KR940009338A - 용융선철 및 용융강 예비산물을 생산하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

용융선철 및 용융강 예비산물을 생산하기 위한 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

철광석과 플럭스로 형성되고 적어도 부분적으로는 미세 광석을 포함하는 장입재료로부터 용융 선철 또는 용융 강예비산물을 생산하기 위한 방법에서 상입 재료는 적어도 하나의 환원실(18)에서 해면철로 직접 환원처리되고, 상기 해면철은 탄소운반체 및 산소함유가스를 공급시키면서 용융구역(I 내지 IV)에서 용융되고, 환원성가스는 생성되어서 환원실(18)로 주입되어서 그곳에서 반응하며, 방출가스로서 배출되고 소모시설에 공급되므로 경제적 관점에서 미세광석의 이용효율을 향상시킨다.
이러한 목적은 주로 적철광(Hematite) 및/또는 자철광미세 광석 및/또는 광석 연진들이 에열구역(2)에서 워얼층 방식에 의해서 예열처리되고, 예열처리된 장입 재료는 연속적으로 배열된 적어도 하나의 환원구역에서 많은 양이 완전히 환원처리되며, 그후에, 상기 장입재료들은 강제 접속수단에 의해서 용융구역(I 내지 IV)의 유동층(II, III)으로 장입되고 그곳에서 용융된다(제1도 참조)는 점에서 효과적이다.

Description

용융선철 및 용융강 예비산물을 생산하기 위한 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도시한 개략도이다.

Claims (19)

  1. 철광석과 플럭스로 구성되고된 적어도 부분적으로는 미세 광석이 포함되어 있는 장입 재료로부터 용융 선철 또는 용융강 예비 생성물을 생성시키고, 여기에서 상기 장입재료는 워얼층 방식에 의해 적어도 하나의 환원구역(18, 18´)에서 해면철로 직접 환원처리되고, 상기 해면철은 탄소 운반체 및 산소 함유 가스의 공급하에 용융구역(I 내지 IV)에서 용융되고, CO 및 H2함유 환원성가스는 생성되어서, 환원구역(18,18´)으로 주입되어 반응되고, 처리실로 공급되어 방출가스로서 배출되는 방법에 있어서, -주로 적철광 및 자철광 미세 광석 및 광석 연진 또는 이들중 하나를 워얼층 방식에 의해서 예열실(2)내에서 예열시키는 단계와, -상기 예열처리된 장입재료들중 많은 양을 연속적으로 배열된 적어도 하나의 환원구역(18, 18´)에서 완전하게 환원시키는 단계와, -적어도 가장 미세한 입자의 장입재료들을 강제 전송장치, 또는 기압식 저농장치에 의해서 용융구역(I 내지 IV)의 유동층(I, III) 및 고정층(I) 또는 이들 중 하나로 장입시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 용융구역(I 내지 IV)에서 형성된 환원성 가스는 부분적으로는 워얼층(18)을 형성시키기위하여 환원구역으로 직접 주입되고, 일부는, 고온 싸이클론(25) 및 가스세정기(26)에서 정화처리된 후, 환원구역에 장입된 환원성가스의 제1 부분에 냉각가스로서 혼합되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 환원성 가스중 일부는 워얼층(18)의 영역에 있는 환원구역으로 주입되고 고온 싸이클론(25)에 공급된 환원성 가스중 일부는 고온 싸이클론의 하부에 형성된 유동층쪽 환원구역으로 주입되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 환원 구역을 떠나는 환원성 가스는 예열구역(2)으로 주입되고, 온도는 환원성가스의 부분연속에 의해서 증가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 환원 구역으로부터 방출된 환원성 가스는 환원 싸이클론(31)에 있는 미세광석으로부터 분리되고 환원싸이클론(31)에서 분리된 미세광석은 분리공정동안 대량으로 환원되고 인젝터(33)의 작용에 의해서 산소 함유가스를 주입시키는 구역에 있는 용융구역(I 내지 IV)으로 공급되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 장입재료중 일부는 환원구역의 워얼층(18)으로부터 방출되고 인젝터(33)의 작용에 의해서 슬루스 시스템(39)을 경유하여 산소함유가스를 주입시키는 구역에 있는 용융구역(I 내지 IV)에 공급되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 환원구역의 워얼층(18)으로부터 방출된 장입재료중 일부는 환원싸이클론(31)에서 분리된 재료와 함께 용융구역(I 내지 IV)으로 공급되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 고온싸이클론(25)에서 분리된 연진은 인젝터(29)의 작용과 산소 연진 버너의 수단에 의해서 슬루스 시스템(39)을 경유하여 미세 석탄 유동층(III)과 굵은 석탄 유동층(II) 사이에 있는 구역의 용융구역(I 내지 IV)로 공급된다.
  9. 제1항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, 용융 공정에 필요한 플럭스 중 일부는 석탄과 함께 용융구역(I 내 IV)으로 직접 장입되고 플럭스중 일부는 미세광석과 함께 예열구역(2)으로 장입되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 석탄과 함께 장입된 플럭스는 4㎜ 내지 12.7㎜ 정도의 굵은 입자로서 장입되고 미세 광석과 함께 장입된 플럭스는 2㎜ 내지 6.3㎜ 정도의 미세입자로서 장입되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1항 내지 제10항중 어느 한 항에 있어서, 국부적으로 두 개로 분리되고 연속적으로 배열된 환원구역(18, 18´)이 설치되고, 제1 환원구역(18)을 떠나는 환원성 가스는 미세 광석 유동의 관점에서 상기 제1환원 구역보다 선행하는 제2 환원구역(18´)으로 전송되고 압축하에서 예열구역(2)으로 장입되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제1항 내지 제11항중 어느 한 항에 있어서, 예열구역(18)을 떠나는 방출가스는 환원구역(18)을 떠나는 환원성 가스의 일부와 혼합되고, CO2정화처리된 후, 고온 브리켓트화 철을 생성시키기 위하여 사용되며, 여기에서 미세 광석은 예열구역(2)에서 예열처리된후, 적어도 하나의 환원구역(18)에서 완전히 환원처리되며 게다가 압축수단 및 브리켓팅수단(48, 49)으로 공급되고, 상기 방출가스는, 가열중, 워얼 베드(18)의 생성동안 적어도 하나의 환원구역으로 전송되고, 관통하여 유동된 후, 같은 곳으로부터 배출되며 워얼 베드를 형성시키기 위해 온도를 상승시키기 위하여 예열구역(2)으로 주입되어서 부분연소되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 철광석과 플럭스를 함유하는 장입재료를 장입시키기 위한 전송도관(7)이 연결되어 있는 적어도 하나의 환원실(8, 8´)과 환원성 가스용 가스도관(17) 뿐만 아니라 환원 산물용 전송도관(9) 그리고 상부 가스유입용 가스도관(30)으로 구성되고 환원실(8, 8´)에서 생성된 환원산물을 전송시키는 전송도관(9)이 연결되어 있고 산소 함유 가스 및 탄소운반체용 장입도관(11, 12) 뿐만 아니라 선철(13) 또는 강예비 산물과 슬래그(14)용 탭(15,16)으로 구성되어 있는 용광로(10)를 포함하여, 용광로(10)에서 생성되어서 환원실(8, 8´)로 유입되는 가스도관은 용광로(10)로부터 이탈되는 제1항 내지 제12항에 따른 방법을 수행하기 위한 장치에 있어서, 상기 환원실은 워얼층 환원실(8, 8´)로서 설계되고, 장입재료의 유동방향에서, 워얼층 예열실(1)은 워얼층 환원실(8, 8´)보다 선행되며, 워얼층 환원실(8, 8´)의 가스도관(30)은 워얼층 예열실로 연결되고, 기압식 전송도관(9)은 워얼층 환원실(8, 8´)에서 형성된 해면철을 용광로(10)로 전송시키기 위하여 설치되고 상기 전송도관은 용광로(10)의 유동층(II, III) 및 고정층(I) 또는 이들중 하나와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제13항에 있어서, 산소 도관(35)은 워얼층 환원실(8, 8´)에서 워얼층 예열실(1)로 연결되어 있는 가스도관(30)으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 워얼층 환원실(8, 8´)은 상대적으로 작은 직경의 하부(23)와 상기 하부위에 설치되고 상대적으로 큰 직경의 상부로 구성되고, 상기 하부로부터 상부까지의 형태는 원추형으로 설계되고 상기 환원성 가스용 가스도관(17)은 원추형 변이편(19)에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제13항 내지 제15항중 어느 한 항에 있어서, 워얼층 예열실(1)은 환원성 가스용 가스도관(30)이 연결되어있는 원추형 하단부를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제13항 내지 제16항중 어느 한 항에 있어서, 워얼층 환원실(8, 8´)은 미세 광석 장입수단(36)을 가지며, 상기 장입수단으로부터 전송도관(37)은 용광로(10)의 고정층(I) 또는 유동층(II)에 연결되어 있는 기압식 전송수단(33)에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제13항 내지 제17항중 어느 한 항에 있어서, 두 개의 워얼층 환원실(8, 8´)은 장입재료의 유동방향에 연속적으로 배열되는 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제12항에 따른 방법을 수행하기 위한 제13항 내지 제18항중 어느 한 항에 있어서, 고온 브리켓트화 철을 생성시키기 위한 방출가스용 가스도관(6, 42)은 CO2가스 세정기(45) 및 가열수단(46)의 중간 설치후, 적어도 하나의 환원실(8)로 연결되고, 상기 환원실로부터 가스 도관은 워얼층 예열실(1)로 전송되며, 여기에서 미세광석 장입도관(3)은 워얼층 예열실(1)에 연결되고 전송도관은 워얼층 예열실(1)로부터 이격되고, 예열처리된 미세광석을 환원실로 전송시키며, 압축시키고 브리켓트화시키는 수단(48, 49)은 미세광석유동의 방향에서 환원실(8)에 이어서 설치되는 것을 특징으로 하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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