KR930014979A - 반도체 메모리 소자 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
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Abstract
본 발명에 다르면 CCD 영상소자의 광검출영역을 커패시터로 하고 VCCD 영역을 비트라인으로 하고 또한 광검출 영역과 VCCD 영역사이의 바깥으로 격리용 트랜치가 형성되고 상기 광검출 영역 및 VCCD 영역 상측의 반도체 표면에 워드라인이 형성된 것이다.
따라서 반도체의 전체 면적을 줄일 수 있으며 CCD 영상소자를 이용한 반도체 메모리 소자를 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 메모리소자의 구조단면도,
제5도는 제4도의 일실시예도.
Claims (3)
- 반도체 기판내의 소정영역에 웰이 형성되고 상기 웰의 에지부분에 격리용 트랜치가 형성됨과 아울러 이들 트랜치 사이에는 광검출영역과 전위장벽용 박막층 그리고 VCCD 영역이 수평으로 나란히 형성되며 기판표면에 워드라인이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자.
- 제1항에 있어서, 광검출 영역을 커패시터로 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자.
- 제1항에 있어서, VCCD 영역을 비트라인으로 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910023861A KR950006470B1 (ko) | 1991-12-23 | 1991-12-23 | 반도체 메모리소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910023861A KR950006470B1 (ko) | 1991-12-23 | 1991-12-23 | 반도체 메모리소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930014979A true KR930014979A (ko) | 1993-07-23 |
| KR950006470B1 KR950006470B1 (ko) | 1995-06-15 |
Family
ID=19325532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910023861A KR950006470B1 (ko) | 1991-12-23 | 1991-12-23 | 반도체 메모리소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950006470B1 (ko) |
-
1991
- 1991-12-23 KR KR1019910023861A patent/KR950006470B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950006470B1 (ko) | 1995-06-15 |
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