
次に、第6の実施形態に係るパターン形成用マスクの製造方法について説明する。
図12(a)〜図17(d)は、パターン形成用マスクの製造方法を例示する模式的断面図である。
図12(a)〜図13(c)には、図11(a)に表したパターン形成用マスクMM1の製造方法が例示される。
図14(a)〜図15(d)には、図11(b)に表したパターン形成用マスクMM2の製造方法が例示される。
図16(a)〜図17(d)には、図11(c)に表したパターン形成用マスクMM3の製造方法が例示される。
図12(a)に表したように、透光性を有する基板30の上に、遮蔽膜材料11Aを堆積する。基板30には、例えば合成石英が用いられる。遮蔽膜材料11Aには、CrとCrONとの積層膜が用いられる。
先ず、図14(a)〜図14(d)に表した工程は、図12(a)〜図12(d)に表した工程と同様である。次に、図14(e)に表したように、遮光パターンP11の上に、中間膜15を堆積する。中間膜15には、例えばSiO2が用いられる。さらに、中間膜15の上に、遮蔽膜材料13Aを堆積する。遮蔽膜材料13Aには、CrとCrONとの積層膜が用いられる。
先ず、図16(a)〜図17(b)に表した工程は、図14(a)〜図15(b)に表した工程と同様である。次に、レジスト膜R3を除去する。これにより、図17(c)に表したように、中間膜15の上に複数の遮蔽膜SDFが形成される。
Claims (8)
- 複数の光透過部が周期的に配置された干渉用マスクパターンと、前記干渉用マスクパターンと離間して配置された光電変換部と、電子遮蔽部と、を用意する工程と、
前記干渉用マスクパターンに光を照射し、前記光透過部を透過した前記光の透過光に基づきタルボ干渉を発生させる工程と、
前記タルボ干渉による干渉光の一部を前記光電変換部に照射して、前記光電変換部から前記干渉光に基づく電子を放出する工程と、
前記電子の一部を前記電子遮蔽部で遮蔽し、前記電子の他部を加工対象部材へ照射してパターンを形成する工程であって、前記干渉光の前記光電変換部上に形成される第1パターンと、前記電子遮蔽部の形状である第2パターンと、を重ね合わせた形状である第3パターンを形成することを含む工程と、
を備えたパターン形成方法。 - 複数の光透過部が周期的に配置された干渉用マスクパターンと、前記干渉用マスクパターンと離間して配置された光電変換部と、を用意する工程と、
前記干渉用マスクパターンに光を照射し、前記光透過部を透過した前記光の透過光に基づきタルボ干渉を発生させる工程と、
前記タルボ干渉による干渉光を前記光電変換部に照射して、前記光電変換部から前記干渉光に基づく電子を放出する工程と、
前記電子を加工対象部材へ照射してパターンを形成する工程と、
を備えたパターン形成方法。 - 前記光電変換部は、前記干渉光の一部を前記電子に変換する請求項2記載のパターン形成方法。
- 前記電子の一部を遮蔽する電子遮蔽部をさらに備え、
前記パターンを形成する工程は、前記干渉光の前記光電変換部上に形成される第1パターンと、前記電子遮蔽部の形状である第2パターンと、を重ね合わせた形状である第3パターンを形成することを含む請求項2または3に記載のパターン形成方法。 - 周期的に配置された複数の光透過部を有し、タルボ干渉による干渉光を発生させる干渉用マスクパターンと、
前記干渉用マスクパターンと離間して設けられ、前記タルボ干渉による干渉光に基づく電子を放出する光電変換部と、
を備えたパターン形成用マスク。 - 前記干渉用マスクパターンと、前記光電変換部と、の間に設けられ、前記干渉光を透過させる中間部材をさらに備えた請求項5記載のパターン形成用マスク。
- 前記光電変換部の前記干渉用マスクパターンとは反対側に設けられ、前記干渉光による第1パターンとは異なる形状を有する第2パターンを有し、前記電子の一部を遮蔽する電子遮蔽部をさらに備えた請求項5または6に記載のパターン形成用マスク。
- 光を放出する光源と、
加工対象部材を載置するステージと、
タルボ干渉による干渉光を発生させる干渉用マスクパターンと、前記タルボ干渉による干渉光に基づく電子を放出する光電変換部と、を有するパターン形成用マスクを保持するマスク保持部と、
前記光電変換部から放出された前記電子を収束させる電子レンズと、
を備えたパターン形成装置。
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