JPH03129701A - 抵抗体装置 - Google Patents
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- H01C—RESISTORS
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- H01C1/142—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、電気回路に用いられる抵抗体装置に関するも
のである。
のである。
［従来の技術］
第４図は、例えば刊行物（Ｊ、ＡＰＰＬ、Ｐｈｙｓ、Ｖ
ｏｌ、４ｇ。
ｏｌ、４ｇ。
Ｎｏ、１２ Ｐ、５１６１）に示された従来の抵抗体装
置の構造を示す断面図である０図において、（１）は酸
化ルテニウム（Ｒｕｍ２）粒子、（２）はほう珪酸鉛系
ガラス、（３）は銀（Ａｘ）とパラジウム（Ｐｄ）の合
金粒子、（４）はは−う珪酸鉛系ガラス、（５）はアル
ミナセラミック基板、（６）はＲｕｍ２粒子（１）とほ
う珪酸鉛系ガラス（２）から成る厚膜抵抗体、（７）は
銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）の合金粒子（３）とほ
う珪酸鉛系ガラス（４）から戒る厚膜導体である。
置の構造を示す断面図である０図において、（１）は酸
化ルテニウム（Ｒｕｍ２）粒子、（２）はほう珪酸鉛系
ガラス、（３）は銀（Ａｘ）とパラジウム（Ｐｄ）の合
金粒子、（４）はは−う珪酸鉛系ガラス、（５）はアル
ミナセラミック基板、（６）はＲｕｍ２粒子（１）とほ
う珪酸鉛系ガラス（２）から成る厚膜抵抗体、（７）は
銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）の合金粒子（３）とほ
う珪酸鉛系ガラス（４）から戒る厚膜導体である。
即ち、従来の抵抗体装置は銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐ
ｄ）の合金粒子（３）とぼう珪酸鉛系ガラス（４）およ
びＲｕＯ２粒子（１）とほう珪酸鉛系ガラス（２）を含
むペーストをアルミナセラミック基板（５）に順次スク
リーン印刷し、焼成することによって得られる。粒子の
分散状態は厚膜導体（７）と厚膜抵抗体（６）とは異な
り、厚膜導体（７）では導電粒子（３）が相互に接して
導電網を形成するのに対し、厚膜抵抗体（６）では導電
粒子（１）が相互に接することなく分散している。
ｄ）の合金粒子（３）とぼう珪酸鉛系ガラス（４）およ
びＲｕＯ２粒子（１）とほう珪酸鉛系ガラス（２）を含
むペーストをアルミナセラミック基板（５）に順次スク
リーン印刷し、焼成することによって得られる。粒子の
分散状態は厚膜導体（７）と厚膜抵抗体（６）とは異な
り、厚膜導体（７）では導電粒子（３）が相互に接して
導電網を形成するのに対し、厚膜抵抗体（６）では導電
粒子（１）が相互に接することなく分散している。
厚膜抵抗体の焼成過程においてガラス（２）にＲｕｍ２
（１）が少量拡散する。このため本来絶縁体であるガラ
ス（２）は導電性を有するようになり高抵抗の半導体と
なる。従って、厚膜抵抗体（６）の抵抗値はＲｕｍ２粒
子とガラスの抵抗値の和として表現される。ＲｕＯ＋は
金属の酸化物でありながら電子エネルギー的には金属的
にふるまう。即ち電子のエネルギーのバンドが広く、電
子密度の高い酸化物である。焼成過程においては、ガラ
ス溶融し１粒子が流動するから従来の抵抗体の電極部は
ＲＬ１０２粒子とＰｄ／Ａｇ粒子が直接に接触する微細
構造を取る。即ち金属−金属の接触により、厚膜抵抗体
（６）に電極が形成される。
（１）が少量拡散する。このため本来絶縁体であるガラ
ス（２）は導電性を有するようになり高抵抗の半導体と
なる。従って、厚膜抵抗体（６）の抵抗値はＲｕｍ２粒
子とガラスの抵抗値の和として表現される。ＲｕＯ＋は
金属の酸化物でありながら電子エネルギー的には金属的
にふるまう。即ち電子のエネルギーのバンドが広く、電
子密度の高い酸化物である。焼成過程においては、ガラ
ス溶融し１粒子が流動するから従来の抵抗体の電極部は
ＲＬ１０２粒子とＰｄ／Ａｇ粒子が直接に接触する微細
構造を取る。即ち金属−金属の接触により、厚膜抵抗体
（６）に電極が形成される。
上記厚膜導体は、スクリーン印刷により形成されるため
、配線の微細化には自ずと限界がある。実用的には配線
幅１５０μｍ以下の配線形成は困難である。
、配線の微細化には自ずと限界がある。実用的には配線
幅１５０μｍ以下の配線形成は困難である。
この為、金属薄膜を配線として用いて、配線の微細化が
試みられている。第５図は厚膜抵抗体上に銅薄膜を形成
した従来の抵抗体装置の断面図である０図において、（
１）はＲｕｍ２粒子、（２）はほう珪酸鉛系ガラス、（
５）はアルミナセラミック基板、（６）はＲｕＯ２粒子
（１）とほう珪酸鉛系ガラス（２）から成る厚膜抵抗体
、（８）は銅薄膜導体であり、この場合には化学銅めつ
きにより形成される。（９）はほう珪酸鉛系ガラスを主
体とし、酸化パラジウムを少量添加した活性層である。
試みられている。第５図は厚膜抵抗体上に銅薄膜を形成
した従来の抵抗体装置の断面図である０図において、（
１）はＲｕｍ２粒子、（２）はほう珪酸鉛系ガラス、（
５）はアルミナセラミック基板、（６）はＲｕＯ２粒子
（１）とほう珪酸鉛系ガラス（２）から成る厚膜抵抗体
、（８）は銅薄膜導体であり、この場合には化学銅めつ
きにより形成される。（９）はほう珪酸鉛系ガラスを主
体とし、酸化パラジウムを少量添加した活性層である。
厚膜抵抗体の表面は厚み０．１μｍ以下のガラスで被覆
されている。この表面ガラスは前述したように高抵抗の
半導体である。
されている。この表面ガラスは前述したように高抵抗の
半導体である。
［発明が解決しようとする課題］
従来の抵抗体装置の厚膜抵抗体は以上のように構成され
ているので、抵抗体装置の電極は半導体ガラスと銅が直
接接触する微細構造をとる。即ち半導体−金属の接触に
なるので接触部の電子のエネルギー状態には障壁が存在
することになる。この為、接続抵抗の変動が厚膜抵抗体
の抵抗値に及ぼす影響大となり、経時的に厚膜抵抗体の
抵抗値が変動してしまう。
ているので、抵抗体装置の電極は半導体ガラスと銅が直
接接触する微細構造をとる。即ち半導体−金属の接触に
なるので接触部の電子のエネルギー状態には障壁が存在
することになる。この為、接続抵抗の変動が厚膜抵抗体
の抵抗値に及ぼす影響大となり、経時的に厚膜抵抗体の
抵抗値が変動してしまう。
本発明はかかる課題を解決するためになされたもので、
経時的な抵抗値の変動の防止された抵抗体装置を得るこ
とを目的とする。
経時的な抵抗値の変動の防止された抵抗体装置を得るこ
とを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明の抵抗体装置は、電気伝導性材料およびガラスを
混合したものの表面部の、上記電気伝導性材料を露出さ
せた厚膜抵抗体、ｔＬびにこの厚膜抵抗体に被着して上
記電気伝導性材料に接続した電極を備えたものである。
混合したものの表面部の、上記電気伝導性材料を露出さ
せた厚膜抵抗体、ｔＬびにこの厚膜抵抗体に被着して上
記電気伝導性材料に接続した電極を備えたものである。
本発明の別の発明の抵抗体装置は、電気伝導性材料およ
びこの電気伝導性材料の比抵抗より大きい比抵抗の材料
を混合したものの表面部の、上記電気伝導性材料を露出
させた複合抵抗体、並びにこの複合抵抗体に被着して上
記電気伝導性材料に接続した電極を備えたものである。
びこの電気伝導性材料の比抵抗より大きい比抵抗の材料
を混合したものの表面部の、上記電気伝導性材料を露出
させた複合抵抗体、並びにこの複合抵抗体に被着して上
記電気伝導性材料に接続した電極を備えたものである。
［作用］
本発明における電極部の構造において、金属−金属の接
触が形成されるので、接続抵抗が安定であり、厚膜抵抗
体の抵抗値は経時的に変化するのが防止される。
触が形成されるので、接続抵抗が安定であり、厚膜抵抗
体の抵抗値は経時的に変化するのが防止される。
［実施例コ
第１図は本発明の一実施例の抵抗体装置の断面図であり
、図において、（１１）は電気伝導性材料のＲｕＯ２粒
子、（２）はほう珪酸鉛系ガラス、（５）はアルミナセ
ラミック基板、（６１）はＲｕｍ２粒子（１）とほう珪
酸鉛系ガラス（２）から成る厚膜抵抗体、（８）は銅薄
膜導体で化学銅めっきにより形成された電極、（９）は
ほう珪酸鉛系ガラスを主体とし、酸化パラジウムを少量
添加した活性層である。活性層は電気絶縁物であり、か
つめっき析出のための触媒作用を有する多孔質ガラスで
ある。
、図において、（１１）は電気伝導性材料のＲｕＯ２粒
子、（２）はほう珪酸鉛系ガラス、（５）はアルミナセ
ラミック基板、（６１）はＲｕｍ２粒子（１）とほう珪
酸鉛系ガラス（２）から成る厚膜抵抗体、（８）は銅薄
膜導体で化学銅めっきにより形成された電極、（９）は
ほう珪酸鉛系ガラスを主体とし、酸化パラジウムを少量
添加した活性層である。活性層は電気絶縁物であり、か
つめっき析出のための触媒作用を有する多孔質ガラスで
ある。
従来の抵抗体装置の厚膜抵抗体（６）（第５図）では、
導体（８）がガラス（２）と接触していたのに対し、本
発明の一実施例の抵抗体装置に係わる厚膜抵抗体（６１
）では、電！ （８）はガラス（２）と接触するのと同
時にＲｕｍ２粒子（１）と接触する。前述したように、
Ｒ１１０２粒子は電気伝導性を示すものであるから、高
抵抗半導体であるガラスとの接触に比較すると、接触抵
抗は小さくかつその変動は小さい、この為、本発明の実
施例の抵抗体装置の抵抗値の変動を極めて抑制すること
ができる。
導体（８）がガラス（２）と接触していたのに対し、本
発明の一実施例の抵抗体装置に係わる厚膜抵抗体（６１
）では、電！ （８）はガラス（２）と接触するのと同
時にＲｕｍ２粒子（１）と接触する。前述したように、
Ｒ１１０２粒子は電気伝導性を示すものであるから、高
抵抗半導体であるガラスとの接触に比較すると、接触抵
抗は小さくかつその変動は小さい、この為、本発明の実
施例の抵抗体装置の抵抗値の変動を極めて抑制すること
ができる。
次に本発明の一実施例の抵抗体装置の厚膜抵抗体を用い
た場合の製造プロセスの一例を第２図に示す。
た場合の製造プロセスの一例を第２図に示す。
（Ａ） アルミナセラ主ツク基板上に、厚膜抵抗体ペ
ーストを印刷し、８５０℃で焼成して形成する。（抵抗
体形成） （Ｂ） 活性ペーストを印刷し、６５０℃で焼成して
多孔質の活性層とする。（活性層形成） （Ｃ） レジストを写・真製版法にて形成する０本製
造プロセスではポリイ主ドが使用される。（レジスト形
成） （Ｄ） ぶつ酸、硝酸の混合水溶液で、厚膜抵抗体の
表面のガラスをエツチングしてＲｕｍ２粒子を露出させ
る。（電気伝導性材料露出） （Ｅ） 化学めっき液に浸漬し、レジストの開孔部に
。
ーストを印刷し、８５０℃で焼成して形成する。（抵抗
体形成） （Ｂ） 活性ペーストを印刷し、６５０℃で焼成して
多孔質の活性層とする。（活性層形成） （Ｃ） レジストを写・真製版法にて形成する０本製
造プロセスではポリイ主ドが使用される。（レジスト形
成） （Ｄ） ぶつ酸、硝酸の混合水溶液で、厚膜抵抗体の
表面のガラスをエツチングしてＲｕｍ２粒子を露出させ
る。（電気伝導性材料露出） （Ｅ） 化学めっき液に浸漬し、レジストの開孔部に
。
めっきを析出させ薄膜導体とする１本製造プロセスの一
例では化学銅めっきが使用される。（化学めっき） 上記製造プロセスにより、！極の薄膜導体が厚膜導体に
被着し、電極が上記露出した電気伝導性材料のＲｕ０２
ａ子に接続する構造が得られる。
例では化学銅めっきが使用される。（化学めっき） 上記製造プロセスにより、！極の薄膜導体が厚膜導体に
被着し、電極が上記露出した電気伝導性材料のＲｕ０２
ａ子に接続する構造が得られる。
即ち、上記製造プロセスではレジスト形成の後に厚膜抵
抗体表面のガラスを除去したが、第３図の本発明の一実
施例の抵抗体装置の厚膜抵抗体を用いた製造プロセスの
他の一例に示すように、厚膜抵抗体形成後に除去しても
良い、抵抗体の電気伝導性材料を露出させる方法として
は、前述した化学エツチングの他機械的研磨でも同様の
効果を奏する。またレーザ、電子ビーム、イオンビーム
等高エネルギー密度電源もエツチング作用を有するので
、これら熱源の種類と条件を適当に設定すれば応用が可
能となる。
抗体表面のガラスを除去したが、第３図の本発明の一実
施例の抵抗体装置の厚膜抵抗体を用いた製造プロセスの
他の一例に示すように、厚膜抵抗体形成後に除去しても
良い、抵抗体の電気伝導性材料を露出させる方法として
は、前述した化学エツチングの他機械的研磨でも同様の
効果を奏する。またレーザ、電子ビーム、イオンビーム
等高エネルギー密度電源もエツチング作用を有するので
、これら熱源の種類と条件を適当に設定すれば応用が可
能となる。
又、上記実施例では電気伝導性材料としてのＲｕＯ２粒
子とガラスから成る厚膜抵抗体を用いた場合を示したが
、電気伝導性材料としてのＢｉ２Ｒｕ２０ｖ粒子と上記
実施例と同様ガラスまたはポリマーから成る厚膜抵抗体
を用いても良い。
子とガラスから成る厚膜抵抗体を用いた場合を示したが
、電気伝導性材料としてのＢｉ２Ｒｕ２０ｖ粒子と上記
実施例と同様ガラスまたはポリマーから成る厚膜抵抗体
を用いても良い。
なお、上記本発明の一実施例では、厚膜抵抗体を用いた
抵抗体装置について示したが、本発明の別の発明の抵抗
体装置では、例えば金属、金属の化合物またはこれらに
類する電気伝導性材料と、これら電気伝導性材料の比抵
抗よりも大きい比抵抗の材料を混合した物の表面部の上
記電気伝導性材料を露出させた例えば厚膜抵抗体および
バリスター等の複合抵抗体が用いられ、上記と同様の効
果を呈する。
抵抗体装置について示したが、本発明の別の発明の抵抗
体装置では、例えば金属、金属の化合物またはこれらに
類する電気伝導性材料と、これら電気伝導性材料の比抵
抗よりも大きい比抵抗の材料を混合した物の表面部の上
記電気伝導性材料を露出させた例えば厚膜抵抗体および
バリスター等の複合抵抗体が用いられ、上記と同様の効
果を呈する。
上記バリスターは、電気伝導性材料としての５ｉＣ１Ｎ
ｉＯ，ＺｎＯおよびＣ，ｓ、びにこの電気伝導性材料の
比抵抗より大きい比抵抗の材料としてのガラスおよびポ
リマーから成る複合抵抗体である。
ｉＯ，ＺｎＯおよびＣ，ｓ、びにこの電気伝導性材料の
比抵抗より大きい比抵抗の材料としてのガラスおよびポ
リマーから成る複合抵抗体である。
本発明の抵抗体装置に係わる電極は厚膜抵抗体および複
合抵抗体にめっきによる薄膜形成法の他、スパッタ法お
よびＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｅｒ ｄｅｐ
ｏｓｉｔ。
合抵抗体にめっきによる薄膜形成法の他、スパッタ法お
よびＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｅｒ ｄｅｐ
ｏｓｉｔ。
１ｏｎ）による薄膜形成法により得られる。また、上記
実施例では、薄膜導体としてめっきを利用することにつ
いて述べたため、活性層が必要であったが、この活性層
は本発明に関して重要な要件ではなく、薄膜形成法によ
っては、必要ないか又は別の構造を採用してもよい。
実施例では、薄膜導体としてめっきを利用することにつ
いて述べたため、活性層が必要であったが、この活性層
は本発明に関して重要な要件ではなく、薄膜形成法によ
っては、必要ないか又は別の構造を採用してもよい。
［発明の効果］
以上説明した通り１本発明は、電気伝導性材料およびガ
ラスを混合したものの表面部の、上記電気伝導性材料を
露出させた厚膜抵抗体、並びにこの厚膜抵抗体に被着し
て上記電気伝導性材料に接続した′ｒＩＬ極を備えたも
のを用いることにより、又本発明の別の発明は、電気伝
導性材料およびこの電気伝導性材料の比抵抗より大きい
比抵抗の材料を混合したものの表面部の、上記電気伝導
性材料を露出させた複合抵抗体、並びにこの複合抵抗体
に被着して上記電気伝導性材料に接続した電極を備えた
ものを用いることにより、経時的な抵抗値の変動の防止
された抵抗体装置を得ることができる。
ラスを混合したものの表面部の、上記電気伝導性材料を
露出させた厚膜抵抗体、並びにこの厚膜抵抗体に被着し
て上記電気伝導性材料に接続した′ｒＩＬ極を備えたも
のを用いることにより、又本発明の別の発明は、電気伝
導性材料およびこの電気伝導性材料の比抵抗より大きい
比抵抗の材料を混合したものの表面部の、上記電気伝導
性材料を露出させた複合抵抗体、並びにこの複合抵抗体
に被着して上記電気伝導性材料に接続した電極を備えた
ものを用いることにより、経時的な抵抗値の変動の防止
された抵抗体装置を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の抵抗体装置の断面図、第２
図は、本発明の一実施例の抵抗体装置の製造プロセス図
、第３図は、本発明の一実施例の抵抗体装置の他のＷＪ
造プロセス図、第４図は、従来の抵抗体装置の断面図、
第５図は従来の抵抗体装置の断面図である。 図において、（１１）は電気伝導性材料、（２）はガラ
ス、（６１）は厚膜抵抗体、（８）は電極である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
図は、本発明の一実施例の抵抗体装置の製造プロセス図
、第３図は、本発明の一実施例の抵抗体装置の他のＷＪ
造プロセス図、第４図は、従来の抵抗体装置の断面図、
第５図は従来の抵抗体装置の断面図である。 図において、（１１）は電気伝導性材料、（２）はガラ
ス、（６１）は厚膜抵抗体、（８）は電極である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）電気伝導性材料およびガラスを混合したものの表
面部の、上記電気伝導性材料を露出させた厚膜抵抗体、
並びにこの厚膜抵抗体に被着して上記電気伝導性材料に
接続した電極を備えた抵抗体装置。 - （２）電気伝導性材料およびこの電気伝導性材料の比抵
抗より大きい比抵抗の材料を混合したものの表面部の、
上記電気伝導性材料を露出させた複合抵抗体、並びにこ
の複合抵抗体に被着して上記電気伝導性材料に接続した
電極を備えた抵抗体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243003A JPH03129701A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 抵抗体装置 |
| US07/584,602 US5059941A (en) | 1989-09-19 | 1990-09-19 | Electrode structure for a thick film resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243003A JPH03129701A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 抵抗体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03129701A true JPH03129701A (ja) | 1991-06-03 |
Family
ID=17097444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1243003A Pending JPH03129701A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 抵抗体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5059941A (ja) |
| JP (1) | JPH03129701A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2526431B2 (ja) * | 1991-03-07 | 1996-08-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 抵抗体およびその製造方法 |
| JPH05275958A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-22 | Murata Mfg Co Ltd | ノイズフィルタ |
| CN1352870A (zh) * | 1998-07-31 | 2002-06-05 | 联合讯号公司 | 用于制造印刷电路板中的集成电阻的组合物及方法 |
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| US20070019789A1 (en) * | 2004-03-29 | 2007-01-25 | Jmar Research, Inc. | Systems and methods for achieving a required spot says for nanoscale surface analysis using soft x-rays |
| US7224258B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-05-29 | Ohmcraft, Inc. | Fine line thick film resistors by photolithography |
| US20070244267A1 (en) * | 2006-04-10 | 2007-10-18 | Dueber Thomas E | Hydrophobic crosslinkable compositions for electronic applications |
| US20070236859A1 (en) * | 2006-04-10 | 2007-10-11 | Borland William J | Organic encapsulant compositions for protection of electronic components |
| US20070291440A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-20 | Dueber Thomas E | Organic encapsulant compositions based on heterocyclic polymers for protection of electronic components |
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|---|---|---|---|---|
| JPS61194794A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-29 | 三菱電機株式会社 | 混成集積回路基板の製造方法 |
| US4695504A (en) * | 1985-06-21 | 1987-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thick film resistor composition |
| US4792781A (en) * | 1986-02-21 | 1988-12-20 | Tdk Corporation | Chip-type resistor |
| JPS62274701A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | アイシン精機株式会社 | 可変抵抗器 |
| US4732802A (en) * | 1986-09-26 | 1988-03-22 | Bourns, Inc. | Cermet resistive element for variable resistor |
| US4961999A (en) * | 1988-07-21 | 1990-10-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thermistor composition |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP1243003A patent/JPH03129701A/ja active Pending
-
1990
- 1990-09-19 US US07/584,602 patent/US5059941A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5059941A (en) | 1991-10-22 |
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