DE2905905A1 - Wabenfoermiges heizelement - Google Patents
Wabenfoermiges heizelementInfo
- Publication number
- DE2905905A1 DE2905905A1 DE19792905905 DE2905905A DE2905905A1 DE 2905905 A1 DE2905905 A1 DE 2905905A1 DE 19792905905 DE19792905905 DE 19792905905 DE 2905905 A DE2905905 A DE 2905905A DE 2905905 A1 DE2905905 A1 DE 2905905A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- heating element
- thickness
- honeycomb
- element according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/022—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances
Description
Wabenform!ges Heizelement
Die Erfindung betrifft ein Heizelement aus einem wabenform!
gen Halbleiterkeramikkö'rper, bei dem das Halbleitermaterial
einen positiven Te:rperaturkoeffizienten
des Widerstands oberhalb des Curiepunktes aufweist und das aus Bariumtitanat zusammengesetzt ist und bei dem
zwei untere elektrisch leitende Schichten, die hauptsächlich
aus Silber bestehen, an den Stirnflächen angeordnet sind, die an eine Stromquelle anschließbar sind.
Derartige Heizelemente, deren Halbleitermaterial nachfolgend
als PTC Thermistor bezeichnet wird, weisen eine
Reihe von Vorteilen auf, insbesondere den Vorteil» daß die gewünschte Erwärmungstemperatur erhalten werden kann
durch Einstellen des Curiepunktes des PTC-Thermistors.
Ein weiterer Vorteil ist darin zu sehen, daß keine Gefahr besteht, daß der PTC-Thermistor überhitzt wird.
Dieser Umstand ist darin zu sehen, daß der Widerstand des PTC-Thermistors bei einer Temperatur oberhalb des
90983 4/0775
7S4Ü/14/Ch/Gr - 5 - 15. Februar^19£3
Curiepunktes plötzlich ansteigt. Derartige PTC-Tliernistoren
sind besonders günstig bei automatischen Temperaturkontrollen
und werden daher bei verschiedenen
Heizelementen verwendet.
Die Heizelemente haben üblicherweise die Form von wabenförmigen
Haib1eiterkeramikkorpern, welche Durchgangsbohrungen aufweisen, djrch welche mittels eines Ventilators
Luft strömt. Sie werden als Lufterhitzer, Haartrockner
und für andere Arten von Trockner verwendet. Da der Widerstand des PTC-Thermistors oberhalb einer
vom Curiepunkt bestimmten Temperatur plötzlich ansteigt, beispielsweise oberhalb von 170 bis 19O0C, wird die
Stromleitfähigkeit des HaibleiterkeramikKörpers vermindert.
Nachfolgend werden die Vorteile eines Heizelements, das
einen PTC-Thermistör umfaßt, in Vergleich gesetzt zu
einem Heizelement, welches aus einer Eisen-Chrom-Legierung
besteht. Bei einem PTC-Thermistör kann ein
Temperaturkontroll-oder Steuermechanismus, wie beispielsweise
eine Sicherung oder ein Thermostat, entfallen. Es besteht nicht die Gefahr einer überhitzung
und einer Leitungsunterbrechung in Bezug auf den PTC-Thermistorkörper
und deshalb weist ein derartiges Heizelement eine längere Lebensdauer auf. Es ist sehr einfach,
den PTC-Thermistorkorper im Heizelement zu installieren.
Die Wärmemenge, welche pro Flächeneinheit
des PTC-Thermistorkörpers erzeugt wird, ist größer als
bei einem Heizelement aus einer E\sen-Chrom-Legierung.
Eei einem PTC-Thermistör kann die Aufheizgeschwindigkeit
zj Beginn des Bet'";ebs und die vom Heizelement
erzeugte Wärmemenge eingestellt werden durch Einstellen der Menge der durchströmenden Luft. Letztlich ist es
möglich, an den Thermistorkörper eine große Leistung
909834/0775
BAQ^ QRtGlNAU
7840/14/Ch/Gr - 6 - 15. Februar 1979
23Ü5805
anzulegen und die erzeugte Wärmemenge zu kontrollieren,
ob.vohl der PTC-Thermi s torkörper klein ist.
Aus der US-PS 40 32 752 ist es bekannt, daß der PTC-Thermi storkörper eine wabenförmige Struktur mit einer
Anzahl von Durchgangs 1öchern aufweist. Es ist weiterhin
bekannt, an beiden Enden des wabenförmigen PTC-Thermistorkörpers
je eine Ohm'sche Elektrode vorzusehen. Wenn solche Ohm'schen Elektroden beim Heizelement verwendet
werden, ist es jedoch schwierig, die Abfuhr der erzeugten Hitze zu erhöhen. Um die Hitzeabfuhr vom wabenform!-
gen Heizelement zu erhöhen, müssen die Wandungen des wabenförmigen Heizelements bezüglich ihrer Dicke vermindert
werden. Eine Verminderung der Dicke der Wabenwandungen führt zu einer Erhöhung der Wärmediffusior,
jedoch wird gleichzeitig die Breite der Ohm'schen Elektroden an den Stirnseiten dieser Wandungen unvermeidbar
vermindert. Dies führt dazu, daß der Stromwert relativ zu den Abmessungen der Elektroden ansteigt. Wegen der
Eigenschaften des PTC-Thermistors, d.h. wegen des negativen
Temperaturkoeffizienten des Widerstands unterhalb des Curiepunktes fließt ein beträchtlich hoher Strom
durch den PTC-Thermistorkörper und die Ohm'schen Elektroden,
wenn der Temperaturpegel des PTC-Thernistorkörpers
den Curiepunkt erreicht. Dieser Umstand kann dazu führen, daß die Ohm'schen Elektroden teilweise abschmoren
infolge einer Funkenbildung zwischen den Ohm1
sehen Elektroden und dem PTC-Thermistorkörper. Um die
Verminderung der Lebensdauer beispielsweise infolge von
Funken zu verhindern, ist es notwendig, die Dicke der Ohm'schen Elektroden beträchtlich zu erhöhen, welche an
beiden Enden des Thermistorkörpers vorgesehen sind. Infolge
der Erhöhung der Dicke der Elektroden wird folglich das Heizelement te^er.
Zusätzlich zu dem Obenstehenden werden dem Elektroden-
909834/0775
BAD ORIGINAL
7840/14/Ch/Gr - 7 - 15. Februar 1979
material verschiedene Additive zugegeben, um den Ohm'
sehen Kontakt zwischen den Elektroden und dem PTC-Thermistor
zu verbessern. Auch dies führt dazu, daß die Dicke der Elektroden erhöht werden muß. Der Grund ist
hierfür darin zu sehen, daß die elektrische Leitfähigkeit der Elektroden, die hauptsächlich aus Silber bestehen,
durch den Zusatz von Additiven vermindert wird. Es ist daher unabdingbar, infolge des Einschlusses von
Additiven Elektroden vorzusehen, welche relativ dick sind.
Infolge des fließenden elektrischen Stroms findet eine
E1ektromigration zwischen den konventionellen Silberelektroden
und dem PTC-Thermistcrkörper statt. Bei fortschreitendem
Wandern des Silbers längs des PTC-Thermistorkörpers kann der PTC-Thermistör kurzgeschlossen werden.
Von der US-PS 39 27 300 ist es bekannt, die Ohm'schen Elektroden eines PTC-Thermistorkörpers in Wabenform durch
heißes Aufsprühen von Aluminium und durch Siebdruck einer Ohm'schen Paste, die hauptsächlich aus Silber besteht,
herzustellen. Hierbei entsteht eine Schicht, welche anschließend
gebacken wird. Diese Silber-Aluminiumelektroden
haben jedoch Nachteile in Bezug auf den Widerstand gegen atmosphärische Bedingungen und sind daher nicht
zuverlässig. Die Aluminium-Silberelektroden nach der US-PS 39 27 300 korrodieren nämlich unter dem Einfluß
der Luft, welche salzhaltige Dämpfe und agressive Gase enthält, wie beispielsweise Schwefeldioxyd und Wasserstoff
sulfide .
Es besteht daher die Aufgabe, die elektrischen und chemischen Eigenschaften der Elektroden bei einem wabenförmigen
PTC-Thermistorkörper eines Heizelements zu verbessern.
909834/0775
-BAD ORIGINAL
7840/14/Ch/Gr - 8 - 15. Februar 1979
Weiterhin besteht die Aufgabe, ein günstiges Verfahren zum Herstellen eines solchen Heizelements vorzuschlagen.
Zur Lösung der Aufgabe wird vorgeschlagen, daß eine obere elektrisch leitende Schicht aus mindestens einem
Metall der Nickel, Zink und Chrom umfassenden Gruppe auf der jeweils unteren Schicht angebracht ist.
Bei einem Heizelement der vorerwähnten Art mit jeweils einer unteren elektrisch leitenden Schicht an jeder
Stirnseite, die hauptsächl ich aus Silber besteht, wird weiterhin vorgeschlagen, daß diese Schichten aus drei
Lagen bestehen, wobei die mittlere Schicht jeweils aus mindestens einem Metall der Silber, Gold und Kupfer aufweisenden
Gruppe besteht und die obere Lage aus mindestens einem Metall der Nickel, Zink und Chrom aufweisenden
Gruppe besteht.
Das Verfahren der zweischichten Elektroden besteht darin,
daß mittels Siebdruck Hie untere elektrische
Schicht aufqebracht wird und sodann auf Hie untere
Schicht, die obere Schicht plattiert wird.
Die dreischichtigen Elektroden werden hergestellt, indem
die untere Schicht mittels Siebdruck aufgebracht wird, hierauf mittels Siebdruck nder durch elektrolvticchen
niederschlag die Zwischenschicht aufaebracht wird
und letztlich auf diese Zwischenschicht die obere Schicht aufplattiert wird.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend
anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 die perspektivische Ansicht eines wabenförmigen
Körpers eines Heizelements;
9834/0775
7840/14/Ch/Gr - 9 - 15. Februar 1979
Fig. 2 einen Querschnitt durch den wabenfcrmigen
Körper eines bekannten Heizelements;
Fig. 3 eine vergrößerte Draufsicht auf den wabenförmigen Körper gemäß Fig. 1;
Fig. 4 eine graphische Darstellung der Widerstands-Temperaturkurve
eines PTC-Thermi stors;
Fig. 5 eine perspektivische Ansicht des wabenförmigen
Körpers nach Fig. 1 in Verbindung mit Leitern zum Anschluß an eine StromquelIe;
Fig. 6 einen Querschnitt durch ein Heizelement mit zweischichtigen Elektroden und
Fig. 7 einen Querschnitt durch ein Heizelement mit dreischichtigen Elektroden.
Der wabenförmige l'TC-Thermi storkcrper 1 gemäß den Fig.
6 und 7 kann zusammengesetzt sein aus irgendeinem bekannten PTC-Thermistormaterial, bevorzugt handelt es sich
jedoch um ein PTC-Thermi stormate-" i al, wie es in der
US-Anmeldung 882 922 beschrieben ist.
Der PTC-Thermistorkörper ist zylindrisch ausgebildet.
Durch ihn hindurch gehen runde, rechteckige, quadratische oder sechseckige Kanäle, welche im säulenförmigen Körper
parallel zueinander verlaufen. Die festen Teile des PTC-Thermi storkörpers , d.h. die Wandungen haben im wesentlichen
gleichförmige Dicke und diese Wandungen bilden
die Kanäle. An gegenüberliegenden Enden der Wandungen ,
909834/0775
BAD ORIGiNAL
7840/14/Ch/Gr - 10 - 15. Februar 1979
d.h. an den beiden Stirnseiten des Körpers sind Elektroden angeschlossen. Diese werden beispielsweise mittels
einer Siebdrucktechnik aufgebracht. Ein Ventilator oder
ein sonstiges, einen Luftstrom erzeugendes Mittel ist im festen Abstand in axialer Richtung von dem säulenförmigen
PTC-Thermistorkörper angeordnet.
In Fig. 6 sind die beiden Schichten der Elektroden mit
3 und 11 bezeichnet. Bei diesen zweischichtigen Elektroden
besteht die untere Schicht aus einer Silberpastenschicht
3, die adhäsive Oxyde enthält und einer oberen Metallschicht 11, welche von diesen adhäsiven Oxyden
frei ist und welche ein Verschmoren dieser Schichten verhindert. Die Einzel- und Gesamtschichtdicken dieser
Schichten 3 und 11 ist beträchtlich gering. Allgemein gesprochen wird die Dicke der Elektroden sehr dünn,
wenn die Dicke d der Wandungen erhöht wird. Bei der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die Dicke d der
Wandungen in Vergleich zum Stand der Technik zu vermindern, wodurch die erzeugte Wärmemenge erhöht werden
kann, obwohl die Elektrodendi.cken sehr gering sind. Die Dicke d der Wandungen 4 ist vortei 1 -.af terwei se gering
und liegt in der Größenordnung von 0,15 bis 3 mm. Die Gesamtschichtdicke der oberen und unteren Elektroden
liegt jeweils in der Größenordnung von 10 bis 35 microi.
Hierbei beträgt die Dicke der unteren Schicht 3 vorzugsweise 5 bis 10 micron und die Schichtdicke der darauf
angeordneten oberen Schicht vorzugsweise 5 bis 20 micron.
In Fig. 7 sind die obere, mittlere und untere Schicht der dreischichtigen Elektroden mit 3, 13 und 14 bezeichnet.
Die Zwischenschicht 13 besteht aus einem Metall oder aus Metallen wie Silber, Gold und Kupfer,
wobei diese Schicht eine hohe elektrische Leitfähigkeit
aufweist. Die Zwischenschicht 13 ist vorzugsweise zwi-
909834/0775
7840/14/Ch/Gr . - 11 - 15. Februar 1979
sehen 5 bis 20 micro'· dick. Die obere Schicht 14 besteht
aus einem Metall oder aus Metallen wie Nickel, Zink und Chrom und weist einen guten Widerstand gegen
atmosphärische Korrosion auf. Werden Elektroden aus
drei Schichten J, U und 14 verwendet, dann ist die Dicke d der Wandungen des wabenf ö'rmi gen PTC-Thermi storkörpers
1 vorteilhafterweise klein, ohne daß die Gefahr besteht, daß die untere Schicht 3 abschmort und
ohne daß die Dicke der unteren Schicht erhöht werden müßte. Die Dicke d der Wandungen 4 liegt bevorzugt im
Bereich zwischen 0,15 und 3 mm und die Gesamtschichtdicke der Elektroden liegt jeweils bevorzugt zwischen
15 und 40 micron.
Bei einem PTC-Thermistorkörper 1 gemäß den Fig. 6 und /
läßt sich die Dicke der Elektroden auf 30 micron reduzieren, gleichzeitig ist es möglich, die Dicke der Wandungen
4 beträchtlich zu vermindern, was dazu führt, daß die Wärmeabgabe des Heizelements gesteigert werden
kann.
Durch die Verwendung von zwei- oder dreischichtigen
Elektroden läßt sich weiterhin ein Abschmoren der Elektroden infolge Funkenbildung zwischen den Elektroden
und dem PTC-Thermistorkörper verhindern. Wären die Schichten O, 11, 13 und 14 dünn, dann wird der PTC-Thermistorkörper
1 ebenfalls dünn und weist eine Dicke zwischen ό,5 und 6 mm, vorzugsweise näherungsweise
3,5 mm auf, wobei die Wärmeerzeugung des PTC-Thermistorkörpers groß ist.
Das Nickel, Zink oder Chrom der Oberschicht des Heizelements mit zwei- oder dreischichtigen Elektroden verbessert die Korrosionsfestigkeit der bekannten Silberelektroden
der wabenförmigen Heizelemente. CMe obere
909834/0775
7840/14/Ch/Gr - 12 - 15. Februar 1979
Schicht aus Nickel, Zink oder Chrom verhindert die El ek tromi grat i o'n des Silbers der unteren Schicht.
Bei der Herstellung der wabenförmigen Halbleiterkeramikkörper
wird bevorzugt wie folgt vorgegangen. Das pulverförmige Halbleitermaterial wird mit einem Druck zwischen
0,2 bis 1,0 Tonnen pro cm zu einem Grünling verpreßt. Dieser Grünling wird sodann vorgesintert bei einer Temperatur
zwischen J.050 bis 12000C. Der vorgesinterte
Körper wird sodann pulverisiert auf eine Partikelgröße
zwischen 1,5 bis 2,5 micron und anschließend mit einem organischen Binder vermischt, bei welchem es sich beispielsweise
um Polyvinylalkohol handeln kann. Diese
Pulvermischung kann leicht in jede Form gebracht werden.
Das Gewichtsverhältnis des Keramikmaterials zum organischen
Binder sollte zwischen 8 bis 12 liegen. Das dispergierte Keramikmaterial wird sodann durch ein Gitter
extrudiert in die gewünschte Form eines wabenförmigen
PTC-Thermistorkörpers und anschließend bei einer Temperatur von näherungsweise 200 C getrocknet. Der Keramikmaterial
körper wird letztlich 0,5 bis 2 Stunden lang bei einer Temperatur zwischen 1250 und 13JO0C gesintert.
An dem so erhaltenen PTC-Thermistorkörper werden dann
zwei- oder dreischichtige Elektroden angebracht.
Bei den zweischichtigen Elektroden gemäß Fig. 6 wird die
jeweils untere Schicht 3 an beiden Stirnseiten des Körpers 1 durch Siebdruck aufgebracht. Diese untere
Schicht 3 besteht aus Silber mit einem adhäsiven Oxyd oder adhäsiven Oxyden. Die Elektrodenpaste besteht
hauptsächlich aus Silberpulver mit Zusatz von mindestens
einem adhäsiven Oxyd wie beispielsweise Bleiborsi1ikatglas
(Frittej welche an beiden Enden des Körpers 1 aufgebracht wird und die sodann bei einer Temperatur von
500 bis 7000C gebacken wird. Auf dem Markt sind zahl-
909834/0 77 5
7840/14/Ch/Gr - 13 - 15. Febru^^
reiche solcher Silberelektrodenpasten erhältlich. Solche
Pasten bestehen beispielsweise aus Silber, einem
Metall zur Herstellung eines guten Ohm'schen Kontaktes zwischen der Elektrode und dem PTC-Thermistör, wie beispielsweise
In, Ga, Zn, Cd, Bi und Sn, einem adhäsiven Glasoxyd mit einer niederen Schmelztemperatur, einem
organischen Binder und "Lösungsmittel . Das adhäsive Glasoxyd schmilzt oder erweicht wahrend des Backens und
verbessert die Verbindung zwischen der Paste und dem PTC-Thermi storkörper. Nach de.ii Bilden der unteren Schicht
wird die obere Schicht 11 aufplattiert oder aufgebracht mittels eines Plattierverfahrens, beispielsweise durch
elektrolytisches Plattieren oder ein Verchromungsverfahren. Diese obere Schicht 11 wird auf die untere Schicht
3 aufgebracht. Die bevorzugten Bedingungen für den Auftrag sind folgende:
Nickel: Die Plattierlösung enthält 250 bis 350 g/l
Nickelsulfat (NiSO.),
1 bis 5 Ampere pro dm
1 bis 5 Ampere pro dm
Nickelsulfat (NiSO.), die Stromdichte beträgt zwischen
Zink: Die Plattierlösung enthält 30 bis 100 g/l Zinksulfat
(ZnSO4J , die Stromdichte der ersten Schicht
2 liegt zwischen 1 bis 5 Ampere pro dm .
Chrom: Die Verchromungslösung enthält zwischen 3 und
10 g/l Kaliumchromat (K
Um das Plattierverfahren einfach ausführen zu können,
wird vorzugsweise nur ein Metall, d.h. Nickel oder Chrom oder Zink aufplattiert. Es ist jedoch auch möglich,
eine Kombination von zwei oder drei dieser Metalle aufzubringen. Die beim Plattierverfahren verwendete
Anode ist eine Platte aus Zink oder Nickel. Ein Gleichstrom fließt zwischen dieser Anode und dem PTC-
909834/0775
7840/14/Ch/Gr - 14 - 15. Februar
Thermistor, welcher in die elektrolytisehe Nickel -oder
Zinkplattierlosung eintaucht, wobei dann eine Schicht
aus Nickel oder Zink gleichförmig elektrolytisch sich
auf der unteren Schicht 3 niederschlägt.
Bei der Herstellung der dreischichtigen Elektroden wira
die untere Schicht 3 gemäß Fig. 7 auf die gleiche Weise hergestellt wie die untere Schicht 3 gemäß Fig. 6. Die
Zwischenschicht 13 gemäß Fig. 7 wird elektrolytisch nie
dergeschlagen oder mittels Siebdruck auf die untere Schicht 3 aufgebracht. Die bevorzugten Bedingungen fur
diesen elektrolytischen Niederschlag sind folgende:
Gold: Eine Plattierlösung enthält 5 bis 10 g/l Goldcitrat
und die Stromdichte der unteren Schicht beträgt
ο
0,5 bis 1,0 Ampere pro dm .
0,5 bis 1,0 Ampere pro dm .
Kupfer: Die Plattierlösung enthält 70 bis 130 g/l Kupferpyrophosphat
und die Stromdichte der unteren Schicht liegt zwischen 1 und 5 Ampere pro dm .
Die beim Plattierverfahren verwendete Anode besteht aus
einer Kupfer- oder Goldplatte. Zwischen dieser Anode und dem PTC- Thermistor fließt ein Strom, wobei der
PTC-Thermistor in die Elektrolytlösung eintaucht. Bevorzugt wird nur Kupfer oder Gold aufgebracht, jedoch
ist es auch möglich, eine Kupfer-Silberlegierung niederzuschlagen.
Die Metallzwischenschicht 13, welche beyorzugt aus Silber
besteht, kann auf die untere Metallschicht 3 auch
mittels eines Druckverfahrens aufgebracht werden. Beim
Druckverfahren wird eine das Metall, wie beispielsweise
Silber in Pulverform und einen organischen Binder enthaltende Paste aufgebracht, welche anschließend bei einer
Temperatur zwischen 500 und 7000C gebacken wird.
909834/0775
7840/14/Cn/Gr - 15 - 15. Februar 1979
29059
Hierbei ist es nicht notwendig, daß ein adhäsives Glasoxyd ein Bestandteil der Paste ist. Ist in der Zwischenschicht
13 kein Glas enthalten, können die bei einer Glaszugabe auftretenden Nachteile bei einer dreischichtigen
Elektrode vermieden werden.
Das Verfahren zum Aufbringen der oberen Schicht 14 nach Fig. 7 kann das gleiche sein wie das Verfahren zum Erzeugen
der oberen Schicht 11 nach Fig. 6.
Die Hauptbestandteile eines PTC-Thermistors wurden in
Pulverform hergestellt, so daß die Zusammensetzung aus 52 Gew.-% BaO, 13 Gew.-% PbO und 35 Gew.-% TiO2 bestand.
Ein Halbleiter bildendes Element, wie beispielsweise
Y?0, wurde in einem Anteil von 0,15 Gew.-% neben Mangan
mit einem Anteil von 0,001 Gew.-% zugegeben und sodann
wurde ein wabenförmiger Körper gemäß den Fig. 1 und 3
geformt und gesintert. Hierbei wurden die Bestandteile zuerst in einer Kugelmühle gemischt, komprimiert, vorgesintert
bei einer Temperatur von 113O0C, pulverisiert
auf eine Korngröße von 1,5 bis 2,0 micron und gemischt mit einem organischen Binder aus Polyvinylalkohol mit
einem Anteil von 10 Gew.-%. Die Mischung des vorgesinterten Keramikmaterials und des organischen Binders wurde
zu einem wabenformigen Körper extrudiert, welcher anschließend
bei einer Temperatur von 1250 bis 13000C gesintert wurde. Der Widerstand des PTC-Thermistors bei
20cJ betrug 20 0hm. Der Durchmesser und die Dicke des
wabenförmigen Körpers 1 waren 40 mm bzw. 10 mm. Die
Durchgangskanäle 2 hatten eine Breite von 1 mm und die Dicke der Wandungen 4 betrug 0,2 mm. Der Widerstand des
wabenförmigen PTC-Thermistors änderte sich in Abhängigkeit
mit der Temperatur wie in Fig. 4 dargestellt, wobei
909834/0775
7S40/14/Ch/Gr - 16 - 15, Februar 1979
2305905
der Curiepunkt t ISS0C betrug. An beiden Enden des
Körpers 1 wurde eine Paste aufgebracht, welche näherungsweise
aus 90 % Silber, näherungsweise 4 % Bleiborsilikatglas
mit einem Rest aus Indium und Gailiuiri bestand.
Diese Paste wurde mittels eines Siebdruckverfahrens aufgebracht und sodann gebacken bei einer Temperatur
von 600 C, wobei sich Ohm'sche Elektroden 3 ergaben, welche 20 micron dick waren. Der wabenförmige Heizkörper
10a wurde sodann verbunden mit zwei Anschlüssen 5, wie in Fig. 5 gezeigt.
Über die Anschlüsse 5 wurde sodann der wabenförmige Heizkörper 10a an Wechselstrom von 100 Volt angeschlossen.
Hierbei wurde der Heizkörper 10a für 20 Zyklen
lang 1 Minute bestromt und 1 Minute nicht bestromt. Danach
wurde festgestellt, daß verschiedene Teile der
Elektroden 3 abgebrannt waren.
Der gleiche wabenförmige Heizkörper wie im Kontrollbeispiel
1 wurde wie zuvor beschrieben bestromt, jedoch betrug die Elektrodendicke diesmal 30 micron. Hierbei
wurde kein Abtrennen von Elektrodenbereichen festgestellt.
Ein wabenförmiger Heizkörper 10a wurde entsprechend dem
Kontrollbeispiel 1 hergestellt und mit Silberelektroden
von 10 micron Dicke versehen. Mittels einer Elektrolytplattierlösung
wurde auf diese untere Schicht 3 elektrolytisch eine Nickel schicht von 5 micron Dicke niedergeschlagen.
Es wurde hierbei eine elektrolytische Plattierlösung verwendet, welche 250 g/l NiSO4, 50 g/l
909834/0775
7840/14/Ch/Gr - 17 - 15. Februar 1979
NiCl-, und 40 g/I Borsäure enthielt, deren pH-Wert 5
und deren Temperatur 40 C betrug. Durch die Lösung wurde 20 Minuten lang ein Strom mit einer Dichte von 5
Ampere pro dm geleitet. Das wabenförmige Heizelement wurde sodann gemäß Kontrol1 bei spiel 1 bestromt.Es war
kein Abbrand bei den Elektroden feststellbar.
Ein wabenform!ger Heizkörper 10a wurde gemäß Kontrollbeispiel
1 hergestellt und mit Silberelektroden von
10 micron Dicke versehen.
Auf diese untere Silberschicht 3 wurde eire Zinkschichi
aufgebracht, welche eine Dicke von 5 micron aufwies. Hierbei wurde eine Elektrolytlösung verwendet, welche
70 g/l ZnSO. enthielt, deren pH-Wert 1 und deren Temperatur 25 C betrugt. Durch die Lösung wurde 20 Minuten
lang ein Strom mit einer Dichte von 5 Ampere pro dm geleitet.
Danach wurde das wabenförmige Heizelement bestromt wie in Zusammenhang mit dem Kontrol1 bei spiel 1 beschrieben.
Nach diesem Test war kein Abbrand feststellbar.
Es wurde ein wabenförmiger Heizkörper 10a entsprechend
dem Kontrollbeispiel 1 hergestellt mit Silberelektroden
von 10 micron Dicke.
Auf diese Silberschicht wurde eine Zinkschicht elektrolytisch
niedergeschlagen mit einer Dicke von 5 micron. Hierbei wurde eine Elektrolytlösung verwendet, welche
70 g/l ZnSO, enthielt, deren pH-Wert 1 betrug und bei der die Temperatur 250C war.
909834/0775
7S40/14/Ch/Gr - 18 - 15. Februar 1979
Das wabenförmige Heizelement wurde sodann bestromt, wie beim Kontrol1 bei spiel 1 beschrieben. Nach dem Test war
keinerlei Abbrand feststellbar.
Auf die Zinkschicht wurde eine Chromschicht von 100 Angström
Dicke aufgebracht, wobei der Chromumwandlungsprozeß ausgeführt wurde unter Verwendung einer Kaiiumchromatlösung
mit 5 g pro Liter.
Entsprechend dem Kontrollbeispiel 1 wurde ein wabe ηformiger
Heizkörper 10a hergestellt, dessen Si 1be^elektroden
3 eine Dicke von 10 micron hatten. Der Ohm'sche Kontakt zwischen jeder der Silberelektroden 3 (Fig. 7) und
den aus einem PTC-Thermistör bestehenden wabenfÖrmigen
Heizkörper 10a war somit hergestellt.
Eine Silberschicht 13 von 5 micron Dicke wurde mittels
Siebdruck auf den Silberelektroden aufgebracht. Die hierbei verwendete Silberpaste bestand hauptsächlich aus
Silberpulver und einem organischen Binder, wobei das Backen der Paste Dei 6000C erfolgte.
Auf jede der Silberzwischenschichten 13 wurde sodann eine
Nickel schicht von 5 micron Dicke elektrolytisch aufgebracht.
Die Elektrolytlösung enthielt 300 g/l NiSO4, 50 g/l NiCIp und 40 g/l Borsäure, wobei der pH-Wert 5
und die Temperatur 4O0C betrug. Die Stromdichte der
Lösung während 20 Minuten betrug 5 Ampere pro dm .
Das so erzeugte wabenförmige Heizelement wurde bestromt entsprechend dem Kontrollbeispiel 1. Ein Abbrand bei
den Elektroden war nicht feststellbar.
909834/0775
7840/14/Ch/Gr - 19 - 15. Februar 1979
23059
Das wabenform! ge Heizelement wurde sodann einem Korrosionstest
unterworfen entsprechend dem ASTM Standard D ^247. Anschließend wurde ein Salzwassertest entsprechend
dem ASTM Standard B 287 ausgeführt. Es waren danach keine Anormalitäten feststellbar.
Bei spiel.5
Das Verfahren gemäß Beispiel 4 wurde wiederholt. Die Silberzwischenschicht 13 gemäß Beispiel 4 wurde jedoch
ersetzt durch eine elektrolytisch aufgebrachte Goldzwischenschicht
13. Hierzu wurde das wabenförmige Heizelement 10a in eine Elektrolytlösung getaucht, welche
10 g/l Goldzitrat enthielt und deren pH-Wert 4,0 und deren Temperatur 250C betrug. Die Stromdichte über
Minuten betrug im Bad 0,7 Ampere pro dm . Die Testergebnisse waren die gleichen wie in Beispiel 4.
Das Verfahren gemäß Beispiel 4 wurde wiederholt. Anstelle
einer oberen Nickel schicht 14 gemäß Beispiel 4 wurde jedoch eine Zinkschicht entsprechend dem Beispiel
2 elektrolytisch aufgebracht. Die Testergebnisse waren die gleichen wie bei Beispiel 4.
Das Verfahren gemäß Beispiel 4 wurde wiederholt. Anstelle
einer oberen Nickel schicht 14 gemäß Beispiel 4 wurden jedoch Zink- und Chromschichten aufgebracht,
wie in Zusammenhang mit Beispiel 3 beschrieben. Die Testergebnisse waren die gleichen wie in Beispiel 4.
909834/0775
7840/14/Ch/Gr - 20 - 15. Febrir
»9-Q5
Sei sprieT 8
Das Verfahren gemäß den vorerwähnten Beispielen wurde
wiederholt bei einem PTC-Tftermistorkörper 1, dessen
Dicke auf 3,5 mm verändert wurde. Die Testergebnisse
waren die gleichen wie bei den vorerwähnten Beispielen
909834/0775
Claims (9)
1. Heizelement aus einem wabenförmigen Halbleiterkeramikkörper,
bei dem das Halbleitermaterial einen positiver.
Temperaturkoeffizienten des Widerstands oberhalb des
Curiepunkts aufweist und das aus Bariumtitanat zusamnengesetzt
ist, und bei dem zwei untere elektrisch
leitende Schichten, die haupt Sich!ich aus Silber bestehen,
an den Stirnflächen angeordnet sind, die an eine Stromquelle anschließbar sind, dadurch g e k
e η η ζ e "i c h η e t , daß auf jede der unteren Schichten eine Schicht aus mindestens einem Metal 1
der Nickel, Zink und Chrom enthaltenden Gruppe aufgebracht ist.
2. Heizelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der oberen ui.j der
unteren Schicht eine Zwischenschicht vorgesehen ist,
die aus mindestens einem Metall der Silber, Gold und Kupfer enthaltenden Gruppe besteht.
3. Heizelement nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η -
ζ e i c h η e t , daß die Gesamtdicke der oberen und
unteren Schichten im Bereich zwischen 10 und 35 micron 1iegt.
909834/0775 BAD ORIGINAL
7C43/:4/:h/Gr - 2 - Ιδ. Februar 1979
2306905
4. Heizelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, da:3 die Dicke der unteren Schichten
i ;n Bereich zwischen 5 und 10 λ i c r ο η und die Z i -: -<
e der oberen Schichte·"· in Bereich z.·.'sehen 5 und 20
η i c r ο η liegt.
5. Heizelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, da3 die Gesamtdicke der oberen,
mittleren und unteren Schichten im Bereich zwischen
15 und 40 micron liegt.
6. Heizelement nach Anspruch 5, dadurch g e k e η η -
ζ e i c h η e t , da:3 die Dicke der unteren Schichten
im Eereich zwischen δ und 10 micron, die Dicke der mittleren Schicht im Bereich zwischen 5 und 20 micror
und die Dicke der oberen Schicht im Bereich von 3
bis 7 micron liegt.
7. Heizelement nach einem der Ansprüche 1 bis δ, dadurch gekennze i chnet , daß die Dicke
der Wandungen des wäbenförmigen Halbleiterkeramikkörpers
zwischen 3,5 und 6 mm liegt.
8. Verfahren zur Herstellung eines Heizelements nach
den Ansprüchen 1, 3 und 4, wobei mittels eines Siebdruck Verfahrens zuerst auf den wabenförmigen Halbleiterkörper
stirnseitig je eine untere elektrisch leitende Schicht aufgebracht wird, dadurch g e kennzeichnet,
daß auf diese untere elektrisch leitende Schicht eine obere leitende Schicht aufplattiert wird, die aus mindestens einen
Metall der Nickel, Zink und Chrom enthaltenden Gruppe besteht.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, da3 nach dem Aufdrucken der unteren
909834/0 775
7840/14/Ch/Gr - 3 - 15. Februar 1979
Schicht urd vor de~i Plattieren der oberen Schicht
eine Zwischenschicht auf die untere Schicht aj1-plattiert
oder mittels Siebdruck aufgebracnt «ir(J4
wobei diese Zwischenschicht aus 'mindestens einem
Metall der Silber, Gold und Kupfer enthaltenden Gruppe besteht.
909834/0775 BAD ORIGINAL
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53018573A JPS5826795B2 (ja) | 1978-02-22 | 1978-02-22 | ハニカム状発熱体とその製造方法 |
JP1857478A JPS54112038A (en) | 1978-02-22 | 1978-02-22 | Honeycomb heating element and its preparation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2905905A1 true DE2905905A1 (de) | 1979-08-23 |
DE2905905C2 DE2905905C2 (de) | 1989-09-21 |
Family
ID=26355274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792905905 Granted DE2905905A1 (de) | 1978-02-22 | 1979-02-16 | Wabenfoermiges heizelement |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4232214A (de) |
DE (1) | DE2905905A1 (de) |
GB (1) | GB2015250B (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5474746A (en) * | 1991-09-09 | 1995-12-12 | Emitec Gesellschaft Fuer Emissionstechnologie Mbh | Catalyst carrier body for exhaust systems of internal combustion engines |
EP3196659A1 (de) | 2016-01-19 | 2017-07-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Strömungssensor und verfahren zu seiner herstellung |
DE102016225462A1 (de) * | 2016-12-19 | 2018-06-21 | E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH | Heizeinrichtung, Kochgerät mit einer Heizeinrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Heizelements |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2061075B (en) * | 1979-10-11 | 1983-08-10 | Tdk Electronics Co Ltd | Ptc heating apparatus |
DE3107290A1 (de) * | 1980-03-03 | 1982-01-07 | Canon K.K., Tokyo | Heizvorrichtung |
US4401879A (en) * | 1981-02-20 | 1983-08-30 | Texas Instruments Incorporated | Self-regulating electrical resistance heater and fuel supply system using the heater |
JPS6048201U (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | ティーディーケイ株式会社 | 正特性サ−ミスタ装置 |
US4570046A (en) * | 1983-09-09 | 1986-02-11 | Gte Products Corporation | Method of processing PTC heater |
US4855571A (en) * | 1988-01-29 | 1989-08-08 | Industrial Technology Research Institute | Positive temperature coefficient ceramic heating element for heating a fluid |
DE3900787A1 (de) * | 1989-01-12 | 1990-07-19 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung eines keramischen elektrischen bauelementes |
US5160912A (en) * | 1989-06-19 | 1992-11-03 | Dale Electronics, Inc. | Thermistor |
JPH04118901A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-20 | Komatsu Ltd | 正特性サーミスタおよびその製造方法 |
DE9103880U1 (de) * | 1991-03-28 | 1992-07-30 | Roth-Technik Gmbh & Co Forschung Fuer Automobil- Und Umwelttechnik, 7560 Gaggenau, De | |
US5281845A (en) * | 1991-04-30 | 1994-01-25 | Gte Control Devices Incorporated | PTCR device |
DE69320098T2 (de) * | 1992-05-15 | 1999-04-01 | Denso Corp | Kaltleiterthermistor für Heizgeräte und Verfahren zur Herstellung |
US5277937A (en) * | 1992-06-03 | 1994-01-11 | Corning Incorporated | Method for controlling the conductance of a heated cellular substrate |
JPH05343201A (ja) * | 1992-06-11 | 1993-12-24 | Tdk Corp | Ptcサーミスタ |
US5353370A (en) * | 1993-03-11 | 1994-10-04 | Calspan Corporation | Non-uniform temperature profile generator for use in short duration wind tunnels |
US5607631A (en) * | 1993-04-01 | 1997-03-04 | Hughes Electronics | Enhanced tunability for low-dielectric-constant ferroelectric materials |
US5443746A (en) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Hughes Aircraft Company | Ferroelectric aerogel composites for voltage-variable dielectric tuning, and method for making the same |
EP0853239A3 (de) * | 1997-01-13 | 2001-01-17 | Kabushiki Kaisha Riken | Gassensor und Heizeinheit |
DE19809976C2 (de) * | 1998-03-09 | 2001-09-06 | Heimbach Gmbh Thomas Josef | Formkörper aus einer elektrisch leitfähigen Keramikverbindung sowie Verfahren zur Herstellung des Formkörpers |
US8529842B2 (en) * | 1999-05-31 | 2013-09-10 | Emitec Gesellschaft Fuer Emissionstechnologie Mbh | Ceramic honeycomb body and method for producing the same |
KR100567883B1 (ko) * | 2004-03-17 | 2006-04-04 | 엘에스전선 주식회사 | 리드 구조가 개선된 서미스터 및 이 서미스터가 부착된이차전지 |
WO2008078374A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Namics Corporation | 太陽電池用導電性ペースト |
DE102007020531A1 (de) * | 2007-05-02 | 2008-11-06 | Leister Process Technologies | Heißlufteinrichtung mit einem im Luftstrom angeordneten Heizelement |
DE102011054752B4 (de) * | 2011-10-24 | 2014-09-04 | Stego-Holding Gmbh | Kühl- und Haltekörper für Heizelemente, Heizgerät und Verfahren zur Herstellung eines Kühl- und Haltekörpers |
DE102011054750B4 (de) | 2011-10-24 | 2014-08-21 | Stego-Holding Gmbh | Kühl- und Haltekörper für Heizelemente, Heizgerät und Verfahren zur Herstellung eines Kühl- und Haltekörpers |
CN104756305B (zh) * | 2012-11-05 | 2016-07-20 | 日产自动车株式会社 | 电池调温装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3676211A (en) * | 1970-01-02 | 1972-07-11 | Texas Instruments Inc | Contact system for electrically conductive ceramic-like material |
US3927300A (en) * | 1973-03-09 | 1975-12-16 | Ngk Insulators Ltd | Electric fluid heater and resistance heating element therefor |
DE2639370A1 (de) * | 1975-09-03 | 1977-03-24 | Ngk Insulators Ltd | Heizelement |
DE2433458C3 (de) * | 1974-07-11 | 1977-06-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Keramischer elektrischer Widerstand mit positivem Temperaturkoeffizienten und Verfahren zu seiner Herstellung |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2882377A (en) * | 1951-10-24 | 1959-04-14 | Pittsburgh Plate Glass Co | Electrical resistor metal coatings on refractory materials |
US2961522A (en) * | 1957-07-30 | 1960-11-22 | Mayflower Electronics Corp | Heating panel |
US3995143A (en) * | 1974-10-08 | 1976-11-30 | Universal Oil Products Company | Monolithic honeycomb form electric heating device |
US4107515A (en) * | 1976-09-09 | 1978-08-15 | Texas Instruments Incorporated | Compact PTC resistor |
-
1979
- 1979-02-16 DE DE19792905905 patent/DE2905905A1/de active Granted
- 1979-02-19 GB GB7905766A patent/GB2015250B/en not_active Expired
- 1979-02-22 US US06/014,283 patent/US4232214A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3676211A (en) * | 1970-01-02 | 1972-07-11 | Texas Instruments Inc | Contact system for electrically conductive ceramic-like material |
US3927300A (en) * | 1973-03-09 | 1975-12-16 | Ngk Insulators Ltd | Electric fluid heater and resistance heating element therefor |
DE2433458C3 (de) * | 1974-07-11 | 1977-06-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Keramischer elektrischer Widerstand mit positivem Temperaturkoeffizienten und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE2639370A1 (de) * | 1975-09-03 | 1977-03-24 | Ngk Insulators Ltd | Heizelement |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5474746A (en) * | 1991-09-09 | 1995-12-12 | Emitec Gesellschaft Fuer Emissionstechnologie Mbh | Catalyst carrier body for exhaust systems of internal combustion engines |
EP3196659A1 (de) | 2016-01-19 | 2017-07-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Strömungssensor und verfahren zu seiner herstellung |
DE102016225462A1 (de) * | 2016-12-19 | 2018-06-21 | E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH | Heizeinrichtung, Kochgerät mit einer Heizeinrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Heizelements |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2015250A (en) | 1979-09-05 |
US4232214A (en) | 1980-11-04 |
DE2905905C2 (de) | 1989-09-21 |
GB2015250B (en) | 1982-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2905905A1 (de) | Wabenfoermiges heizelement | |
DE2746381C2 (de) | Sauerstoff-Sensor | |
DE2903442C2 (de) | ||
DE3538460C2 (de) | ||
DE2639370B2 (de) | Heizelement | |
DE2941196C2 (de) | ||
DE2548019A1 (de) | Keramisches heizelement | |
DE19532791A1 (de) | Kathodenstromkollektor für eine Brennstoffzelle | |
DE2853134C2 (de) | Keramikvaristor | |
DE2160145C3 (de) | Direktheizkathode für Elektronenröhren | |
DE2334164A1 (de) | Sonnenbatterieelement und verfahren zu seiner herstellung | |
EP0123127A1 (de) | Flexibles Heizelement in Bandform, das aus elektrisch leitfähigen Körnchen aus PTC-Material und einem organischen isolierenden Kunststoff als Bindemittel besteht, und Verfahren zur Herstellung des flexiblen Heizelementes | |
DE3004736C2 (de) | Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE4420944C2 (de) | Keramischer Heizkörper | |
DE3509014A1 (de) | Elektrisches bauelement mit einem keramisch hergestellten koerper und gegenpoligen kontaktbelegungen | |
DE2817673A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer auf einem metallischen traeger aufgeschweissten kontaktschicht | |
DE1765097B2 (de) | Spannungsabhaengiger widerstand aus einer gesinterten scheibe aus zinkoxid | |
DE1253135B (de) | Hochtemperatur-Verbund-Elektrode und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE1948034B2 (de) | Halbleiterelement mit Ohm'schem Kontakt | |
DE2543079B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Trockenelektrolytkondensatoren | |
AT124031B (de) | Glühkathode. | |
DE2938985A1 (de) | Zuendkerze | |
DE1515080C (de) | Plattenformiges elektrisches Heizele ment fur Heiz und Kochgerate sowie Flachen heizungen | |
DE2530704A1 (de) | Verbundwerkstoff als halbzeug fuer elektrische kontaktstuecke und herstellungsverfahren hierzu | |
DE628458C (de) | Druckkontakt-Trockengleichrichter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: TDK CORPORATION, TOKYO, JP |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |