KR940016450A - 저온 산화필름을 사용한 소자분리용 절연막 제조방법 - Google Patents
저온 산화필름을 사용한 소자분리용 절연막 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940016450A KR940016450A KR1019920025206A KR920025206A KR940016450A KR 940016450 A KR940016450 A KR 940016450A KR 1019920025206 A KR1019920025206 A KR 1019920025206A KR 920025206 A KR920025206 A KR 920025206A KR 940016450 A KR940016450 A KR 940016450A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxide film
- film
- device isolation
- low temperature
- temperature oxide
- Prior art date
Links
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 기판에 완충용 산화막과 질화막을 형성하여 소정부분을 에칭하여 소자분리용 절연막인 열산화막을 형성함에 있어서, 질화막 형성후 저온 산화필름을 흡착하고, 산화로에서 소자분리용 열산화막을 형성하여, 질화막 및 질화막 위의 저온 산화필름을 에칭하여 이중구조의 소자분리절연막을 이루도록 하는 제조방법으로, 소자분리용 산화막이 단차피복성이 우수한 저온 산화필름(10) 및 열산화막(4)의 이중산화막 구조로 되어 있어 절연효과를 증대시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도 a)~d)는 본 발명의 공정도.
Claims (2)
- 소자분리용 절연막을 형성함에 있어서, 반도체기판(1)에 완충용 산화막(2)과 질화막(3)을 형성하여 소정부분을 에칭하여 소자분리용 절연막인 열산화막(4)을 형성함에 있어서, 질화막 형성후 저온 산화필름층(10)을 증착하고, 산화로에서 소자분리용 열산화막(4)을 형성하며, 질화막(3) 및 질화막(3) 위의 저온 산화필름층(10)을 에칭하여 이중으로 소자분리용 절연막을 이루게 함을 특징으로 하는 저온 산화필름을 사용한 소자분리용 절연막 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 저온 산화필름층은 100~300Å으로 증착되게 함을 특징으로 하는 저온 산화필름을 사용한 소자분리용 절연막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920025206A KR940016450A (ko) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | 저온 산화필름을 사용한 소자분리용 절연막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920025206A KR940016450A (ko) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | 저온 산화필름을 사용한 소자분리용 절연막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016450A true KR940016450A (ko) | 1994-07-23 |
Family
ID=67359220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920025206A KR940016450A (ko) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | 저온 산화필름을 사용한 소자분리용 절연막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940016450A (ko) |
-
1992
- 1992-12-23 KR KR1019920025206A patent/KR940016450A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910700533A (ko) | 절연 전선 | |
| EP1463121A4 (en) | SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR | |
| KR900019171A (ko) | 나이트라이드 층으로 전도층을 덮어 반도체 소자를 제조하는 방법 | |
| KR950012683A (ko) | 반도체장치의 소자 분리 방법 | |
| KR940016450A (ko) | 저온 산화필름을 사용한 소자분리용 절연막 제조방법 | |
| KR960026585A (ko) | 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법 | |
| TW332928B (en) | Producing method of semiconductor device | |
| KR960026975A (ko) | 에지 시닝 형상을 없앤 이중게이트 절연막 및 그 형성방법 | |
| KR970053475A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 | |
| KR890001162A (ko) | 코프래너 및 자기-정령 접촉 구조물 | |
| KR960043094A (ko) | 소자분리막 형성방법에 따른 게이트절연막 형성방법 | |
| KR970003612A (ko) | 반도체소자의 트렌치 형성방법 | |
| KR970052921A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 | |
| KR920013663A (ko) | 반도체 장치의 전극 제조방법 | |
| KR970008411A (ko) | 다결정 규소 산화 게이트 절연층 및 그 제조 방법 | |
| KR960002714A (ko) | 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 | |
| KR970053285A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 방법 | |
| KR960039194A (ko) | 평탄화 절연막 형성방법 | |
| KR970052479A (ko) | 반도체장치의 도전막 형성방법 | |
| JPS5487191A (en) | Field effect transistor of isolation silicon gate type | |
| KR930020634A (ko) | 반도체장치의 소자분리방법 | |
| KR930017137A (ko) | 반도체 장치의 소자분리방법 | |
| KR970013219A (ko) | 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법 | |
| KR980006030A (ko) | 반도체 장치의 소자 분리방법 | |
| KR960026544A (ko) | 반도체 소자의 소자간 분리층 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |