KR940001387B1 - 반도체소자의 수지밀봉방법 - Google Patents
반도체소자의 수지밀봉방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 리이드프레임의 평면도.
제2도는 제1도의 선(A-A)을 따라서 취한 단면도.
제3도는 종래의 리이드프레임의 평면도.
제4도는 제5도의 선(B-B)을 따라서 취한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 리이드프레임 2 : 수지모울드패키지
3 : 상부게이트 4 : 하부게이트
5 : 잘린 부분
본 발명은, 반도체소자의 수지밀봉방법에 관한 것이다.
이하, 도면을 참조하면서 종래의 수지모울드 반도체에 사용하는 리이드프레임에 대해서 설명한다. 제3도는 종래의 리이드프레임의 평면도이고, 제4도는 제3도의 선(B-B)을 따라서 취한 단면도이다. 제3도와 제4도에 있어서, (11)은 리이드프레임이고,(12)는 반도체칩(도시생략)을 밀봉하는 수지모울드패키지이고, (15),(16)은 각각 수지모울드패키지(12)를 성형하기 위한 상부금형과 하부금형이고, (13),(1
4)는 각각 상부 금형(15), 하부금형(16)에 형성된 용융수지유입용의 상부게이트와 하부게이트이고, 수지모울드 패키지(12)를 밀봉할때, 상부게이트(13)와 하부게이트
(14)가 리이드프레임(11)을 샌드위치한 형상이 된다.
그러나, 종래의 리이드프레임(11)은, 제4도에 도시한 바와같이 수지모울드패키지(12)를 밀봉할때, 상부게이트(13), 하부게이트(14)를 경유해서 유입하는 수지에 샌드위치되기 때문에, 밀봉완료후 게이트처리를 용이하게 하는 것이 어렵다고 하는 과제를 가지고 있었다.
본 발명의 목적은, 상기 과제를 해결하기 위하여, 반도체소자의 수지를 밀봉한 후에 게이트 처리를 간단하게 할 수 있는 반도체소자의 수지밀봉방법을 제공하는데 있다.
상기 목적에 따른 본 발명에 의한 반도체소자의 수지밀봉방법은, 용융수지의 유로인 게이트를 구성하는 상부게이트 및 하부게이트를 각각 구비한 상부금형 및 하부금형에 의해, 반도체소자가 재치된 리이드프레임을 샌드위치하는 공정과, 상기 유로를 통해서 상기 금헝내에 용융지수를 유입시켜서 상기 반도체소자를 수지밀봉하는 공정을 포함하는 반도체소자의 수지밀봉방법에 있어서, 상기 금형에 상기 리이드프레임을 샌드위치했을 때에 상기 금형의 상부게이트 및 하부게이트에 의해 포위된 상기 리이드프레임의 일부(5)를, 상기 금형에 의해 상기 리이드프레임을 샌드위치하는 공정전에, 잘라내는 공정을 부가하여 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는, 상기한 방법에 의해서 반도체소자를 수지밀봉하기 때문에, 게이트부의 수지가 리이드프레임을 샌드위치하지 않고, 따라서 패키지의 변형이나 깨어짐을 방지하면서 게이트처리를 용이하게 할 수 있다 .
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 첨부도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 리이드프레임의 평면도이고, 제2도는 제1도의 선(A-A)을 따라서 취한 단면도이다.
제1도와 제2도에 있어서, (1)은 리이드프레임이고, (2)는 수지모울드패키지이고, (6),(7)은 수지모울드 패키지(2)를 성형하기 위한 상부금형과 하부금형이고, (3),(4)는 각각 상부금형(6), 하부금형(7)에 형성된 용융지수유입용의 상부게이트와 하부게이트이고, (5)는 상기 상부금형(6)과 하부금형(7)사이에 상기 리이드프레임(1)이 샌드위치되었을 때에 상기 상부금형(6)의 상부게이트(3)와 상기 하부금형(
6)의 하부게이트(4)에 의해 포위된 부분에 해당하는 리이드프레임(1)의 잘린 부분이다.
본 실시예에 의하면, 상기 금형(6),(7)에 의해 상기 리이드프레임(1)을 샌드위치 하기전에, 상부게이트(3)와 하부게이트(4)의 위치에 상당하는 리이드프레임(1
)의 일부분에 잘린부분(5)을 미리 형성함으로써, 밀봉을 완료하고, 수지가 경화된 후에도 상부게이트(3)와, 상부게이트(4)에 잔류한 수지가 리이드프레임(1)의 잘린부분(5)을 샌드위치하지 않기 때문에, 게이트처리를 용이하게 행할 수 있다.
이상의 설명에서 명백한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 상기 금형에 상기 리이드프레임을 샌드위치했을때에 상기 금형의 상부게이트와 하부게이트에 의해 포위되는 상기 리이드프레임의 일부를, 상기 금형에 상기 리이드프레임을 삽입하기 전에, 미리 잘라냄으로써, 수지밀봉하는 공정에서 상기 게이트에 의해 포위되는 상기 리이드프레임의 잘린 부분(5)에는 수지가 잔류하지 않기 때문에 반도체소자의 패키지가 손상될 염려가 없다. 따라서 품질과 생산성을 한층더 향상시킬 수 있다.
Claims (1)
- 용융수지의 유로인 게이트를 구성하는 상부게이트 및 하부게이트를 각각 구비한 상부금형 하부금형에 의해 반도체소자가 재치된 리이드프레임을 샌드위치하는 공정과, 상기 유로를 통해서 상기 금형내에 용융수지를 유입시켜서 상기 반도체소자를 수지밀봉하는 공정을 포함하는 반도체소자의 수지밀봉방법에 있어서, 상기 금형에 상기 리이드프레임을 샌드위치했을 때에 상기 금형의 상부게이트 및 하부게이트에 의해 포위된 상기 리이드프레임의 일부(5)를, 상기 금형에 의해 상기 리이드프레임을 샌드위치하는 공정전에, 잘라내는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 수지밀봉방법.
Applications Claiming Priority (5)
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|---|---|---|---|
| JP1093532A JPH02271648A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 樹脂モールド電子部品及びその成形金型 |
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| JP20192589A JPH0364952A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | リードフレーム |
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1990
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910005414A (ko) | 1991-03-30 |
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