KR930015328A - Mos 슈미트 트리거 회로 - Google Patents

Mos 슈미트 트리거 회로 Download PDF

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KR930015328A
KR930015328A KR1019910025752A KR910025752A KR930015328A KR 930015328 A KR930015328 A KR 930015328A KR 1019910025752 A KR1019910025752 A KR 1019910025752A KR 910025752 A KR910025752 A KR 910025752A KR 930015328 A KR930015328 A KR 930015328A
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KR
South Korea
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mos
schmitt trigger
trigger circuit
inverter
capacitance
Prior art date
Application number
KR1019910025752A
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English (en)
Inventor
유희준
Original Assignee
정몽헌
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 슈미트 트리거 회로에 관한 것으로, N-MOS 나 P-MOS를 사용한 피드백 트랜지스터를 신호선으로부터 분리시켜 피드백 트랜지스터에 의한 부하를 없애주어 신호 전송속도와 슈미트 트리거 동작을 최적화시켜 고속디지탈 회로의 입력단에 사용하도록 한 슈미트 트리거 회로에 관한 것이다.

Description

MOS 슈미트 트리거 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 N-MOS 슈미트 트리거 회로도,
제2도는 N-MOS 슈미트 트리거 회로의 히스테리시스 곡선을 나타낸 그래프,
제3도는 본 발명의 다른 실시예로서 P-MOS 슈미트 트리거 회로도.

Claims (1)

  1. 제2N-MOS(M2)와 P-MOS(M3)에 의해 반전된 입력신호가 인버터(IV)를 통해 제3N-MOS(M4)를 도통시켜 인버터(IV)의 입력 캐패시턴스가 제3N-MOS(M4)의 드레인 접합 캐패시턴스로 일부가 분리되어 부하 캐패시턴스가 발생되는 MOS 슈미트 트리거 회로에 있어서, 상기한 제2N-MOS(M2)의 소오스 단자에 제3N-MOS(M4)의 드레인 단자를 연결하고, 제3N-MOS(M4)의 소오스 단자를 접지시켜 인버터(IV)의 입력 캐패시턴스로만 사용함을 특징으로 하는 MOS 슈미트 트리거 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910025752A 1991-12-31 1991-12-31 Mos 슈미트 트리거 회로 KR930015328A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100695001B1 (ko) * 2000-12-19 2007-03-14 주식회사 하이닉스반도체 입력버퍼

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100695001B1 (ko) * 2000-12-19 2007-03-14 주식회사 하이닉스반도체 입력버퍼

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