JPH01236602A - 正特性サーミスタ - Google Patents
正特性サーミスタInfo
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- JPH01236602A JPH01236602A JP6396188A JP6396188A JPH01236602A JP H01236602 A JPH01236602 A JP H01236602A JP 6396188 A JP6396188 A JP 6396188A JP 6396188 A JP6396188 A JP 6396188A JP H01236602 A JPH01236602 A JP H01236602A
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- electrode
- thickness
- coefficient thermistor
- positive coefficient
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- Pending
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IDCBOTIENDVCBQ-UHFFFAOYSA-N TEPP Chemical compound CCOP(=O)(OCC)OP(=O)(OCC)OCC IDCBOTIENDVCBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、消磁素子、モータ起動素子、@風ヒータ素子
などに用いられる正特性サーミスタに係り、特にその電
極構成に関するものである。
などに用いられる正特性サーミスタに係り、特にその電
極構成に関するものである。
従来の技術
近年、正特性サーミスタの電極としては、第1電極とし
て無電解メッキによるNi電極、第2′FM。
て無電解メッキによるNi電極、第2′FM。
極として、印刷、焼付によるAg電極が主として用いら
れている。
れている。
以下、図面を参照しながら上述したような従来の正特性
サーミスタについて説明する。
サーミスタについて説明する。
第4図、第5図は上述したような従来の電極構成による
正特性サーミスタを示すものであり、同図において1は
正特性サーミスタ素子、2は無電解メッキによる厚さ2
.0〜5.0μmの第1電極であるN1電極、3は上記
N上電極2上に設けられた印刷・焼付による厚さ8〜1
5μmの第2電極であるAg電極である。そして、使用
目的に応じて電圧の供給形態としては、第4図に示すよ
うにリード線4をAg電極3に半田6で固着したリード
線取付構造と、第6図に示すようにバネ端子6をそのバ
ネ圧を利用してAg電極3に圧接・接触させた圧接構造
とがある。
正特性サーミスタを示すものであり、同図において1は
正特性サーミスタ素子、2は無電解メッキによる厚さ2
.0〜5.0μmの第1電極であるN1電極、3は上記
N上電極2上に設けられた印刷・焼付による厚さ8〜1
5μmの第2電極であるAg電極である。そして、使用
目的に応じて電圧の供給形態としては、第4図に示すよ
うにリード線4をAg電極3に半田6で固着したリード
線取付構造と、第6図に示すようにバネ端子6をそのバ
ネ圧を利用してAg電極3に圧接・接触させた圧接構造
とがある。
以上のように構成された正特性サーミスタの動作につい
て以下に説明する。
て以下に説明する。
まず、所定の電圧をリード線(またはバネ端子)から印
加すると、第2電極、第1電極を通して正特性サーミス
タ素子に電圧が印加されて、正特性サーミスタとしての
所定の特性(性能)が得られるものである。
加すると、第2電極、第1電極を通して正特性サーミス
タ素子に電圧が印加されて、正特性サーミスタとしての
所定の特性(性能)が得られるものである。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上述したような従来の電極構成では次の
ような問題点を有している。
ような問題点を有している。
(1)第1電極であるN1電極に要求される性能は、正
特性サーミスタ素子とのオーミックコンタクトが良好で
あると同時に、第2電極との電気的接触と機械的接触(
接着強度)も良好であるεとが必要だが、従来はこの性
能に大きな影響を与えるNi電甑の厚みが明確におさえ
られていなかった。すなわち、オーミックコンタクトを
得るためには一定以上の厚みが必要だが、必要以上の厚
さにすると、Ni電極の表面の凸凹が少なくなるため、
第2電極との接触面積が減少し、この影響で接着強度が
低下することになる。
特性サーミスタ素子とのオーミックコンタクトが良好で
あると同時に、第2電極との電気的接触と機械的接触(
接着強度)も良好であるεとが必要だが、従来はこの性
能に大きな影響を与えるNi電甑の厚みが明確におさえ
られていなかった。すなわち、オーミックコンタクトを
得るためには一定以上の厚みが必要だが、必要以上の厚
さにすると、Ni電極の表面の凸凹が少なくなるため、
第2電極との接触面積が減少し、この影響で接着強度が
低下することになる。
(2)第2電極であるAg電極に要求される性能は、第
1電極との電気的・機械的接触が良好であると同時に、
コスト的にできる限り安価にする必要から最少銀の量で
構成することが大切であるが、従来は性能・コスト面か
らAg電極の必要量(Ag電極の厚み)は明確にされて
いなかった。
1電極との電気的・機械的接触が良好であると同時に、
コスト的にできる限り安価にする必要から最少銀の量で
構成することが大切であるが、従来は性能・コスト面か
らAg電極の必要量(Ag電極の厚み)は明確にされて
いなかった。
本発明は、上記のような欠点に鑑み、性能が良好でしか
も安価な正特性サーミスタを提供することを目的とする
ものである。
も安価な正特性サーミスタを提供することを目的とする
ものである。
課題を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明の正特性サ−ミスタ
は、第1電極としての無電解Ni メッキの厚みを0・
7〜2・5μm、その上に設けられる第2電極としての
Ag電極の厚みを1・0〜6・0μmとして構成するも
のである。
は、第1電極としての無電解Ni メッキの厚みを0・
7〜2・5μm、その上に設けられる第2電極としての
Ag電極の厚みを1・0〜6・0μmとして構成するも
のである。
作用
このような電極構成による正特性サーミスタは、第1電
極であるN1電極の最小厚みを0.7μmとすることに
より、正特性サーミスタ素子との良好なオーミックコン
タクトが得られ、最大厚みを2.5μmとすることによ
シ、Ni電極表面の凸凹が存在する状態で第2電極と接
合されるため、接触面積が増大して機械的強度が向上す
ることとなる。
極であるN1電極の最小厚みを0.7μmとすることに
より、正特性サーミスタ素子との良好なオーミックコン
タクトが得られ、最大厚みを2.5μmとすることによ
シ、Ni電極表面の凸凹が存在する状態で第2電極と接
合されるため、接触面積が増大して機械的強度が向上す
ることとなる。
さらに、第2電極であるAg電極の最小厚みを2.0μ
mとすることにより、第1電極は第2電極であるAg電
極で十分に覆われるため、電気的接触は良く、最大厚み
を5μmとすることにより、その人g電極使用量を最少
限度におさえられるため、コスト的にも有利なものとな
る。
mとすることにより、第1電極は第2電極であるAg電
極で十分に覆われるため、電気的接触は良く、最大厚み
を5μmとすることにより、その人g電極使用量を最少
限度におさえられるため、コスト的にも有利なものとな
る。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第1図は本発明の一実施例における正特性サーミスタの
電極構成を示すものである。
電極構成を示すものである。
第1図において、11はBaTi05系の25°Cにお
ける抵抗値が120の正特性サーミスタ素子、12は上
記サーミスタ素子11の主面上に硫酸ニッケル・次亜燐
酸ナトリウム系の無電解メッキで形成された第1電極で
あるNi電極、13は76%の銀と3係のガラスフリッ
トと22%の有機添加物と溶剤とからなるλgペースト
を上記N1電極12上にテトロン製スクリーンで印刷し
、560°Cで10分間焼付して形成された第2電極で
あるAg電極である。
ける抵抗値が120の正特性サーミスタ素子、12は上
記サーミスタ素子11の主面上に硫酸ニッケル・次亜燐
酸ナトリウム系の無電解メッキで形成された第1電極で
あるNi電極、13は76%の銀と3係のガラスフリッ
トと22%の有機添加物と溶剤とからなるλgペースト
を上記N1電極12上にテトロン製スクリーンで印刷し
、560°Cで10分間焼付して形成された第2電極で
あるAg電極である。
ここで、N1電原は、その厚みを無電解メッキ条件、即
ちメッキ時間、メッキ溶温度を変えて制御し、Ag電極
の厚みは、使用するテトロン製スクリーンのメツシュ番
号を変えて制御し、オーミックコンタクト、剥離強度、
Ag電極の形成状態で評価し、その結果を下記の第1表
に示した。
ちメッキ時間、メッキ溶温度を変えて制御し、Ag電極
の厚みは、使用するテトロン製スクリーンのメツシュ番
号を変えて制御し、オーミックコンタクト、剥離強度、
Ag電極の形成状態で評価し、その結果を下記の第1表
に示した。
なお、その評価方法は、オーミックコンタクトのよいも
のは○印、悪いものはX印、剥離強度は第1図に示すよ
うに0.6JffφのCP線を共晶点半田で半田デイツ
プして、リード線が剥離したときの強度を、N1電極の
厚みが3μmでAg電極の厚みが10μmのときを指数
100として、その相対比で示している。また、Ag電
極の構成状態は電子顕微鏡で見て均質なものを○印、第
1電極であるN工電極が見えるものおよびムラなどの見
られる不均質なものはX印で評価した。
のは○印、悪いものはX印、剥離強度は第1図に示すよ
うに0.6JffφのCP線を共晶点半田で半田デイツ
プして、リード線が剥離したときの強度を、N1電極の
厚みが3μmでAg電極の厚みが10μmのときを指数
100として、その相対比で示している。また、Ag電
極の構成状態は電子顕微鏡で見て均質なものを○印、第
1電極であるN工電極が見えるものおよびムラなどの見
られる不均質なものはX印で評価した。
(以下余白)
第1表において、オーミックコンタクトは、N1電極の
厚みが0・6μmでは悪く、0・7μm以上が必要であ
る。また、剥離強度は、Ni電極の厚みに対しては薄い
ほうが良好で、特に0・7〜1.0μmがすぐれている
。これは第2図にN1電僑の厚み1・0μm、第3図に
Ni電極の厚み3.0μmの場合の表面状態を顕微鏡写
真にて見た状態を示すように、薄いほどN1電極表面に
は多数の凸凹が存在し、これが接触面積を増加させ、剥
離強度を向上させるのに対し、厚いものはその表面の凸
凹が少なく、丸味をもっているために接触面積が減少し
て、剥離強度が小さくなるものと考えられる。
厚みが0・6μmでは悪く、0・7μm以上が必要であ
る。また、剥離強度は、Ni電極の厚みに対しては薄い
ほうが良好で、特に0・7〜1.0μmがすぐれている
。これは第2図にN1電僑の厚み1・0μm、第3図に
Ni電極の厚み3.0μmの場合の表面状態を顕微鏡写
真にて見た状態を示すように、薄いほどN1電極表面に
は多数の凸凹が存在し、これが接触面積を増加させ、剥
離強度を向上させるのに対し、厚いものはその表面の凸
凹が少なく、丸味をもっているために接触面積が減少し
て、剥離強度が小さくなるものと考えられる。
そして、λg電唖の厚みの効果は、その理由は不明だが
、博くなるほど剥離強度は向上するものの、その構成状
態は厚みが1・0μmになると均質性が悪くなり、例え
ば消磁素子、モータ起動素子のように瞬間的に大電流が
流れるものへの使用に対しては、電気的特性への影響が
考えられる。以上の結果からNi電極の厚みは0・7〜
2.6μm、Ag”1E極の厚みはコスト面も考慮して
2.0〜5.0μmが適当である。
、博くなるほど剥離強度は向上するものの、その構成状
態は厚みが1・0μmになると均質性が悪くなり、例え
ば消磁素子、モータ起動素子のように瞬間的に大電流が
流れるものへの使用に対しては、電気的特性への影響が
考えられる。以上の結果からNi電極の厚みは0・7〜
2.6μm、Ag”1E極の厚みはコスト面も考慮して
2.0〜5.0μmが適当である。
発明の効果
以上のように本発明によれば、正特性サーミスタ素子の
第1電極を厚さ0・7〜2.6μmの無電解メッキで構
成し、第2電極として厚さ2.0〜6,0μmのλg電
極を構成することにより、オーミックコンタクト、機械
「9強度のすぐれた安価な正特碌サーミスタが容易に得
られるもので、その工業的価値は犬なるものである。
第1電極を厚さ0・7〜2.6μmの無電解メッキで構
成し、第2電極として厚さ2.0〜6,0μmのλg電
極を構成することにより、オーミックコンタクト、機械
「9強度のすぐれた安価な正特碌サーミスタが容易に得
られるもので、その工業的価値は犬なるものである。
第1図は本発明の一実施例による正特性サーミスタを示
す断面図、第2図、第3図はそれぞれ本発明の実施例に
よるNi電極の表面状態を顕微鏡写真で見たものを示す
図、第4図、第6図はそれぞれ従来の正特性サーミスタ
の構成を示す断面図である。 11・・・・・・正特性ザーミスタ素子、12・・・・
・・Nil尤極、13・・・・・・λg電唖。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第3
図 第4図 第5図 手続補正書(方式) %式% 1事件の表示 昭和63年特許願第63961 号 2発明の名称 正特性サーミスタ 3補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
大佐 所 大阪府門真市大字門真1006番地名
称 (582)松下電器産業株式会社代表者
谷 井 昭 雄 4代理人 〒571 住 所 大阪府門真市大字門真1006番地松下電器
産業株式会社内 6補正命令の日付 7、補正の内容 ”+11111舎第10ペ一ジ第12行目〜第14行目
の「第2図参番伊誇会台・川・・示す図、」を「第2図
および第3図はそれぞれ本発明の実施例にょるNi電極
の表面の粒子構造の状態を顕微鏡写真で見たものを示す
図、」と補正いたします。
す断面図、第2図、第3図はそれぞれ本発明の実施例に
よるNi電極の表面状態を顕微鏡写真で見たものを示す
図、第4図、第6図はそれぞれ従来の正特性サーミスタ
の構成を示す断面図である。 11・・・・・・正特性ザーミスタ素子、12・・・・
・・Nil尤極、13・・・・・・λg電唖。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第3
図 第4図 第5図 手続補正書(方式) %式% 1事件の表示 昭和63年特許願第63961 号 2発明の名称 正特性サーミスタ 3補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
大佐 所 大阪府門真市大字門真1006番地名
称 (582)松下電器産業株式会社代表者
谷 井 昭 雄 4代理人 〒571 住 所 大阪府門真市大字門真1006番地松下電器
産業株式会社内 6補正命令の日付 7、補正の内容 ”+11111舎第10ペ一ジ第12行目〜第14行目
の「第2図参番伊誇会台・川・・示す図、」を「第2図
および第3図はそれぞれ本発明の実施例にょるNi電極
の表面の粒子構造の状態を顕微鏡写真で見たものを示す
図、」と補正いたします。
Claims (1)
- 正特性サーミスタ素子に、第1電極として厚さ0.7〜
2.5μmの無電解Niメッキ電極を構成し、この上に
第2電極として厚さ2.0〜5.0μmのAg電極を構
成してなることを特徴とする正特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6396188A JPH01236602A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 正特性サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6396188A JPH01236602A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 正特性サーミスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01236602A true JPH01236602A (ja) | 1989-09-21 |
Family
ID=13244413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6396188A Pending JPH01236602A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 正特性サーミスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01236602A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0573945A2 (en) * | 1992-06-11 | 1993-12-15 | TDK Corporation | Process for manufacturing a PTC thermistor |
KR100330919B1 (ko) * | 2000-04-08 | 2002-04-03 | 권문구 | 피티씨 전도성 폴리머를 포함하는 전기장치 |
JP2013197127A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子 |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP6396188A patent/JPH01236602A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0573945A2 (en) * | 1992-06-11 | 1993-12-15 | TDK Corporation | Process for manufacturing a PTC thermistor |
EP0573945A3 (en) * | 1992-06-11 | 1994-07-06 | Tdk Corp | Ptc thermistor |
US5337038A (en) * | 1992-06-11 | 1994-08-09 | Tdk Corporation | PTC thermistor |
KR100330919B1 (ko) * | 2000-04-08 | 2002-04-03 | 권문구 | 피티씨 전도성 폴리머를 포함하는 전기장치 |
JP2013197127A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子 |
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