KR940011434A - 항균성, 항진균성 화합물 및 그의 제조법 - Google Patents
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Abstract
하기식(Ⅰ)으로 표시되는 화합물 및 그의 제조법.
[상기 식중, R은 치환 또는 비치환될 수 있는 아실기이고; R1은 수소원자, 치환 또는 비치환될 수 있는 C1~10탄화수소기 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 아실기이며, R2은 치환 또는 비치환될 수 있는 직쇄 또는 측쇄 C1~12알킬렌기이고; A는 직쇄 또는 측쇄 C1~10알킬렌기이며, B는 0, NH 또는 S이고; Q는 3차 아미노기, 4차 암모늄기, 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환기, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환 암모늄기이며; n은 1~10의 정수이다].
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (29)
- 하기식(Ⅰ)으로 표시되는 화합물.[상기 식중, R은 치환 또는 비치환될 수 있는 아실기이고; R1은 수소원자, 치환 또는 비치환될 수 있는 C1~10탄화수소기 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 아실기이며, R2은 치환 또는 비치환될 수 있는 직쇄 또는 측쇄 C1~12알킬렌기이고; A는 직쇄 또는 측쇄 C1~10알킬렌기이며, B는 0, NH 또는 S이고; Q는 3차 아미노기, 4차 암모늄기, 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환기, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환 암모늄기이며; n은 1~10의 정수이다].
- 제1항에 있어서, R가 하기 식(Ⅱ)인 식(Ⅰ)로 표시되는 반복단위를 포함하는 화합물.[상기 식중, R3는 수소원자, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 직쇄 또는 C1∼C6알킬기이다].
- 제1항에 있어서, R가 하기 식(Ⅲ)인 식(Ⅰ)로 표시되는 반복단위를 포함하는 화합물.[상기 식중, R3는 수소원자, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 직쇄 또는 측쇄 C1~6알킬기이고; R4는 수소원자, 또는 직쇄 또는 측쇄 C1~6알킬기이며, R5,R6및 R7은 동일하거나 상이하며, 각각은 수소원자, 직쇄 또는 측쇄 C1~6알킬기, 할로겐원자(즉, 염소, 브롬, 요오드 또는 불소), 시아노기, C1~18알킬 또는 시클로알킬옥시-카르보닐기, 카르복실기, 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 환상 기, -COOR51(식중 R51은 수소원자 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 탄화수소기이다), -CONR52R53(식중, R52및 R53은 각각 수소원자 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 C1~10탄화수소기이고, 이들은 인접한 질소원자와 함께 치환 또는 비치환될 수 있는 4~9원 포화 복소환기를 형성할 수도 있다), -OR55(식중, R55는 수소원자 또는 치환 비치환될 수 있는 C1~10탄화수소기이다), -0-(CH2CH2O)m-CH2CH2Z(식중, m은 1~10의 정수이고; Z는 히드록실, 아미노, 저급 아실아미노 또는 저급 알콕시기, 또는 할로겐원자이다), -OCOR56(식중, R56은 수소원자 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 C1~10탄화수소기이다) 또는 하기 식으로 표시되는 기:(식중, Y는 치환 또는 비치환될 수 있는 C3~11알킬렌기이다)이고; R5및 R7은 함께 환상 산 무수물 구조, N-치환 환상 이미도 구조(치환기는 C1~10알킬, C3~10시클로알킬, C6~10아릴, C7~10시클로알킬알킬 또는 아르알킬) 또는 비치환 환상 이미도 구조를 형성할 수 있으며; x 및 y는 몰 백분율을 나타낸다]
- 제1항에 있어서, R가 하기 식인 화합물.[상기 식중, R3는 수소원자, 또는 치환 비치환될 수 있는 직쇄 또는 측쇄 C1~6알킬기이다]
- 제1항에 있어서, R1가 수소원자, 직쇄 또는 측쇄 C1~10알킬기, C7~10아르알킬기, 또는 직쇄 또는 측쇄 C2~9알킬카르보닐기인 화합물.
- 제1항에 있어서, R1가 수소원자, 직쇄 또는 측쇄 C1~4알킬기, 또는 직쇄 또는 측쇄 C2~5알킬카르보닐기인 화합물.
- 제1항에 있어서, R2가 직쇄 또는 측쇄 C1~6알킬렌기인 화합물.
- 제2항에 있어서, R3가 수소원자 또는 메틸기인 화합물.
- 제3항에 있어서, R4가 수소원자 또는 메틸기인 화합물.
- 제3항에 있어서, R5가 수소원자, 시아노기, 할로겐원자(즉, 불소, 염소, 브롬 또는 요오드), 직쇄 또는 측쇄 C1~6알킬기 C6~10아릴기, 또는 1종 이상의 질소원자가 치환 또는 비치환될 수 있는 불포화 질소-함유 5~9원 환상기, -COOOR51′(식중, R51′은 수소원자, C1~8알킬기, 또는 C7~10아르알킬기이다), -CONR52′R53′(식중, R52′ 및 R53′은 동일하거나 상이하며, 수소원자, 또는 C1~6알킬, C3~10시클로알킬, C7~10아르알킬 또는 C3~10시클로알킬알킬기이고, R52′ 및 R53′은 인접한 질소원자와 함께 치환 또는 비치환될 수 있는 4~9원 포화 복소환기를 형성한다), -OR55′(식중, R55′은 수소원자, 또는 C1~10알킬, C6~10아릴 또는 C7~10아르알킬기이다), -OCOR56′(식중, R56′은 C1~10알킬, C6~10아릴 또는 C7~10아르알킬기이다), 또는 하기 식으로 표시되는 기:(식중, Y′는 치환 또는 비치환될 수 있는 메틸렌 또는 에틸렌기이다)인 화합물.
- 제3항에 있어서, R5가 수소원자 C1~6알킬기, -COOR5(식중, R51″은 히드록실로 치환 또는 비치환될 수 있는 C1~6알킬기이다) 또는 C6~10아릴기인 화합물.
- 제1항에 있어서, A가 직쇄 또는 측쇄 C1~6알킬렌기인 화합물.
- 제1항에 있어서, B가 0인 화합물.
- 제1항에 있어서, Q가 하기 식으로 표시되는 기인 화합물.[상기 식중, R8,R9,R10,R11및 R12는 치환 또는 비치환될 수 있는 탄화수소기이고; X는 음이온성 기이다]
- 제1항에 있어서, Q가 하기 식으로 표시되는 치환 또는 비치환 될 수 있는 5 또는 6원 포화 또는 불포화 질소-함유 복소환기, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환 암모늄기인 화합물.[상기 식중, R11,R12및 R13은 치환 또는 비치환될 수 있는 탄화수소기이고; X는 음이온성 기이다]
- 제1항에 있어서, n가 1~3의 정수인 화합물.
- 제3항에 있어서, 비 x:y가 100:0~0.01:99.99의 범위내인 화합물.
- 제1항에 있어서, R로 표시되는 아실기가 직쇄 또는 측쇄 C2~19알킬카르보닐, C3~11알케닐카르보닐, C4~8시클로알킬 카르보닐, C3~7시클로알킬-C2~7알킬카르보닐, C7~11아릴 카르보닐, C8~11아르알킬 카르보닐, C9~12아르알케닐 카르보닐, 직쇄 또는 측쇄 C1~7알킬술포닐, C6~14아릴 술포닐, 또는 C7~10아르알킬술포닐기, 또는 0,N 또는 S와 같은 탄소 이외의 원자 1~3개를 포함하는 5~9원 복소환 카르보닐기인 화합물.
- 제1항에 있어서, R가 직쇄 또는 측쇄 C2~11알킬카르보닐 또는 C3~11알케닐 카르보닐기인 화합물.
- 하기 식으로 표시되는 화합물을 아실화 반응시킨 후, 필요에 따라 알킬화 반응시킴을 특징으로 하는 제1항의 화합물의 제조법.[상기 식중, R1은 치환 또는 비치환될 수 있는 C1~10탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 아실기이고, R2은 치환 또는 비치환될 수 있는 직쇄 또는 측쇄 C1~12알킬렌기이며; A는 직쇄 또는 측쇄 C1~10알킬렌기이고; B는 0,NH 또는 S이며; Q는 3차 아미노기, 4차 암모늄기, 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환기, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환 암모늄기이고; n은 1~10의 정수이다].
- 식 R-(0-R2-)n-BH로 표시되는 화합물 및 식 OCN-A-Q로 표시되는 화합물 또는 그 염을 함께 반응시킨후, 필요에 따라 생성물을 알킬화 반응시킴을 특징으로 하는 제1항의 화합물의 제조법. [상기 식중, R은 치환 또는 비치환될 수 있는 아실기이고; R2은 치환 또는 비치환될 수 있는 직쇄 또는 측쇄 C1~12알킬렌기이며; B는 0,NH 또는 S이고; A는 직쇄 또는 측쇄 C1~10알킬렌기이며; Q는 3차 아미노기, 4차 암모늄기, 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환기, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환 암모늄기이다].
- 식 R-(O-R2-)n-OH로 표시되는 화합물 및 식로 표시되는 화합물 또는 그 염을 함께 반응시킨 후, 필요에 따라 생성물을 알킬화 반응시킴을 특징으로 하는 제1항의 화합물의 제조법. [상기 식중, R은 치환 또는 비치환될 수 있는 아실기이고; R2은 치환 또는 비치환될 수 있는 직쇄 또는 측쇄 C1~12알킬렌기이며; n은 1~10의 정수이고; R1은 수소원자, 치환 또는 비치환될 수 있는 C1~10탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 아실기이며; A는 직쇄 또는 측쇄 C1~10알킬렌기이고; Q는 3차 아미노기, 4차 암모늄기, 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환기, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환 암모늄기이다].
- 식 R-(O-R2)n-NCO로 표시되는 화합물 및 식로 표시되는 화합물 또는 그 염을 함께 반응시킨 후, 필요에 따라 생성물을 알킬화 반응시킴을 특징으로 하는 제1항의 화합물의 제조법. [상기 식중, R은 치환 또는 비치환될 수 있는 아실기이고; R2은 치환 또는 비치환될 수 있는 직쇄 또는 측쇄 C1~12알킬렌기이며; n은 1~10의 정수이고; R1은 수소원자, 치환 또는 비치환될 수 있는 C1~10탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 아실기이며; A는 직쇄 또는 측쇄 C1~10알킬렌기이고; Q는 3차 아미노기, 4차 암모늄기, 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환기, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환 암모늄기이다].
- 하기 식으로 표시되는 화합물을 공중합성 화합물의 존재 또는 부재하에 중합반응시킨 후, 필요에 따라 생성물을 알킬화 반응시킴을 특징으로 하는 제2항의 화합물의 제조법.[상기 식중, R1은 수소원자, 치환 또는 비치환될 수 있는 C1~10탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 아실기이고; R2는 치환 또는 비치환될 수 있는 직쇄 또는 측쇄 C1~12알킬렌기이며; R3는 수소원자, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 직쇄 또는 측쇄 C1~6알킬기이고; A는 직쇄 또는 측쇄 C1~10알킬렌기이고; B는 0,NH 또는 S이고; Q는 3차 아미노기 또는 4차 암모늄기, 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환기, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환 암모늄기이며; n은 1~10의 정수이다].
- 하기 식 :으로 표시되는 화합물을 하기식:으로 표시되는 화합물과 중합반응시킴을 특징으로 하는 제3항의 화합물의 제조법. [상기 식중, R1은 수소원자, 치환 또는 비치환될 수 있는 C1~10탄화수소기, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 아실기이며; R2는 치환 또는 비치환될 수 있는 직쇄 또는 측쇄 C1~12알킬렌기이며; R3는 수소원자, 또한 치환 또는 비치환될 수 있는 직쇄 또는 측쇄 C1~6알킬기이고; A는 직쇄 또는 측쇄 C1~10알킬렌기이고; B는 0,NH 또는 S이고; Q는 3차 아미노 또는, 4차 암모늄기, 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환기, 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 복소환 암모늄기이며; n은 1~10의 정수이고; R4는 수소원자, 또는 직쇄 또는 측쇄 C1~6알킬기이며, R5,R6및 R7은 동일하거나 상이하며, 각각은 수소원자, 직쇄 또는 측쇄 C1~6알킬기, 할로겐원자(즉, 염소, 브롬, 요오드 또는 불소), 시아노기, C1~18알킬 또는 시클로알킬옥시-카르보닐기, 카르복실기, 치환 또는 비치환될 수 있는 질소-함유 환상 기, -COOR51(식중 R51은 수소원자 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 탄화수소기이다), -CONR52R53(식중, R52및 R53은 각각 수소원자 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 C1~10탄화수소기이고, R52및 R53은 인접한 질소원자와 함께 치환 또는 비치환될 수 있는 4~9원 포화 복소환기를 형성할 수도 있다), -OR55(식중, R55는 수소원자 또는 치환 비치환될 수 있는 C1~10탄화수소기이다), -0-(CH2CH2O)m-CH2CH2Z(식중, m은 1~10의 정수이고; Z는 히드록실, 아미노, 저급 아실아미노 또는 저급 알콕시기, 또는 할로겐원자이다), -OCOR56(식중, R56은 수소원자 또는 치환 또는 비치환될 수 있는 C1~10탄화수소기이다), 또는 하기 식으로 표시되는 기:(식중, Y는 치환 또는 비치환될 수 있는 C3~11알킬렌기이다)이고; R5및 R7은 함께 환상 산 무수물 구조, N-치환 환상 이미도 구조 여기서, (치환기는 C1~10알킬, C3~10시클로알킬, C6~10아릴, C7~10시클로알킬알킬 또는 아르알킬) 또는 비치환 환상 이미도 구조를 형성할 수 있다.
- 제1항의 화합물 1종 이상을 함유함을 특징으로 하는 항균성, 항진균성 조성물.
- 제2항의 화합물 1종 이상을 함유함을 특징으로 하는 항균성, 항진균성 조성물.
- 제3항의 화합물 1종 이상을 함유함을 특징으로 하는 항균성, 항진균성 조성물.
- 제4항의 화합물 1종 이상을 함유함을 특징으로 하는 항균성, 항진균성 조성물.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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