KR940002874B1

KR940002874B1 - 방전가공기의 적응제어장치 및 방법

Info

Publication number: KR940002874B1
Application number: KR1019910019938A
Authority: KR
Inventors: 시로 사사끼
Original assignee: 미쯔비시덴끼 가부시끼가이샤; 시기 모리야
Priority date: 1990-11-15
Filing date: 1991-11-11
Publication date: 1994-04-06
Also published as: EP0485947A3; TW204311B; JP2658560B2; EP0485947A2; US5231257A; EP0485947B1; JPH04183525A; DE69111187T2; KR920009493A; DE69111187D1

Abstract

내용 없음.

Description

방전가공기의 적응제어장치 및 방법

제1도는 본 발명에 따른 방전가공기의 적용제어장치의 1실시예를 도시한 도면.

제2도는 제1도에 도시한 이상판단부의 구성을 상세하게 도시한 설명도.

제3도는 방전가공기에 사용된 평방 100㎜의 가공전극의 움직임을 도시한 설명도.

제4도는 또다른 가공개시 종료판단수단의 실시예를 도시한 구성도.

제5도는 방전가공의 개시에서 가공전극의 릴리이프 량의 제로(0)로 될때까지 방전가공에 사용된 평방 100㎜의 가공전극의 움직임을 도시한 설명도.

제6도의 A~F는 제5도의 가공전극의 움직임에 대한 타이밍도 및 제2도에 도시한 회로의 동작타이밍을 도시한 도면.

제7도의 A 및 B는 회피제어동작동안에 전극위치가 어떻게 조정되는가를 설명하는 도면

제8a 및 b도는 이상이 검출되었을때의 적응제어동작 및 정상동작으로의 복귀동작을 설명하는 플로우차트.

제9도는 방전가공에 사용된 평방 30㎜의 가공전극의 움직임을 도시한 도면.

제10도는 이상판단수단의 다른 실시예를 도시한 도면.

제11도는 제10도에 도시한 실시예의 동작을 도시한 그래프.

제12도의 A, B, G, H, C, E, I, J는 제10도의 실시예의 동작을 도시한 타이밍도.

제13도는 종래의 방전가공기의 적응제어장치를 도시한 도면.

제14도는 가공전극의 움직임을 도시한 도면.

제15도는 제2도의 실시예의 소프트웨어처리에 대한 플로우차트.

본 발명은 방전가공기의 적응제어장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 방전가공의 개시시에 가공상태를 바라는 가공상태로 유지하는 방전가공기의 적응제어장치 및 방법에 관한 것이다.

제13도는 일본국 특허공고공보 No.10769-1987에 기재되어 있는 종래의 방전가공기의 적응제어장치를 도시한 것이다. 이 방전가공기는 가공전극(1), 피가공물(2), 가공액(4)가 충전되어 있는 가공탱크(3), 가공전극(1)을 Z방향으로 이동시키는 주축(5), 주축(5)를 구동하는 구동모터(6), 주축(5)의 이동속도 및 위치를 검출하는 속도/위치검출기(7), 구동모터(6)에 구동명령을 공급하는 것에 의해 가공전극(1)의 위치를 제어하는 전극위치제어부(21), 가공전극(1)과 피가공물(2)사이에 가공전압을 공급하는 가공전원(22), 속도/위치검출기97)에서의 검출신호 및 가공갭 전압에 따라서 전극위치제어부(21) 및 가공전원(22)에 피드백명령을 공급하고, 적응제어부(31)에 전극의 극하점의 상승명령 또는 가공명령을 공급하는 검출값처리부(23)을 포함한다. 적응제어부(31)은 검출값처리부(23)에서의 명령신호에 따라서 전극위치제어부(21) 및 가공전원(22)에 가공명령을 전달한다.

동작에 있어서, 가공전원(22)에 의해 가공전극(1)과 피가공물(2)사시에 펄스형상의 전압이 인가되어 그들사이에 가공액내에서 방전이 발생한다. 피가공물(2)는 이 방전현상 및 가공전극(1)의 피드백동작에 의해 가공된다. 전극위치제어부(21)은 방전에 대해서 가공전극(1)과 피가공물(2)사이에 소정의 방전갭을 유지하기 위해 검출값처리부(23)에 의해 마련된 평균가공갭 전압과 기준전압을 비교하고, 그 차전압(즉, 평균가공갭 전압과 기준전압사이의 차)에 따라서 구동모터(6)을 제어해서 가공전극(1)의 위치 또는 전송속도를 제어한다.

가공전극(1)과 피가공물(2)사이의 갭은 일반적으로 대략 십마이크론~수십 마이크론의 범위내이다. 가공될 면적이 넓을때에는 가공에 의해서 발생된 칩을 이 갭을 거쳐서 제거하는 것이 곤란하여 칩이 가공갭내에 잔류하게 된다. 또한 발생된 칩의 량이 제거할수 있는 량보다 훨씬 많게 된다. 그 결과, 이상방전(예를들면, 하나의 영역에 집중하는 방전)이 일어나기 쉽게 된다. 그러나, 이것은 이상상태를 검출하고, 생성되는 칩의 량을 억제하던가 또는 제거능력을 높이는 것에 의해 방지할수 있다.

제14a 및 b도는 가공전극(1)의 움직임을 도시한 것으로, 제14a도는 정상적인 가공시의 전극의 움직임을 도시한 것이고, 제14b도는 가공갭내에 이상이 발생된 전극의 움직임을 도시한 것이다.

가공공정에서, 가공전극(1)은 대략 수 마이크론~수십 마이크론의 거리에 걸쳐서 발진하고 있다. 정상적인 가공동작동안에는 가공극하점(101)(즉, 가공전극(1)이 하강에서 상승으로 전환하는 점)이 가공이 진행함에 따라서 서서히 하강하고 있다. 그러나, 가공갭에 이상이 발생하면, 제14b도에 도시한 바와같이 전극극하점(101)은 상승하는 경향에 있다. 따라서, 전극 극하점(101)의 상승을 방지하고, 생성된 칩의 양을 억제하기 위해서 가공전원(22)에 의해 공급된 전류펄스의 폭을 작게하며, 또한 방전휴지폭을 증대한다. 또, 칩의 제거능력을 높이기 위하여, 가공전극(1)의 정규적인 상승거리를 증대시켜 전극움직임에 의해 생성된 "점프"동작 및 그것에 이어서 일어나는 가공액 흐름을 증가시킨다.

다시 제13도로 되돌아가서, 검출값처리부(23)은 위치검출기(7)에 의해 마련된 가공전극(1)의 움직임에 따라서 극하점(101)을 검출하고, 적응제어부(31)에 극하점(101)의 상승 또는 하강을 나타내는 신호를 송출한다. 극하점이 소정의 스레쉬홀드값을 초과하였을때, 적응제어부(31)은 가공갭에 이상이 발생하였다고 판단하고, 전극위치제어부(21) 및 가공전원(22)에 명령(예를들면, 생성된 칩의 양을 억제하기 위하여 전류펄스의 폭을 작게하고, 방전휴지폭을 증대하거나 칩의 제거능력을 향상시키도록 가공전극(1)을 상승시키는 명령)을 송출한다.

이상의 설명에서는 전류펄스의 폭을 작게하거나 또는 가공전극(1)의 정규적인 상승량을 증대시키는 것이 이상 방전의 발생을 방지하기 위해서 필요하다는 것이 명확하게 되었다.

또, 제2의 종래의 방전가공기에 대해서는 일본국 특허공개공보 No.107831-1981에 기재되어 있다. 이 가공기는 피가공물에 대해서 전극의 가장 깊은 위치와 현재의 전극위치사이의 차를 검출하는 전극위치검출수단을 이용하는 가공중에 가공갭의 상태를 정확하게 판단하다. 가공갭 상태판단수단은 상기 차가 크게 되면, 이상 가공갭 상태를 검출해서 신호를 출력한다.

상술한 바와같이, 종래의 방전가공기의 적응제어장치는 전극이 상승하거나 피가공물에 대해서 송출된 전극의 가장 깊은 위치와 현재의 전극위치사이의 차가 소정의 스레쉬홀드값을 초과하였을때, 가공갭내에 이상이 발생하였다고 판단한다. 그후, 적응제어장치는 가공제거능력(즉, 생성되는 칩의 량)을 억제하기 위하여 전류펄스폭을 저감하고, 방전전극폭을 길게하거나 칩의 제거능력을 향상시키기 위하여 전극을 상승시킨다.

방전가공이 큰 가공전극에 의해 실행될때(즉, 방전가공의 개시시에 가공될 면적이 약 25㎠ 이상으로 클때), 종래의 제어장치는 아크현상의 발생을 검출하고, 가공조건의 회피제어를 실행할수가 있다. 그러나, 종래의 장치는 때대로 아크현상이 발생되었다고 잘못 판단하여 가공조건의 회피제어를 실행할수가 있다. 그러나, 종래의 장치는 때때로 아크현상이 발생되었다고 잘못 판단하여 가공조건의 회피제어를 실행하므로, 가공효율이 저하한다는 문제점이 있었다. 즉, 방전휴지폭을 길게하고, 전극하강시간을 저감하고, 전극상승량을 증대하는 등의 조작에 의해 가공시간이 길어진다. 아크현상을 구리로 이루어진 가공전극이 가공갭을 거쳐서 가공액을 공급하지 않고 방전가공에 사용될때에 특히 발생하기 쉽다.

또한, 큰 가공전극이 방전가공에 사용될때, 종래의 기술에서는 피가공물에 대해서 송출된 전극의 가장 깊은 위치와 현재의 전극위치사이의 차가 방전가공개시시에 증가되므로, 어느 기간동안 방전가공상태가 이상이라고 판단하고, 가공조건의 회피제어를 계속해서 실행한다. 전극의 가장 깊은 위치와 현재의 위치사이의 차는 방전가공에 의해 제거될 큰 면적에 의해 즉시 상쇄되지 않는다.

따라서, 본 발명의 목적은 상술한 문제점 및 불합리를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 방전가공개시의 시점에서 방전가공의 이상을 검출하고, 또한 그 이상을 회피하기 위한 적응적인 가공조건을 변경하고, 회피시점에서 방전가공의 이상을 검출하고, 또한 그 이상을 회피하기 위한 적응적인 가공조건을 변경하고, 회피 제어한 후에 가공조건을 복귀시키는 방전가공기의 적응제어장치 및 방법을 제공하는 것이다.

상술한 목적에 의하면, 본 발명은 전극의 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프 량을 검출하는 검출수단, 검출된 릴리이프 량이 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 초과하였을때, 방전가공기의 불안정한 동작을 회피시키는 수단, 검출된 릴리이프 량이 불안정한 동작을 회피시킨 후에 발생하는 소정의 제2의 스레쉬홀드값이하로 떨어진 후의 소정의 가공조건으로 가공조건을 변경시키는 가공조건변경수단을 포함하고, 전극과 피가공물사이에 전압펄스를 인가하는 것에 의해 방전가공을 실행하는 방전가공기의 적응제어장치를 제공하는 것이다.

또, 상술한 목적에 의하면, 본 발명은 전극의 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프 량을 검출하는 검출수단, 검출된 릴리이프 량을 몇회의 점프에 걸쳐서 평균하여 전극의 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프량을 산출하는 수단, 방전가공의 개시로 부터 소정의 기간동안 상기 검출된 릴리이프 량과 산출된 릴리이프량을 소정의 스레쉬홀드값을 초과하였을때 방전가공기의 불안정한 동작을 회피시키는 수단을 포함하고, 전극과 피가공물사이에 전압펄스를 인가하는 것에 의해 방전가공을 실행하는 방전가공기의 적응제어장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명은 전극의 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프 량을 검출하는 검출수단, 전극과 피가공물사이의 진압펄스가 소정의 레벨로 되었을때에 개시되는 전극의 소정의 점프회수를 카우트하는 카운트수단, 검출된 릴리이프 량과 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 비교하는 비교수단, 상기 카운트수단 및 비교수단에 따라서, 카운트가 소정의 값으로 되지 않고, 검출된 릴리이프 량이 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 초과하면, 방전가공기의 가공조건을 기억하는 기억수단, 방전가공기의 불안정한 동작을 회피하도록 가공조건을 변경시키는 수단, 검출된 값과 소정의 제2의 스레쉬홀드값을 비교하는 가공개시 종료판단수단과 검출된 값이 소정의 제2의 스레쉬홀드값이하로 되었을때 상기 기억수단에 기억된 가공조건을 복귀시키는 수단을 포함하고, 전극과 피가공물사이에 전압펄스를 인가하는 것에 의해 방전가공을 실행하는 방전가공기의 적응제어장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명은 전극의 가장 깊은 위치에서서의 전극의 릴리이프량을 검출하는 검출수단, 전극과 피가공물 사이의 전압펄스가 소정의 레베로 되었을때에 개시되는 시간의 기간을 설정하는 기간설정수단, 검출된 릴리이프 량이 이상을 구성하는 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 초과하는가를 검출하는 이상판단수단, 이상판단수단이 시간의 기간내에서 이상을 검출하면 방전가공기의 가공조건을 기억하는 기억수단, 이상이 검출된 후에 불안정한 방전가공을 회피하도록 가공조건을 변경하는 수단, 검출된 값과 소정의 제2의 스레쉬홀드값을 비교하는 가공개시 종료판단수단과 검출된 값이 소정의 제2의 스레쉬홀드값이하로 되고, 이상이 회피되었을때, 상기 기억수단내에 기억된 가공조건을 복귀시키는 수단을 포함하고, 전극과 피가공물사이에 전압펄스를 인가하는 것에 의해 방전가공을 실행하는 방전가공기의 적응제어장치를 마련하는 것에 의해 상기 목적을 달성한다.

또한, 본 발명은 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프 량을 검출하는 스텝, 상기 전압을 소정의 전압값과 비교하는 스텝, 전압이 소정의 레벨이하로 되었을때 전극의 점프회수를 카운트하고, 상기 카운트가 소정의 회수로 될때까지 제1의 하이신호를 출력하는 스텝, 검출된 릴리이프 량과 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 비교하고, 검출된 릴리이프량이 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 초과하였을때 제2의 하이신호를 출력하는 스텝, 제1의 신호 및 제2의 신호가 하이이면 방전가공기의 가공조건을 기억하는 스텝, 방전가공기의 불안정한 동작을 회피하도록 방전가공기의 가공조건을 변경하는 스텝, 검출된 릴리이프 량과 소정의 제2의 스레쉬홀드값을 비교하고, 방전가공의 개시의 종료를 나타내기 위해서, 검출된 릴리이프 량이 소정의 스레쉬홀드값이하로 되었을때 제3의 하이신호를 출력하는 스텝, 방전가공의 개시의 종료시에 가공조건을 복귀시키는 스텝을 포함하고, 전극과 피가공물사이에 전압펄스를 인가하는 것에 의해 방전가공을 실행하는 방전가공기의 적응제어방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명은 방전가공의 개시가 시작되는 시간의 기간을 설정하는 스텝, 전극의 가장 깊은 위치에서의 전극의 검출된 릴리이프 량이 시간의 기간내에서 소정의 스레쉬홀드값을 초과하는 가를 판단하는 것에의해 이상상태를 검출하는 스텝, 이상상태가 검출되면 방전가공기의 가공조건을 기억하는 스텝, 이상상태가 검출되면 그의 불안정한 동작을 회피하도록 방전가공기의 가공조건을 조정하는 스텝, 전극의 가장 깊은 위치에서의 전극의 검출된 릴리이프 량이 소정의 제2의 스레쉬홀드값이하로 되었을때를 판단하는 것에 의해 방전가공의 개시의 종료를 검출하는 스텝, 종료가 검출되면 가공조건을 복귀시키는 스텝을 포함하고, 전극과 피가공물사이에 전압펄스를 인가하는 것에 의해 방전가공을 실행하는 방전가공기의 적응제어방법을 제공하는 것이다 본 발명의 상기 및 그 밖의 목적과 새로운 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부도면에 의해서 명확하게 될 것이다.

이하, 본 발명의 실시예를 도면에 따라서 설명한다.

제1도는 본 발명에 따른 방전가공기의 적응제어장치의 1실시예를 도시한 것이다.

제1도에서, (1)~(7)과 (21)~(23)은 상술한 종래의 적응제어장치의 것과 동일한 구성요소를 표시하므로, 여기서는 설명을 생략한다. (31a)는 이상판단부(41)에서의 신호에 따라서 전극위치제어부(21) 및 가공 전원(22)에 명령을 송출하는 적응제어부이다. 이상판단부(41)은 검출값처리부(23)에서의 명령신호에 따라서 방전가공기가 정상적인 상태인가 이상적인 상태인가를 판단한다.

제2도에 도시한 바와같이, 이상판단부(41)은 방전가공개시시점에서 방전가공이 이상인가 아닌가를 판단할때가지의 기간을 설정하는 기간설정수단(51), 방전가공에 이상이 있는가 없는가를 판단하는 이상판단수단(52), 가공전극(1)이 그의 전면에 걸쳐서 방전되었느가를 판단하는 가공개시 종료판단수단(53)으로 구성되어 있다.

이하, 제1도의 실시예의 동작을 설명한다.

제3도는 다음의 조건하에서 방전가공에 사용된 평방(각 측면에 대해서 100mm)의 가공전극의 움직임을 도시한 것이다.

가공전극 : 평방 100㎜, 구리

전류 피크값 : 55A

전류펄스폭 : 1024μsec

곡선a(제3도)는 아크가 발생하지 않았을때의 가공전극(1)의 움직임을 나타내고, 곡선(b)는 아크가 발생하였을때의 가공전극(1)의 움직임을 나타낸것이다.

제3도의 곡선a로 나타낸 바와같이, 전상적인 방전가공동작에서는 방전가공의 개시후에 몇회의 점프후 가공전극(1)의 오프셋 또는 릴리이프 량은 점차적으로 상승한다. 그러나, 가공상태의 개시시에 설정된 가공조건이 엄격한 경우(아크가 방생할수 있는 경우), 곡선b로 나타내는 바와같이 가공전극의 오프셋 량의 사이즈는 방전가공의 개시후에 몇회의 점프만으로 급속하게 상승하고, 그후 계속해서 상승한다. 또, 상승량(가공전극(1)의 가장 깊은 위치에서의 릴리이프 량)은 정상적으로 방전가공이 발생되고 있는 경우에 비해서 크다. 가공의 개시시의 가공조건의 비정상적인 상태는 이 근거에 따라서 구별된다.

가공전극(1)의 릴리이프 사이즈는 칩배출능력을 향상시키기 위해서 크게 한다. 또한, 발생되는 칩의 량을 억제하기 위하여 가공전극(1)의 하강시간을 줄인다. 그 이외에 가공전원(22)에서 공급된 전류펄스의 폭을 줄이거나 방전휴지폭을 증대시키는 처리를 포함하는 것이 좋다는 것을 알수 있다.

방전가공의 개시에서 25점프의 기간내에 발생하는 방전가공이상(즉, 가공프로세스의 최초의 단계)은 제1도에 도시한 이상판단부(41)에 의해 검출된다. 이상판단부(41)에 의해 방전가공의 개시후에 25점프내의 가장 깊은 위치에서의 릴리이프 량을 검출하는 1예를 제2도에 도시한다.

기간설정수단(51)은 가공전극(1)이 피가공물(2)에 근접해서 가공이 개시되었는가를 판단한다. 가공전극(1)과 피가공물(2)사이의 전압은 분압기(61)에 의해 검출된다. 이 검출된 전압은 전압설정장치(62)에 의해 설정된 전압값(예를들면, 40V 이하)과 상기 검출된 전압을 비교하는 비교기(63)에 입력된다. 특히, 분압기(61)에 의해 검출된 전압값이 40V 이하의 전압과 같게 되면, 비교기(63)은 카운터(64)로 "하이(H)"신호를 출력한다. 그후, 카운터(64)는 가공전극(1)의 점프회수(1점프는 가공전극(1)의 상승, 하강, 또다른 상승의 순서와 같다)를 카운트하기 시작한다. 카운터(64)는 카운트의 개시에서 판별회로(65)에 "하이"신호를 출력하고, 점프회수가 소정의 값으로 되면(예를들면 점프회수가 25로 되면), "로우(L)"신호를 판별회로(65)에 인가하는 것에 의해 가공이상을 판단하는 기간을 설정한다. 판벽회로(65)의 제2의 입력은 이상판단수단(52)에서의 신호를 받는다.

이상판단수단(52)에 사용된 이상판단방법은 가장 깊은 위치에서의 릴리이프 량을 상태량으로써 사용한다. 검출값처리부(23)에 의해 처리된 가장 깊은 위치에서의 릴리이프 량과 기준으로 사용되어 설정장치(66)에 기억된 릴리이프 량의 스레쉬홀드값은 비교기(67)에 입력된다. 이 비교기(67)은 가장 최근에 처리된 가장 깊은 위치에서의 릴리이프 량이 설정장치(66)에 기억된 소정의 스레쉬홀드값을 초과하였을때, "하이"신호를 판별회로(65)로 출력한다.

판별회로(65)는 가공동작의 이상을 검출하고, 카운터(64) 및 비교기(67)의 각각의 출력이 "하이"일때 "하이"신호를 출력한다(제6도C).

이상 방전을 검출하는 것에 의해 판별회로(65)는 플립플롭(69)의 입력S에 세트신호를 출력하고, 기억장치(68)에 현재의 가공조건을 기억하도록 명령신호를 송출한다. 기억장치(68)은 가공개시종료의 판단후, 이상이 발생하기 전의 본래의 가공조건으로 프로세스를 복귀시키도록 가공조건을 기억한다.

그후, 기억장치(68)은 전극위치제어부(21)로 명령신호를 송출해서 가공전극(1)의 하강시간을 저감하고, 또한 가공전극(1)의 상승거리를 증가시키는 적응제어부(31a)에 명령신호를 송출한다. 이 방법으로 회피제어를 실행하는 것에 의해 이상이 있는 방전가공을 더욱 용이하게 회피시킬수 있다.

제8a도는 적응제어프로세스를 설명하는 플로우차트를 도시한 것이다. 적응제어부(31a)가 판별회로(65)에서 명령신호를 받으면, 스텝(200)에서 회피제어공정이 개시된다.스텝(201)에서 불안정한 동작이라고 판단하면, 전극하강시간, 전극상승거리, 오프시간등의 현재의 가공조건을 기억장치에 기억한다. 그후, 이 공정은 현재의 전극하강시간(A)를 판단하는 스텝(203), (204), (205)로 진행한다. 전극하강시간이 1~2범위내로써 플로우차트에 나타내는 바와같이 그다지 길지 않으면, 스텝(206)으로 공정이 진행한다. 전극하강시간이 5~9 범위내로써 플로우차트에 나타낸 바와 같이 길면(스텝205), 공정이 스텝(28)로 진행한다. 마직막으로, 전극하강시간이 스텝(204)에서 판단도니 바와 같이 그들사이에 있으면, 스텝(207)로 공정이 진행한다.

스텝(206), (207), (208)에서의 전극상승시간(B₁)과 스텝(207), (208)에서의 전극하강시간(A₁)은 불안정한 가공동작을 회피하도록 조정된다. 예를들면, 스텝(206)에서 전극상승거리(B₁)은 2만큼 증가하고, 전극하강시간(A₁)은 조정되지 않느다. 스텝(207)에서 전극하강시간(A₁)은 2만큼 감소되고, 전극상승거리(B₁)은 1만큼 증가된다. 스텝(208)에서, 이 조정은 전극하강시간(A₁)이 3만큼 감소되고, 전극상승거리(B₁)이 2만큼 증가되는 것에 따라서 어느정도 크게 된다.

전극상승량 및 전극하강시간은 실험적인 근거에 따른 다음의 가공조건하에서 제어하였다.

[실험 1]

회피변경전 회피변경후

휴지펄스폭 128μsec 256μsec

전극하강시간 0.75sec 0.25sec(한번)

전극상승거리 0.8㎜ 0.8→1.0→1.22㎜(단계적)

[실험 2]

휴지펄스폭 128μsec 128μsec

전극하강시간 0.75sec 0.25sec

전극상승거리 0.8㎜ 1.2㎜

실험 1에서는 아크의 발생을 회피할 수 없지만, 실험 2에서는 아크 발생을 회피할 수 있었다. 이들 실험에서는 상기에서 기술한 바와 같은 회피제어를 실행하는 것(즉, 1비트씩하는 것보다 제7도의 A 및 B에 도시한 바와 같이 모든 전극을 한번에 상승시키는 것)은 전극하강시간을 저감하고, 전극상승거리를 단계적으로 회피변경시키는 쪽이 훨씬 효과가 있다는 것을 명백하게 알 수 있다.

가공전극위치는 검출값 처리부(23)에 의해 20msec마다 샘플링 되었다. 가장 깊은 위치는 가공전극(1)이 초기위치에서 가장 진행되었을때 판단하였고, 가장 깊은 위치에서의 가공전극(1)의 릴리이프량은 가장 깊은 위치 및 현재 위치의 샘플링 데이타를 사용해서 산출하였다.

회피변경이 가공조건으로 된후, 가공전극(1)은 제5도에 도시한 바와 같이 릴리이프량은 일시적으로 상승하지만, 그후 점차적으로 하강한다. 제5도는 방전가공이 시작되고 부터 가장 깊은 위치에서의 가공전극(1)의 릴리이프량이 제로로 될때까지의 평방 100mm 가공전극(1)의 움직임을 도시한 것이다. 제6도는 제2도에 도시한 회로의 동작타이밍도이다.

일반적으로, 가공조건은 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프 량이 제로로 되었을때에 본래의 조건으로 복귀된다. 그러나, 방전이 제5도의 점 a와 b사이의 어떤 위치에서 전극갭내에 균일하게 발생되므로, 가공조건을 본래의 가공조건으로 복귀시키는 쪽(릴리이프량일 약 50마이크론으로 떨어질때)이 가공제거능력을 높이기 때문에 가공속도가 빠르게 된다. 본래의 가공조건으로 복귀시키는 판단의 일예를 제2도에 도시한다.

가공이 개시되었는가의 여부는 종료판단수단(53)에 의해 판단된다. 검출값 처리부(23)에 의해 처리된 가장 깊은 위치에서의 릴리이프 량과 설정장치(70)에 기억된 가장 깊은 위치에서의 릴리이프량의 스레쉬홀드값(대표적으로 약 50마이크론)은 비교기(71)로 입력된다. 비교기(71)은 가장 깊은 위치에서의 현재 처리된 릴리이프량이 설정장치(70)에 기억된 소정의 스레쉬홀드값 이하로 되었을때, "하이"신호를 판별회로(72)로 출력한다(제6도E).

플립플롭(69)의 출력 Q가 "하이"이고, 비교기(71)의 출력이 "하이"로 되었을때, 판별회로(72)는 가공개시종료를 나타내는 "하이"신호를 추력한다(제6도F). 이 점에서, 가공의 개시단계가 종료하고, 본래의 명령된 가공파라미터(기억장치에 기억됨)로 복귀를 실행한다.

이상이 있는 방전의 발생이 가공개시시에 판단되었을대, 회피제어가 실행되고, 가공개시종료판단이 순차적으로 이루어지며, 판별회로(72)는 회피전의 가공조건으로 복귀하도록 적응제어부(31a)에 명령신호를 송출한다. 한편, 방전에 이상이 발생하지 않았을때, 판별회로(72)는 가공개시가 종료한 것을 판단한다. 그후, 현재의 적응제어가 정지되고, 공지의 적응제어기술(예를들면, 일본국 특허공고공부 No. 10769-1987에 기술되고 제13도에 도시된 종래의 적응제어장치에 의해 실행된 것과 동일)로 전환이 이루어진다.

가공개시종료의 판단프로세스에서는 전극하강시간 및 전극상승거리가 적응제어부(31a)에 의해 제어되므로, 가장 깊은 위치에서의 전극의 현재의 릴리이프량이 소정의 스레쉬홀드값 이하로 떨어졌을대 가공조건을 본래의 설정조건(즉, 기억장치(68)에 기억된 가공조건)으로 복귀시킬 수가 있다.

제8b도에는 복귀동작 및 그후의 스텝을 도시한다. 도시된 플로우차트는 가공개시의 종료를 한번의 동작으로 검출한 것을 나타낸다. 개시스텝(300)에서 동작은 제8 a도의 스텝(202)에 기억된 가공조건이 복귀되는 스텝(301)로 이행한다. 특히, 전극하강시간(A₁), 전극상승시간(B₁), 방전휴지시간(C₁)은 회피동작 바로전의 상태로 복귀된다. 다음에, 스텝(302)에서 가공동작이 안정한가 불안정한가를 판단한다. 만약, 불안정하면 전극하강시간(A₁)이 1과 동일하지 않은 경우 (A₁)이 1만큼 저감되고, 전극하강시간(A₁)이 1과같은 경우 전극상승시간(B₁)이 1만큼 증가하는 스텝(303)으로 공정이 이행한다.

한편, 가공동작이 안정하면, 잠시 대기시간으로 되는 스텝(304)로 공정이 이행한다. 다음에, 스텝(305)에서 전극상승시간(B₁)이 (B)의 값(즉, 회피동작을 실행하기 바로 전의 전극상승거리)과 동일한가를 판단한다. 만약 같지 않으면, 전극상승시간(B₁)이 1만큼 감소되는 스텝(306)으로 공정이 먼저 이행하고, 그후 스텝(301)로 이행한다. 전극상승시간(B₁)이 (B)와 같으면 스텝(307)로 이행하고, 전극하강시간(A₁)이 (A)의 값(즉, 회피동작을 실행하기 바로 전의 전극하강시간의 값)과 동일한가를 판단한다. 만약 동일하지 않으면, 전극하강시간(A₁)이 1만큼 증가되는 스텝(308)로 먼저 공정이 이행하고, 그후 스텝(301)로 되돌아간다. 전극하강시간(A₁)이 (A)와 동일하면, 스텝(309)으로 공정이 이행하여 종료한다.

가공개시완료를 판단하는 또다른 프로세스를 다음에 기술한다.

제4도에 도시한 바와 같이, 가공개시가 완료하였는가를 판단하도록 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프량의 기준값이 오퍼레이터(81)에 의해 선택되고, 그의 데이타가 기억장치(82)내에 기억된다. 검출값 처리부(23)에 의해 출력된 가장 깊은 위치에서의 전극의 현재의 릴리이프량은 가공개시종료를 판단하기 위해 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프량의 기준값(즉, 결과 데이타)과 비교기(83)에 의해 비교된다. 현재의 릴리이프량이 스레쉬홀드값보다 작을때 비교기(83)에 의해 "하이"신호가 출력된다.

오퍼레이터(81)은 검출값처리부(23)으로부터 출력되는 가공전극위치(예를들면, 점프 10회마다 이동평균한 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프량)를 산출하고, 계수 A(A는 대표적으로 0.2~0.5 범위내에 있다)를 곱하고, 기억장치(82)에 그 결과 데이타를 기억한다. 기억장치(82)는 오퍼레이터(81)로부터 점프마다 출력되는 각각의 데이타의 크기를 비교하여 큰 데이타를 기억한다.

상술한 종료판단공정과 비교해서 이 종료판단공정은 설정장치(70)을 필요로 하지 않지만, 가공전극(1)의 면적, 가공조건, 가공액 처리등에 따라서 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프량에 대해서 가공개시종료의 판단의 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프량이 변화하므로, 유연하게 대응할 수 있다.

또, 제10도에 도시한 적응제어장치는 다른 하나의 개량안으로써 고려된다. 상기 제어장치와 마찬가리로, 이 제어장치는 가공전극이 제9도에 도시한 바와 같이 움직였을때 방전가공에 이상이 있다고 판단하지 않는다. 즉, 이 장치는 방전가공개시후의 단시간에 가장 깊은 위치에서의 릴리이프량의 값이 먼저 판단된 기준값을 먼저 초과하였을때 방전가공공정에 이상이 있다고 판단하지 않는다. 이 장치는 제2도에 도시하는 이상판단수단에 부가해서 설정장치(91), 오퍼레이터(92), 비교기(93) 및 판별회로(94)를 포함하고 있다.

비교기(67)은 검출값처리부(23)에 의해 처리된 가장 깊은 위치에서의 가공전극(1)의 릴리이프량이 설정장치(66)에 기억된 소정의 스레쉬홀드값을 초과하였을때 판별회로(94)에 "하이"신호를 출력한다. 제12도 B를 참조하면, 오퍼레이터(92)는 제9도의 플롯점으로 나타낸 검출값처리부(23)으로부터 출력되는 가공전극위치데이타(예를들면, 점프 10회마다 이동평균한 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프량)를 산출한다. 이 값은 비교기(93)에서 설정장치(66)에 의해 설정된 값과 동일한 설정장치(91)에 기억된 소정의 스레쉬홀드값과 비교된다. 전극이 제9도에 도시한 바와 같이 이동되면, 오퍼레이터(92)에 의해 출력된 값은 소정의 값을 초과하지 않고, 이것에 의해 비교기(93)의 출력은 "로우"(제12도 c)로 되고, 판별회로(94)는 "로우"신호(제12도 H)를 출력한다. 이상 방전이 발생되었다는 판단은 비교기(67) 및 (93)의 각각의 출력이 "하이"신호를 출력하였을때 이루어진고, 판별회로(94)는 "하이"신호를 출력한다.

이상 방전이 발생되었다는 판단은 방전개시동작이 종료되었을때(즉, 제2도의 판별회로(65)의 출력이 "로우"일때), 판별회로(76)에 의해 판단된다. 방전가공이 개시되었을때, 플립플롭(73)이 세트되고, 판별회로(74)에 "하이"신호를 출력한다. 카운터(64)에 의해 출력된 신호 A의 반전된 신호도 판별회로(74)로 입력된다. 판별회로(74)는 카운터(64)의 출력이 "로우"로 전환되었을때 세트신호를 플립플롭(75)에 송출한다. 이 신호에 의해 플립플롭(75)가 판별회로(76)에 "하이"신호를 출력한다(제12도 I). 그러나, 플립플롭(69)의 출력Q 신호는 "하이"(즉, 방전가공에 이상이 있다고 판단되었을때)로 되고, 판별회로(74)는 플립플롭(75)의 출력Q 신호를 "로우"로 전환하는 리세트신호를 송출한다. 비교기(71)의 출력은 "하이"신호를 출력하는 판별회로(76)에 인가되고, 가공개시가 종료하였는가를 판단하도록 적응제어부(31a)에 명령신호를 송출한다.

상술한 실시예에서는 방전가공개시후의 소정의 기간이 점프회수를 카운트하는 것에 의해 설정된다. 또한, 이 점프회수와 동일한 시간을 간단하게 설정하는 것에 의해 소정의 기간을 설정할 수 있다.

또, 샘플링마다 실행되는 검출값처리부(23)에 의해 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프량의 처리를 점프마다 실행(즉, 가공전극(1)의 하강시간동안의 가장 깊은 위치와 전극의 지금까지의 가장 깊은 위치사이의 차) 할 수 있고, 또는 점프마다 구해지는 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리프량이 이동평균을 몇회의 점프후에 판단할 수 있다. 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프량을 구하는 방법은 기억장치(71)에 기억된 가공개시종료의 판단에 사용된 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리프량에 적용가능하다. 상기 가공전극 하강시간동안의 가장 깊은 위치는 하강시간중의 가장 상승한 위치 또는 가장 하강한 위치중의 어느것이 선택되어도 좋고, 이상을 판단할때에 사용된 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프량의 스페쉬홀드값이 약간 변화할 뿐이므로, 방전가공의 이상이 판단하였는가를 판단하는 경우에 아무런 문제가 없다.

적응제어부(31a)에 의해 전극하강시간 및 전극상승거리를 가장 효과적으뢰 회피제어하는 것에 대해서 기술하였다. 그러나, 가공전원(22)에 의해 공급된 방전휴지폭 및 방전펄스폭을 사용해서 회피제어를 실행하거나 또는 전극하강시간, 전극상승거리, 방전휴지폭 및 방전펄스폭을 2개이상 조합해서 사용하는 회피제어를 실행하는 것에 의해 마찬가지의 결과를 얻을수 있다.

검출값처리부(23)의 출력값이 판단기준값 이하로 되었을때 가공개시종료의 판단은 판별회로(72) 또는 (74)후에 마련된 누적카운터 또는 카운터(연속적으로 카운트한다)가 사전에 설정된 회수를 카운트하였을때 적응제어부(31a)에 종료판단명령값을 송출하도록 되어 있다.

가공개시종료의 판단후에 현재의 가공조건의 회피에 앞서서 가공조건을 복귀(즉, 세트조건으로 복귀)시키는 제어는 가공개시종료의 판단후에 가공조건을 회피하기 전의 가공상태로 복귀시키지 않고, 적응제어장치로 전환(일본극 특허공고공보 No.10769-1987 또는 일본국 특허공개공보 No.107831-1981에 기재되어 있다)하고, 가공조건의 판단에 따라서 가공조건을 적절하게 제어하는 것에 의해 실행하여도 좋다.

비교기, 판별회로등을 포함하는 기간설정수단, 이상판단수단 및 완료판단수단은 하드웨어적으로 처리되지만 이들을 소프트웨어적으로 처리할 수도 있다. 하드웨어의 처리에서는 판단수단의 판단시간이 짧게 되므로, 명령신호를 적응제어부로 송출하는 것이 지연되지만, 본 발명에는 아무런 문제도 없다.

제15도는 기간설정수단(51), 이상판단수단(52) 및 종료판단수단(53)의 소프트웨어 처리를 도시한 플로우차트이다. 어떤 필요한 초기값을 포함하는 스텝(100)에서 공정이 개시된다. 다음에 가공개시에서 전극의 점프회수가 카우트되는 스텝(101)로 공정이 이행한다. 스텝(102)에서는 소정의 값(대표적으로 약 25범위내)이 설정된다. 그후, 스텝(103)에서, 카우트된 점프회수가 소정의 값과 비교된다. 이 비교결과에 따라서 공정이 스텝(103)에서 스텝(104) 또는 스텝(105)중의 어느하나로 이행한다.

카운트된 점프회수가 소정수 이하이면, 검출값처리부(23)에서 데이타(즉, 전극의 가장 깊은 위치에서의 릴리이프량)가 리드되는 스텝(105)로 공정이 이행한다. 스텝(107)에서는 이상을 검출하기 위해서 기준으로써 사용되는 스레쉬홀드값이 설정된다. 그후, 스텝(109)에서, 검출된 값이 스레쉬홀드값과 같은가 큰가의 비교가 이루어진고, 같으면 공정이 스텝(111)로 이행한다.

한편, 검출된 값이 스레쉬홀드값 이하이면, 공정이 다시 시작되도록 스텝(101)로 되돌아간다. 스텝(111)에서는 회피동작을 실행하도록 명령신호를 적응제어부(31a)로 송출한다.

스텝(103)으로 되돌아가서, 카우트된 점프회수가 소정수와 같거나 크면, 데이타(즉, 전극의 가장 깊은 위치에서의 릴리이프량)가 검출값처리부(23)에서 리드되는 스텝(104)로 공정이 이행한다. 다음에, 제2의 스레쉬홀드값이 구해진다. 스텝(108)에서는 검출된 값이 스레쉬홀드값과비교되고, 공정이 스텝(104) 또는 스텝(110)중의 어느 하나로 이행한다. 검출된 값이 스레쉬홀드값과 같거나 작으면, 스텝(110) 및 (112)에서는 적응제어부에 명령신호를 송출하는 것에 의해 가공공정을 그의 사전의 동작조건으로 복귀시킨다. 마지막으로, 상기 공정이 스텝(113)에서 종료된다.

이상 기술한 바와 같은 본 발명의 기술에서 명확한 바와 같이, 전극을 피가공물에 접근시키는 것에 의해 실행되는 방전가공의 개시에서의 소정의 기간동안 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프량을 검출할 수있고, 이 검출된 값에 따라서 방전가공의 이상을 판단할 수 있는 방전가공기의 적응제어장치를 얻을수가 있다.

특히, 제어장치는 전극면적이 방전가공의 개시시에 클때에도 이상만을 검출하므로, 아크가 발생되어 회피제어를 실행한다. 따라서, 제어장치는 아크를 발생하지 않고 방전가공의 개시시에 적응제어를 실행할 수가 있다. 또한, 제어장치는 아크현상이 일어나지 않는 경우에서는 회피제어를 실행하지 않으므로, 방전가공속도에 나쁜영향을 끼치지 않는다.

또, 제어장치는 방전가공의이상의 회피제어후에 가공의 진행시에 검출된 가장 깊은 위치에서의 전극의 릴리이프량이 소정의 스레쉬홀드값 이하로 되었을때, 방전가공의 개시가 종료되었다는 것을 판단하고, 회피전의 가공조건으로 복귀시키는 제어를 실행하는 것에 의해 방전가공속도에 나쁜 영향을 주는 일없이 가공을 실행할 수가 있다.

이상, 본 발명의 목적 및 그 이외의 특징을 달성하는 방전가공기의 새로운 적응제어장치에 대해서 도시하였다. 그러나, 본 발명은 이것에 대해서 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 이탈하지 않는 범위내에서 여러가지 변경가능한 것은 물론이다.

Claims

전극과 피가공물사이에 전압펄스를 인가하는 것에 의해 방전가공을 실행하는 방전가공기의 적응제어장치에 있어서, 전극의 가장 깊은 위치에서의 상기 전극의 릴리이프량을 검출하는 검출수단, 상기 검출된 릴리이프량이 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 초과하였을때, 상기 방전가공의 불안정한 동작을 회피시키는 수단과 상기 검출된 릴리이프량이 상기 불안정한 동작이 회피된 후에 발생하는 소정의 제2의 스레쉬홀드값이하로 된후의 소정의 가공조건으로 가공조건을 변경하는 가공조건변경수단을 포함하는 방전가공기의 적응제어장치.
특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 가공조건변경수단은 상기 검출된 릴리이프량이 최대 릴리이프량의 소정의 비율이하로 되었을때 상기 가공조건을 복귀시키는 수단을 포함하는 방전가공기의 적응제어장치.
특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 소정의 제2의 스레쉬홀드값은 상기 소정의 제1의 스레쉬홀드값 이하인 방전가공기의 적응제어장치.
특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 소정의 가공조건은 회피동작전에 사용된 가공조건을 포함하는 방전가공기의 적응제어장치.
특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 가공조건은 상기 전극의 하강시간과 상승거리를 포함하는 방전가공기의 적응제어장치.
특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 소정의 비율은 0.2~0.5의 범위내인 방전가공기의 적응제어장치.
전극과 피가공물사이에 전압펄스를 인가하는 것에 의해 방전가공을 실행하는 방전가공기의 적응제어장치에 있어서, 전극의 가장 깊은 위치에서의 상기 전극의 릴리이프량을 검출하는 검출수단, 상기 검출된 릴리이프량을 몇회에 걸쳐서 평균하는 것에 의해 상기 전극의 가장 깊은 위치에서의 상기 전극의 릴리이프량을 산출하는 산출수단과 방전가공의 개시로부터 소정의 기간동안 상기 검출된 릴리이프량과 상기 선출된 릴리이프량이 모두 소정의 스레쉬홀드값을 초과하였을때, 상기 방전가공의 불안정한 동작을 회피시키는 수단을 방전가공기의 적응제어장치.
전극과 피가공물사이에 전압펄스를 인가하는 것에 의해 방전가공을 실행하는 방전가공기의 적응제어장치에 있어서, 전극의 가장 깊은 위치에서의 상기 전극의 릴리이프량을 검출하는 검출수단, 상기 전극과 상기 피가공물사이의 상기 전압펄스가 소정의 레벨로 되었을때에 개시되는 상기 전극의 소정의 점프회수를 카운트하는 카운트수단, 상기 검출된 릴리이프량이 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 비교하는 비교수단, 상기 카운트수단 및 상기 비교수단에 따라서, 상기 카운트가 상기소정회수로 되지 않고, 상기 검출된 릴리이프량이 상기 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 초과하면 상기 방전가공기의 가공조건을 기억하는 기억수단, 상기 방전가공의 불안정한 동작을 회피하도록 상기 가공조건을 변경시키는 수단, 상기 검출된 값과 소정의 제2의 스레쉬홀드값을 비교하는 가공개시 종료판단수단과 상기 검출된 값이 상기 제2의 스레쉬홀드값이하로 되었을때, 상기 기억수단에 기억된 상기 가공조건을 복귀시키는 수단을 포함하는 방전가공기의 적응제어장치.
전극과 피가공물사이에 전압펄스를 인가하는 것에 의해 방전가공을 실행하는 방전가공기의 적응제어장치에 있어서, 전극의 가장 깊은 위치에서의 상기 전극의 릴리이프량을 검출하는 검출수단, 상기 전극과 상기 피가공물사이의 상기 전압펄스가 소정의 레벨로 되었을때에 개시되는 시간의 기간을 설정하는 기간설정수단, 상기 검출된 릴리이프량이 이상으로 되는 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 초과하는가를 검출하는 이상판단수단, 상기 이상판단수단이 상기 시간의 기간내에서 상기 이상을 검출하면, 상기 방전가공의 가공조건을 기억하는 기억수단, 상기 이상이 검출된 후에 상기 방전가공의 불안정한 동작을 회피하도록 상기 가공조건을 변경하는 수단, 상기 검출된 값과 소정의 제2의 스레쉬홀드값을 비교하는 가공개시 종료판단수단과 상기 검출된 값이 상기 소정의 제2의 스레쉬홀드값 이하로 되고, 상기 이상이 회피되었을때, 상기 기억수단에 기억된 상기 가공조건을 복귀시키는 수단을 포함하는 방전가공기의 적응제어장치.
특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 기간설정수단은 상기 전극과 상기 피가공물사이의 상기 전압이 상기 소정의 레벨이하로 되었을때를 검출하는 분압기, 상기 소정의 레벨을 기억하는 기억장치, 상기 전극과 사기 피가공물사이의 상기 전압과 상기 소정의 레벨을 비교하는 비교기와 상기 비교기의 출력에 따라서 상기 전극의 점프회수를 카운트하는 카운터를 포함하는 방전가공기의 적응제어장치.
특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 소정의 레벨은 40V인 방전가공기의 적응제어장치.
특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 이상판단수단은 상기 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 기억하는 기억장치와 상기 검출된 릴리이프량과 상기 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 비교하는 제1의 비교기를 포함하는 방전가공기의 적응제어장치.
특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 가공개시 종료판단수단은 상기 소정의 제2의 스레쉬홀드값을 기억하는 기억장치와 상기 검출된 릴리이프량과 상기 소정의 제2의 스레쉬홀드값을 비교하는 비교기를 포함하는 방전가공기의 적응제어장치.
특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 상기 소정의 제2의 스레쉬홀드값 이상인 방전가공기의 적응제어장치.
특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 가공개시 종료판단수단은 상기 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 선택하는 선택수단, 상기 선택수단에 의해 선택된 상기 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 기억하는 기억장치와 상기 검출된 릴리이프량과 상기 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 비교하고, 방전가공개시의 종료를 나타내도록 신호를 출력하는 비교기를 포함하는 방전가공기의 적응제어장치.
특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 이상판단수단은 또, 상기 검출된 릴리이프량에 따라 스레쉬홀드값을 선택하는 오퍼레이터, 소정의 제3의 스레쉬홀드값을 기억하는 제2의 기억장치, 상기 스레쉬홀드값과 상기 소정의 제3의 비교기와 상기 제1 및 제2의 비교기의 각각의 출력에 따라서 이상을 나타내는 신호를 출력하는 AND회로를 포함하는 방전가공기의 적응제어장치.
특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 가공조건을 변경시키는 수단은 모두 한꺼번에 상기 전극의 상승거리를 증대시키고, 상기 전극의 하강시간을 저감시키는 수단을 포함하는 방전가공기의 적응제어장치.
전극과 피가공물사이에 전압펄스를 인가하는 것에 의해 방전가공을 실행하는 방전가공기의 적응제어방법에 있어서, (a) 상기 전극과 상기 피가공물사이의 전압을 검출하는 스텝, (b) 가장 깊은 위치에서의 상기 전극의 릴리이프량을 검출하는 스텝, (c) 상기 전압을 소정의 전압값과 비교하는 스텝, (d) 상기 전압이 소정의 레벨이하로 되었을때, 상기 전극의 점프회수를 카운트하고, 상기 카운트가 상기 소정의 회수로 될때까지 제1의 하이신호를 출력하는 스텝, (e) 상기 검출된 릴리이프량과 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 비교하고, 상기 검출된 릴리이프량이 상기 소정의 제1의 스레쉬홀드값을 초과하였을때 제2의 하이신호를 출력하는 스텝, (f) 상기 제1의 신호 및 제2의 신호 모두가 하이이면, 상기 방전가공기의 가공조건을 기억하는 스텝, (g) 불안정한 동작을 회피하도록 상기 방전가공기의 가공조건을 변경하는 스텝, (h) 상기 검출된 릴리이프량과 소정의 제2의 스레쉬홀드값을 비교하고, 방전가공의 개시의 종료를 나타내도록, 상기 검출된 릴리이프량이 상기 소정의 스레쉬홀드값 이하로 되었을때 제3의 하이신호를 출력하는 스텝과 (i) 상기 방전가공의 개시의 종료시에 상기 가공조건을 복귀시키는 스텝을 포함하는 방전가공기의 적응제어방법.
전극과 피가공물사이에 전압펄스를 인가하는 것에 의해 방전가공을 실행하는 방전가공기의 적응제어방법에 있어서, (a) 상기 방전가공기의 개시가 시작되는 시간의 기간을 설정하는 스텝, (b) 전극의 가장 깊은 위치에서의 상기 전극의 검출된 릴리이프량이 상기 시간의 기간내에서 소정의 스레쉬홀드값을 초과하는가를 판단하는 것에 의해 이상상태를 검출하는 스텝, (c) 상기 이상상태가 검출되면, 상기 방전가공기의 가공조건을 기억하는 스텝, (d) 상기 이상상태가 검출되면, 그의 불안정한 동작을 회피하도록 상기 방전가공기의 가공조건을 조정하는 스텝, (e) 전극의 가장 깊은 위치에서의 상기 전극의 상기 검출된 릴리이프량이 소정의 제2의 스레쉬홀드값 이하로 되었을때를 판단하는 것에 의해 상기 방전가공의 개시의 종료를 검출하는 스텝과 (f) 상기 종료가 검출되었을때, 상기 가공조건을 복귀시키는 스텝을 포함하는 방전가공기의 적응제어방법.