KR930013839A - 공간 광 변조기용 메모리 회로 및 어드레싱 방법 - Google Patents

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Abstract

전기적으로 어드레싱가능한 마이크로-미캐니컬 변조 소자를 갖고, 그 어드레스 전극은 그 소자가 입사 광선에 어떻게 영향을 주는가를 결정하는 공간 광 변조기(10)과 함께 사용하기 위한 메모리 회로(11)가 제공된다. 메모리회로는 각 변조 소자의 어드레스 전극과 통신하는 적어도 하나의 메모리 셀을 갖는다. 각 메모리 셀은 마이크로-미캐니컬 운동을 결정하기 위한 데이타를 메모리 셀의 각 열의 비트선을 통해 수신한다. 행 선택 신호(15)는 데이타가 그 행에 기입될 것인지를 결정한다. 셀에 기입하기 위해 사용되는 한 레벨과 변조 소자를 동작시키기 위해 사용되는 다른 레벨을 갖는 2레벨 전압 라인은 각 메모리 셀에 전력을 공급한다.

Description

공간 광 변조기용 메모리 회로 및 어드레싱 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 공간 광 변조기의 변조 소자 어레이와 그 메모리 로딩 회로를 도시한 도면.

제2A도 및 제2B도는 제1도의 SLM 어레이에 사용될 수 있는 것과 같은 가동 변조소자를 도시한 도면.

제3도는 제1도의 어레이를 위한 어드레싱 회로를 도시한 도면.

제4도는 각 열 및 그 열을 위한 단일 메모리 셀과 접속되어 있는 분리 스위치 및 풀업트랜지스터를 도시한 도면.

제5도는 각 메모리 셀에 전압을 쉬프트하기 위한 레벨 쉬프터 회로를 도시한 도면.

Claims (20)

  1. 전기적으로 어드레싱 가능한 마이크로-미캐니컬 요소들의 공간 광 변조기 어레이와 함께 사용하기 위한 메모리 회로에 있어서, 공간 광 변조기의 각 요소가 얻레스 전극을 통해 적어도 하나의 메모리 셀과 통신하는 스태틱 메모리 셀들의 어레이, 상기 셀들에 기입하기 위한 제1전압레벨과, 상기 공간 광변조기의 상기 요소들을 동작하기 위한 제2전압 레벨을 제공하기 위해, 상기 메모리 셀 각각과 통신하고 있는 2레벨 전원 입력 라인, 상기 전원 입력 라인 상의 전압을 행 단위로 가변하기 위한 레벨 쉬프터, 행 선택 신호의 상태에 따라 데이타를 상기 메모리셀에 전달하기 위해, 상기 메모리 셀들 각각과 통신하고 있는 액세스 스위치, 상기 메모리 셀 어레이의 한 열의 모든 메모리 셀에 공통이고, 상기 엑세스 스위치들 각각과 통신하고 있는 데이타 비트선, 및 상기 액세스 스위치들 각각과 통신하고 있는 행선택 신호 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀들 각각이 래치인 것을 특징으로 하는 메모리 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀들 각각이 한쌍의 교차결합 인버터인 것을 특징으로 하는 메모리 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 메모리 회로가 CMOS 제조 수단에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 메모리 회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀들을 상기 공간 광 변조기의 다른 회로로부터 분리시키기 위해 변조 소자의 각 열과 접속된 분리 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 분리 스위치가 입력을 반대 극성의 신호들을 발생시키는 인버터와 통신하는 것을 특징으로 하는 메모리 회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 비트선 상의 전압을 요구되는 전압으로 끌어올리기 위해 상기 액세스 스위치의 데이타 입력 노드와 통신하고 있는 풀업 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이의 각 행에 하나씩 다수의 상기 레벨 쉬프터를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 회로.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전압은 라인을 통해 상기 메모리 셀 어레이의 각 행에 전달되는 것을 특징으로 하는 메모리 회로.
  10. 입사광의 변조 방식을 결정하도록 각각이 전기적으로 어드레싱가능한 공간 광 변조 소자들의 어레이, 상기 변조 소자 각각이 어드레스 전극을 통해 적어도 하나의 메모리 셀과 통신하고 있는 스택틱 메모리 셀들의 어레이, 행 선택 신호의 상태에 따라 상기 메모리 셀에 데이타를 전달하기 위하여 각 변조 소자의 메모리 셀과 통신하고 있는 액세스 스위치, 상기 메모리 셀들 각가에 가변 전압을 공급하기 위한 2레벨 전압 공급 라인, 상기 전압 공급 라인상의 전압을 행 단위로 가변시키기 위한 레벨 쉬프터 및 데이타를 상기 메모리 셀 어레이에 로드시키기 위한 입력 로딩 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 입력 로딩 회로가 쉬프트 레지스터, 병렬 래치, 및 열 구동기들을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 시스템.
  12. 제10항에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이로부터 데이타를 판독하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 시스템.
  13. 제10항에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이의 각 행마다 하나씩 다수의 상기 레벨 쉬프터를 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 시스템.
  14. 제10항에 있어서, 상기 전압 공급 라인이 라인을 통해 상기 메모리 셀 어레이이 각 행에 전달되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 시스템.
  15. 제10항에 있어서, 상기 메모리 셀이 교차 결합된 인버터들인 것을 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 시스템.
  16. 변조 소자들의 어레이를 갖는 공간 광 변조기를 동작시키기 위해 사용되고 적어도 하나가 각 변조 소자에 접속되어 있는 메모리 셀 어레이를 어드레싱 하는 방법에 있어서, 변조 소자의 한 상태를 나타내는 데이타 신호를 상기 메모리 셀에 전달하는 단계, 제1전압 레벨을 상기 메모리 셀에 공급하는 단계, 상기 메모리 셀이 상기 제1전압 레벨에 의해 전력이 공급되는 동안 상기 데이타 신홀ㄹ 상기 메모리 셀에 기입하는 단계, 제2전압 레벨을 상기 메모리셀에 공급하는 단계, 및 상기 메모리 셀이 상기 제2전압 레벨에 의해 전력이 공급되는 동안 상기 변조 소자를 에너지화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 셀 어드레싱 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 메모리 셀이 상기 데이타 신호를 수신할지를 결정하기 위해 행 선택 신호를 상기 메모리 셀의 한 행에 전달하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 셀 어드레싱 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이를 상기 공간 광 변조기의 다른 전자회로로부터 전자적으로 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 셀 어드레싱 방법.
  19. 제16항에 있어서, 상기 제1전압 레벨을 공급하는 단계와 상기 제2전압 레벨을 공급하는 단계를 행 선택신호에 의해 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 셀 어드레싱 방법.
  20. 제16항에 있어서, 상기 제2전압레벨이 두 극성을 상기 메모리 셀의 출력으로 발생시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 셀 어드레싱 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920026430A 1991-12-31 1992-12-30 공간 광 변조기용 메모리 회로 및 어드레싱 방법 KR100284017B1 (ko)

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