JPH02198145A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、ｔＦ
＃’ｔｃ’−当該装置のトランスファーモールド成形技
術に関する。

〔従来の技術〕

樹脂封止型半導体装置は、リードフレームのタブ部に半
導体チップを固着させ、当該チップとリードフレームの
リードとをワイヤにより接続（ワイヤボンディング）後
、モールド金型に当該組立品を入れ、封止用樹脂を用い
たトランスファーモールドを行ない、次いで、個別に切
断分離するという主要工程を経て製造される。

第５図に従来のモールド金型を用いたトランスファーモ
ールド成形方法の一例を示す。

ｐ４５図にて、１はリードフレーム、２はリードフレー
ムのタブ部、３は半導体チップ、４はリードフレームの
リード、５はワイヤ、６はモールド金型である。

モールド金型ｌｔ上型７と下型８とからなり、これら上
型７と下型８との間に、前記【７たワイヤポンディング
後の組立品のり一ド４を挾持させる。

トランスファーモールドに際しては、ランナー９を経て
、コーナーゲートｌＯから、溶融させた封止用樹脂を同
図に示すように、これら上型７と下型８との間で形成さ
れるキャビティ１１に注入する。

その後に１冷却し、上型７と下型８とを開き、ランナー
９やゲート１０（なお、以下これら部位の樹脂をも含め
てランナー９やゲー）１０という）を除去し、リードフ
レーム１の前記リード４間を連結しかつ封止用樹脂の流
れ止めの目的で設けているタイバ一部（図示せず）を切
断し、多連のリードフレーム間を分離して、個々に１キ
ヤビテイ１１に注入された封止用樹脂よりなる樹脂封止
部をもつ樹脂封止型半導体装置を得る。

なお、当該樹脂封止型半導体装置のモールド成形技術に
ついて述べた特許の例としては、特開昭６１−２０４９
５５号公報が挙げられる。

しかるに、第５図に示すような従来例の方法では、同図
に示すように、リードフレーム１のり−ド４０表面とゲ
ート１０とが接触しているために１第６図に示すように
、樹脂封止部１２から外部に露出したリード（外部リー
ド）４にゲート１０が付着し、前記の如く当該ゲートｌ
Ｏを破壊し、除去する（以下ゲートブレイクという）際
に、当該ゲートブレイクが容易でなかったり、轟核リー
ド４にパリが付着したり、あるいは、ゲートブレイクに
際し外部リード（ビン）４が曲ってしまったりする。

そこで、第６図に示すような樹脂封止部１２のコーナー
に位置しているコーナービン４を設けないよう圧して、
かかる事態を回避することも行われているが、これでは
、リード４の数が減少してしまい、ただでさえ、実装密
度の向上から多ビン化が叫ばれているのにこれに逆行す
ることになる。

本発明はかかる従来技術の有する欠点を解消することの
できる技術を提供することを目的とする。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

本発明では、ゲートを、リード面とは接触し７ないよう
に分離させる。

〔作用〕

これにより、従来の如く、リードとケートが付着しない
ので、ゲートブレイク時にリードが曲がることが防止さ
れる。また、ゲートがリードに付着していないので、ゲ
ートブレイクに際し、ダートを突き上げすればゲートは
容易に除去することができ、ゲートブレイクが容易にな
る。さらに、ゲートとリードとは離れているので、コー
ナ一部のリードを減らす必要がなく、多ビン化が可能で
ある。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例を図面に基づいて股間する。

第２図に本発明に使用されるモールド金型の上型と下型
とを分離して示す。

同図にて、１３はモールド金型、１４はその上型、１５
はその下型を示す。

当該下型１５には、キャビティ１１とランナー９間を貫
通するトンネル状のゲー）１６’ｉｉ−当該キャビティ
１１からランナー９にかけて上方向に傾斜させて設ける
。

従来例と同様に、リードフレームｌのタブ部２に半導体
テップ３を固着【７、当該チップ３とり一ド４とをワイ
ヤ５によりワイヤボンディングした組立品を、モールド
金型１３に入れ、第１図に示すように１　リードフレー
ム１のリード４を上型１４と下型１５との間に挾持され
る。

次いで、ランナー９からトンネル上のゲート１６を経て
、キャビティ１１に溶融した封止用樹脂をを注入する。

なお、第５図および第６図と共通する符号は同一の機能
を示す。

溶融した封止用樹脂を冷却し、前記［７た従来例と同様
に個別切断分離を行うと第４図で示すような樹脂封止型
半導体装置を得る。

第３図ＶＣｔｄ本発明の当該ｍ脂封止型半導体装置のゲ
ートブレイク前、要部Ｉ１１断面図を示す。

本発明では、第１図などに示すように１１Ｊ−ド４とゲ
ート１６とを分離し、下型１５自体にリード４表面とは
離隔した部位にあるトンネル状のゲート１６を設はトラ
ンスファーモールドを行なうので、第３図に示すように
、樹脂封止部１２の外部リード４と離れたその下８５に
グー）１６が形成される。その為、ゲートブレイクに際
しては、当該ケート１６を突き上げることによりゲート
ブレイクを容易に行うことができる。故に従来の如く、
ゲート１０とリード４とが付着し、なかなかゲートブレ
イクが容易でないという事態を回避することができる。

また、従来の如く、グー）１０とリード４とが付着する
ことに起因する、ゲートブレイク時のリード４曲がりが
回避される。また、コーナー邪のリードをそのために減
少させるという必要もない。

本発明に使用されるリードフレーム１は、例えば銅や４
２アロイ等の金楕材料より成る。

半導体チッ１３は、例えばシリコン単結晶基板から成り
、周知の技術によってこのチップ内には多数の回路素子
が形成され、１つの回路機能が与えられている。回路素
子の具体例は、例えＶｉＭＯＳトランジスタから成り、
これらの回路素子によって、例えｈａ理理路路よびメモ
リの回路機能が形成されている。

ワイヤ５は、例えｄＡｕ線より成る。

封止用樹脂としては、例えばエポキシ樹脂を主体とし７
たものを使用することができる。

以上本発明者によってなさねた発明を実施例にもとづき
具体的に説明し７たが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。

例えば、前記実施例ではトンネル状のゲートを下型に設
けた例を示したが、上記の方に設けてもよいし、両型に
設けてもよい。

本発明のトンネル状のゲートは樹脂封止部のコーナーを
形成する部位に必ず設けるという制限はなく、リード面
と離した箇所であれは側面に設けてもよい。すなわち、
本発明ではケートをとる位ｔｆ、を広範囲のものとする
ことができる。

本発明は四方向にリードを有するパッケージや二方同に
リードを有するパッケージなど各種の樹脂封止型半導体
装置に適用することができる。

〔発明の効果〕 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下舅己のとおりで
ある。

本発明によれはゲートブレイクが容易で、リード面りが
防止でき、多ビン化が可能な樹脂封止型半導体装置の製
法を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示すトランスファーモールド
成形工程の説明断面図、 第２図は本発明の実施例を示すモールド金型の型締前分
解断面図。 第３図は本発明の実施例を示す要部側断面図、第４図は
本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の一部切欠
斜視図、 第５図は従来例を示す断面図、 第６図は従来例の説明図である。 １・・・リードフレーム、２・・・アイランド部、３・
・・半導体チップ、４・・・リード、５・・・ワイヤ、
６・・・モールド金型、７・・・上型、８・・・下型、
９・・・ランナー１０・・・ゲート、１１・・・キャビ
ティ、１２・・・樹脂封止部、１３・・・モールド金型
、１４・・・上型、１５・・・下型、１６・・・トンネ
ル状ゲート。 第 図 第 図 ５ボじ？ン〉り゛フイマ（Ａ、） と／ ；ン グリード′フレ１瓜（キ田）・ンヤ） 第 図 ／３ 第 図 第 図 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、多連のリードフレームに半導体チップを固着し、ワ
   イヤボンディング後、モールド金型に入れ、当該モール
   ド金型のゲートから封止用樹脂を流出させてトランスフ
   ァーモールドを行ない、次いで個別に切断分離する主要
   工程を含む樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
   前記モールド金型のゲートを、当該モールド金型の上型
   と下型間に挾持される前記リードフレームのリード面と
   は離隔した位置に設け、前記トランスファーモールドを
   行なうことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
   法。 ２、ゲートを、モールド金型の上型および／または下型
   に設け、当該上型および／または下型とランナー間を貫
   通したトンネル状のゲートとなしたことを特徴とする樹
   脂封止型半導体装置の製造方法。