JP4430040B2 - 基板にパターンを形成するためのリソグラフィ方法およびリソグラフィ装置 - Google Patents

基板にパターンを形成するためのリソグラフィ方法およびリソグラフィ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4430040B2
JP4430040B2 JP2006152942A JP2006152942A JP4430040B2 JP 4430040 B2 JP4430040 B2 JP 4430040B2 JP 2006152942 A JP2006152942 A JP 2006152942A JP 2006152942 A JP2006152942 A JP 2006152942A JP 4430040 B2 JP4430040 B2 JP 4430040B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
pattern
radiation
contrast enhancing
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006152942A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006338021A (ja
Inventor
スーエル ハリー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Holding NV
Original Assignee
ASML Holding NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Holding NV filed Critical ASML Holding NV
Publication of JP2006338021A publication Critical patent/JP2006338021A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4430040B2 publication Critical patent/JP4430040B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146Laser beam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、リソグラフィ・システムおよびデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、基板または基板の一部に所望のパターンを付与するマシンである。リソグラフィ装置は、例えばフラット・パネル・ディスプレイ、集積回路(IC)、および精密な構造を含む他のデバイスの製造に使用することができる。従来の装置では、フラット・パネル・ディスプレイ(または他のデバイス)の個々の層に対応する回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルと呼ばれるパターン形成デバイスを使用することができる。このパターンは、基板の上に提供された放射線感光材料(例えばレジスト)の層に結像することによって、基板(例えばガラス・プレート)の全体または一部に転写することができる。
回路パターンではなく、例えばカラー・フィルタ・パターンまたはドットのマトリックスといった他のパターンを生成するためにパターン形成デバイスを使用することもできる。パターン形成デバイスは、マスクではなく、個別に制御可能な要素のアレイを有するパターン形成アレイを有することもできる。そのようなシステムでは、マスクベースのシステムと比較してパターンをより迅速且つ低コストで変更することができる。
フラット・パネル・ディスプレイ基板は典型的には長方形状である。このタイプの基板を露光するように設計されたリソグラフィ装置は、長方形基板の全幅に及ぶ露光領域、または幅の一部(例えば幅の半分)に及ぶ露光領域を提供することができる。基板を露光領域の下で走査することができ、それと同時にマスクまたはレチクルが投影ビームによって同期して走査される。このようにしてパターンが基板に転写される。露光領域が基板の全幅に及ぶ場合、露光はただ1回の走査によって完了することができる。露光領域が例えば基板の幅の半分に及ぶ場合、基板は、第1の走査の後に横方向に移動されることがあり、典型的には、基板の残りの部分を露光するためにさらなる走査が行われる。
第1および第2の像を用いてより解像度の低い複数のパターンを介在的に露光することによって光学露光システムの解像度を改善する二重露光技法を使用することができ、これは、光学システムの解像能力を実質上2倍にすることができる。非常に高い解像度のパターンが、2つのより低い解像度のパターン(例えば第1および第2の像)に逆畳み込み(deconvolve)され、これを基板上に介在的に露光することができる。
二重露光を行うための1つの方法は、第1の像を露光し、ウェハを露光ツールから取り外し、ウェハを現像して処理し、ウェハをレジストで再被覆し、ウェハを露光ツールに再び装着し、ウェハを第2の像で露光するというものである。
二重露光を行うための別の方法は、レジスト層の上でコントラスト向上層を使用するものである。このコントラスト向上層は、パターン形成される像の解像度を高め、第2の像が配置される領域内のレジストを第1の像が露光するのを防止する。コントラスト向上層は、露光の合間に除去され、再形成される。露光システムを通して2回のパスが、パスの間の基板位置合わせと共に行われる。したがって、コントラスト向上層の除去および再塗布が、大幅にスループットを低下させることがあり、また第1および第2の像によって形成されるパターン間の位置合わせ不良を引き起こす場合がある。
したがって、多重露光プロセスにおいて露光間に除去して再塗布する必要がないコントラスト向上層を提供するシステムおよび方法が求められている。
本発明の一実施例では、以下に記述するステップを含む、リセット可能または復元可能なコントラスト向上層を利用するデバイス製造方法が提供される。放射線感光層が基板の上に形成される。リセット可能または復元可能なコントラスト向上層が、放射線感光層の上に形成される。リセット可能または復元可能なコントラスト向上層が、第1のパターンで漂白(すなわちブリーチ)される。リセット可能または復元可能なコントラスト向上層に形成された第1のパターンが、放射線感光層に伝送するのを許可される。リセット可能なコントラスト向上層がリセットされて、または復元可能な(すなわち可逆性の)コントラスト向上層が復元(すなわち逆変換)されて、リセット可能または復元可能なコントラスト向上層を漂白解除する。リセット可能または復元可能なコントラスト向上層が、第2のパターンで漂白される。リセット可能または復元可能なコントラスト向上層に形成された第2のパターンが、放射線感光層に伝送するのを許可される。
本発明のさらなる実施例、特徴、および利点、ならびに本発明の様々な実施例の構造および動作を、添付図面を参照しながら以下に詳細に説明する。
本明細書に組み込まれて本明細書の一部を成す添付図面は、本発明の1つまたは複数の実施例を例示し、さらに本説明と共に、本発明の原理を説明して、本発明を当業者が作製して使用できるようにするのに役立つ。
次に、添付図面を参照しながら本発明を説明する。図面中、同様の参照符号は、同一または機能的に同様の要素を示している場合がある。さらに、参照番号の左端の数は、その参照番号が最初に現れる図面を識別している場合がある。
特定の構成および配置について論じるが、それが例示の目的でのみ行われることを理解すべきである。本発明の精神および範囲から逸脱することなく他の構成および配置を使用することができることを当業者は理解するであろう。また、本発明を様々な他の用途で採用することもできることが当業者には明らかであろう。
図1に、本発明の一実施例のリソグラフィ装置を図式的に示す。この装置は、照明システムILと、パターン形成デバイスPDと、基板テーブルWTと、投影システムPSとを有する。照明システム(照明器)ILは、放射線ビームB(例えばUV放射線)を調整するように構成されている。
パターン形成デバイスPD(例えば、レチクルもしくはマスク、または個別に制御可能な要素のアレイ)がビームを変調する。一般に、個別に制御可能な要素のアレイの位置は、投影システムPSに対して固定される。しかし、そうではなく、いくつかのパラメータに従って個別に制御可能な要素のアレイを正確に位置決めするように構成された位置決め装置にアレイを接続することもできる。
基板テーブルWTは、基板(例えばレジスト被覆基板)Wを支持するように構築されており、またいくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された位置決め装置PWに接続されている。
投影システム(例えば屈折投影レンズ・システム)PSは、個別に制御可能な要素のアレイによって変調された放射線のビームを基板Wの(例えば1つまたは複数のダイを有する)目標部分Cに投影するように構成される。
照明システムは、放射線を方向付け、成形し、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、もしくは他のタイプの光学構成要素、またはそれらの任意の組合せなど様々なタイプの光学構成要素を含むことができる。
本発明で使用する用語「パターン形成デバイス」または「コントラスト・デバイス」は、基板の目標部分にパターンを作成する目的で、放射線ビームの断面を変調するために使用することができる任意のデバイスを表すものとして広く解釈すべきである。デバイスは、静的なパターン形成デバイス(例えばマスクまたはレチクル)であってもよく、動的なパターン形成デバイス(例えばプログラム可能要素のアレイ)であってもよい。簡潔にするため、ほとんどの説明は動的なパターン形成デバイスに関するものとするが、本発明の範囲から逸脱することなく静的なパターン・デバイスを使用することもできることを理解されたい。
例えばパターンが位相シフト・フィーチャまたはいわゆる補助フィーチャを含む場合、放射線ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分での所望のパターンに正確には対応していない場合があることに留意すべきである。同様に、基板上に最終的に生成されるパターンは、個別に制御可能な要素のアレイ上に任意の一時点に形成されているパターンに対応していない場合がある。これは、基板の各部分に形成される最終的なパターンが所与の時間または所与の回数の露光を経て構築され、その間に個別に制御可能な要素のアレイ上のパターンおよび/または基板の相対位置が変化する構成において当てはまる場合がある。
一般に、基板の目標部分に作成されるパターンは、集積回路またはフラット・パネル・ディスプレイなど目標部分に作成されるデバイス内の特定の機能層(例えばフラット・パネル・ディスプレイ内のカラー・フィルタ層、またはフラット・パネル・ディスプレイ内の薄膜トランジスタ層)に対応する。そのようなパターン形成デバイスの例としては、例えばレチクル、プログラム可能ミラー・アレイ、レーザ・ダイオード・アレイ、発光ダイオード・アレイ、グレーティング・ライト・バルブ、およびLCDアレイが挙げられる。
複数のプログラム可能要素を有するパターン形成デバイス(例えば上述のレチクル以外の全てのデバイス)などの、電子手段(例えばコンピュータ)を用いてそのパターンをプログラム可能であるパターン形成デバイスを、本明細書では総称して「コントラスト・デバイス」と呼ぶ。一実施例では、パターン形成デバイスは、少なくとも10個のプログラム可能要素、例えば少なくとも100個、少なくとも1000個、少なくとも10000個、少なくとも100000個、少なくとも1000000個、または少なくとも10000000個のプログラム可能要素を有する。
プログラム可能ミラー・アレイは、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックス・アドレス指定可能表面を有することができる。そのような装置の基本原理は、例えば反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射し、アドレス指定されていない領域が入射光を非回折光として反射するというものである。適切な空間フィルタを使用して、非回折光を反射ビームからフィルタ除去することができ、回折光のみを残して基板に到達させることができる。このようにして、ビームは、マトリックス・アドレス指定可能表面のアドレス指定パターンに従ってパターンが形成される。
代替方法として、フィルタが回折光をフィルタ除去し、非回折光を残して基板に到達させることもできることを理解されたい。
これに対応する様式で、回折光学MEMSデバイス(マイクロ電子機械システム・デバイス)のアレイを使用することもできる。一実施例では、回折光学MEMSデバイスは複数の反射リボンから構成され、これらのリボンは、互いに対して変形して、入射光を回折光として反射する格子を形成することができる。
プログラム可能ミラー・アレイのさらなる代替実施例は、小さなミラーのマトリックス配列を採用し、これら小さなミラーはそれぞれ、適切な局部電界を印加することによって、または圧電作動手段を採用することによって、軸線の周りで個別に傾斜させることができる。ここでもやはり、ミラーはマトリックス・アドレス指定可能であり、したがって、アドレス指定されたミラーが、アドレス指定されていないミラーとは異なる方向に入射放射線ビームを反射する。このようにして、反射ビームはマトリックス・アドレス指定可能ミラーのアドレス指定パターンに従ってパターン形成されることができる。所要のマトリックス・アドレス指定は、適切な電子的手段を使用して行うことができる。
別の例示的なPDは、プログラム可能LCDアレイである。
リソグラフィ装置は、1つまたは複数のコントラスト・デバイスを有することができる。例えば、それぞれが互いに別個に制御される複数の個別に制御可能な要素のアレイを有することができる。そのような構成では、個別に制御可能な要素のアレイのいくつかまたは全てが、共通の照明システム(または照明システムの一部)、個別に制御可能な要素のアレイのための共通の支持構造、および/または共通の投影システム(または投影システムの一部)の少なくとも1つを有することができる。
図1に示される実施例のような一実施例では、基板Wは実質的に円形状を有し、任意選択で、その周縁の一部に沿って切欠きおよび/または平坦縁部を有する。一実施例では、基板は多角形状、例えば長方形である。
基板が実質的に円形状である実施例は、基板が少なくとも25mm、例えば少なくとも50mm、少なくとも75mm、少なくとも100mm、少なくとも125mm、少なくとも150mm、少なくとも175mm、少なくとも200mm、少なくとも250mm、または少なくとも300mmの直径を有する実施例を含む。一実施例では、基板は、最大で500mm、最大で400mm、最大で350mm、最大で300mm、最大で250mm、最大で200mm、最大で150mm、最大で100mm、または最大で75mmの直径を有する。
基板が多角形状、例えば長方形状である実施例は、基板の少なくとも1辺、例えば少なくとも2辺、または少なくとも3辺が、少なくとも5cm、例えば少なくとも25cm、少なくとも50cm、少なくとも100cm、少なくとも150cm、少なくとも200cm、または少なくとも250cmの長さを有する実施例を含む。
一実施例では、基板の少なくとも1辺が、最大で1000cm、例えば最大で750cm、最大で500cm、最大で350cm、最大で250cm、最大で150cm、または最大で75cmの長さを有する。
一実施例では、基板Wはウェハ、例えば半導体ウェハである。一実施例では、ウェハ材料は、Si、SiGe、SiGeC、SiC、Ge、GaAs、InP、およびInAsからなる群から選択される。ウェハは、III/V化合物半導体ウェハ、シリコン・ウェハ、セラミック基板、ガラス基板、またはプラスチック基板であってよい。基板は、(肉眼で見て)透明、着色、または無色であってよい。
基板の厚さは様々であってよく、ある程度は、例えば基板材料および/または基板寸法に依存する場合がある。一実施例では、厚さは、少なくとも50μm、例えば少なくとも100μm、少なくとも200μm、少なくとも300μm、少なくとも400μm、少なくとも500μm、または少なくとも600μmである。基板の厚さは、最大で5000μm、例えば最大で3500μm、最大で2500μm、最大で1750μm、最大で1250μm、最大で1000μm、最大で800μm、最大で600μm、最大で500μm、最大で400μm、または最大で300μmにすることができる。
本明細書で言及する基板は、露光前または後に、例えばトラック(典型的には、レジストの層を基板に塗布し、露光されたレジストを現像するツール)、計測ツール、および/または検査ツールで処理することができる。一実施例では、レジスト層が基板の上に提供される。
本明細書で使用する用語「投影システム」は、使用する露光放射線、または浸液の使用や真空の使用など他の因子に適するように、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、および静電気光学システム、またはそれらの任意の組合せを含めた任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書における用語「投影レンズ」の使用は、より一般的な用語「投影システム」と同義とみなすことができる。
投影システムは、パターンがコヒーレントに基板上に形成されるように、個別に制御可能な要素のアレイにパターンを結像することができる。別法として、投影システムは、二次放射線源を結像することができ、その際、個別に制御可能な要素のアレイの各要素はシャッターとして働く。この点で、投影システムは、例えば二次放射線源を形成するため、および基板上にスポットを結像するために、マイクロ・レンズ・アレイ(MLAとして知られている)またはフレネル・レンズ・アレイなど合焦要素(集光要素)のアレイを有することができる。一実施例では、合焦要素のアレイ(例えばMLA)は、少なくとも10個の合焦要素、例えば少なくとも100個の合焦要素、少なくとも1000個の合焦要素、少なくとも10000個の合焦要素、少なくとも100000個の合焦要素、または少なくとも1000000個の合焦要素を有する。一実施例では、パターン形成デバイス内の個別に制御可能な要素の数は、合焦要素のアレイ内の合焦要素の数と等しく、またはそれよりも多い。一実施例では、合焦要素のアレイ内の合焦要素の1つまたは複数(例えば1000個以上、大多数、またはほぼ全て)を、個別に制御可能な要素のアレイ内の個別に制御可能な要素の1つまたは複数に、例えば、個別に制御可能な要素のアレイ内の個別に制御可能な要素の2個以上、例えば3個以上、5個以上、10個以上、20個以上、25個以上、35個以上、または50個以上に光学的に関連付けることができる。一実施例では、MLAは、少なくとも基板に近づく方向および基板から遠ざかる方向で(例えば1つまたは複数のアクチュエータの使用によって)移動可能である。基板に近づくように、および基板から遠ざかるようにMLAを移動させることができることにより、例えば、基板を移動させる必要なく焦点の調節をできるようになる。
本明細書では図1および図2に示されるように、装置は反射型(例えば反射性の個別に制御可能な要素のアレイを採用する)である。別法として、装置を透過型(例えば透過性の個別に制御可能な要素のアレイを採用する)にすることもできる。
リソグラフィ装置は、2つ(デュアル・ステージ)以上の基板テーブルを有するタイプのものにすることができる。そのような「マルチ・ステージ」のマシンでは、追加のテーブルを並行して使用することができ、あるいは1つまたは複数のテーブルで準備ステップを実施しながら1つまたは複数の他のテーブルを露光用に使用することができる。
またリソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する「浸液」(例えば水)によって基板の少なくとも一部分を覆うことができるタイプのものにすることもできる。浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばパターン形成デバイスと投影システムとの間に適用することもできる。液浸技法は、投影システムの開口数を高めるための技術分野でよく知られている。本明細書で使用する用語「液浸」は、基板などの構造を液体中に浸漬しなければならないことを意味するのではなく、露光中に投影システムと基板との間に液体が存在することを単に意味する。
再び図1を参照すると、照明器ILが、放射線源SOから放射線ビームを受け取る。一実施例では、放射線源は、少なくとも5nm、例えば少なくとも10nm、少なくとも11〜13nm、少なくとも50nm、少なくとも100nm、少なくとも150nm、少なくとも175nm、少なくとも200nm、少なくとも250nm、少なくとも275nm、少なくとも300nm、少なくとも325nm、少なくとも350nm、または少なくとも360nmの波長を有する放射線を提供する。一実施例では、放射線源SOによって提供される放射線は、最大で450nm、例えば最大で425nm、最大で375nm、最大で360nm、最大で325nm、最大で275nm、最大で250nm、最大で225nm、最大で200nm、または最大で175nmの波長を有する。一実施例では、放射線は、436nm、405nm、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm、および/または126nmを含む波長を有する。一実施例では、放射線は、約365nmまたは約355nmの波長を含む。一実施例では、放射線は、例えば365、405、および436nmを包含する広帯域の波長を含む。355nmレーザ源を使用することができる。例えば放射線源がエキシマ・レーザであるとき、放射線源とリソグラフィ装置とを別個のものにすることができる。そのような場合、放射線源は、リソグラフィ装置の一部を成すものとはみなされず、放射線ビームは、例えば適切な方向付けミラーおよび/またはビーム拡大器を有するビーム送達システムBDによって放射線源SOから照明器ILに引き渡される。他の場合、例えば放射線源が水銀ランプであるときには、放射線源をリソグラフィ装置の一部にすることができる。放射線源SOと照明器ILを、必要な場合にはビーム送達システムBDと共に、放射線システムと呼ぶこともできる。
照明器ILは、放射線ビームの角度強度分布を調節するための調節器ADを有することができる。一般に、照明器のひとみ平面での強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲(一般に、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれる)を調節することができる。さらに、照明器ILは、積分器INおよび集光器COなど様々な他の構成要素を有することができる。照明器を使用して、断面に所望の一様性および強度分布を有するように放射線ビームを調整することができる。また、照明器IL、またはそれに関連付けられる追加の構成要素は、放射線ビームを複数のサブビームに分割するように構成することもでき、サブビームは、例えば、個別に制御可能な要素のアレイの1つまたは複数の個別に制御可能な要素にそれぞれ関連付けることができる。例えば、2次元回折格子を使用して放射線ビームをサブビームに分割することができる。本説明では、用語「放射線のビーム」および「放射線ビーム」は、ビームが複数のそのような放射線のサブビームから構成される状況を包含し、しかしそれらに限定されない。
放射線ビームBは、パターン形成デバイスPD(例えば個別に制御可能な要素のアレイ)に入射し、このパターン形成デバイスによって変調される。パターン形成デバイスPDによって反射された後、放射線ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSが、ビームを基板Wの目標部分Cに収束させる。位置決め装置PWおよび位置センサIF2(例えば干渉計デバイス、リニア・エンコーダ、容量センサなど)を用いて、例えば放射線ビームBの経路内に様々な目標部分Cを位置決めするように基板テーブルWTを正確に移動させることができる。使用できる場合には、個別に制御可能な要素のアレイ用の位置決め手段を使用して、例えば走査中に、ビームBの経路に対するパターン形成デバイスPDの位置を正確に修正することができる。
一実施例では、基板テーブルWTの移動は、図1には明示されていない長行程モジュール(粗い位置決め用)および短行程モジュール(精密な位置決め用)を用いて実現される。別の実施例では、短行程ステージが存在しない場合がある。個別に制御可能な要素のアレイを位置決めするために同様のシステムを使用することもできる。別法として/追加として、ビームBを移動可能にし、オブジェクト・テーブルおよび/または個別に制御可能な要素のアレイが固定位置を有するようにして、所要の相対移動を提供することもできることを理解されたい。そのような構成は、装置のサイズを制限する助けとなる場合がある。例えばフラット・パネル・ディスプレイの製造で適用可能な場合があるさらなる代替形態として、基板テーブルWTおよび投影システムPSの位置を固定し、基板Wが基板テーブルWTに対して移動されるように構成することもできる。例えば、基板テーブルWTを横切って実質的に一定の速度で基板Wを走査するためのシステムを基板テーブルWTに設けることができる。
図1に示されるように、放射線のビームBはビーム・スプリッタBSによってパターン形成デバイスPDに向けることができ、ビーム・スプリッタBSは、放射線が初めにビーム・スプリッタによって反射されてからパターン形成デバイスPDに向けられるように構成される。ビーム・スプリッタを使用せずに放射線のビームBをパターン形成デバイスに向けることもできることを理解すべきである。一実施例では、放射線のビームは、0°から90°の間、例えば5°から85°の間、15°から75°の間、25°から65°の間、または35°から55°の間の角度でパターン形成デバイスに向けられる(図1に示される実施例は、90°の角度である)。パターン形成デバイスPDは、放射線のビームBを変調し、そのビームを反射してビーム・スプリッタBSに戻し、ビーム・スプリッタBSが、変調されたビームを投影システムPSに送達する。しかし、放射線のビームBをパターン形成デバイスPDに、続いて投影システムPSに向けるために代替の構成を使用することもできることを理解されたい。特に、透過パターン形成デバイスが使用される場合には、図1に示されるような構成が必要ないことがある。
図14に、本発明の一実施例による多重露光マスクベース・リソグラフィ・システム1400を示す。システム1400は、範囲1404に沿って走査することが可能な走査ステージ1402を含む。走査ステージ1402は、二重レチクル1406aおよび1406bを支持するために使用することができる。また、システム1400は、第1および第2の光学構成要素1408aおよび1408bと、第1および第2の光学素子1410aおよび1410bと、プリズム1412とを含む。
一実施例では、光学構成要素1408aおよび1408bは、合焦、位置合わせ、およびオフセット調節を提供することができる。例えば、光学構成要素1408aおよび1408bは、フォールド・ミラーにすることができる。
一実施例では、第1および第2の光学素子1410aおよび1410bは、それぞれの光学構成要素1408aおよび1408bをプリズム1412に光学的に結合することができる。別法として、または追加として、光学素子1410aおよび1410bは、光学リレーまたはひとみフィルタとして具現化することができる。後者の実施例によれば、第1および第2の光学素子1410aおよび1410bを、ビーム1430aおよび1430bを調整するための収縮性アパーチャにすることができる。例えば、第1および第2の光学素子1410aおよび1410bが、ビーム1430aおよび1430bの焦点および/または強度を変えることができる。また、第1および第2の光学素子1410aおよび1410bは、ビーム1430aおよび1430bの各チャネルを別個に調整するために使用することができる。追加として、または別法として、ひとみフィルタと光学リレーとの両方を光学素子1410aおよび1410b内部で使用することができる。
一実施例では、プリズム1412は、ビーム1416aおよび1416bによって示されるように入射ビーム1414aおよび1414bを投影システムPSと位置合わせするように成形されたミラーにすることができる。追加として、または別法として、プリズム1412は、ビーム・スプリッタまたはビーム結合器にすることができる。追加として、または別法として、プリズム1412は、少なくとも1つの側面および/または表面で位相シフト性質を有することができる。
レチクル1406aおよび1406bは、照明源(図示しないが、図1および図2を参照のこと)によってそれぞれ露光される。照明は、レチクル1406aおよび1406bを通して伝わり、これらは像またはビーム1428aおよび1428bをそれぞれ提供する。二重レチクル像1428aおよび1428bは、それぞれの光学要素1408、1410、および1412に入射する。ビーム1428aは、レチクル1406aから光学構成要素1408aに進む。ビーム1428aは、光学構成要素1408aで像またはビーム1430aとして光学素子1410aに向けられる。光学素子1410aは、ビーム1430aを像またはビーム1414aとしてプリズム1412に引き渡す。像またはビーム1428b、1430b、および1414bに関しても同様のビーム経路が取られる。
一実施例では、基板ステージWT上の基板Wが露光シーケンスに一度通されて、レチクル1406aおよび1406bからの像が基板Wに同時に露光される。システム1400のスループットは、標準の単一パス・スループット・レベルで実質上維持され、これは、従来の二重露光システムの2倍のスループットをもたらす。
別法として、または追加として、システム1400は、投影システムPSの像領域1422内で2つの像1420aおよび1420bを並べて生成する。システム1400の像領域1422は、基板ステージWTへのエネルギーの通過を可能にし、基板ステージWTは、上で論じたように、1つまたは複数の基板Wを支持することが可能であり、また移動範囲1426に沿って走査することが可能である。リソグラフィ・システム1400の走査動作が、基板Wの露光中に2つの像1420aと1420bを効果的に重ね合わせる。各像1420aおよび1420bは、レチクル1406aおよび1406bの走査と同期して像領域を通して走査される(すなわち、基板Wの表面領域が走査される)ときに、基板Wの放射線感光層(図示せず)を露光する。追加として、または別法として、像走査は、2つの像1420aと1420bが重ね合わされるように同期される。
別法として、2つの像1420aと1420bを別個に合焦して位置合わせすることができる。追加として、または別法として、2つの像1420aと1420bの照明条件を別個に設定して制御することができる。例えば、得られる像をより高い精度で決定することができるように、構成要素1406a、1408aおよび1410aを、構成要素1406b、1408bおよび1410bとは別個に位置合わせし、合焦し、制御する(すなわち走査する)ことができる。
一実施例では、プリズム1412と投影システムPSとの間に中間像面1424が画定される。追加として、または別法として、光学素子1410とプリズム1412との間に存在する、および/または光学素子1410および/またはプリズム1412の両側に存在するなどといった、中間像面1424に関する他の位置決めがある。中間像面1424は、リソグラフィ・システム1400の位置合わせ、合焦、およびオフセット計算のための基準を提供する。
追加として、または別法として、投影システムPSは、第1の光学ブロック1434aと、第2の光学ブロック1434bと、第3の光学ブロック1434cとを含むことができる。一実施例では、第1の光学ブロック1434aは、ビーム1416に対するビーム調整および初期像縮小を提供し、ビーム1416をミラー1434bに向ける。ミラー1434bは、ビーム1416を光学ブロック1434cに向ける。光学ブロック1434cは、ビーム1416の最終的な縮小を提供し、像領域1422を通るようにビーム1416を向ける。
代替実施例では、少なくとも2つの像1420aおよび1420bが、同じ1つのレチクル、例えば1406aまたは1406b上の少なくとも2つの別個のパターンから生成される。
追加として、または別法として、ビーム1428aおよび1428bの像の精密な位置合わせおよび位置決めが、基板ステージWT上で検出器1432を使用して達成される。一実施例では、像の位置合わせは、二重レチクル1406aおよび1406b上で位置調整用マークを使用して監視することができる。
追加として、または別法として、走査ステージ1402から像1428aおよび1428bを受け取るために、基板ステージWT上で検出器1432を使用することができる。検出器1432は、ステージ1402とWTとの間のリアルタイム・システム較正を可能にすることができる。
一実施例では、各レチクル像に送達される露光線量を、各照明スリットでの照明強度を調節することによって別個に制御することができる。別の実施例では、各二重レチクル1406aおよび1406bの少なくとも一部分からの像が、二重レチクル1406aおよび1406bの一方の異なる位置からの像である。
図15に、本発明の一実施例による、2つのチャネルを有する(例えば2つの像1420aおよび1420bを生成する)投影システムPSの像領域1422を示す。レチクル1406aおよびレチクル1406bは、「ABCDEFGHIJK」などのパターンを有する。このパターンは例示の目的のものである。これらのパターンは像領域1422で見られ、これは、基板W上でのパターンの重ね合わせを示す。レチクル1406aおよび1406bは像領域1422に結像され、像1420aおよび1420bが基板W上に露光される。これを行うための例示的なシステムおよび方法は、全体を参照として本明細書に組み込む米国特許第6611316号明細書に記載されている。
記述した装置は、いくつかのモードで使用することができる。
(1)ステップ・モードでは、個別に制御可能な要素のアレイおよび基板が本質的に静止して保たれ、放射線ビームに与えられた全パターンが目標部分Cに一度に投影される(すなわち、ただ1回の静的露光)。次いで、異なる目標部分Cを露光することができるように、基板テーブルWTがXおよび/またはY方向に移動される。ステップ・モードでは、露光領域の最大サイズが、ただ1回の静的露光で結像される目標部分Cのサイズを制限する。
(2)走査モードでは、個別に制御可能な要素のアレイと基板とが同期して走査され、その間に、放射線ビームに与えられたパターンが目標部分Cに投影される(すなわち、ただ1回の動的露光)。個別に制御可能な要素のアレイに対する基板の速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)および像反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光領域の最大サイズが、ただ1回の動的露光における目標部分の(非走査方向での)幅を制限し、走査運動の長さが、目標部分の(走査方向での)高さを決定する。
(3)パルス・モードでは、個別に制御可能な要素のアレイが本質的に静止して保たれ、パルス放射線源を使用して全パターンが基板Wの目標部分Cに投影される。基板テーブルWTが本質的に一定の速度で移動され、それにより投影ビームBが基板Wを横切ってラインを走査する。個別に制御可能な要素のアレイ上のパターンは、放射線システムのパルスの合間に必要に応じて更新され、パルスは、連続する目標部分Cが基板W上の所要の位置で露光されるようにタイミングを取られる。その結果、投影ビームBが基板Wを横切って走査して、基板のストリップに関する全パターンを露光することができる。ライン毎に基板W全体が露光されるまでこのプロセスが繰り返される。
(4)連続走査モードでは、基板Wが、変調された放射線のビームBに対して実質的に一定の速度で走査され、投影ビームBが基板Wを横切って走査して基板Wを露光するのに伴って個別に制御可能な要素のアレイ上のパターンが更新される。個別に制御可能な要素のアレイ上のパターンの更新に同期された実質的に一定の放射線源またはパルス放射線源を使用することができる。
(5)図2のリソグラフィ装置を使用して行うことができるピクセル・グリッド・イメージング・モードでは、基板Wに形成されるパターンは、パターン形成デバイスPDに向けられたスポット生成器によって形成されるスポットを続けて露光することによって実現される。露光されるスポットは、実質的に同一の形状を有する。基板W上で、スポットは実質的にグリッドとしてプリントされる。一実施例では、スポット・サイズは、プリントされるピクセル・グリッドのピッチよりも大きく、しかし露光スポット・グリッドよりもはるかに小さい。プリントされるスポットの強度を変えることによってパターンが実現される。露光フラッシュの合間に、スポット全体にわたって強度分布が変えられる。
上述した使用モードの組合せおよび/または変形形態、あるいは全く異なる使用モードを採用することもできる。
図2に、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置の構成を示す。この実施例は、例えばフラット・パネル・ディスプレイの製造で使用することができる。図1に示されるものに対応する構成要素は、同じ参照符号で示されている。また、様々な実施例、例えば基板、コントラスト・デバイス、MLA、放射線のビームなどの様々な構成の上述した説明をここでも適用できる。
図2に示されるように、投影システムPSは、ビーム拡大器を含み、ビーム拡大器が2つのレンズL1、L2を有している。第1のレンズL1は、変調された放射線ビームBを受け取り、そのビームをアパーチャ・ストップASのアパーチャを通して合焦するように配置される。さらなるレンズALをアパーチャ内に位置することもできる。次いで、放射線ビームBが発散して、第2のレンズL2(例えば視野レンズ)によって合焦される。
さらに、投影システムPSは、拡大された変調放射線Bを受け取るように配置されたレンズのアレイMLAを備える。パターン形成デバイスPD内の個別に制御可能な要素の1つまたは複数に対応する変調放射線ビームBの異なる部分が、レンズのアレイMLA内の異なるレンズをそれぞれ通過する。各レンズMLが、変調放射線ビームBのそれぞれの部分を基板W上の一点に合焦する。このようにして、放射線スポットSのアレイが基板W上に露光される。例示されるレンズ・アレイ14のレンズは8つのみ図示されているが、レンズのアレイが、何千個ものレンズを有する場合があることを理解されたい(同じことが、パターン形成デバイスPDとして使用される個別に制御可能な要素のアレイにも当てはまる)。
図3に、本発明の一実施例による、図2のシステムを使用して基板W上のパターンが生成される様子を図式的に示す。黒丸は、投影システムPS内のレンズ・アレイMLAによって基板W上に投影されたスポットSのアレイを表す。基板Wは、一連の露光部が基板W上に露光されると、投影システムPSに対してY方向に移動される。白丸は、基板W上に前もって露光されたスポット露光部SEを表す。図示するように、投影システムPS内部のレンズ・アレイによって基板上に投影される各スポットが、スポット露光部の列Rを基板Wに露光する。基板に関する全パターンは、各スポットSによって露光されるスポット露光部SEの全ての列Rの合計によって生成される。そのような構成は、上述した「ピクセル・グリッド・イメージング」と一般に呼ばれる。
放射線スポットSのアレイが、基板Wに対して角度θで配列されていることを見ることができる(基板の縁部はXおよびY方向に平行である)。このようにすると、基板が走査方向(Y方向)に移動されるときに、各放射線スポットが基板の異なる領域の上を通り、それにより放射線スポット15のアレイによって基板全体を覆うことができるようになる。一実施例では、角度θは最大で20°、10°、例えば最大で5°、最大で3°、最大で1°、最大で0.5°、最大で0.25°、最大で0.10°、最大で0.05°、または最大で0.01°である。一実施例では、角度θは、少なくとも0.001°である。
図4に、本発明の一実施例による、複数の光学エンジンを使用してフラット・パネル・ディスプレイ基板W全体をただ1回の走査で露光することができる様子を図式的に示す。図示される実施例では、「チェス・ボード」配置で2つの列R1、R2として配列された8つの光学エンジン(図示せず)によって放射線スポットSの8つのアレイSAが生成され、放射線スポットSの1つのアレイの縁部が放射線スポットSの隣接するアレイの縁部と(走査方向Yで)わずかに重なるようになっている。一実施例では、光学エンジンは、少なくとも3列、例えば4列または5列で配列される。このようにすると、一組の放射線が基板Wの幅にわたって延び、ただ1回の走査で基板全体の露光を行うことができるようになる。任意の適切な数の光学エンジンを使用することができることを理解されたい。一実施例では、光学エンジンの数は、少なくとも1個、例えば少なくとも2個、少なくとも4個、少なくとも8個、少なくとも10個、少なくとも12個、少なくとも14個、または少なくとも17個である。一実施例では、光学エンジンの数は、40個未満、例えば30個未満、または20個未満である。
各光学エンジンが、上述したような別個の照明システムILと、パターン形成デバイスPDと、投影システムPSとを有することができる。しかし、2つ以上の光学エンジンが、照明システム、パターン形成デバイス、および投影システムの1つまたは複数の少なくとも一部分を共有することもできることを理解されたい。
「コントラスト向上層を用いた二重露光」
本発明の一実施例では、以下に記述するステップを含む、リセット可能または復元可能なコントラスト向上層を用いたデバイス製造方法が提供される。放射線感光層が基板の上に形成される。リセット可能または復元可能なコントラスト向上層が、放射線感光層の上に形成される。リセット可能または復元可能なコントラスト向上層が、対応する第1のパターン像への露出によって第1のパターンで漂白(ブリーチ)される。リセット可能または復元可能なコントラスト向上層に形成された第1のパターンの漂白フィーチャは、露光放射線に対する透過率が、漂白されていない領域の透過率とは異なる。放射線感光層は、第1のパターンの漂白フィーチャでパターン形成されたリセット可能または復元可能なコントラスト向上層を通る露光放射線の透過によって、放射線の第1のパターンに露出されるようになる。リセット可能なコントラスト向上層がリセットされて、または復元可能なコントラスト向上層が復元されて、リセット可能または復元可能なコントラスト向上層が漂白解除される。リセット可能または復元可能なコントラスト向上層が、第2のパターンで漂白される。リセット可能または復元可能なコントラスト向上層に形成された第2のパターンの漂白フィーチャは、第2のパターンの漂白フィーチャでパターン形成されたリセット可能または復元可能なコントラスト向上層を通る露光放射線の透過によって、放射線の第2のパターンに対する放射線感光層の露出を可能にする。
図5に、二重露光プロセスを使用して組み合わせることができる第1および第2の像500および502を示す。例えば、これは、図14のシステムを使用して達成することができる。波形506は、以下でより詳細に説明するように、コントラスト向上層がウェハのレジストの上に形成されているときに二重露光プロセスを使用して形成される第1の像に対応する。別の波形508は、コントラスト向上層が形成されていないときに二重露光技法を使用して形成される、より低い解像度の像に対応する。図に見ることができるように、コントラスト向上層を使用すると、実質的により高い解像度を有する像を得ることができる。
図6、図7および図8に、第1および第2のコントラスト向上層612および712と、図5からの第1および第2の像500および502(あるいは波形と呼ぶ)とを用いた二重露光プロセスを図式的に示す。図6、図7および図8は、上に形成された放射線感光層610(例えばレジストであり、本明細書では以後、放射線感光層とレジストをいずれもレジストと呼ぶ)を含む基板614を示す。図6は、レジスト610の上に形成された第1のコントラスト向上層612を示し、図7および図8は、レジスト610の上に形成された第2のコントラスト向上層712を示す。第2のコントラスト向上層712は、第1の像500がレジスト610にパターン形成された後であって、第1のコントラスト向上層612を除去した後に、レジスト610の上に形成される。
第1および第2の像500および501からレジスト610に形成される領域の数は、本発明の範囲から逸脱することなく、本明細書で開示する様々な実施例よりも多く、または少なくすることができることを理解されたい。
図6は、第1のコントラスト向上層612およびレジスト610に露光される第1の像500を示す。第1のコントラスト向上層612への第1の像500の露光は、第1の像500を受け取る領域が漂白領域616になるようにする。漂白領域616は、パターン618がレジスト610に形成されるのを「許可」する。「許可」によって意味することができるのは、第1のパターン500の放射線に対する第1のコントラスト向上層612の拡張された露出によってパターン618がレジスト610に伝送され、そこに形成されるということであり、この露出は、パターン618が第1のコントラスト向上層612を通ってレジスト610に伝送されるまで続く。一実施例では、漂白領域616は、第1のコントラスト向上層612に第1の像500が記録される領域とすることができ、これは、第1のコントラスト向上層612の漂白領域616で透過特性または不透明性を変え、例えば透過率を低減または増加する。
コントラスト向上層に適用される「漂白」および「漂白解除」は、光子による照射またはベーキング・プロセスなどの作用によって光透過が意図的に変更されるプロセスであることを理解されたい。「漂白(bleaching)」は、より透明にすることを意味し、「漂白解除(unbleaching)」は、より不透明にすることを意味する。「退色(fading;フェージング)」は、材料の透過性質の自然な緩和によって漂白解除する光透過の変化である。これらの用語は、コントラスト向上層に適用され、像が材料内の光色素を漂白して結像領域の透明性を高め、したがってコントラスト向上層の下のレジスト層で観察される像のコントラストを高める。
図7で見られるように、第1のコントラスト向上層612が除去された後、レジスト610が再被覆されて、第2のコントラスト向上層712が形成される。
図8で見られるように、第2の像502は、第1の像500が露光されたレジスト610の領域618の間に介在的に第2のコントラスト向上層712に露光される。第2の像502は、第2のコントラスト向上層712に漂白領域816を形成する。したがって、漂白領域816は、第1のコントラスト向上層612に漂白領域616が形成された場所に関して介在的に形成される。漂白領域816は、レジスト610に介在パターン818を形成するために利用され、このパターン818は、パターン618に関して割り込んだ関係にある。上で論じたように、これは、従来のリソグラフィ技法に比べて、基板614に形成される最終的なパターン506の解像度を高め、例えば解像度を実質上2倍にすることができる。
一実施例では、第1のコントラスト向上層612が除去され、レジスト610が再被覆されて、第2のコントラスト向上層712が形成される。一実施例では、これは、露光ツール(図示せず)から基板614を取り外し、基板614が第2の露光のために露光ツールに戻される前に複数の処理ステップを行うことによって行われる。様々な実施例において、処理は、少なくとも1つまたは複数の従来の露光前および露光後リソグラフィ処理ステップを含むことができる。例えば、処理は、レジスト610の露光後に、露光後ベーキング、あるいはレジスト現像と組み合わせた露光後ベーキングを含む場合がある。
図9に、図6、図7および図8に関連して上述した二重露光が完了した後にレジスト610に形成される最終的なパターンを示す。最終的なパターンは、第2のコントラスト向上層712が除去された後に、図5の第1および第2の像500および502からレジスト610に形成される。
「リセット可能または復元可能なコントラスト向上層を用いた多重露光技法」
図10および図11に、本発明の一実施例による、図5の第1および第2の像500および502を用い、且つリセット可能または復元可能なコントラスト向上層1012を用いた多重露光プロセスを図式的に示す。
第1の実施例では、コントラスト向上層1012はリセット可能(例えば能動的にリセット可能)にすることができる。能動的なリセットによって意味されることは、第1の露光ビーム500によって生成された漂白領域616が、第1の露光後にコントラスト向上層1012をリセットするエネルギー、例えば以下で論じるような所定量の波長を有する光ビームを受け取ることによって漂白解除領域1020になることである。その結果、コントラスト向上層1012がリセットされるので、コントラスト向上層612および712に関して上述したようにコントラスト向上層1012を除去して再塗布する必要はない。
第2の実施例では、コントラスト向上層1012は、受動的に復元可能にすることができる。受動的な復元によって意味されることは、第1の露光ビーム500によって生成された漂白領域616が、コントラスト向上層1012を形成するために使用された材料の固有の性質によって漂白解除領域1020になることである。例えば、固有の性質が、経時的な漂白領域616の退色を可能にする場合がある。退色により、コントラスト向上層1012は、その不透明性のいくらかを取り戻して、漂白解除領域1020を形成する。その結果、コントラスト向上層1012が復元されるので、コントラスト向上層612および712に関して上述したようにコントラスト向上層1012を除去して再塗布する必要はなく、リセット可能実施例の場合のようにエネルギーを加える必要もない。
一実施例では、能動的にリセット可能な、または受動的に復元可能なコントラスト向上層1012を形成するために使用される材料は、レーザ色素(レーザ・ダイ)などであってよく、しかしそれに限定されることはない。
図11に、コントラスト向上層1012の復元またはリセットの後、第2の像502の受け取り中の、多重露光プロセスでの一時点を図式的に示す。すなわち、漂白領域616が退色されて(例えば、コントラスト向上層1012が能動的にリセットされ、または受動的に復元されて)漂白解除領域1020を形成した後、二重露光プロセスの第2の像502が受け取られる。次いで、上述したプロセスが取られて、第2のパターン818をレジスト610に伝える。
一実施例では、層1012は、第2の像502が露光される領域に散乱される光の、実質的に全てのメモリを消失させることができる。
図12に、本発明の一実施例による、能動的にリセット可能なコントラスト向上層1212を用いた多重露光プロセスを図式的に示す。当業者には理解されるように、それぞれの第1、第2、および第3のビーム500、502、および1222は、単一期間中に生じるように図示されていけれども、異なる期間中、例えば第1のビーム500に関して第1の期間中、第3のビーム1222に関して第2の期間中、第2のビーム502に関して第3の期間中に露光することができることを理解されたい。また、理解されるように、それぞれの第1、第2、および第3のビーム500、502、および1222は、コントラスト向上層1212の特定の部分を露光するように図示されているけれども、異なる期間中、または3つのビーム全てが実質的に同時に露光する場合には同じ期間中に、コントラスト向上層1212の全部分をそれぞれ露光することができる。
この実施例では、コントラスト向上層1212に第1の像(ビーム)500から形成された漂白領域616は、第3のビーム1222の使用によって能動的に漂白解除される。したがって第3のビーム1222は、コントラスト向上層1212を能動的にリセットするために使用される。第1および第2の像(ビーム)500および502の間で投影システムPS(図示せず)から投影することができる第3のビーム1222は像を搬送しない。第3のビーム1222の照明波長を使用して、コントラスト向上層1212の漂白領域616を漂白解除して、漂白解除領域1220を形成することができるようになる。例えば、第3のビーム1222の波長の値は、第1および第2の像500および502で使用される波長の値とは異なる。「漂白解除照明」は、2回の露光間で、露光ツール(図示せず)から基板1214を取り外すことなく多重露光プロセスを行うことを可能にする。これは、像500および502の2回の露光間に基板1214を位置合わせするという要件を緩和することができる。なぜなら、パターン形成デバイス・ステージ(図示せず)で像チャネル1が像チャネル2に位置合わせされ、両方の像が、露光ツールを通る単一のパスに関して基板1214で共に位置合わせされるからである。追加として、または別法として、像500および502の2回の露光間に基板1214を取り外す必要がないことにより、スループットを高めることができる。
図13に、本発明の一実施例による、図12の多重露光プロセスを行うために使用することができる3つのチャネル1320a、1320b、および1320cを有する投影システムPSの像領域1322を示す。像領域1322は、第1の像(すなわち第1のビームまたはチャネル)1320aと、第2の像(すなわち第2のビームまたはチャネル)1320bと、第3のビーム(すなわち第3のチャネル)1320cとを含む。第1および第2の像1320aおよび1320bは、図14に関して上述した像1420aおよび1420bと同様であってよい。しかし、この実施例では、第3のビーム1320cは、図12に関して上述したようなリセット可能なコントラスト向上層1212(図13には図示しないが、図12を参照のこと)の能動的な漂白解除を可能にする値を有する光の波長を含むことができる。
図16に、本発明の一実施例による、受動的に復元可能なコントラスト向上層、例えばコントラスト向上層1012に関する退色曲線またはコントラスト変化曲線1600を示す。したがって、曲線1600は、コントラスト向上層1012が受動的に復元可能である実施例に関係付けられる。曲線1600は、初期露光期間t1中のコントラスト向上層のコントラスト1602の例示的な変化と、それに続く、退色期間t2中のコントラスト向上層のコントラスト1604の変化とを示す。
追加として、または別法として、リセット可能または復元可能なコントラスト向上層、例えばコントラスト向上層1012または1212の漂白領域、例えば漂白領域616から漂白解除領域、例えば漂白解除領域1020/1220を形成するための期間は、用途に特有のものにすることができる。例えば、コントラスト向上層1012/1212は、約1/500秒、約1/100秒、約1/10秒、または約10秒といった短い像退色またはコントラスト変化時間を有することができ、しかしそれらに限定されない。像退色すなわちコントラスト変化時間は、露光ツール(図示せず)またはチャック(図示せず)から基板614を取り外すことなく第2の像502を使用する第2の露光を遂行できるようにする。これは、二重露光プロセスにおける第1のパターン618に対する第2のパターン818の重なり精度を大幅に改善することができ、またスループットを高める。
追加として、または別法として、使用される2つのレチクル1406(図示しないが、図14を参照のこと)は、実質的に同一にすることができる。レチクル1406が実質的に同一であるとき、コントラスト向上層、例えばコントラスト向上層1012または1212の漂白領域、例えば漂白領域616は、完全には退色しない。しかし、漂白領域616は、漂白領域816の形成を可能にするのに十分なだけ退色する。
「例示的な動作」
図17に、本発明の一実施例による、基板をパターン形成するためのリソグラフィ多重露光方法1700を表す流れ図を示す。例えば、この方法は、パターン形成されるフィーチャの解像度を高めるために、能動的にリセット可能な、または受動的に復元可能なコントラスト向上層を利用して多重露光を行うために使用される。これは、上述した例示的なシステムの1つまたは複数を使用して行うことができる。
ステップ1702で、放射線感光層が基板の上に形成される。ステップ1704で、リセット可能または復元可能なコントラスト向上層が、放射線感光層の上に形成される。ステップ1706で、リセット可能または復元可能なコントラスト向上層を第1のパターンで漂白するために、第1の露光ビームが使用される。ステップ1708で、第1のパターンが、リセット可能または復元可能なコントラスト向上層から放射線感光層内に伝達するのを許可される。例えば、「許可」は、コントラスト向上層によって受け取られる像線量を継続することを含むことができ、それにより、線量が漂白領域に光を引き続き当てる間に、パターンは、リセット可能または復元可能なコントラスト向上層内を通り、またはその層を通して透過されて、放射線感光層内に進む。ステップ1710で、リセット可能または復元可能なコントラスト向上層がリセットまたは復元されて、コントラスト向上層を漂白解除する。ステップ1712で、リセット可能または復元可能なコントラスト向上層を第2のパターンで漂白するために、第2の露光ビームが使用される。ステップ1714で、第2のパターンが、リセット可能または復元可能なコントラスト向上層から放射線感光層内に伝達するのを許可される。
本明細書では、特定のデバイス(例えば集積回路またはフラット・パネル・ディスプレイ)の製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているかもしれないが、本明細書で述べたリソグラフィ装置が他の用途を有する場合もあることを理解されたい。それら用途には、集積回路、集積光学システム、磁区メモリ用の誘導および検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド、マイクロ電気機械デバイス(MEMS)などの製造が含まれ、しかしそれらに限定されない。また、例えばフラット・パネル・ディスプレイでは、本発明の装置を使用して、様々な層、例えば薄膜トランジスタ層および/またはカラー・フィルタ層の作成を補助することができる。
文脈が許す場合、用語「レンズ」は、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気などの光学構成要素を含めた様々なタイプの光学構成要素の任意の1つまたは組合せを表すことができる。
本発明の特定の実施例を上で述べてきたが、説明した以外の形で本発明を実施することもできることを理解されたい。例えば、本発明は、上で開示した方法を記述するマシン可読命令の1つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータ・プログラム、またはそのようなコンピュータ・プログラムが内部に記憶されたデータ記憶媒体(例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク)の形とすることができる。
「結論」
本発明の様々な実施例を上に述べてきたが、それらが単に例示として提示されており、限定ではないことを理解すべきである。本発明の精神および範囲から逸脱することなく、形態および細部の様々な変更を行うことができることが当業者には明らかであろう。したがって、本発明の外延および範囲は、上述した例示的な実施例の任意のものによって限定されるべきではなく、添付する特許請求の範囲およびその等価箇所に従ってのみ定義されるべきである。
本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 図2に示される本発明の一実施例による、基板にパターンを転写する形態を示す図である。 本発明の一実施例による、光学エンジンの配置を示す図である。 二重露光プロセスで二重像を形成する第1および第2の像を示す図である。 コントラスト向上層と図5の第1および第2の像とを用いた二重露光プロセスを図式的に示す図である。 コントラスト向上層と図5の第1および第2の像とを用いた二重露光プロセスを図式的に示す図である。 コントラスト向上層と図5の第1および第2の像とを用いた二重露光プロセスを図式的に示す図である。 第2のコントラスト向上層が除去された後、図5の第1および第2の像から図6、図7および図8の二重露光プロセス後にレジストに形成された最終的なパターンを示す図である。 本発明の一実施例による、図5の第1および第2の像を使用し、且つリセット可能または復元可能なコントラスト向上層を使用した多重露光プロセスを図式的に示す図である。 本発明の一実施例による、図5の第1および第2の像を使用し、且つリセット可能または復元可能なコントラスト向上層を使用した多重露光プロセスを図式的に示す図である。 本発明の一実施例による、能動的にリセット可能なコントラスト向上層を用いた多重露光プロセスを図式的に示す図である。 本発明の一実施例による、図12の多重露光プロセスを行うために使用することができる3つのチャネルを有する投影システムの像領域を示す図である。 本発明の一実施例による、デュアル・ステージ、二重露光、マスクベース・リソグラフィ・システムを示す図である。 本発明の一実施例による、2つのチャネルを有する投影システムの像領域を示す図である。 本発明の一実施例による、受動的に復元可能なコントラスト向上層に関する退色曲線すなわちコントラスト変化曲線を示す図である。 本発明の一実施例による、多重露光方法を示す流れ図である。
符号の説明
IL 照明器
SO 放射線源
BD ビーム送達システム
B 放射線ビーム
PD パターン形成デバイス
PS 投影システム
W 基板
WT 基板テーブル
L1、L2 レンズ
AS アパーチャ・ストップ
S スポット
SE スポット露光部
500、502 像
610 放射線感光層
612、712 コントラスト向上層
614 基板
618 パターン
616、816 漂白領域
1400 多重露光マスクベース・リソグラフィ・システム
1402 走査ステージ
1406a、1406b レチクル
1408a、1408b 光学構成要素
1410a、1410b 光学素子
1412 プリズム
1422 像領域
1432 検出器
1434 光学ブロック

Claims (10)

  1. リソグラフィ・システムを使用して基板にパターンを形成するためのリソグラフィ方法であって、
    (a)放射線感光層を基板の上に形成するステップと、
    (b)リセット可能または復元可能なコントラスト向上層を前記放射線感光層の上に形成するステップと、
    (c)前記コントラスト向上層を第1のパターンで漂白するステップと、
    (d)前記第1のパターンが前記コントラスト向上層から前記放射線感光層内に伝達するのを許可するステップと、
    (e)前記コントラスト向上層をリセットまたは復元して、前記コントラスト向上層を漂白解除するステップと、
    (f)前記コントラスト向上層を第2のパターンで漂白するステップと、
    (g)前記第2のパターンが前記コントラスト向上層から前記放射線感光層内に伝達するのを許可するステップと
    を含み、
    ステップ(c)と(f)が、光学システムの第1および第2のチャネルを使用して実質的に同時に行われ、またステップ(d)と(g)が実質的に同時に行われ、
    ステップ(e)が、所定の波長値を有する放射線の漂白解除ビームを使用して前記コントラスト向上層の漂白解除を行うことを含み、
    前記第1および第2のパターンと前記漂白解除ビームとが、光学システムの第1、第2、および第3のそれぞれのチャネルを通して方向付けられ、
    前記第1のパターンが、前記第2のパターンに関して前記基板上の異なる位置に形成され、
    前記漂白解除ビームが、目標領域の第1および第2のパターンによる露光時間の間の一時点で、前記基板上の目標領域に伝送され、
    リソグラフィ・システムの走査動作により、前記基板上において前記第1および第2のパターンが重ね合わされて露光される、方法。
  2. 前記リセット可能または復元可能なコントラスト向上層を構成する材料としてレーザ色素を使用することをさらに含む請求項1に記載の方法。
  3. マスクレス・リソグラフィ・システムを使用して漂白ステップ(c)および(f)を行うことをさらに含む請求項1または2に記載の方法。
  4. マスクベース・リソグラフィ・システムを使用して漂白ステップ(c)および(f)を行うことをさらに含む請求項1または2に記載の方法。
  5. 前記第1および第2のチャネルが、光学システムの像領域において並べて配置されている請求項1から4のいずれかに記載の方法。
  6. 前記第3のチャネルが、光学システムの像領域において前記第1および第2のチャネルの間に配置されている請求項5に記載の方法。
  7. 放射線ビームを調整するように構成された照明システムと、
    パターン形成デバイスを支持するように構築された支持体であって、該パターン形成デバイスは、前記放射線ビームの断面にパターンを与えてパターン形成された放射線ビームを形成することが可能である支持体と、
    基板を保持するように構築された基板テーブルと、
    前記パターン形成された放射線ビームを、放射線感光層とリセット可能または復元可能なコントラスト向上層とが上に設けられた前記基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと
    を有するリソグラフィ装置であって、
    前記リセット可能または復元可能なコントラスト向上層を能動的に漂白解除するために前記基板に放射線の漂白解除ビームを提供するように構成された第2の照明システムをさらに有し、
    前記投影システムが、第1、第2、および第3のそれぞれのチャネルを通して、第1および第2のパターンと前記漂白解除ビームを方向付けするよう構成されており、
    前記第1のパターンが、前記第2のパターンに関して前記基板上の異なる位置に形成され、
    前記第1および第2のパターンが、前記投影システムの第1および第2のチャネルを使用して実質的に同時に基板に投影され、
    前記漂白解除ビームが、目標領域の第1および第2のパターンによる露光時間の間の一時点で、前記基板上の目標領域に伝送され、
    当該リソグラフィ装置の走査動作により、前記基板上において前記第1および第2のパターンが重ね合わされて露光される、リソグラフィ装置。
  8. 前記リセット可能または復元可能なコントラスト向上層を構成する材料としてレーザ色素を使用することをさらに含む請求項7に記載のリソグラフィ装置。
  9. 前記第1および第2のチャネルが、前記投影システムの像領域において並べて配置されている請求項7または8に記載のリソグラフィ装置。
  10. 前記第3のチャネルが、前記投影システムの像領域において前記第1および第2のチャネルの間に配置されている請求項9に記載のリソグラフィ装置。
JP2006152942A 2005-06-02 2006-06-01 基板にパターンを形成するためのリソグラフィ方法およびリソグラフィ装置 Expired - Fee Related JP4430040B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US68641505P 2005-06-02 2005-06-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006338021A JP2006338021A (ja) 2006-12-14
JP4430040B2 true JP4430040B2 (ja) 2010-03-10

Family

ID=37558566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006152942A Expired - Fee Related JP4430040B2 (ja) 2005-06-02 2006-06-01 基板にパターンを形成するためのリソグラフィ方法およびリソグラフィ装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7736825B2 (ja)
JP (1) JP4430040B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7069685B2 (en) * 2003-09-12 2006-07-04 Lasermax, Inc. Diffractive head up display for firearms
US7884921B2 (en) * 2006-04-12 2011-02-08 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, projection exposure apparatus, projection optical system, and device manufacturing method
US20080318153A1 (en) * 2007-06-19 2008-12-25 Qimonda Ag Photosensitive layer stack
US9454086B2 (en) 2011-10-14 2016-09-27 University Of Utah Research Foundation Programmable photolithography
US10670972B2 (en) * 2014-06-13 2020-06-02 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for exposing a structure on a substrate

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0239376A3 (en) * 1986-03-27 1988-05-11 Gec-Marconi Limited Contrast enhanced photolithography
DD250400A1 (de) 1986-06-23 1987-10-08 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Schablonenabbildungsverfahren zur verringerung des strukturrasters
US4904569A (en) 1986-08-08 1990-02-27 Hitachi, Ltd. Method of forming pattern and projection aligner for carrying out the same
US6042998A (en) 1993-09-30 2000-03-28 The University Of New Mexico Method and apparatus for extending spatial frequencies in photolithography images
JPH07120922A (ja) 1993-10-28 1995-05-12 Sharp Corp フォトレジスト膜及びレジストパターン形成方法
US5414385A (en) 1994-02-22 1995-05-09 Matsushita Communication Industrial Corporation Of America Dual mode FM quadrature detector
US5563012A (en) 1994-06-30 1996-10-08 International Business Machines Corporation Multi mask method for selective mask feature enhancement
JP3876460B2 (ja) 1996-08-01 2007-01-31 株式会社ニコン 露光方法および露光装置
JP4714403B2 (ja) 2001-02-27 2011-06-29 エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド デュアルレチクルイメージを露光する方法および装置
US20020182549A1 (en) 2001-05-31 2002-12-05 Ya-Hui Chang Alternate exposure method for improving photolithography resolution
US20030039893A1 (en) 2001-08-22 2003-02-27 Jeff Farnsworth Exposed phase edge mask method for generating periodic structures with subwavelength feature
WO2004053938A2 (en) * 2002-12-09 2004-06-24 Pixelligent Technologies Llc Programmable photolithographic mask based on nano-sized semiconductor particles
US20080003525A1 (en) 2004-10-26 2008-01-03 Tokyo Institute Of Technology Method for Projecting High Resolution Patterns
US7989151B2 (en) * 2005-06-16 2011-08-02 Massachusetts Institute Of Technology Resolution enhancement in optical lithography via absorbance-modulation enabled multiple exposures
US7875408B2 (en) * 2007-01-25 2011-01-25 International Business Machines Corporation Bleachable materials for lithography

Also Published As

Publication number Publication date
US20060286482A1 (en) 2006-12-21
JP2006338021A (ja) 2006-12-14
US7736825B2 (en) 2010-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7948606B2 (en) Moving beam with respect to diffractive optics in order to reduce interference patterns
US7738077B2 (en) Patterning device utilizing sets of stepped mirrors and method of using same
KR100835325B1 (ko) 조명 시스템
JP4538467B2 (ja) マイクロリソグラフィにおける光学システム用フォトンシーブ
KR100861339B1 (ko) 리소그래피 시스템에서 임계 치수의 불-균일성을 보상하기위한 시스템 및 방법
KR100832901B1 (ko) 리소그래피 장치 및 다중 노광 및 다중 노광 타입들을사용하는 디바이스 제조방법
KR100904024B1 (ko) 인코히런트 방사선을 생성하는 반사 루프 시스템
JP4430040B2 (ja) 基板にパターンを形成するためのリソグラフィ方法およびリソグラフィ装置
JP5210333B2 (ja) ピクセルグリッド描画と組み合わせた連続光ビームを使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4814200B2 (ja) 高分解能露光ツールの像コントラストの強化
JP5044264B2 (ja) パターニング用デバイスへの照明効率を改善する光学系
US8003308B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method for writing a digital image
US20090263734A1 (en) Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method
JP4754596B2 (ja) リソグラフィ装置およびリソグラフィ方法
US7649676B2 (en) System and method to form unpolarized light
KR101474894B1 (ko) 리소그래피 장치의 프로그램가능 패터닝 디바이스를 제어하는 방법, 디바이스 제조방법, 및 리소그래피 장치

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060919

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061129

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090813

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090825

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091125

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091215

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091216

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121225

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131225

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees