KR940001198A - 피티시(ptc) 서미스터 - Google Patents

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KR940001198A
KR940001198A KR1019930010522A KR930010522A KR940001198A KR 940001198 A KR940001198 A KR 940001198A KR 1019930010522 A KR1019930010522 A KR 1019930010522A KR 930010522 A KR930010522 A KR 930010522A KR 940001198 A KR940001198 A KR 940001198A
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nickel
ptc
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마사아끼 다니구찌
게이쯔구 노하라
노부오 가이하라
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사또 히로시
티디케이 가부시끼가이샤
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient

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Abstract

PTC 서미스터 본체와 전극 사이의 오믹 접촉을 보증할 수 있는 그리고 서미스터의 외관상 열화를 방지하여 양품률을 증가시킬 수 있는 PTC 서미스터. PTC 서미스터 본체, 두께 0.2㎛ 내지 0.7㎛의 니켈 도금으로 형성된 제1전극, 제1전극상에 배치되고 주로 저 접촉저항 금속으로 형성된 제2전극을 구비한 PTC 서미스터, PTC 서미스터 본체 상에 제1전극을 형성하는 중 니켈 도금액과 같은 습기 또는 수분이 PTC 서미스터 본체 안에 유입된후 제1전극상에 형성된 제2전극의 베이킹 중 팽창으로 인해 분출하여. 제2전극 표면상에 크레이터를 생성한다. 0.2㎛ 내지 0.7㎛만큼 작은 수준으로 제1전극의 두께를 감소시켜 수분의 외부방출을 용이하게 함으로써 크레이터의 생성을 감축시킨다.

Description

피티시(PTC) 서미스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 PTC서미스터의 실시예를 도시하는 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 PTC 서미스터의 PTC 서미스터상에 전극 형성을 도시하는 흐름도.

Claims (11)

  1. PTC 서미스터 본체, 상기 PTC 서미스터 본체 상에 배치되고 도금에 의해 0.2㎛ 내지 0.7㎛의 두께로 니켈로 형성되는 제1전극, 상기 제1전극상에 배치되고 주로 은으로 구성된 저 접촉저항 금속으로 형성된 제2금속으로 이루어진 PTC 서미스터.
  2. 제1항에 있어서. 상기 제2전극이 500℃ 이하에서 수행되는 베이킹에 의해 형성된 PTC 서미스터.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2전극이 은 분말과 고리고 붕소규산화납 유리와 소다 석회유리로 구성된 군으로부터 선택된 프릿의 조성물로 형성된 PTC 서미스터.
  4. PTC서미스터 본체를 제공하는 단계, 상기 PTC서미스터 본체 표면상에 도금에 의해 0.2㎛ 내지 0.7㎛의 두께로 니켈을 도포하여 제1전극을 형성시키는 단계, 상기 제1전극강에 저접촉 저항 금속을 도포하여 제2전극을 형성시키는 단계를 포함하는 PTC 서미스터의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 니켈 도금에 앞서 상기 PTC 서미스터 본체에 촉매를 제공하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 PTC 서미스터 본체 상에 니켈을 도포한 후 상기 PTC 서 미스터를 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 방법
  7. 제4항에 있어서, 상기 PTC 서미스터 본체상에 니켈 도포가 상기 PTC 서미스터 본체의 전 표면상에 수행되는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 PTC 서미스터 본체의 외면상에 배치된 니켈이 상기 저 접촉저항금속의 배치 이전에 제거되는 방법.
  9. 제4항에 있어서, 상기 제1전극상의 상기 제2전극 형성이 프린팅에 의해 상기 제1전극상에 은 페이스트를 바르는 것에 의해 수행되는 방법.
  10. 제6항에 있어서. 상기 은 페이스트를 베이킹하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 베이킹이 500℃ 이하에서 수행되는 벙법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930010522A 1992-06-11 1993-06-10 피티시(ptc)서미스터 KR100291806B1 (ko)

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