KR19990009346A

KR19990009346A - 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치 및 그 식각방법

Info

Publication number: KR19990009346A
Application number: KR1019970031719A
Authority: KR
Inventors: 유인경; 한인택
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1997-07-09
Filing date: 1997-07-09
Publication date: 1999-02-05

Abstract

본 발명은 극미세 반도체 제작 공정에서 사용되는 리소그래피(lithography) 공정에 이용하기 위해 평판 필드 에미터(Field Emitter)를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치 및 그 식각 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치 및 그 식각 방법은, 평판 필드 에미터 상에 음각된 게이트 패턴을 형성하거나 양각된 평판 필드 에미터를 형성하여 일정한 모양의 전자빔 밴드를 조사할 수 있도록 한 다음, 박막에 이 일정한 모양의 전자빔을 조사하여 박막을 식각하는 장치 및 방법으로, 한 번의 게이트 패턴 형성으로 동일한 무늬의 박막을 무수하게 만들 수 있다. 즉, 본 발명은 강유전체, Diamond, DLC, GaN등 평판형 필드 에미터(flat field emitter)의 전자 방출(electron emission) 특성을 이용하여 전자 방출 리소그래피(electron emission lithography)에 적용한 기술로서, 기존의 대규모 고가의 설비를 요하는 전자빔 리소그래피(electron beam lithography)의 한계를 극복하는 원리와 제조 방법을 제공한다.

Description

평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치 및 그 식각 방법

본 발명은 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치 및 그 식각 방법에 관한 것으로, 상세하게는 극미세 반도체 제작 공정에서 사용되는 리소그래피(lithography) 공정에 이용하기 위해 평판 필드 에미터(Field Emitter)를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치 및 그 식각 방법에 관한 것이다.

주사형 전자 장치의 전자빔은 패턴을 직접 생성하는데에 사용될 수 있다. 도 1a 내지 도 1e는 종래의 필드 에미터를 이용한 식각 방법을 설명하기 위한 공정 단계별 순서도이다. 도시된 바와 같이, 종래에 필드 에미터를 이용하여 기판(1)에 증착된 박막(2)을 패터닝하기 위해서는, 박막(2) 전자 레지스트(3)를 도포한 다음 현상하여 전자 레지스트 패턴(3', 3)을 만든 다음, 이를 마스크로 하여 박막(2)을 식각하고 나서 전자 레지스트 패턴(3', 3)를 제거하는 방법을 사용하였다. 여기서, 도1b 및 도 1c는 전자 레지스트(3)가 네거티브 레지스트인 경우이고, 도 1d 및 도 1e는 전자 레지스트(3)가 포지티브 레지스트인 경우이다. 전자레지스트 내의 고분자 사슬들의 화학 결합은 전자빔을 쏘임으로써 끊을 수 있다. 따라서, 포지티브 레지스트에서는 사슬 결합이 잘리게 되고, 네거티브 레지스트에서는 크로스-링킹(cross-linking)에 의하여 고분자화된다.

이와 같이, 평판 필드 에미터에서 방출된 전자빔을 이용하여 프로젝션(projection) 방법에 의해 극미세 반도체 제작 과정에서 사용되는 리소그래피(lithography) 작업을 수행하기 위해서는, 방출된 전자가 기판에 도포된 레지스트(resistor)의 원하는 부위만을 활성화시킬 수 있도록 해야한다. 이를 위해서는 새도우 마스크(shadow mask)나, 유사 방법으로 전자를 걸러 주어야 한다. 그러나 선폭 0.1 ㎛ 미만의 패턴(pattern)을 만들기 위해서는 전자가 통과할 수 있는 극히 얇은 마스크(mask)를 제작하거나, 선폭이 큰 마스크를 통과한 전자가 전자기 렌즈를 통과해 집속될 수 있도록 해야하므로 현재의 기술로는 거의 불가능하다. 즉, 저렴하고 손쉬운 방법으로 전자 빔(beam)을 이용한 프러젝션(projection) 방법의 상용화된 리소그래피(lithography) 방법이 요구된다.

또한, 종래의 전자빔 리소그래피(electron beam lithography)는 근본적으로 속도가 느린점에 문제가 있다. 이는 빔 스폿(beam spot)을 사용하여 패턴(pattern)을 일일이 그려가기 때문이며 이를 보완하기 위하여 컬럼(column)형의 빔 소스(beam source)를 사용하기도 하나 현실적으로 자외선(UV)이나 X선 리소그래피(X-ray lithography)에 비하여 경쟁력이 떨어진다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창안된 것으로, 일정한 패턴의 전자빔을 방출하여 극히 미세한 박막 패턴을 대량으로 제조할 수 있는 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치 및 그 식각 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1a 내지 도 1e는 종래의 필드 에미터를 이용한 식각 방법을 설명하기 위한 공정 단계별 순서도이고,

도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치(제1실시예)를 설명하기 위한 단면도이며,

도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 또 다른 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치(제2실시예)를 설명하기 위한 단면도이며,

도 4a 내지 도 4d는 도 2a 및 도 2b의 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치(제1실시예)의 패턴 게이트를 제조하는 방법을 설명하기 위한 제조 단계별 공정후의 평면도 혹은 단면도이며,

그리고 도 5는 제1실시예에서 평판 필드 에미터와 식각 대상 박막을 밀착시켜 식각하는 과정을 보여주는 도면이다.

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1. 기판 2. 식각 대상 박막

3. 포토레지스트 4. 노광 영역

11. 상부 전극(양극) 12. 식각 대상 박막

13. 전자 포토레지스트 14. 전자 빔

15. 패턴된 게이트 16. 평판 필드 에미터(flat field emitter)

17. 하부 전극(음극) 18. 전자 포토레지스트

19. 전자 빔 19'. 전자빔 감지 영역

21. 상부 전극(양극) 22. 식각 대상 박막

23. 전자 포토레지스트 24. 전자 빔

26. 평판 필드 에미터(flat field emitter)

27. 하부 전극(음극)

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치는, 음극 및 양극; 전자빔을 방출하도록 상기 음극 상에 형성된 평판 필드 에미터; 상기 양극에 배치되는 식각 대상 박막을 식각하고자하는 모양에 대응하는 모양으로 음각되어 상기 평판 필드 에미터 상에 형성된 게이트 패턴; 및 상기 게이트 패턴에 의해 제어되는 모양의 전자빔을 방출하도록 상기 양극 및 음극에 전압을 제공하는 전자빔 방출 제어 수단;을 구비하여 된 것을 특징으로 한다.

본 발명에 있어서, 상기 평판 필드 에미터 및 게이트 패턴은 상기 음극 상에 하나 혹은 복수개가 나란히 배열되고, 상기 평판 필드 에미터는 다이아몬드, 유사 다이아몬드, GaN, 고유전체 및 강유전체 중 적어도 어느 한 물질로 형성된 것이 바람직하다.

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 또 다른 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치는, 음극 및 양극; 상기 양극에 배치되는 식각 대상 박막을 식각하고자하는 모양에 대응하는 모양으로 양각되어 상기 음극 상에 형성된 평판 필드 에미터; 및 상기 게이트 패턴에 의해 제어되는 모양의 전자빔을 방출하도록 상기 양극 및 음극에 전압을 제공하는 전자빔 방출 제어 수단;을 구비하여 된 것을 특징으로 한다.

본 발명에 있어서, 상기 평판 필드 에미터는 상기 음극 상에 하나 혹은 복수개가 나란히 배열되고, 상기 평판 필드 에미터는 다이아몬드, 유사 다이아몬드 및 GaN 중 적어도 어느 한 물질로 형성된 것이 바람직하다.

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치의 식각 방법은, (가) 평판 필드 에미터 상에 음각된 게이트 패턴을 형성하는 단계; 및 (나) 상기 게이트 패턴이 형성된 평판 필드 에미트를 전자빔 방출 제어 수단에 장착한 다음, 상기 게이트 패턴에 의해 제어되는 모양의 전자빔을 식각 대상 박막에 직접 조사하여 박막 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 있어서, 상기 (가) 단계는, 평판 필드 에미터 상에 절연체를 증착하는 단계; 상기 절연체 상에 전자 레지스트를 도포하는 단계; 상기 전자 레지스트에 소망하는 모양으로 전자빔을 쏘여 현상하는 단계; 상기 현상된 전자 레지스트를 식각하여 상기 소망하는 모양의 패턴 마스크를 형성하는 단계; 및 상기 패턴 마스크를 이용하여 상기 절연체를 전자빔으로 식각하여 절연체 패턴을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 평판 필드 에미터 및 절연채 패턴은 상기 음극 상에 하나 혹은 복수개가 나란히 배열되도록 형성한 것이 바람직하다.

또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 또 다른 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치의 식각 방법은, (가) 음극 상에 양각된 평판 필드 에미터를 형성하는 단계; 및 (나) 상기 평판 필드 에미터를 전자빔 방출 제어 수단에 장착한 다음, 상기 평판 필드 에미터에 의해 제어되는 모양의 전자빔을 식각 대상 박막에 직접 조사하여 박막 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 있어서, 상기 (가) 단계는, 음극 상에 에미터 물질을 증착하는 단계; 상기 에미터 물질 상에 전자 레지스트를 도포하는 단계; 상기 전자 레지스트에 소망하는 모양으로 전자빔을 쏘여 현상하는 단계; 상기 현상된 전자 레지스트를 식각하여 상기 소망하는 모양의 패턴 마스크를 형성하는 단계; 및 상기 패턴 마스크를 이용하여 상기 에미터 물질을 전자빔으로 식각하여 평판 필드 에미터를 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 평판 필드 에미터는 상기 음극 상에 하나 혹은 복수개가 나란히 배열되도록 형성하는 것이 바람직하다.

이하 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치 및 그 식각 방법을 설명한다.

전자빔은 빛의 파장 보다 수십-수백배 더 작은 점내에 초점을 맞출 수 있기 때문에 대단히 미세한 구조도 형상화할 수 있다. 이러한 점을 이용하여 본 발명은 구멍이 뚫린 새도우 마스크(shadow mask)나 기타 유사한 방법을 사용하는 대신 평판 전자 빔 소스(electron beam source) 즉 평판 필드 에미터 자체를 원하는 패턴(pattern)으로 만들어 전자들이 패턴(pattern)의 형태대로 방출되도록 조절하는데 특징이 있다. 이를 실제로 구현하는 방법을 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치(제1실시예)를 설명하기 위한 단면도이고, 도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제2실시예를 설명하기 위한 단면도이다. 도시된 바와 같이, 제1실시예는 음극(17) 상에 적층된 평판 필드 에미터(16) 상에 방출되는 전자빔의 선택적으로 제한하여 원하는 모양으로 만들어주는 음각된 게이트 패턴(15)를 구비한 점에 특징이 있으며, 제2실시예는, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1실시예의 음각된 게이트 패턴(15)이 없는 대신에 음극(27) 상에 방출되는 전자빔을 원하는 모양으로 방출하는 양각된 평판 필드 에미터(26)를 구비한 점에 특징이 있다. 여기서, 평판 필드 에미터(16, 26)는, 도 2a 및 도 3a에 도시된 바와 같이, 음극(17, 27) 상에 복수개가 나란히 배열되도록 형성되거나, 도 2b 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 하나만 형성된다. 또한, 평판 필드 에미터(16, 26)는 다이아몬드, 유사 다이아몬드(DLC) 및 GaN 중 적어도 어느 한 물질로 형성된다. 그리고 제1실시예의 게이트 패턴(15)은 강유전체 혹은 유전체로 형성되고, 평판 필드 에미터(16, 26)가 다이아몬드, 유사 다이아몬드 혹은 GaN으로 형성된 경우에는 절연체로 형성된다. 강유전체나 유전체는 전극과 전극 사이의 유전체 표면에서 속박 전하(bound charge)가 발생하는 것이 특징이고, 다른 것들은 자체에서 전자가 발생하는 것이 특징이다. 따라서 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 에미터(emitter)에 일련의 패턴을 전자빔 리소그래피(e-beam lithography)를 이용하여 미리 형성한다면 노출된 에미터 부위에서 전자방출이 이루어지고 이는 목표물에 1:1로 상을 맺게 된다(즉, 노출 에미터 패턴 모양의 식각이 이루어진다). 이 때, 도 2a에 도시된 바와 같이, 여러 개의 패터닝된 에미터(emitter)를 붙여서 사용하거나, 도 2b에 도시된 바와 같이, 한 개의 패턴된 에미터(patterned emitter)를 반복해서 사용한다. 이와 같이 할 경우 신속한 리소그래피(lithography)가 이루어진다. 도 3a 및 도 3b에서는 에미터를 노출시키는 대신 양각된 에미터 자체만을 남겨 전자빔을 방출(emission)시키는 방법을 보여준다.

이와 같은 구조의 제1실시예 및 제2실시예의 전자빔 패턴 발생 장치을 제조하는 방법을 포함하는 식각 대상 박막(12, 22)의 식각 방법은 다음과 같다.

도 4a 내지 도 4d는 평판 필드 에미터(field emitter; 16) 상의 게이트(15)에 전자빔 리소그래피(e-beam lithography)를 이용해 식각 무늬를 새기는 과정을 보여준다. 즉, 도 4a에 도시된 바와 같이, 전자빔 발생 장치의 전자빔 소스인 평판 필드 에미터(평판 field emitter; 다이아몬드, DLC, GaN 등)(16) 상에 게이트(15)를 증착한 다음, 전자 레지스트(resistor; 18)를 도포하여, 이를 전자총(electron gun)에서 발생된 전자빔(e-beam; 19)으로 현상한다. 여기서 부재번호 19'는 전자 레지스트(18)에서 전자빔(19)에 의해 감응된 전자 감응 영역이다. 감응된 영역(19')은 활성화된다. 도 4b는 도 4a에서 조사된 전자빔에 의한 감응 영역의 일예로서, 줄 모양의 식각 무늬(19)를 형성하는 경우이다.

다음에 현상된 전자 포토레지스트(19)의 전자 감응 영역을 식각하여, 도 4c에 도시된 바와 같이, 전자 포토레지스트 패턴(18')을 형성한다. 즉, 전자빔에 의해 선택적으로 활성화된 전자 감응 영역(19')은 유기 용제로 선택적으로 제거된다.

다음에, 전자 포토레지스트 패턴(18')을 이용하여 전자빔으로 게이트(15)를 식각한 다음 전자 포토레지스트 패턴(18')을 제거하여, 도 4d에 도시된 바와 같이, 게이트 패턴(15')을 형성한다.

다음에, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기와 같이 에칭(etching)에 의해 게이트에 식각 무늬가 새겨진 평판 필드 에미터(field emitter; 16)을 전자빔 발생장치에 장착하고 기판(12) 상에 증착된 포토레지스트(13)을 향하여 전자빔을 조사하면 게이트 패턴(15)에 의해 평판 필드 에미터(field emitter)로부터 나온 전자 밴드(electron band)는 줄모양을 가지게 된다. 따라서, 포토레지스트(13)은 줄모양으로 식각된 패턴을 형성하게 된다. 이와 같이, 절연체 패턴이 형성된 평판 필드 에미터를 사용하게 되면, 동일 무늬의 패턴을 수없이 반복하여 만들 수 있게 된다. 여기서, 도 2a에 도시된 바와 같이, 여러 개의 패터닝된 에미터(emitter)를 붙여서 사용하거나, 도 2b에 도시된 바와 같이, 한 개의 패턴된 에미터(patterned emitter)를 반복해서 사용하면, 신속한 리소그래피(lithography)가 이루어진다.

또한, 도 3a 및 도 3b에서는 에미터를 노출시키는 대신 양각된 에미터 자체만을 남겨 전자빔을 방출(emission)시키는 방법을 보여준다. 여기서, 에미터 패턴 형성 공정은 상기 제1실시예에서의 게이트 패턴 형성 공정을 그대로 적용하면 된다.

한편, 상기와 같이 음각된 게이트 패턴이 형성된 평판 필드 에미터 혹은 양각된 평판 필드 에미터를 전자빔 발생 장치의 음극에 장착하고 양극에는 식각 대상 박막을 장착하여, 도 2a 및 도 2b(혹은 도 3a와 도 3b)에 도시된 바와 같이, 게이트 패턴(혹은 에미터)과 식각 대상 박막 간에 일정한 간격을 두고 식각하거나, 도 5에 도시된 바와 같이, 게이트 패턴(혹은 에미터)과 박막을 붙여서 식각한다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치 및 그 식각 방법은, 평판 필드 에미터 상에 음각된 게이트 패턴을 형성하거나 양각된 평판 필드 에미터를 형성하여 일정한 모양의 전자빔 밴드를 조사할 수 있도록 한 다음, 박막에 이 일정한 모양의 전자빔을 조사하여 박막을 식각하는 장치 및 방법으로, 한 번의 게이트 패턴 형성으로 동일한 무늬의 박막을 무수하게 만들 수 있는 장점이 있다. 본 발명은 강유전체, Diamond, DLC, GaN등 평판형 필드 에미터(flat field emitter)의 전자 방출(electron emission) 특성을 이용하여 전자 방출 리소그래피(electron emission lithography)에 적용한 기술로서, 기존의 대규모 고가의 설비를 요하는 전자빔 리소그래피(electron beam lithography)의 한계를 극복한다.

Claims

음극 및 양극;

전자빔을 방출하도록 상기 음극 상에 형성된 평판 필드 에미터;

상기 양극에 배치되는 식각 대상 박막을 식각하고자하는 모양에 대응하는 모양으로 음각되어 상기 평판 필드 에미터 상에 형성된 게이트 패턴; 및

상기 게이트 패턴에 의해 제어되는 모양의 전자빔을 방출하도록 상기 양극 및 음극에 전압을 제공하는 전자빔 방출 제어 수단;을

구비하여 된 것을 특징으로 하는 평판 필드 에미트를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치.
제1항에 있어서,

상기 평판 필드 에미터 및 게이트 패턴은 상기 음극 상에 하나 혹은 복수개가 나란히 배열된 것을 특징으로 하는 평판 필드 에미트를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 평판 필드 에미터는 다이아몬드, 유사 다이아몬드 및 GaN 중 적어도 어느 한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 평판 필드 에미트를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치.
제3항에 있어서,

상기 게이트 패턴은 에미터가 유전체 혹은 강유전체인 경우 금속으로 형성되고, 다이아몬드, 유사 다이아몬드 및 GaN인 경우는 절연물질로 형성된 것을 특징으로 하는 평판 필드 에미트를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치.
음극 및 양극;

상기 양극에 배치되는 식각 대상 박막을 식각하고자하는 모양에 대응하는 모양으로 양각되어 상기 음극 상에 형성된 평판 필드 에미터; 및

상기 절연체 패턴에 의해 제어되는 모양의 전자빔을 방출하도록 상기 양극 및 음극에 전압을 제공하는 전자빔 방출 제어 수단;을

구비하여 된 것을 특징으로 하는 평판 필드 에미트를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치.
제5항에 있어서,

상기 평판 필드 에미터는 상기 음극 상에 하나 혹은 복수개가 나란히 배열된 것을 특징으로 하는 평판 필드 에미트를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치.
제5항 또는 제6항에 있어서,

상기 평판 필드 에미터는 다이아몬드, 유사 다이아몬드 및 GaN 중 적어도 어느 한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 평판 필드 에미트를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치.
(가) 평판 필드 에미터 상에 음각된 게이트 패턴을 형성하는 단계; 및

(나) 상기 게이트 패턴이 형성된 평판 필드 에미트를 전자빔 방출 제어 수단에 장착한 다음, 상기 게이트 패턴에 의해 제어되는 모양의 전자빔을 식각 대상 박막에 직접 조사하여 박막 패턴을 형성하는 단계;를

포함하는 것을 특징으로 하는 평판 필드 에미트를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치의 식각 방법.
제8항에 있어서,

상기 (가) 단계는,

평판 필드 에미터 상에 게이트를 증착하는 단계;

상기 게이트 상에 전자 레지스트를 도포하는 단계;

상기 전자 레지스트에 소망하는 모양으로 전자빔을 쏘여 현상하는 단계;

상기 현상된 전자 레지스트를 식각하여 상기 소망하는 모양의 패턴 마스크를 형성하는 단계; 및

상기 패턴 마스크를 이용하여 상기 게이트를 전자빔으로 식각하여 게이트 패턴을 형성하는 단계;를

포함하는 것을 특징으로 하는 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치의 식각 방법.
제8항 또는 제9항에 있어서,

상기 평판 필드 에미터 및 게이트 패턴은 상기 음극 상에 하나 혹은 복수개가 나란히 배열되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 평판 필드 에미트를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치의 식각 방법.
(가) 음극 상에 양각된 평판 필드 에미터를 형성하는 단계; 및

(나) 상기 평판 필드 에미터를 전자빔 방출 제어 수단에 장착한 다음, 상기 평판 필드 에미터에 의해 제어되는 모양의 전자빔을 식각 대상 박막에 직접 조사하여 박막 패턴을 형성하는 단계;를

포함하는 것을 특징으로 하는 평판 필드 에미트를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치의 식각 방법.
제11항에 있어서,

상기 (가) 단계는,

음극 상에 에미터 물질을 증착하는 단계;

상기 에미터 물질 상에 전자 레지스트를 도포하는 단계;

상기 전자 레지스트에 소망하는 모양으로 전자빔을 쏘여 현상하는 단계;

상기 현상된 전자 레지스트를 식각하여 상기 소망하는 모양의 패턴 마스크를 형성하는 단계; 및

상기 패턴 마스크를 이용하여 상기 에미터 물질을 전자빔으로 식각하여 평판 필드 에미터를 형성하는 단계;를

포함하는 것을 특징으로 하는 평판 필드 에미터를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치의 식각 방법.
제11항 또는 제12항에 있어서,

상기 평판 필드 에미터는 상기 음극 상에 하나 혹은 복수개가 나란히 배열되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 평판 필드 에미트를 이용한 전자빔 패턴 발생 장치의 식각 방법.