JPH01236601A - セラミック電子部品 - Google Patents
セラミック電子部品Info
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- JPH01236601A JPH01236601A JP63063959A JP6395988A JPH01236601A JP H01236601 A JPH01236601 A JP H01236601A JP 63063959 A JP63063959 A JP 63063959A JP 6395988 A JP6395988 A JP 6395988A JP H01236601 A JPH01236601 A JP H01236601A
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- ceramic electronic
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- Pending
Links
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- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
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- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁器コンデンサ、バリスタ、サーミスタ、圧
電体などのセラミック電子部品に係り、その中でも電極
構造に関するもので、特に正特性サーミスタのようにそ
の電極形成において、オーミックコンタクトを必要とす
るものにより一層利用されるものである。
電体などのセラミック電子部品に係り、その中でも電極
構造に関するもので、特に正特性サーミスタのようにそ
の電極形成において、オーミックコンタクトを必要とす
るものにより一層利用されるものである。
従来の技術
近年、セラミック電子部品の??!極としては、第1電
極として無電′l!INiメッキ電極、その上に形成さ
れる第2電極としては、A g 、 Ag −Pd
。
極として無電′l!INiメッキ電極、その上に形成さ
れる第2電極としては、A g 、 Ag −Pd
。
Cuなどを印刷・焼付して形成した電極またはCu。
Snなどの無電解メッキで形成した電極が主として用い
られている。
られている。
以下、図面を参照しながら上述したような従来のセラミ
ック電子部品について説明する。
ック電子部品について説明する。
第4図は上述したような従来の構成によるセラミック電
子部品の電極であり、第4図において1はセラミック素
子、2は第1電極であり、無電解メッキによるNi電極
である。3は第1電極2上に形成された第2に極であり
、ムg、λg −P dCuなどを印刷・焼付して形成
した電極またはCu。
子部品の電極であり、第4図において1はセラミック素
子、2は第1電極であり、無電解メッキによるNi電極
である。3は第1電極2上に形成された第2に極であり
、ムg、λg −P dCuなどを印刷・焼付して形成
した電極またはCu。
Snなどをメッキで形成した電極の内の一つから選ばれ
ている。4はリード線、6はリード線4を第2電極3に
固層するだめの半田である。
ている。4はリード線、6はリード線4を第2電極3に
固層するだめの半田である。
以上のように構成されたセラミック電子部品の動作につ
いて、以下に説明する。
いて、以下に説明する。
まず、所定の電圧をリード線4から印加すると、第2電
極3.第1電極2全通してセラミック素子1に電圧が印
加され、セラミック電子部品としての所定の特性(性能
)が得られるものであった。
極3.第1電極2全通してセラミック素子1に電圧が印
加され、セラミック電子部品としての所定の特性(性能
)が得られるものであった。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上述したような電極の構成では、次のよ
うな欠点を有している。それは、第1電他であるNi電
極に要求される性能は、第2電極との電気的接触と機械
的接触(接着強度)を良好に保持し、セラミック素子が
正特性サーミスタのように、半導体セラミックの場合に
は、さらにオーミックコンタクトが良好であることであ
り、この性能はNi電極の厚みに大きく左右されるもの
である。すなわち、オーミックコンタクトを得るために
は一定以上の厚みを必要とするが、この厚みが必要以上
に厚くなると、Niメッキ電極の場合、その表面の平滑
度は厚みの増加に伴ってよくなる(凸凹が少なくなる)
ために、この上に設ける第2に極との機械的接触が低下
するため、最適なNiメッキ電極の厚みを設定する必要
があった。
うな欠点を有している。それは、第1電他であるNi電
極に要求される性能は、第2電極との電気的接触と機械
的接触(接着強度)を良好に保持し、セラミック素子が
正特性サーミスタのように、半導体セラミックの場合に
は、さらにオーミックコンタクトが良好であることであ
り、この性能はNi電極の厚みに大きく左右されるもの
である。すなわち、オーミックコンタクトを得るために
は一定以上の厚みを必要とするが、この厚みが必要以上
に厚くなると、Niメッキ電極の場合、その表面の平滑
度は厚みの増加に伴ってよくなる(凸凹が少なくなる)
ために、この上に設ける第2に極との機械的接触が低下
するため、最適なNiメッキ電極の厚みを設定する必要
があった。
本発明は、上記のような欠点に鑑み、性能が良好な電極
構成を有するセラミック電子部品を提供することを目的
とするものである。
構成を有するセラミック電子部品を提供することを目的
とするものである。
課題を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明のセラミック電子部
品は、第1電極としての無電解メッキによるNi電極の
厚みを0.7〜2.6μmとし、その上に設けられる第
2電極としてAg、 ムg −Pd。
品は、第1電極としての無電解メッキによるNi電極の
厚みを0.7〜2.6μmとし、その上に設けられる第
2電極としてAg、 ムg −Pd。
Cu、Snの内の一つから選ばれた電極で構成するもの
である。
である。
作用
このような電極構成によるセラミック電子部品は、第1
電極であるNi電極の最小厚みを0.7μmとすること
で、正特性サーミスタのような半導体セラミック電子部
品でもオーミックコンタクトが得られ、また最大厚みを
2.6μmとすることにより、Ni電極表面の平滑性は
、その表面にまだ凸凹が存在するため、第2電極である
上記のような種々の電極を構成しても、その接合部はN
i電り表面の凸凹の多い状態での接触、すなわち接触面
積の増大により、その機械的強度は良好なものが得られ
ることとなる。
電極であるNi電極の最小厚みを0.7μmとすること
で、正特性サーミスタのような半導体セラミック電子部
品でもオーミックコンタクトが得られ、また最大厚みを
2.6μmとすることにより、Ni電極表面の平滑性は
、その表面にまだ凸凹が存在するため、第2電極である
上記のような種々の電極を構成しても、その接合部はN
i電り表面の凸凹の多い状態での接触、すなわち接触面
積の増大により、その機械的強度は良好なものが得られ
ることとなる。
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
〈実施例1〉
第1図は本発明の一実施例によるセラミック電子部品の
構成を示すものである。
構成を示すものである。
第1図におイテ、 11はBaTi05系ノ25°Cに
卦ける抵抗値が60の正特性サーミスタ素子、12は硫
酸ニッケル、次亜燐酸ナトリウム系の無電解メッキで形
成した第1電極としてのNi電極、13はNi電極12
上に設けられた第2電極であり、eowt%の銀と3%
のガラスフリットと27%の有機添加物と溶剤とからな
るペーストを200メソシユのテトロン製スクリーンで
印刷し、550°Cで、10分間焼付して形成した電極
である。14は0.6flφのCP線で、半田15によ
り第2電極13に固着されている。
卦ける抵抗値が60の正特性サーミスタ素子、12は硫
酸ニッケル、次亜燐酸ナトリウム系の無電解メッキで形
成した第1電極としてのNi電極、13はNi電極12
上に設けられた第2電極であり、eowt%の銀と3%
のガラスフリットと27%の有機添加物と溶剤とからな
るペーストを200メソシユのテトロン製スクリーンで
印刷し、550°Cで、10分間焼付して形成した電極
である。14は0.6flφのCP線で、半田15によ
り第2電極13に固着されている。
ここで、本発明の効果を明らかにするため、第1電極で
あるNi電極の厚みを、無電解ニッケルメッキ榮件、す
なわち、メッキ時間・メッキ溶温度・メッキ溶濃度を変
えて制御し、この時のオーミックコンタクトと機械的強
度(リード線の剥離強度)との関係を検討し、その結果
を下記の第1表に示す。
あるNi電極の厚みを、無電解ニッケルメッキ榮件、す
なわち、メッキ時間・メッキ溶温度・メッキ溶濃度を変
えて制御し、この時のオーミックコンタクトと機械的強
度(リード線の剥離強度)との関係を検討し、その結果
を下記の第1表に示す。
なお、この時のNi電極の厚みが1・5μmの時の表面
状態を第2図に、同じく厚さ3・0μmの時の表面状態
を第3図に示している。
状態を第2図に、同じく厚さ3・0μmの時の表面状態
を第3図に示している。
く第1表〉
第1表において、オーミックコンタクトは、オーミック
コンタクトの得られたものは○印、オーミックコンタク
トの得られなかったものはX印。
コンタクトの得られたものは○印、オーミックコンタク
トの得られなかったものはX印。
剥離強度は3・0μm厚みのものを指数100としたと
きの相対比率で示したものである。この結果より、オー
ミックコンタクトは、Ni電極の厚みがQ・7μm以上
、剥離強度は2・6μm以下が良好であり、このような
効果は第2図、第3図に示したように、Ni電極の厚み
を0・7〜1.5μmにすることにより、その表面に凸
凹が存在するため、第2電極との接触面積が増加し、機
械的強度が向上するものである。
きの相対比率で示したものである。この結果より、オー
ミックコンタクトは、Ni電極の厚みがQ・7μm以上
、剥離強度は2・6μm以下が良好であり、このような
効果は第2図、第3図に示したように、Ni電極の厚み
を0・7〜1.5μmにすることにより、その表面に凸
凹が存在するため、第2電極との接触面積が増加し、機
械的強度が向上するものである。
ここで、第2電極をAg−Pd、Cuに代えて実施した
場合においても、上記と同様な結果が得られた。
場合においても、上記と同様な結果が得られた。
〈実施例2〉
実施例1におけるセラミック素子をBaTi05の圧電
f;F−(ブザー)、第2電極は硫酸銅・ホルマリン系
無電解メッキ溶で、70°C・30分間処理したほかは
、実施例1と全く同様な粂件で形成し、この時のリード
線の剥離強度の結果を下記の第2表に示している。
f;F−(ブザー)、第2電極は硫酸銅・ホルマリン系
無電解メッキ溶で、70°C・30分間処理したほかは
、実施例1と全く同様な粂件で形成し、この時のリード
線の剥離強度の結果を下記の第2表に示している。
(以下余白)
く第2表〉
この場合の剥離強度も実施例1と同様の結果であった。
ここで、上記と同様の構成で、第2電極をSnに代えて
実施した場合について検討したが、その結果は上記実施
例2と同様であった。
実施した場合について検討したが、その結果は上記実施
例2と同様であった。
発明の効果
以上のように本発明は、セラミック素子に、第1電極と
して厚さ0.7〜2.6μmの無電解メッキによるNi
電極を構成し、第2電極としてムg。
して厚さ0.7〜2.6μmの無電解メッキによるNi
電極を構成し、第2電極としてムg。
Ag−Pd、Cu、Snの内の一つからなる電極を設け
ることにより、オーミックコンタクトおよび機械的接触
の優れたセラミック電子部品を容易に得られるもので、
その工業的価値は大なるものである。
ることにより、オーミックコンタクトおよび機械的接触
の優れたセラミック電子部品を容易に得られるもので、
その工業的価値は大なるものである。
第1図は本発明の一実施例によるセラミック電子部品の
構成を示す断面図、第2図および第3図はそれぞれ本発
明の実施例によるNi電極の表面状態を顕微鏡写真にて
見たものを示す図、第4図は従来のセラミック電子部品
の構成を示す断面図である。 11・・・・・・セラミック素子、12・・・・・・N
iT[極(第1電極)、13・・・・・・第2電極、1
4・・・・・・IJ +Hド線、15・・・・・・半田
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名//
−1ラミ、7.グ素芋 112図 第3図 蓼 手続補正書(刃側 昭和63 年7 40 日 昭和63年特許願第63969号 2発明の名称 セラミック電子部品 3補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
大佐 所 大阪府門真市大字門真1006番地名
称 (582)松下電器産業株式会社代表者
谷 井 昭 雄 4代理人 〒571 住 所 大阪府門真市大字門真1006番地松下電器
産業株式会社内 ア、補正の内容 呻許9ページ第1行目〜第3行目の「第2図および第3
図・・・・・・示す図、」を「第2図および第3図はそ
れぞれ本発明の実施例によるNi電極の表面の粒子構造
の状態を顕微鏡写真で見たものを示す図、」と補正いた
します。
構成を示す断面図、第2図および第3図はそれぞれ本発
明の実施例によるNi電極の表面状態を顕微鏡写真にて
見たものを示す図、第4図は従来のセラミック電子部品
の構成を示す断面図である。 11・・・・・・セラミック素子、12・・・・・・N
iT[極(第1電極)、13・・・・・・第2電極、1
4・・・・・・IJ +Hド線、15・・・・・・半田
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名//
−1ラミ、7.グ素芋 112図 第3図 蓼 手続補正書(刃側 昭和63 年7 40 日 昭和63年特許願第63969号 2発明の名称 セラミック電子部品 3補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
大佐 所 大阪府門真市大字門真1006番地名
称 (582)松下電器産業株式会社代表者
谷 井 昭 雄 4代理人 〒571 住 所 大阪府門真市大字門真1006番地松下電器
産業株式会社内 ア、補正の内容 呻許9ページ第1行目〜第3行目の「第2図および第3
図・・・・・・示す図、」を「第2図および第3図はそ
れぞれ本発明の実施例によるNi電極の表面の粒子構造
の状態を顕微鏡写真で見たものを示す図、」と補正いた
します。
Claims (1)
- セラミック素子に、第1電極として無電解メッキによ
るNi電極、その上に形成される第2電極としてAg、
Ag−Pd、Cu、Snの内の一つから選ばれた電極を
有し、かつ上記第1電極であるNi電極の厚みを0.7
〜2.5μmとしたことを特徴とするセラミック電子部
品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63063959A JPH01236601A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | セラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63063959A JPH01236601A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | セラミック電子部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01236601A true JPH01236601A (ja) | 1989-09-21 |
Family
ID=13244360
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63063959A Pending JPH01236601A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | セラミック電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01236601A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100330919B1 (ko) * | 2000-04-08 | 2002-04-03 | 권문구 | 피티씨 전도성 폴리머를 포함하는 전기장치 |
JP2014033241A (ja) * | 2010-06-24 | 2014-02-20 | Tdk Corp | チップサーミスタ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP63063959A patent/JPH01236601A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100330919B1 (ko) * | 2000-04-08 | 2002-04-03 | 권문구 | 피티씨 전도성 폴리머를 포함하는 전기장치 |
JP2014033241A (ja) * | 2010-06-24 | 2014-02-20 | Tdk Corp | チップサーミスタ及びその製造方法 |
US9324483B2 (en) | 2010-06-24 | 2016-04-26 | Tdk Corporation | Chip thermistor and method of manufacturing same |
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