KR930022710A - 이득제어회로를 구비한 광통신용 전치증폭기 - Google Patents

이득제어회로를 구비한 광통신용 전치증폭기

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KR930022710A
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쿠라우찌 노리타카
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Abstract

본 발명의 목적은 주파수대역의 향상과 다이내믹레인지의 향상을 동시에 만족시킬 수 있는 광통신용의 전치증폭기를 제공하는데 있다. 따라서, 위상반전증폭기는 입력용의 FET와 그의 부하와, 이득제어회로로 구성되고, 상기 이득제어회로는 상기 부하와 병렬로 설치되어, 부하를 통해 흐르는 전류가 소정치를 초과한 경우 유효부하저항치를 감소시킴으로써 위상반전증폭기의 오픈루프이득을 저하시키며, 또한 상기 이득제어회로는 게이트가 일정 전압에 의해서 부세되는 전형적인 FET이다. 또, 상기 위상반전증폭기의 부귀환로에는 귀환저항이 설치되어 있고, 이 귀환저항과 병렬로 바이패스회로가 설치되어 귀환량이 소정치를 초과한 경우 유효귀환저항치를 감소시키도록 구성되어 있다.

Description

이득제어회로를 구비한 광통신용 전치증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 전치증폭기의 일반적인 개념을 표시한 회로도.
제3도는 본 발명의 제1실시예에 의한 전치증폭기를 도시한 회로도.
제4도는 본 발명의 제2실시예에 의한 전치증폭기를 도시한 회로도.

Claims (12)

  1. 광검출기에 의해 발생된 입력신호를 증폭하는 광통신용 전치증폭기에 있어서 상기 입력신호를 증폭하기 위하여, 입력용의 FET와 그의 부하를 포함하는 위상반전증폭기와, 상기 부하를 통해 흐르는 전류가 제1소정치를 초과한 경우 유효부하저항치를 감소시킴으로써 위상반전증폭기의 오픈루프이득을 저하시키는 이득제어수단과, 상기 위상반전증폭기의 부귀환로에 설치된 귀환저항과, 귀환량이 제2소정치를초과한 경우 유효귀환저항치를 감소시키는 바이패스 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 광통신용 전치증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이득제어수단은, 소스 및 드레인의 상기 부하의 각 단자에 접속되고, 게이트가 일정전압에 의해서 바이어스되는 이득제어 FET로 구성된 것을 특징으로 하는 전치증폭기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이득제어수단은 부하와 병렬로 설치된 다이오드로 구성된 것을 특징으로 하는 광통신용 전치증폭기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 바이패스수단은 상기 귀환저항과 병렬로 설치된 다이오드로 구성된 것을 특징으로 하는 광통신용 전치증폭기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 바이패스수단은, 드레인 및 게이트가 상기 귀환저항의 한쪽 단자에 접속되고, 소스가 상기 귀환저항의 다른쪽 단자에 접속된 증강형 FET로 구성된 것을 특징으로 하는 광통신용 증폭기.
  6. 제1항에 있어서, 상기 바이패스수단은, 드레인 및 소스가 상기 귀환저하의 각 단자에 접속되고, 게이트가 일정전압에 의해서 바이어스되는 공핍형 FET로 구성된 것을 특징으로 하는 광통신용 전치증폭기.
  7. 제1항에 있어서, 상기 바이패스수단은, 드레인 및 소스가 상기 귀환저항의 각 단자에 접속되고, 게이트가 상기 위상반전증폭기의 출력신호에 의해서 제어되는 공핍형 FET로 구성된 것을 특징으로 하는 광통신용 전치증폭기.
  8. 제1항에 있어서, 상기 위상반전증폭기의 출력신호를 분할하는 분압수단을 구비하고, 상기 바이패스수단은, 드레인 및 소스가 상기 귀환저항의 각 단자에 접속되고, 게이트가 상기 분압수단의 분압출력신호에 의해 제어되는 공핍형 FET로 구성된 것을 특징으로 하는 광통신용 전치증폭기.
  9. 제8항에 있어서, 상기 분압수단은, 출력신호를 소스폴워하기 위한 FET와, 상기 소스폴로워된 출력신호를 분할하는 복수개의 저항으로 구성된 것을 특징으로 하는 광통신용 전치증폭기.
  10. 제8항에 있어서, 상기 분압수단은 출력신호를 소스폴로워하기 위한 FET와, 게이트 및 소스가 서로 접속된 동시에 드레인이 상기 소스폴로용 FET의 소스에 접속도 제2공핍형 FET로 구성된 것을 특징으로 하는 광통신용 전치증폭기.
  11. 제9항에 있어서, 상기 분압수단은, 게이트 및 소스가 서로 접속되고 드레인에 분압출력신호가 출력되는, 상기 저항중 하나와 병렬로 설치된 제2공핍형 FET를 구비한 것을 특징으로 하는 광통신용 전치 증폭기.
  12. 제1항에 있어서, 상기 위상반전증폭기와 바이패스수단에 이용되는 FET는 GaAs MESFET인 것을 특징으로 하는 광통신용 전치증폭기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930006866A 1992-04-24 1993-04-23 이득제어회로를 구비한 광통신용 전치증폭기 KR0127898B1 (ko)

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