KR940009838B1 - 고데이타 전송효율을 갖는 전자 빔 노광시스템 - Google Patents

고데이타 전송효율을 갖는 전자 빔 노광시스템 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

고데이타 전송효율을 갖는 전자 빔 노광시스템
제 1 도는 종래의 전자빔 노광시스템의 구성을 나타낸 도면.
제 2 도는 제 1 도의 시스템내의 마스크위에 있는 구멍 어드레싱에 의해서 빔을 정형하는 전자빔의 편향을 나타낸 도면.
제 3 도는 제 2 도에 나타낸 빔 정형을 달성하도록 전자빔을 편향시키는 제어 시스템의 구성을 나타낸 블록도.
제 4 도는 제 3 도의 시스템에 사용되는 제1편향 제어데이타와 제 3 도의 시스템에 사용되는 제2편향 제어 데이타간의 논리관계를 나타낸 도면.
제 5 도는 빔 편향을 한정지우는 기하학적 파라미터를 나타내는 도면.
제 6 도는 본 발명의 제1실시예에 의한 전자빔 노광스스템의 전체구성을 나타낸 블록도.
제 7 도는 본 발명의 제2실시예에 의해서 배열된 제 6 도의 전자빔 노광시스템을 상세히 나타낸 블록도.
제 8a-g 도는 데이타 전송을 위하여 제 7 도의 시스템에 사용된 각종 신호들을 나타낸 타이밍 챠트들.
제 9a-c 도는 제 7 도의 시스템에 나타나는 신호의 파형도.
제 10a-c 도는 제 7 도의 시스템중의 신호들 간의 타이밍 관계를 나타낸 도면.
제 11 도는 제 7 도의 회로에 사용된 주 모듈의 구성을 나타낸 블록도.
제 12 도는 제 11 도의 주 모듈의 동작의 일예를 나타낸 타이밍차트.
제 13 도는 제 7 도의 회로에 사용되는 종속 모듈 (slave module)의 구성을 나타낸 블록도.
제 14 도는 제 7 도의 회로의 동작의 일예를 나타낸 타이밍챠트.
제 15 도는 제 6 도의 시스템에 대응하는 회로반의 연결을 나타낸 도면.
본 발명은 일반적으로 전자빔 노광시스템에 관한 것이며, 구체적으로는 노광처리효율을 향상시킨 전자빔 노광시스템에 관한 것이다.
전자빔 노광시스템은 고속으로 서브 미크론 패턴닝을 요구하는 고집적도 반도체장치를 제조하는데 필수적인 시스템이다. 가늘게 집광된 전자빔을 조사함으로써 0.3㎛ 이하의 선으로 반도체 웨이퍼위에 패턴을 용이하게 기입할 수 있다.
한편, 일반적으로 전자빔 노광시스템은 "원 스트로크(one stoke)"의 전자빔으로 패턴을 기입해야 한다는 전자빔 노광시스템의 기본적인 제약때문에 처리능률(through put)이 비교적 낮은 문제를 갖고 있다. 이러한 낮은 처리능률 문제를 극복하기 위하여 특히 전자빔 노광시스템의 광학계에 관해서 각종 노력을 경주하고 있다.
제 1 도는 미국 특허출원 429,500 및 구주 특허출원 89311047.8 및 한국 특허출원 89-15615호에 대응하는 일본국 특원소 63-275336에 제안된 종래의 전자빔 노광시스템(001)의 구성을 나타내고 있다.
제 1 도를 참조하면, 이 시스템은 전자빔(B)을 생성하는 전자총(10)을 포함하고, 이와 같이 생성된 전자빔(B)은 전자빔 조정계(11)에 의해 조정된후에 정형장치(12)를 통과한다. 그다음 전자빔(B)은 연속적으로 제1전자렌즈-제4전자렌즈(14,16,20,22)를 통과한후 최종적으로 가동 스테이지(28)위에 지지된 웨이퍼(26)위에 대물렌즈계(24)에 의해서 집광된다.
이 대물렌즈계는 웨이퍼의 표면상부에서 원하는 위치로 전자빔(B)이 이동되도록 웨이퍼(26)위에서 전자빔(B)을 편향시키는 전자 메인 편향기(24a)와 정전 서브 편향기(24b)를 포함하고 있다.
노광처리를 용이하게 하고 처리능률을 증가시키기 위하여 전자노광시스템은 구멍 판(aperture palte) 또는 마스크(34)를 전자렌즈(16)내에 갖고 있다. 이 마스크(34)에는 예를들어 로우와 컬럼형성을 위하여 배열된 다수의 패턴화된 구멍(34A, 제 2 도)이 설비되어 있어 그것을 통과하는 전자빔을 정형시킨다. 특정 구멍을 선택함으로써 선택된 구멍에 대응하는 모양의 전자빔(B)이 지정위치에서 웨이퍼(26)를 노광한다. 그리하여 복잡한 반도체 패턴을 웨이퍼 위에 각종 패턴을 연속 노광하여 기입할 수 있다.
제 2 도는 제 1 도의 정전 편향기(30)와 전자 편향기(32)에 의해서 커버되는 마스크위의 영역을 나타내고, 30A로 나타낸 영역은 정전 편향기(30)에 의해서 커버되는 영역이고, 한편 32A로 나타낸 영역은 전자 편향기(32)에 의해서 커버되는 영역이다.
영역(32A)은 50㎛×50㎛의 최대 치수를 갖을 수 있고, 전자빔은 0.005㎛의 최대 피치로 편향된다. 한편, 영역(30A)은 5mm×5mm의 최대 치수를 갖을 수 있고, 전자빔은 1㎛의 최소 피치로 편향된다.
마스크(34)의 원하는 구멍(34A)을 어드레스하기 위하여 전자빔(B)의 광축부근에 정전 편향기(30)와 전자 편향기(32)가 설비되어 있고, 정전 편향기(30)는 매우빠른 응답성을 갖고, 마스크(34)의 비교적 한정된 영역내에서 전자빔(B)을 편향시키는데 사용되고, 한편 전자 편향기(32)는 응답성은 낮으나, 큰 편향각을 제공하고, 마스크의 넓은 영역내의 구멍들을 어드레스하는데 사용된다. 편향기(30)에 의한 편향과 편향기(32)에 의한 편향이 결정된때에만 구멍 어드레싱이 완료된다. 노광중에 스테이지(28)는 제 1 도에 화살표로 나타낸 광축에 직각인 평면에서 이동될 수 있다.
제 3 도는 정전 편향기(30)와 전자 편향기(32)를 구동시키는 종래에 사용된 제어시스템의 구성을 나타내고 있다.
제 3 도를 참조하면 이 시스템은 자기테이프장치(102)에 기억되어 있는 프로그램에 의해서 동작되는 CPU(101)를 포함하고 있다. 이 CPU(101)는 자기테이프장치(102)로부터 웨이퍼(26)위에 기입될 반도체 패턴을 나타내는 노광데이타를 독출하여 버스(003)를 거쳐서 데이타 메네저(data manager)(104) 보낸다. 데이타 메네저(104)는 자기테이프장치(102)로부터 독출된 노광데이타로부터 전자 편향기(32)(이후 메인 편향기라 칭함)를 구동시키는 제어데이타와 정전 편향기(30)(이후 서브 편향기라고 칭함)를 구동시키는 제어데이타를 추출한다.
메인 편향기(32)를 위한 제어데이타는 라인(ℓ1)에 따라서 메인 편향기 메모리(106)로 전송되는 한편 서브 편향기(30)를 위한 제어데이타는 데이타 메네저(100)로부터 라인(ℓ2)을 통해 밴드 메모리 (105)를 거쳐서 서브 편향기 메모리(107)로 라인(ℓ3)을 따라서 전송된다. 밴드 메모리(105)는 노광데이타로부터 스테이지(28)의 이동속도를 추출하는데 사용된다.
또, 메인 편향기와 서브 편향기를 위한 디지탈 편향제어신호들을 생성하는 메인 편향기 메모리(106)와 서브 편향기 메모리(107)의 제이데이타를 공급하는 패턴발생 및 보상부(109)가 설비되어 있다. 메인 편향기(32)와 서브 편향기(30)를 위한 이들 편향제어신호들은 각각 D/A 변환기(110)와 D/A 변환기(111)에 의해서 대응하는 아날로그 신호들로 변환되어 각각의 주증폭기들(112,113)을 거쳐서 정전 편향기(30)와 전자 편향기(32)로 공급된다.
또, 노광 수순을 제어하기 위하여 시퀀스 콘크롤러(108)가 데이타 메네저(104)와 패턴발생 및 보상부(109)를 제어하도록 설비되어 있다.
노광 시퀀스에 있어서, 시퀀스 콘트롤러(108)가 데이타 메네저(104)와 패턴발생 및 보상부(109)에 명령을 발생하면 이에 응하여 데이타 메네저(104)는 라인(ℓ1)을 거쳐서 메인 편향기 메모리(106)에 기억되어 있는 편향데이타를 독출하여 패턴발생 및 보상부(109)로 전송한다. 이 부(109)는 메인 편향 메모리(106)로부터 독출된 제어데이타의 내용에 응하여 서브 편향기 메모리(107)에 기억되어 있는 편향 제어데이타를 독출한다.
패턴발생 및 보상부(109)는 메모리들(106,107)로부터 독출된 제어데이타에 대응한 디지탈 편향제어신호들을 D/A 변환용 D/A 변환기들(110,111)로 입력한다. 그로부터 얻어진 아날로그 편향제어신호들이 각각 메인증폭기들(112,113)을 겉쳐서 메인 편향기(32)와 서브 편향기(30)로 공급된다. 그리하여, 마스크(34)내의 원하는 구멍을 어드레싱 할 수 있다.
제 4 도는 메인 편향기 메모리(106)에 기억되어 있는 편향 제어데이타와 서브 편향기 메모리(107)에 기억되어 있는 내용간의 관계를 나타내고 있다.
제 4 도를 참조하면, 이 메모리(106)는 그의 각 어드레스에 마스크(34)위의 전자빔이 전자 편향기(32)(제 1 도)에 의해서 세트된 X- 및 Y-좌표를 각각 나타내는(0,0)(100,100),…등의 빔 편향데이타 및 X 및 Y를 기억한다. 또 각 조의 빔 편향데이타(X,Y)에 대응하여 우선 조회될 서브 편향 메모리(107)의 초기 어드레스를 나타내는 어드레스 데이타(ADR)와 이 초기 어드레스(ADR)에 이어서 조회될 OPC 코드의 번호를 기억한다. 이 OPC 코드는 마스크(34)위에 어드레스되는 페턴을 나타내는 코드를 나타낸다. 예를들면 X 및 Y의 값들을 위한 메인 편향 메모리(106)의 제1어드레스에서의 세트(0,0)는 ADR의 값이 0(영)이고, OPC 코드의 번호가 3이다. 이 내용이 얻어질때에 메인 편향 메모리(106)의 독출결과로서 패턴발생 및 보상부(109)는 서브 편향기 메모리(107)의 어드레스(0)을 특정지워 어드레스(0)로부터 개시하여 3연속 어드레스의 내용을 독출한다.
서브 편향기 메모리(106)는 각 어드레스에 서브 편향기(30)에 의해서 세트될 빔의 초기점을 나타내는 데이타(X0,Y0)와 서브 편향기(30)에 의해서 달성된 전자빔의 편향을 나타내는 데이타(X1,Y1)를 기억한다. 제 5 도는 데이타(X0,Y0)와 데이타(X1,Y1)간의 기하학적 관계를 나타내고 있다. 데이타(X0,Y0)는 일반적으로 메인 편향기(32)에 의한 전자빔의 편향을 나타내는 데이타(X,Y)와 일치한다. 각 세트의 파라미터(X0,Y0,X1,Y1)에 있어서 마스크(34)위의 전자빔의 위치는 결정되고 전자빔의 단면은 선택된 세트에 대응하는 패턴을 취한다. 따라서, X=0, Y=0의 전술한 경우에 전자빔의 단면은 서브 편향기 메모리(107)의 어드레스(0)로부터 개시한 3연속 패턴들을 취한다. 마찬가지로 메인 편향기 메모리(106)에 있어서 X=100, Y=100일때에는 전자빔의 단면은 서브 편향기 메모리(107)의 어드레스 3(ADR=3)으로부터 개시한 3패턴을 연속적으로 취한다.
그와 같은 종래의 전자빔 노광시스템에서는 메인 및 서브 편향기 메모리들(106,107)로부터의 편향 제어데이타의 독출이 전체 노광 데이타가 메모리들(106,107)에 기억될때까지 개시될 수 없다는 문제가 있다. 메인 편향기 메모리(106)내의 편향 제어데이타의 기억은 데이타 메네저(104)로부터 라인(ℓ1)을 거쳐서 메모리(106)로 행하고, 한편 이같은 라인(ℓ2)은 편향 제어데이타를 독출하는데 사용된다는 점에 주목해야 한다. 따라서 데이타를 기억시키는데 라인(ℓ1)이 사용되는 한 메모리로부터의 데이타의 독출은 개시될 수 없다.
또, 메모리(106)에 기억된 편향 제어데이타와 메모리(107)에 기억된 데이타간의 논리관계로 알 수 있는 바와 같이 메모리(107)의 내용의 독출이 메모리 (106)로부터의 편향제어의 독출이 완료될때까지 개시될 수 없다. 메인 및 서브 편향기들(32,30)을 위한 편향 제어데이타가 결정되지 않는 한 전자빔(B)에 의한 웨이퍼(26)의 노광은 개시될 수 없다. 다시말하면 노광시스템(100)은 자기테이프장치(102)로부터 메모리들(106,107)로의 노광데이타의 완전 전송을 기다리지 않으면 안된다.
그와 같은 처리는 각 웨이퍼마다 수십분동안 지속되므로 제 3 도의 종래의 시스템은 처리능률이 낮다는 고유문제를 갖고 있다. 전자빔 노광시스템들에 적합한 "원 스트로크" 노광처리에 기인되는 낮은 처리능률에 더하여 본래 처리능률이 낮은 문제를 갖고 있다. 또 제 3 도의 시스템은 전술한 낮은 처리능률에 더하여 라인들(ℓ1,ℓ2,ℓ3)과 같은 각종 라인에 따른 복잡한 데이타 전송경로의 문제를 갖고 이와 관련해서 데이타 전송시에 바람직하지 않는 누화(cross talk) 또는 신호의 반사가 생기는 경향이 있다. 그와 같은 문제는 데이타 시스템의 동작속도를 최대화하기 위하여 전송을 위한 동작 및 마진을 감소시킬때에 특히 현저해진다.
따라서, 본 발명의 일반적인 목적은 상술한 문제들을 제거한 신규의 유용한 전자빔 노광시스템을 제공하는데 있다.
더 구체적인 본 발명의 다른 목적은 처리능률 향상된 전자빔 노광시스템을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 전자빔에 의해서 웨이퍼위에 패턴을 기입하는 전자빔 노광시스템을 제공하는데 있고, 이 전자빔 노광시스템은 전자빔을 정형시키는 다수의 구멍을 갖는 마스크, 제1피치로 전자빔을 편향시켜 마스크위의 구멍을 어드레스하는 제1편향기, 제1피치보다도 실질적으로 작은 제2피치로 전자빔을 편향시켜 구멍을 어드레스하는 제2편향기를 갖으며 ; 제1편향기에 의해서 전자빔의 편향을 특정지우는 제1편향 제어데이타와 제2편향기에 의해서 전자빔의 편향을 특정지우는 제2편향 제어데이타를 추출하는 웨이퍼위에 기입될 패턴을 위한 노광데이타가 공급되는 데이타 관리부, 제1편향 제어데이타를 기억하는 제1메모리부, 제2편향 제어데이타를 기억하는 제2메모리부, 제1 및 제2편향 제어데이타를 통과시키기 위하여 데이타 관리부를 제1 및 제2 메모리부에 연결하는 제1버스 및 제1 및 제2편향기에 공급될 제1 및 제2편향 제어신호들을 생성하는 제1 및 제2메모리부로부터 제1 및 제2편향 제어데이타가 공급되는 패턴발생부가 설비되어 있고 ; 제1 및 제2메모리부로부터 독출한 제1 및 제2편향 제어데이타를 패턴발생부로 보내기 위하여 제1 및 제2메모리부를 패턴발생부에 연결하는 제2버스가 설비되어 있다.
본 발명에 의하면 제1 및 제2메모리부로부터의 제1 및 제2편향 제어데이타의 독출과 제1 및 제2메모리부로의 제1 및 제2편향 제어데이타의 기입을 동시에 할 수 있다. 데이타를 기억하는 제1버스는 데이타를 독출하는 제2버스로부터 분리된다. 또 본 발명은 공용되는 제1 및 제2버스를 설비함으로써 시스템내의 각부를 연결하는 라인의 수를 줄일 수 있다. 그리하여 데이타 전송시에 라인들간의 누화 또는 전송데이타의 수신을 제대로 하지 못하는 타이밍에 있어서의 결함이 제거되고 하나의 부로부터 복수의 부로의 데이타의 전송등의 복수의 부간의 데이타의 전송이 문제없이 달성될 수 있다.
기타의 목적들과 특징들은 첨부도면을 참조한 다음 상세 설명으로 명백해질 것이다.
제 6 도는 본 발명에 의한 전자빔 노광시스템의 제1실시예를 나타내고 있다. 이 시스템은 제 1 도의 전자빔 광학계(100)를 위하여 설계된 것이고, 이 시스템(100)의 각 부분을 제 1 도에 나타낸 부호를 참조하여 설명한다.
제 6 도를 참조하면 제 3 도의 CPU(101)에 대응하는 CPU(221)는 제 3 도의 장치(102)에 대응하는 자기테이프장치(222)로부터 웨이퍼(16)에 기입될 패턴 데이타를 독출하여 제1버스(223)로 공급한다.
패턴 데이타는 통상과 같이 압축된 형태로 자기테이프내에 기억되고 CPU(221)는 데이타의 압축을 풀어 원래의 패턴 데이타를 검색한다. 패턴 데이타에 더하여 CPU(221)는 버스(223)로 각종 명령과 제어신호들을 보낸다. 버스(223)로는 제 3 도의 시퀀스 콘트롤러(108)에 대응하는 시퀀스 콘트롤러등의 여러가지 부 즉, 데이타 메네저(104)에 대응하는 데이타 메네저(224), 메인 편향기 메모리(106)에 대응하는 메인 편향기 메모리(226), 서브 편향기 메모리(107)에 대응하는 서브 편향기 메모리(227)및 밴드 메모리(105)에 대응하는 밴드 메모리(225)가 연결되어 있다.
또, 제2버스(231a)는 데이타 메네저(224), 메인 편향기 메모리(226), 밴드 메모리(225)및 서브 편향기 메모리와 그들간의 데이타 교환을 유지하기 위하여 연결되어 있다. 이 실시예에서는 제3버스(231b)가 데이타 메네저(224), 메인 편향기 메모리(226), 서브 편향기 메모리(227) 및 시퀀스 콘트롤러(228)와 그들간의 데이타 교환을 위하여 연결되어 있다. 또 패턴발생 및 보상부(109)에 대응하는 패턴발생기(229)는 디지탈 편향제어신호들을 생성하기 위하여 메인 및 서브 편향기(32,30)용 편향 제어데이타를 각각 메인 편향기 메모리(226)와 서브 편향기 메모리(227)로부터 수신하기 위하여 제3버스(231b)에 연결되어 있다. 이 디지탈 편향제어신호를 메인 및 서브 편향기(32,30)에 가해질 전기에너지의 크기를 나타낸다. 한편, 메모리들(226,227)에 기억된 편향 제어데이타의 내용과 그들로부터의 독출은 이미 제 4 도를 참조하여 설명했다.
디지탈 편향제어신호는 빔 진행로의 각종 찌그러짐을 보상하기 위한 편향각에 필요한 수정을 가하기 위하여 역시 패턴발생 및 보상부(109)에 대응하는 패턴보상기(230)로 공급된다. 이와 같이 처리되는 디지탈 편향제어신호들은 D/A 변환기들(210,211)에 의해서 아날로그 편향제어신호들로 변환되어 증폭기들(21,213)에 의해서 증폭된후에 각각 메인 및 서브 편향기(32,30)로 공급된다.
또, 편향기(24a,24b)을 구동시키는 편향제어기(251)는 CPU(221)로부터 패턴 데이타를 수신하고 시퀀스 콘트롤러(228)로부터 제어명령을 수신하기 위하여 버스(223)와 버스(231b)에 연결되어 보통행하는 것과 같이 편향기들(24a,24b)을 구동하는 구동신호들을 생성한다. 그리하여, 편향기(24a)를 구동시키기 위한 구동신호는 메인증폭기 (252)를 거쳐서 공급되는 한편, 편향기(24b)를 구동시키기 위한 구동신호는 메인증폭기(253)을 거쳐서 공급된다. 또, 통상 스테이지 제어기(254)에 버스(223)를 거쳐서 CPU(221)로부터 패턴 데이타가 공급되고, 또 버스(231b)를 거쳐서 시퀀스 콘트롤러(228)로부터 제어명령이 공급되도록 이동 스테이지 제어기(254)가 설비되어 있다. 편향제어기(251) 및 스테이지 제어기(254)의 구성 및 배열은 실질적으로 종래의 시스템과 동일하므로, 그에 대한 설명을 생략하겠다.
동작중에 데이타 메네저(224)는 버스(223)의 패턴 데이타를 페치(fetch)하여 메인 편향기 메모리(226)를 위한 메인 편향 제어데이타로 전개하고, 서브 편향기 메모리(227)를 위한 서브 편향 제어데이타로 전개하여 제2버스(231a)위에 출력한다. 이와 동시에 데이타 메네저(224)는 메인 및 서브 편향기 제어데이타가 기억될 메모리들(226,227)의 어드레스를 특정지우는 제1버스(223)위의 어드레스 데이타를 제2버스(231a)위의 메인 및 서브 편향 제어데이타를 페치하도록 메모리들(226,227)을 지시하는 명령과 함께 생성한다. 버스(223)위의 명령과 어드레스 데이타에 응답하여 메인 및 서브 편향기 메모리(226,227)가 버스(231a)위의 메인 및 서브 편향 제어데이타를 페치한다. 또, 버스(223)를 거쳐서 밴드 메모리(225)로의 명령이 있을 수 있다. 이 경우에 스테이지(28)의 이동속도를 지시하는 데이타를 추출하는 버스(231a)위의 데이타 메네저(224)로부터 독출되는 데이타를 수신한다.
상술한 동작중에 시퀀스 (228)는 이미 기억되어 있어 메모리들(226,227)의 내용의 독출개시를 명령하는 명령을 생성한다. 시퀀스(228)의 이 명령은 버스(223)를 거쳐서 전송되어 메모리들(226,227)의 독출동작을 가능하게 한다. 이에 응답하여 먼저 메모리(226)가 버스(231b)위에 특정 어드레스에 있는 내용을 출력한다. 제4도를 참조하여 전술한 바와 같이 메모리(226)의 내용에는 전자 편향기(30)에 의해서 위치맞춤될 전자빔의 X 및 Y좌표에 더하여 서브 편향 제어데이타의 독출이 개시될 메모리(227)의 어드레스(ADR)와 그다음 행할 독출번호가 포함되어 있다. 그다음 데이타는 버스(231a)을 거쳐서 메모리(227)로 전송된고, 메모리 (227)는 어드레스 데이타(ADR)와, 이어서 어드레스될 패턴의 번호를 추출한다. 이에 응답하여 메모리(227)는 버스(231b)를 거쳐서 패턴발생기(229)로 데이타(X0,Y0,X1,Y1)를 출력한다. 또, 밴드 메모리(225)는 패턴발생기(229)로 버스(231b)위의 스테이지(28)의 이동속도를 나타내는 데이타를 데이타 메너저(224)로부터 버스(231a)위에 출력되는 패턴 데이타에 응답하여 생성하여 버스(223)를 거쳐서 시퀀스 콘트롤러(228)로 보낸다.
이 공급된 데이타에 응답하여 패턴발생기는 이미 설명한 디지탈 편향제어신호들을 생성하고, 이 디지탈 편향제어신호들에 의해 전자빔(E)이 편향된다.
다음에 버스(232)는 물론, 버스들(231a,231b)의 더 상세한 구성에 대해서 데이타 메네저(224), 메모리들(225-227), 시퀀스 콘트롤러(228) 및 패턴발생기(229)등의 이들 버스를 거쳐서 데이타 교환을 하는 협동부들과 함께 설명하겠다. 이들 버스들은 송수신용 데이타 메네저(224)등의 복수의 부들에 의해서 공용되기 때문에 그와 같은 데이타의 교환을 지지하는데 적합한 구성을 가져야만 하는 것에 주목해야 한다.
버스들(231a,231b,232)의 구성을 나타낸는 제 7 도를 참조하면 버스는 교환될 데이타를 운반하는 데이타 전송버스(341), 디이타가 인도될 서브 편향기 메모리(227)등의 장치를 확인하는데 사용되는 장치식별 코드를 운반하는 장치식별 코드, 버스(341)위의 데이타를 페칭하는 클록버스(343), 데이타버스(341)의 사용을 요구하는 버스요구신호와 접수를 알리는 확인신호를 운반하는 입의 버스(arbitration bus)(334) 및 버스 (341)위의 데이타와 동기하여 보내지는 스트로브신호를 운반하는 스트로브 버스(345)를 포함하는 다수의 버스로 구성되어 있다.
버스(341a)를 거쳐서 데이타를 전송하기 위하여 데이타 메네저(224), 메인 편향기 메모리(226), 서브 편향기 메모리(227)등의 블록들은 각각 버스(341)위의 데이타를 전송하는 제 7 도에 나타낸 주 모듈(315)과 버스(341)로부터 데이타를 수신하는 제 7 도에 나타낸 종속 모듈(352 또는 352')을 갖고 있다. 이들 블록들은 후술하는 소정의 프로토콜(protocol)에 의해서 주 및 종속 모듈들을 거쳐서 데이타 교환을 행한다.
제 7 도를 참조하면 주 모듈(351)은 데이타버스(314)위에 데이타를 보내는 모듈(351)을 포함하는 블록으로 부터의 데이타를 공급하는 데이타 입력/출력 버퍼(366), 클록 버스(343)위에 클록을 생성하여 보내는 클록 발생기(362), 임의 버스(344)위에 버스요구신호를 생성하여 보내는 요구기(requester)(363), 스트로브 버스(345)위에 스트로브신호를 생성출력하는 스트로브 발생기(364) 및 버스(342)위에 장치식별 코드를 생성하여 보내는 장치 코드발생기(365)를 포함하고 있고, 주 모듈(351)은 모듈(351)과 협동하여 블록으로부터 데이타가 공급되어 클록발생기(362)를 제어하는 주 제어기, 요구기(363), 스트로브 발생기(364) 및 장치식별 코드발생기(365)를 포함하고 있다.
마찬가지로, 각 블록은 데이타버스(341)위에 데이타를 공급하고 스트로브에 응답하여 종속 모듈(352)과 협동하는 블록으로 공급되는 데이타를 통과시키는 데이타 입력/출력 버퍼(371), 임의 버스(344)위에 버스요구신호를 공급하고 스트로브에 응답하여 버퍼(371)를 가능하게 하는 데이타 취득부(data acquistion unit)(368)및 버스(342)로 부터 장치식별 코드를 수신하는 장치 코드 수신부(369)를 포함하고, 또 장치 코드 스신부(369)에 의해서 검색된 장치식별 코드에 응답하여 입력/출력 버퍼 (371)와 취득부(368)를 제어하는 종속제어기(379)가 설비되어 있고, 또 버스의 각 버스부재(341
-345)와 종속 모듈(352)의 대응부(368,369 및 371)간에 있고, 버스에 의해서 생기는 데이타 전송의 지연을 보상하는 지연조정부(367)가 설비되어 있다.
데이타 메네저, 메인 편향기 메모리(226), 서브 편향기 메모리 (227)등의 제 6 도의 블록들은 주 모듈과 종속 모듈 모두를 갖을 수 있고, 벤드 메모리등의 블록들은 종속 모듈만을 갖을 수 있다.
또, 단일 블록이 버스(231a)와 버스(231b) 모두로부터 데이타를 수신하는 복수의 종속 모듈을 갖는 경우가 있다.
제 8a-g 도는 제 7 도의 시스템의 동작을 나타내고 있다. 도면을 참조하면 전송된 데이타가 데이타 메네저(224)등의 블록에 생길때에 블록중에 포함된 주 모듈(351)중에 장치식별 코드발생기(365)가 제 8a 도에 나태낸 주제어기 (361)의 제어하에 버스(341)위의 메인 편향기 메모리등의 블록을 지시하는 장치식별 코드를 보낸다. 또, 주 모듈(351)중의 클록발생기(363)가 제 8b 도에 나타낸 것과 같은 클록을 버스위에 보낸다.
다음 요구기(363)는 제 8c 도에 나타낸 것과 같은 버스요구신호를 임의 버스(344)를 형성하는 제1라인위에 보내어 장치식별 코드에 의해서 지시되는 메인 편향기 메모리(226)의 종속 모듈로부터 버스(344)가 제2라인위의 응답을 기다린다. 지시된 장치식별 코드를 갖는 블록이 없음을 나타내는 소정시간 간격중에 응답이 없을때에 요구기(363)는 요구신호의 논리레벨을 반전시켜 응답이 없음을 주 제어기(361)로 통지한다. 그리하여 주 제어기(361)는 데이타 전송을 취소한다.
한편, 메인 편향기 메모리(226)중의 종속 모듈은 임의 버스(344)위의 버스요구신호를 위하여 감시하고 메모리(226)를 어드레스하는 버스(343)위에 장치 식별 코드가 있을 때에 제 8d 도에 나타낸 것과 같은 제1접수신호를 버스(344)의 제2라인위에 보낸다. 이를 행하기 위하여 메인 편향기 메모리(226)중의 종속 모듈(352)의 종속 제어기(370)는 장치 식별 코드 수신부(369)에 의해서 수신된 장치 식별 코드를 변별하여 수신된 장치 식별 코드가 메인 편향기 메모리(226)의 장치 식별 코드와 일치할때에 제1접수신호를 보내도록 취득부(368)에 독려한다. 그렇지 않을 때에는 종속 제어기(370)가 이 제1접수신호가 되돌아가지 않도록 취득부(368)를 작동되지 않게 한다.
또, 종속 제어기는 데이타를 기억하는 메모리(226)를 마련함은 물론, 데이타 입력/출력 버퍼(371)를 작동시킴으로써 버스(341)를 거쳐서 데이타의 수신을 준비한다.
이 준비가 될때에 종속 제어기(370)는 재차 취득부(368)를 제 8e 도에 나타낸 제2접수신호를 버스(344)의 제3라인에 보내도록 한다.
이 제2접수신호는 주 모듈(351)의 요구기(363)에 의해서 검출된다. 또, 이에 응답하여 주 제어기(361)는 스트로브 발생기(364)에 의해서 생성되는 스트로브와 동기하여 데이타 메네저(224)로 부터 데이타를 독출한다. 매스터 제어기(361)는 입력/출력 버퍼(366)로 이와같이 독출된 데이타를 보내고, 또 스트로브 버스(345)위에 출력되는 제 8g 도에 나타낸 스트로브와 동기하여 제 8f 에 나타낸 것과 같은 독출데이타를 데이타버스(341)로 보낸다.
메인 편향기 메모리(226)의 종속 모듈(352)은 버스(345)위의 스트로브와 동기하여 데이타버스(341)위의 데이타를 수신하여 이 데이타를 연속적으로 메인 편향기 메모리(226)로 보낸다. 전송을 차단할 필요가 있을 때에 종속 모듈(352)의 종속 제어기(370)는 취득부(368)를 거쳐서 제2접수신호의 논리레벨을 반전시키고, 임의 버스(344)위의 데이타를 모니터하는 요구기(363)에 의해서 이 제2접수신호의 반전이 검출되어 주 모듈(351)을 데이타 전송을 중단하도록 만든다. 이 전송은 버스(344)위의 제2접수신호의 논리레벨이 원래로 되돌아가도록까지 중단된다.
버스(345)위의 스트로브는 데이타버스(341)위의 데이타가 유효 논리레벨을 취한 시간간격을 나타낸다. 그리하여 메인 편향기 메모리(226)의 종속 모듈(352)은 제 8 도의 스트로브의 하강단부와 동기되어 버스(341)위의 데이타를 독출한다.
그러나, 스트로브의 하강단부로부터 측정하여, 이 종속 모듈(352)이 데이타를 수신하기 위하여 안정되도록까지는 어느 시간을 필요로 한다.
제 9a 도를 참조하면 종속 모듈(352)을 안정시키기 위하여 스트로브의 하강단으로 부터 t만큼 지연된 타이밍(A)에 데이타가 독출될때에 정확한 데이타 수신이 달성된다. 한편, 타이밍(B)에 데이타를 독출할때에는 정확한 데이타 수신을 더 이상 할 수 없다. 전자빔 노광의 생산능률을 증가시키는 관점에서 가능한한 스트로브 펄스의 지속을 줄일 필요가 없다. 이것이 트리거된 후에 종속 모듈이 안정되도록 하는데 필요한 시간에 대해서 엄격한 요구를 부가한다.
또, 제 9b 도에 나타낸 바와같이 버스(341)위의 각 데이타는 전송등의 시간중에 신호들의 복잡한 반사때문에 복잡한 파형을 갖고 있다. 제 9c 도에 나타낸 것과 같은 스트로브 펄스내에 데이타의 적정한 독출 타이밍이 있다. 제 9c 도를 참조하면 타이밍(A)은 정확한 데이타 독출을 제공하는 한편 타이밍(C)은 파형의 언더 슈트(under shoot)때문에 오독출을 제공한다.
이 문제를 피하기 위하여 제 7 도의 시스템은 제 8g 도의 스트로브에 더하여 제 8b 도에 나타낸 데이타 페치 클록을 사용한다. 클록과 스트로브의 데이타간의 상세관계를 나타내는 제 10a-c 도를 참조하면 클록은 스트로브에 앞서서 주어지고 이 클록의 상승단부로 부터 지연(T)후에 데이타가 독출된다. 이 지연(T)은 각 종속 모듈에 대해서 지연(T)의 값을 세트시키는 지연조정부(367)에 의해서 부여된다. 그리하여 신뢰성 있고 에러가 없는 데이타의 전송이 스트로브 펄스의 지속이 시스템의 고속동작중에 감소될때에도 달성될 수 있다. 데이타 전송시스템의 구성 및 동작에 관해서 상술한 설명은 제 6 도의 시스템의 기타 블록들에도 적용된다. 따라서, 주 모듈, 종속 모듈 및 제 7 도에 나타낸 버스에 대한 설명은 제 6 도의 블록의 각조합과 같으므로 반복하지 않겠다.
제 11 도는 서브 편향기 메모리(227)내의 주 모듈(351)의 구성을 나타내고 있다. 서브 편향기 메모리(227)의 주 모듈(351)이 버스(231b)위의 메모리(227)의 내용을 전송하는데 사용된다는 것에 주목해야 한다. 전술한 바와같이 이와같이 독출된 메모리(227)의 내용은 메인 편향기 메모리(226)의 내용에 의해서 지정되는 OPC번호에 대응하는 복수의 시간동안에 연속적으로 독출된 일련의 데이타 세트(X0,Y0,X1,Y1)를 포함한다.
도면을 참조하면 요구기(363), 주 콘트롤러(361) 및 스트로브 발생기(364)는 제어회로(381)를 형성한다. 클록발생기(362) 및 장치 식별 코드 발생기(365)는 제 7 도의 경우에서와 동일 부호를 갖고 있다. 클록발생기(362)는 25KHz의 기본 클록을 발생하는 발진기회로와 25KHz 클록으로 부터 10KHz의 클록을 발생하는 분주기이다. 이와같이 발생된 클록(CLK)은 제 8b 도의 데이타 페치 클록을 위하여 사용된다. 전술한 바와 같이 데이타 페치 클록은 데이타와 스트로브에 대하여 수십 나노초 앞선다. 더 구체적으로는 앞서는 양이 각 종속부의 지연조정부(367)에 의해서 주어지는 지연에 따라서 조성된다. 한편, 장치 식별 코드 발생기(365)는 데이타 전송이 행해지는 종속 모듈의 장치 식별 코드가 주 모듈(365)에 의해서 세트되는 장치 코드 레지스터(도시하지 않음)를 갖고 있다. 이 장치 식별 코드는 EAM(2:0)으로 표시된다.
또 제어회로(381)는 승인신호들로서 임의 버스(344)의 제2 및 제3라인들로 부터 *SREC신호 및 *SREQ를 수신하는 동안에 버스요구신호로서 임의 버스(344)의 제1라인위에 *MREQ를 출력한다. 또한 제어회로(381)는 스트로브 버스(345)위에 *MSTRE신호를 생성하고 데이타버스(341)위에 *OPCS를 생성한다. 이 *OPOS신호는 어드레스(ADR)로 부터 시작하여 독출된 패턴들의 번호를 나타낸다.
제 12 도는 제 11 도의 회로의 동작 타이밍을 나타내고 있다. 이 동작은 제12도가 새로운 데이타 세트의 개시를 마아킹하기 위한 데이타버스(341)에 의해서 행해지는 *OPCS를 포함하는 것 이외는 제 8a-g 도를 참조하여 설명한 것과는 본질적으로 같다. *OPCS신호는 새로운 어드레스 (ADR)에서의 독출이 개시되는 각각의 시간에 주어진다.
제 12 도의 횡축은 나노초로 표시한 실제시간을 나타내고 있다.
제 13 도는 서브 편향기 메모리(227)로 부터 독출되는 데이타를 수신하는 종속 모듈(352)의 일부를 나타내고 있다. 제 13 도에서 제 7 도의 부분들에 대응하는 부분들에는 동일부호를 부여하고, 그에 대한 설명을 생략하겠다.
제 13 도의 회로에는 지연조정부(365)를 거쳐서 버스(343)로 부터 페치클록(CLK)이 공급된다. 마찬가지로 장치 식별 코드 수신부(369)는 버스(342)로 부터 EAM(2:0)신호를 수신하여 종속 제어기(370)로 통지한다. 이 부(369)는 딥스위치(dip switch)등을 세트하는 형태로 고유 식별 코드를 갖으며, 이 부(369)에 세트된 코드로 수신부(360)에 의해서 수신된 장치 식별 코드의 일치에 응답하여 취득부(368)를 작동시킨다. 그리하여 취득부(368)는 제1 및 제2접수신호들(*SREC, *SREQ)을 생성한다.
종속 회로가 메인 편향기 메모리 또는 서브 편향기 메모리를 위하여 사용될때에 버스(341)를 거쳐서 들어오는 데이타 흐름의 중단을 요구하는 대기요구(WAIT)가 메모리시마다 발생하고 있다.
그와같은 대기요구는 예를들어 메모리가 갱신동작을 하고 있을때에 발생한다. 그와같은 경우에는 임의 버스(344)의 제2 및 제3라인들위에 *SREC 및 *SREQ신호를 출력하는 취득부(368)는 제 14 도에 나타낸 것과 같이 *SREQ신호의 논리레벨을 반전시키고 데이타를 보내는 주 모듈은 그에 응답하여 버스(344)위의 *MREQ신호를 반전시킨다. 따라서, 제 14 도는 제 8a-g 도에 상당하는 것이다.
제 15 도는 제 6 도의 시스템의 일부를 형성하기 위한 집적회로들을 갖는 회로기관들의 연결을 나타내고 있다.
제 15 도를 참조하면 MMB로서 지시되는 회로기판은 메인 편향기 메모리(226)를 형성한다. SMB로서 지시되는 회로기판들은 서브 편향기 메모리(227)를 형성하고 SPMC(subdeflector processor memory controler)로서 지시되는 회로기판은 서브 편향기 메모리(227)의 관리부를 형성한다. 회로기판(BMB)은 밴드 메모리(225)이고, 회로기판(I/O)은 시퀀스 콘트롤러(228)의 인터페이스부이고, CPU로서 지시되는 회로기판은 제 6 도의 데이타 메네저(224)를 형성한다.
각 기판에서 M으로 지시되는 부분은 주 모듈(351)을 나타내고 S로서 지시되는 부분은 종속 모듈(352)을 나타내고 MEM으로서 지시되는 부분은 메모리 집적회로를 나타낸다. 이들 회로기판들은 단자들은 단자들(A-H)을 갖는데 전자들(A,B,C)은 버스(223)에 연결하기 위한 단자들이고 단자들(D,E)은 버스(231a)를 위한 단자이고 단자들(F-H)은 버스(231b)를 위한 단자들이다.
동작에 있어서 데이타 메네저(224)로 부터의 명령은 밴드 메모리(225)로, 메인 편향기 메모리(226)및 서브 편향기 메모리(227)로 경로(1)에 의해서 나타낸 버스(223)에 따라서 보내진다.
전술한 바와 같이 밴드 메모리(225)는 메인 편향기 메모리(226)내에 기억될 데이타의 번호로 부터 필요한 스테이지 이동속도를 제거하는데 사용된다. 이 부분은 본 발명에서 중요한 것이 아니다. 한편 데이타 메네저(224)에 의해서 생성되는 노광데이타는 버스(231a)를 거쳐서 경로(2)를 따라서 메모리(226) 및 메모리 (227)로 보내져 거기에 기억된다. 메모리들의 내용을 독출할때에 메모리(226)의 내용은 먼저 주 모듈(M)을 경유하고 버스(231b)를 거쳐서 독출되고, 경로(3)를 따라서 시퀀스 콘트롤러(228)의 I/O인터페이스로 보내진다. 또, 버스(231b)위의 데이타는 메모리(227)의 데이타 관리부(SPMC)의 종속 모듈(S)과 어드레스(ADR)에 의해서 수신되어 OPC번호가 SPMC에 의해서 그곳으로 부터 추출된다. 이와같이 추출된 데이타는 메모리(227)를 형성하는 회로기판등을 거쳐서 경로(3)를 따라서 메모리 집적회로들(MEM)로 보내진다. 거기에서 어드레스 데이타로서 사용된다. 이와같이 독출된 데이타는 경로(4)를 따라서 주 모듈(M)을 경유하여 버스(231b)위에 출력된다. 그리하여 제 6 도를 참조하여 설명한 동작이 얻어진다.
이상 설명에 있어서 본 발명은 블록형이라고 통상 이하는 제 1 도의 전자노광시스템을 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 이 시스템에서 달성되는 것과 같은 마스크의 어드레싱에 한정되는 것이 아니고 기타형의 전자빔 노광시스템에 대해서도 작용시킬 수 있는 것이다.
또, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 범위내에서 여러가지로 수정변형할 수 있는 것이다.

Claims (10)

  1. 전자빔을 생성하는 전자빔원(10,11) ; 제1구역(32A) 상부의 전자빔을 편향시키는 제1편향 제어신호가 공급되는 제1편향기(32)와 제1구역보다도 작은 제2구역 상부의 전자빔을 편향시키는 제2편향 제어신호가 공급되는 제2편향기(30)로 되며 전자빔을 편향시키는 편향수단(30,32) ; 대상물위에 전자빔을 집광시키는 집광수단 ; 패턴 데이타의 형태로 대상물위에 기입될 패턴을 기억하는 패턴 메모리(221,222)와 패턴 메모리로 부터 제1어드레스 데이타(ADDRESS 1)를 추출하기 위한 패턴 데이타를 공급받는 데이타 제어장치(224)와 그 자체의 어드레스를 나타내는 제1어드레스 데이타, 제2어드레스 데이타(ADR,OPC) 및 제1편향 데이타(X,Y)를 기억하고 제1어드레스 데이타에 의해서 어드레스될때에 제1편향 데이타(X,Y)와 대응하는 제2어드레스 데이타(ADR,OPC)를 출력하는 제1편향 메모리(226)와, 각 어드레스에 제2편향 데이타(X0,Y0,X1,Y1)를 기억하고, 제1편향 메모리로부터 독출되는 제2어드레스에 의해서 어드레스될때에 제2편향 데이타를 출력하는 제2편향 메모리(227)와 제1편향 제어신호를 생성하기 위하여 제1편향 데이타가 공급되고 제2편향 제어신호를 생성하기 위하여 제2편향 데이타가 공급되는 데코딩수단(229,230)로 되며, 제1 및 제2편향 제어신호들을 공급하여 상기 편향수단을 제어하는 제어수단 ; 으로 구성된 전자빔에 의해서 대상물위에 패턴을 기입하는 전자빔 노광시스템에 있어서 ; 상기 데이타 제어장치로 부터 상기 제1편향 메모리로 제1어드레스 데이타(ADDRESS 1)를 통과시키기 위하여 상기 데이타 제어장치(224)를 상기 제1편향기 메모리로 부터 독출된 제1편향 데이타를 상기 데코딩수단(229,230)으로 통과시키고, 상기 제1편향 메모리로 부터 상기 제2편향 메모리로 제1어드레스 데이타를 통과시키고, 또 상기 제2편향 메로리로 부터 독출된 제2편향 데이타를 상기 데코딩수단으로 통과시키기 위하여 상기 제1편향 메모리, 제2편향 메모리 및 패턴발생수단을 연결하는 버스수단(231a,231b)을 더 포함하되, 상기 데이타 제어장치(224)가 상기 제1어드레스 데이타를 상기 버스수단(231a,231b)에 송출하는 제1데이타 송신부(351)를 포함하고 상기 제1편향 메모리(226)가 상기 버스수단(231a,231b)으로부터 제1어드레스 데이타를 수신하는 제1데이타 수신부(352), 상기 버스수단위에 제2어드레스 데이타를 출력하는 제2데이타 송신부(351) 및 상기 버스수단위에 제1편향 제어데이타(X,Y)를 출력하는 제3데이타 송신부를 포함하고, 상기 제2편향 메모리(227)가 상기 버스수단으로부터 제2어드레스 데이타(ADR, OPC)를 수신하는 제2데이타 수신부(352)와 상기 버스수단위에 제2편향 제어데이타(X0,Y0,X1,Y1)를 출력하는 제4데이타 트랜스미터를 포함하고, 상기 데코딩수단(229)이 상기 버스수단으로부터 네1편향 제어데이타를 수신하는 제3데이타 수신부(352)와 상기 버수수단으로 부터 제2편향 제어데이타를 수신하는 제4데이타 수신부(352')를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제2어드레스 데이타가 그의 독출기 개시되는 상기 제2편향기 메모리의 초기 어드레스(ADR)와 상기 초기 어드레스로 독출개시될 데이타의 번호를 나타내는 신호(OPC)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제2편향기 메모리(227)가 상기 제1어드레스 데이타로부터 초기 어드레스(ADR)와 데이타의 번호(OPC)를 추출하는 프로세서(SPMC)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제어장치(224)내의 상기 각 송신부(351)가 실질적으로 서로 동일한 구성을 갖고, 상기 제어장치내의 상기 각 송신부(351)가 버스수단 사용을 요구하기 위하여 버스 위에 버스요구신호를 보내는 버스요구부(363), 버스수단위에 출력된 데이타가 향할 장치를 확인하는 장치 식별 코드를 보내는 장치식별부(365), 전송될 데이타가 공급되고, 버스수단위에 보내는 데이타 버퍼 및 버스요구부, 장치식별부 및 데이타 버퍼를 제어하는 제어기(361)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제어장치(224)내의 상기 각 데이타 수신부(352,352')가 실질적으로 서로 동일한 구성을 갖고, 데이타 수신부와 협동하여 버스로 부터 장치 식별 코드를 공급받고, 이 장치 식별 코드가 이 장치식별부가 설비된 장치인지의 여부를 변별하는 장치식별부(365), 데이타 수신부와 협동하여 버스로부터 버스요구신호를 수신하여 지시된 장치중에 취득부가 포함되어 있다고 변별될때에 접수신호를 출력하는 취득부(356), 버스로 부터 데이타를 수신하여 데이타 버퍼를 포함하는 장치로 보내는 데이타 버퍼(371)와, 장치식별부, 취득부 및 데이타 버퍼를 제어하는 제어기(370)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 데이타 송신부(351)가 데이타 수신부에 의해서 버스위의 데이타를 독출하는 타이밍을 제공하는 클록을 생성하여 버스위에 보내는 클록발생기(362)를 더 포함하고, 상기 타이밍이 데이타의 에러없는 독출을 달성하도록 각 장치들마다 세트되는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 데이타 수신부(352)가 버스수단위의 클록에 대해서 버스수단위의 데이타를 데이타 버퍼에 의해서 독출하는 타이밍을 조정하는 지연조정부(367)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  8. 제 7 항에 있어서 상기 버스수단(231a, 231b)이 데이타 송신부(351)와 데이타를 데이타 송신부로부터 데이타 수산부로 운반하기 위해 버스와 협동하는 각 장치의 데이타 수신부에 연결된 데이타버스(341), 데이타 송신부에 의해서 생성된 버스요구신호를 운반하고 데이타 수신부에 의해서 생성된 접수신호를 운반하기 위해 버스와 협동하는 각 장치의 데이타 수신부와 데이타 송신부에 연결된 임의 버스(344), 장치 식별 코드를 운반하기 위해 버스와 협동하는 각 장치의 데이타 수신부와 데이타 송신부에 연결된 장치 식별 버스(342) 및 데이타 송신부내의 클록발생기에 의해서 생성되는 클록을 운반하기 위해 버스와 협동하는 각 장치의 데이타 수신부와 데이타 송신부에 연결된 클록 버스(343)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 버스수단(231a,231b)이 데이타 제어장치와 제1편향기 메모리를 연결하는 제1버스(231a)와 제1편향기 메모리, 제2편향기 메모리 및 패턴발생수단을 연결하는 제2버스(231a)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  10. 대상물(26)을 지지하는 스테이지(28)와, 전자빔을 생성하는 전자빔원(10,11)과 전자빔을 스테이지위의 대상물로 향하게 하여 대상물위에 집광시키는 전자렌즈계(14,16,20,22)와, 상기 전자빔원으로 부터 대상물로 진행하는 전자빔을 정형하기 위하여 전자빔원과 대상물과의 사이에 전자빔을 가로막기 위해서 설비되고 정형된 단면으로 전자빔을 통과시키기 위하여 복수의 구명(34a)을 갖는 빔정형수단(34)과, 상기 빔정형 수단 상부의 전자빔을 편향시켜 빔정형수단의 제1구역 상부에 전자빔을 편향시키기 위하여 제1편향 제어신호가 공급되는 제1편향기(32) 및 상기 제1구역보다도 작은 구역인 제2구역 상부에 전자빔을 편향시키는 제2편향 제어신호가 공급되는 제2편향기(30)로 된 편향수단과, 대상물위의 상기 편향수단에 의해서 편향된 전자빔을 집광시키는 집광수단(24,24a,24b)과, 제1 및 제2편향 제어신호들을 공급받아 상기 편향수단을 제어하는 제어수단과, 패턴형태로 대상물위에 기입될 패턴을 기억하는 패턴 메모리(221,222)와, 제1어드레스 데이타를 추출하기 위하여 패턴 메모리로 부터 패턴 데이타를 공급하는 데이타 제어장치(224)와, 제1편향기 메모리의 어드레스를 지시하는 제1어드레스 데이타(ADDRESS 1), 제2어드레스 데이타(ADR,OPC)및 편향 데이타(X,Y)를 기억하고, 제1어드레스 데이타에 의해서 어드레스된 때에 제1편향 데이타(X,Y) 및 제2어드레스 데이타(ADR,OPC)를 출력하는 제1편향기 메모리(226)와, 각 어드레스내에 제2편향 제어데이타(X0,Y0,X1,Y1)를 기억하고, 제1편향 메모리로 부터 독출되는 제2어드레스 데이타(ADR,OPC)에 의해서 어드레스된 때에 제2편향 제어데이타를 출력하는 제2편향기 메모리(227)와, 제1편향 제어신호를 생성하는 제1편향 데이타가 공급되고 그에 응하여 제2편향 제어신호를 생성하는 제2편향 데이타가 공급되는 데코딩수단(229)을 포함하는 전자빔에 의해서 대상물위에 패턴을 기입하는 전자빔 노광시스템에 있어서, 상기 데이타 제어장치(224)로 부터 제1어드레스 데이타를 제1편향기 메모리(226)에 통과시키기 위하여 데이타 제어장치(224)와 제1편향기 메모리를 연결하고, 제1편향기 메모리로부터 독출되는 제1편향 제어데이타(X,Y)를 데코딩수단(229)에 통과시키고, 제1편향기 메모리로 부터 제2어드레스 데이타(ADR,OPC)를 제2편향기 메모리(227)로 통과시키고, 제2편향기 메모리로 부터 독출되는 제2편향 제어데이타를 데코딩수단(229)으로 통과시키기 위하여 제1편향기 메모리(226), 제2편향기 메모리(227) 및 패턴발생수다(229)에 연결된 버스수단(231a,231b)을 포함하고 상기 데이타 제어장치(224)가 상기 버스수단위의 제1어드레스 데이타를 송출하는 제1데이타 송신부(351)를 포함하고, 상기 제1편향기 메모리(226)가 상기 버스수단으로부터 제1어드레스 데이타를 수산하는 제1데이타 수신부(352)와 상기 버스 수단위의 제2어드레스 데이타(ADR,OPC)를 출력하는 제2데이타 송신부(351)를 포함하고, 상기 제2편향기 메모리(227)가 상기 버스수단으로 부터 제2어드레스 데이타를 수신하는 제2데이타 수신부(352)와, 상기 버스수단위의 제2편향 제어데이타를 출력하는 제4데이타 송신부(351)를 포함하고, 상기 데코딩수단(229)이 상기 버스수단으로 부터 제1편향 제어데이타(X,Y)를 수신하는 제3데이타 수신부(352)와 상기 버스수단으로부터 제2편향 제어데이타(X0,Y0,X1,Y1)를 수신하는 제4데이타 수신부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2591548B2 (ja) * 1991-07-26 1997-03-19 富士通株式会社 荷電粒子線露光装置及び荷電粒子線露光方法
US5685012A (en) 1993-11-09 1997-11-04 Micron Electronics, Inc. System for employing high speed data transfer between host and peripheral via host interface circuitry utilizing an IOread signal driven by the peripheral or the host
US5664140A (en) * 1995-05-19 1997-09-02 Micron Electronics, Inc. Processor to memory interface logic for use in a computer system using a multiplexed memory address
JP4410871B2 (ja) * 1999-03-25 2010-02-03 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JP5037850B2 (ja) * 2006-04-28 2012-10-03 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57180128A (en) * 1981-04-30 1982-11-06 Toshiba Corp Equipment for electron beam exposure
US4641252A (en) * 1981-10-01 1987-02-03 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Electron beam drawing control system
US4541115A (en) * 1983-02-08 1985-09-10 Pattern Processing Technologies, Inc. Pattern processing system
US4718019A (en) * 1985-06-28 1988-01-05 Control Data Corporation Election beam exposure system and an apparatus for carrying out a pattern unwinder
US4837447A (en) * 1986-05-06 1989-06-06 Research Triangle Institute, Inc. Rasterization system for converting polygonal pattern data into a bit-map
JPH07118440B2 (ja) * 1986-07-09 1995-12-18 東芝機械株式会社 電子ビ−ム描画装置
DE3825892C2 (de) * 1987-07-30 1993-12-16 Mitsubishi Electric Corp Verfahren zum Zeichnen eines Musters auf eine Leiterplatte in einer Elektronenstrahl-Direktzeichenvorrichtung
JP2614884B2 (ja) * 1988-02-04 1997-05-28 富士通株式会社 電子ビーム露光方法及びその装置
JPH02280315A (ja) * 1989-04-20 1990-11-16 Mitsubishi Electric Corp 電子ビーム直接描画装置

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DE69120114D1 (de) 1996-07-18
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