KR930024201A - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

이 발명은 InyGar1-yP를 활성층으로 하는 640㎚ 파장대의 가시광선 반도체 발광소자의 클래드층을 AlxGal-xAs(x~0.7)으로 하고 액상결정성장(Liquid Phase Epitaxy)법을 이용한 매립형 구조(Buried Heterostructure)의 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
또한, 발진개시 전류의 저감화 및 광출력 증대에 기여할 수 있으며 안정된 기본 횡모우드를 유지할 수 있다.

Description

반도체 발광소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 이 발명에 의한 반도체 발광소자의 단면도, 제3도의 (가)~(다)는 이 발명에 의한 제2도의 제조공정순서도이다.

Claims (10)

  1. 제2도전형의 기판과 상기 기판위에 수직 메사형태로 형성된 제2도전형의 제1클래드층, 언도우프 활성층, 제1도전형의 제2클래드층, 저항접촉층인 제1도전형의 캡층, 스트라이프 형태의 절연막, 제1도전형 전극 및 제2도전형 전극으로 형성된 매립형 반도체 발광소자에 있어서, 상기 수직 메사 형태로 형성된 제1 및 제2클래드층과 활성층의 양쪽에 윈도우층과 역메사 구조형태의 전류제한층을 구비함을 특징으로 하는 매립형 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 활성층은 언도우프 InyGa1-yP(y~0.5)으로된 매립형 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1치 제2클래드층과 윈도우층은 AlxGa1-xAs(x~0.7)으로 된 매립형 반도체 발광소자.
  4. 매립형 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, 1차 에피성장을 통해 기판상에 제1클래드층, 활성층 및 제2클래드층으로 이루어지는 이중 이중구조(Double Heterostructure)를 만든 다음, 그 상부에 에칭마스크를 형성하는 공정과; 상기 에칭 마스크를 마스크로 하고 식각용액을 사용하여 식각해내어 메사(mesa) 구조를 형성한 후 상기 에칭 마스크를 제거하는 공정과; 윈도우층 및 전류 제한층을 형성하기 위한 2차 에피성장시 볼록한 제2클래드층 부분까지 접촉하는 평형 또는 과포화된 용액에 의해 자연스럽게 되녹임되어 역메사구조를 갖도록 하는 공정과; 상기 전류 제한층과 제2클래드층위에 저항접촉층인 캡층을 형성하는 공정과; 상기 캡층위에 스트라이프 형태의 절연막을 형성하는 공정과; 상기 절연막 및 캡층의 상부와 기판의 하부에 각각 전극을 형성하는 공정을 포함하는 매립형 반도체 발광소자의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1및 제2클래드층과 윈도우층은 AlxGa1-xAs(x~0.7)으로 이루어진 매립형 반도체 발광소자의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 활성층은 InyGa1-yP(y~0.7)으로 이루어진 매립형 반도체 발광소자의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 에칭 마스크는 SiO2또는 Si3N4등으로 이루어진 매립형 반도체 발광소자의 제조방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 메사구조는 화학적 에칭 또는 멜트백(melt Back) 에칭에 의해 형성된 매립형 반도체 발광소자의 제조방법.
  9. 제4항에 있어서, 상기 식각용액은 황산계 용액(H2SO4)으로 이루어진 매립형 반도체 발광소자의 제조방법.
  10. 제4항에 있어서, 상기 반도체층들의 형성공정은 액상결정 성장법에 의해 형성된 매립형 반도체 발광소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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