KR940012047A - 포토레지스트 조성물 - Google Patents

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KR940012047A
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이대엽
김성주
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김홍기
금호석유화학 주식회사
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조에 이용하는데 적절한 잔유물(scum)이 없고 콘트라스트(cotrast) 및 해상도(resolution)가 좋을 뿐만 아니라 내열성도 종래품과 비교해 동듬 이사인 레지스트 조성물에 관한 것으로 알칼리 가용성 수지와 감광성 성분을 포함하는 레지스트액에 일반식(Ⅰ)과 (Ⅱ)의 화합물을 적당량 첨가하여 비노광부에서의 잔막율을 유지하며서 노광부의 용해속도를 증가시켜 해상도를 높여주는 것을 특징으로 하고 있다.
즉 본 발명은 20-25℃에서 테트라암모늄히드록사이드 2.38wt％ 수용액에 대한 용해속도가 5-1000Å/초의 범위에 있는 알칼리 가용성 페놀 노볼락 수지와 퀴논디아지드 함유화합물 및 일반식(Ⅰ)과 (Ⅱ)의 화합물을 함유하는 포토레지스트 조성물이다.
단, 일반식(Ⅰ)의 A는 : SO, SO2, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기, 치환알콕시기, 히드록알킬기, 치환히드록시알킬기, 히드록시알콜시기, 치환히드록시알콕시기이며, 일반식(Ⅰ)과 (Ⅱ)의 R1-10과 R′1-6는 : 수소, 수산기, 알콕시기, 히드록시알킬기, 히드록시알콕시기이고, 각각은 독립적이다.

Description

포토레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (1)

  1. 20-20℃에서 테트라암모늄히드록사이드 2.38중량％수용액에 대한 용해속도가 5-1,000Å/초의 범위에 있는 알칼리 가용성페놀노볼락수지와 퀸노디아지드 함유화합물 및 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 화합물을 함유하는 포토레지스트 조성물.
    단, 일반식(Ⅰ)의 A는 : SO, SO2, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기, 치환알콕시기, 히드록알킬기, 치환히드록시알킬기, 히드록시알콕시기, 치환히드록시알콕시기이며, 일반식(Ⅰ)과 (Ⅱ)의 R1-10과 R′1-6는 : 수소, 수산기, 알콕시기, 히드록시알킬기, 히드록시알콕시기이고, 각각의 독립적이다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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