KR930010977B1 - 반도체 웨이퍼 연삭장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼 연삭장치 Download PDF

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KR930010977B1
KR930010977B1 KR1019900004924A KR900004924A KR930010977B1 KR 930010977 B1 KR930010977 B1 KR 930010977B1 KR 1019900004924 A KR1019900004924 A KR 1019900004924A KR 900004924 A KR900004924 A KR 900004924A KR 930010977 B1 KR930010977 B1 KR 930010977B1
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마사노리 니시구찌
노보루 고도오
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스미도모덴기 고오교오 가부시기가이샤
나까하라 쯔네오
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 웨이퍼 연삭장치
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 반도체 웨이퍼 연삭장치의 측단면도.
제2도는 본 발명의 제2실시예에 의한 반도체 웨이퍼 연삭장치의 측단면도.
제3도는 제2실시예의 변형예를 도시한 부분측면도.
제4도는 본 발명의 제3실시예에 의한 반도체 웨이퍼 연삭장치의 측면도.
제5도는 제3실시예의 변형예를 도시한 부분측면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 연삭장치 2 : 회전테이블
3 : 연삭지석 4, 5 : 구동모터
6 : 작동기 7 : 부착대
8 : 진공관 9 : 밸브
10 : 스테이지 10a : 주위벽
10b : 환상의 홈 10c : 배출구
11 : 연통유로 12, 16 : 사이드 테이블
13 : 집수통 14 : 방류구
15 : 열절연층 17 : 적하방지덮개
21 : 유입관(로) 22 : 유입구
23 : 유출관(로) 24 : 유출구
25 : 순환유로 26 : 액펌프
27 : 여과기 28 : 라디에이터
29 : 액보급관 30 : 냉각액탱크
31 : 유입측온도계 32 : 유출측 온도계
33 : 마이크로 컴퓨터 34 : 유량조절밸브
W : 반도체 웨이퍼 S : 연삭면
본 발명은 반도체 웨이퍼 연삭장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 웨이퍼를 연삭하는 동안 냉각수를 사용하여 냉각시키는 장치에 관한 것이다.
종래의 연삭장치에서 반도체 웨이퍼는 계속해서 흐르는 냉각수에 냉각된다. 이 경우 냉각수는 연삭시 발생한 열을 흡수한 뒤 버려진다.
특히 GaAs 반도체 웨이퍼의 다이싱전의 백그라인딩공정에 있어서, 이 웨이퍼를 손상하면, 이 웨이퍼는 회로단면이 이미 완성된 상태였기 때문에, 웨이퍼 수율이 감소된다.
반도체 웨이퍼 연삭가공시 발생하는 과도한 연삭열은 조직적 변형, 연삭연소, 연삭균열 또는 잔류응력 등이 생기는 원인이 되며, 이런 단점은 이미 잘 알려져 있다. 또, 비정상적인 연삭에 의해 연삭열이 갑자기 상승된다는 점 또는 경험적으로 알려져 있다.
따라서, 비정상적인 연삭상태를 발견하기 위해서는 연삭되는 웨이퍼의 온도를 측정해야만 한다.
이 경우 반도체 웨이퍼의 온도를 측정하기 위하여 온도계는 반도체 웨이퍼에 접촉시키거나 연삭지석사이에 끼워 놓아야 한다. 그러나 반도체 웨이퍼와 온도계를 접촉시킨다는 것은 매우 어려운 일이다. 왜냐하면, 반도체 웨이퍼는 매우 얇고, 부서지기 쉬운 재료로 이루어져 있고, 회전하는 동안 연삭을 해야 하기 때문이다. 또, 온도계를 연삭지석 사이에 끼워놓는다 할지라도, 반도체 웨이퍼의 연삭온도를 간접적으로 측정하는 것으로 되어, 반도체 웨이퍼의 연삭온도를 정확히 측정할 수가 없다.
본 발명의 첫번째 목적은 연삭온도를 정확히 측정할 수 있는 연삭장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 두번째 목적은 반도체 웨이퍼의 조직적 변형, 연삭연소, 연삭균열 또는 잔류응력을 막기 위하여 냉각액을 일정한 온도로 유지할 수 있는 연삭장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의하면, 연삭가공할 웨이퍼를 탑재하는, 적어도 회전가능한 작업 스테이지를 지니는 테이블과, 상기 작업스테이지의 회전축과 평행한 축을 중심으로 회전하면서 소정의 방향으로 상기 작업스테이지쪽으로 이동하는 연삭지석과, 상기 반도체 웨이퍼의 연삭면으로 냉각액을 인도하는 유입관로와, 상기 유입관로측에 설치되어 공급되는 냉각액의 온도를 검출하는 유입측 온도 검출수단과, 상기 작업스테이지상으로 흐른 냉각액을 수집하는 유출 관로와, 상기 유출관로측에 설치되어 수집한 냉각액의 온도를 검출하는 유출측 온도 검출수단과, 냉각액의 유량과, 상기 연산지석의 회전속도와, 상기 연산지석의 이동속도와, 상기 작업스테이지의 회전속도중 적어도 하나의 제어량을 결정하는 제어수단과, 상기 작업스테이지위쪽의 주변가장자리부분을 돌출시켜 형성된 주위벽, 상기 주위벽의 내부스테이지와 상기 테이블의 측면에 형성되어 있는 방류구를 연통시키는 연통유로 및 상기 방류구의 회전관을 따라 설비된 집수통으로 구성된, 상기 작업스테이지주위에 설치된 냉각액 수집수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치가 제공된다.
본 발명은 아래의 상세한 설명한 실례의 방법으로 주어지는 첨부된 도면에 의해 완전히 이해가 될 것이며, 그것이 본 발명을 한정시키는 것으로 생각해서는 안된다.
더나아가 본 발명의 응용범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나, 본 발명의 정신과 범위내에서의 여러가지 변경과 변화는 상세한 설명으로 부터 당업자에게는 명백하기 때문에, 본 발명의 바람직한 실시예를 나타내는 상세한 설명과 특정한 예가 단지 예시로서 주어져 있다는 것을 알 필요가 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
본 발명의 실시예에 따라, 반도체 웨이퍼를 다이싱 가공하기 전에 원하는 두께로 연삭하기 위한 연삭장치를, 첨부도면을 참조하면서 이하 설명한다.
제1도에 도시된 바와같이, 반도체 웨이퍼(W)의 연삭장치(1)는 반도체 웨이퍼(W)를 흡착탑재하기 위한 회전테이블(2)과 이 회전테이블(2)위쪽에 배치되어, 반도체 웨이퍼(W)를 연삭하는 연산지석(3)을 구비하고 있다. 회전테이블(2)은 반도체 웨이퍼(W)를 탑재한 상태에서 구동모터(4)에 의해 회전되고, 반대로, 연산지석(3)은 구동모터(5)에 의해 회전되고, 작동기(6)에 의해 수직방향으로 이동한다. 따라서, 천천히 회전하는 반도체 웨이퍼(W)의 표면(예를들면(100)면)은, 연삭하는 동안에 점차로 하강하고 있는 회전식 연삭지석(3)에 의해 원하는 두께로 균일하게 연삭된다.
연삭하는 동안에, 연삭지석(3)의 바깥주변부가 반도체 웨이퍼(W)의 중앙에 위치하게 되어, 연삭지석(3)은 항상 반도체 웨이퍼(W)의 중간지점을 연삭한다. 반도체 웨이퍼(W)의 중앙에 위치하게 되어, 연삭지석(3)은 항상 반도체 웨이퍼(W)의 중간지점을 연삭한다. 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하는 부착대(7)는 다공성의 세라믹으로 이루어져 있고, 이 부착대(7)의 하부면에는 진공관(8)이 접속되어 있다. 반도체 웨이퍼(W)는 부착대(7)에 의해 회전테이블(2)의 중앙에서 흡착되고, 이 반도체 웨이퍼(W)가 균일하게 흡착되도록 각 진공관(8)에는 밸브(9)가 있다.
연삭가공시 발생하는 연삭열은, 연삭지석(3)과 접촉하는 반도체 웨이퍼(W)의 연삭면(S)으로 공급되는 냉각액(예를들면, 초고순도 액체)에 의해 냉각되므로 반도체 웨이퍼(W)에 대한 열적 영향은 제거될 수 있다.
냉각액은 유입관(21)과 연결된 유입구(22)로부터 연산면(S)으로 공급되어, 연삭면(S)상의 연삭열을 흡수한 후, 회전테이블(2)의 스테이지(10)로부터 연통유로(11)를 통해서 사이드 테이블(12)내부에 설치된 집수통(13)안으로 회수된다. 그후, 냉각액은 유출관(23)과 연결된 유출구(24)를 통해 이 장치 밖으로 배수된다.
더욱 상승하면, 회전테이블(2)의 스테이지(10)에는, 주변가장자리부분이 위쪽으로 튀어나온 주위벽(10a)과, 이 주위벽을 따라 주위벽(10a)안에 형성된 환상의 홈(10b)과, 이 환상의 홈(10b)내에 형성되어 집수통(13)과 연결된 복수의 배수구(10c)가 형성되어 있다. 회전테이블(2)의 원심력에 의해 중앙에서 바깥쪽으로 흐르는 냉각액은 주위벽(10a)에 의해 차단되어, 환상의 홈(10b)으로 모여, 배수구(10c)로부터 집수통(13)쪽으로 인도된다. 회전테이블(2)안에는, 배수구(10c)와 회전테이블(2)의 측면에 형성된 방류구(14)를 연통시키는 연통유로(11)가 형성되어 있다. 단, 스테이지(10)의 표면에는 염화비닐 등을 피복함으로써 열전연층(15)이 형성되어 있다.
집수통(13)은 회전테이블(2)과 이 회전테이블(2)을 둘러싸고 있는 사이드 테이블(12)과의 사이에 위치하는 사이드 테이블(12)쪽에 부착되어 있다. 단, 집수통(13)은 환상으로 형성되어 있어, 이 집수통(13)의 형상은 방류구(14)의 회전관과 조화된다. 또, 집수통(13)은 냉각액이 유출구(24)로 인도되도록 경사져 있다.
유입구(22)와 연결된 유입관(21)에는 유입측 온도계(31)가 설치되어 있고, 유출구(24)와 연결된 유출관(24)에는 유출측 온도계(32)가 설치되어 있다. 이들 유입,유출측 온도계(31),(32)는 각각 냉각액의 유입온도와 유출온도를 측정하도록 되어 있다. 만일 유입측의 냉각액 온도가 일정하다면, 유출측 온도계(32)만 설치할 수 있다.
이러한 구성에 의해, 양 온도계(31),(32)에 의해 측정된 유입온도와 유출온도사이의 온도차와 냉각액의 유량에 근거하여 연삭동안에 발생한 열량을 구할 수 있다. 이 열량을 모니터함으로써, 열량의 변화와, 반도체 웨이퍼를 연삭하는 동안 생긴 균열 혹은 잔류응력에 의해 생긴 뒤틀림에 의해 초래된 제조시의 불량품의 발생 빈도와의 관계를 수치적으로 구하는 것이 가능하다.
상기 두 온도계(31),(32)는 마이크로 컴퓨터(33)에 연결되어 있다. 이 마이크로 컴퓨터(33)는 유입관(21)에 설치된 유량조절밸브(34)와, 연삭지석(3)을 회전시키는 구동모터(4)와, 연삭지석(3)을 반송,공급하는 작동기(6)와, 회전테이블(2)을 회전시키는 구동모터(5)와 접속되어 있다. 이들 구성장치의 구동유닛은 개별적으로 혹은 계통적으로 마이크로 컴퓨터(33)의 제어를 받는다.
유량조절밸브(34)가 마이크로 컴퓨터(33)에 의해 제어될 경우, 마이크로 컴퓨터(33)로 공급되는 두 온도계(31),(32)의 온도차로부터 목표열량에 상응하는 냉각액의 열량이 계산되고, 그후, 이 계산결과로에 근거한 제어신호에 의해 유량조절밸브(34)의 밸브열림정도가 조절된다. 즉, 냉각액의 유량이 조절된다. 마찬가지로, 유출측 온도계(32)만 사용하는 장치에 있어서는, 목표열량에 상응하는 냉각액의 열량은 열량의 상승곡선의 기울기로부터 계산되고, 이 계산결과에 근거한 제어신호에 의해 냉각액의 유량이 조절된다.
또, 연삭지석(3)의 구동모터(4)가 마이크로 컴퓨터(33)에 의해 제어될 경우에는 두 온도계(31),(32)의 온도차로부터 목표열량에 상응하는 연삭지석(3)의 회전속도가 계산되고, 이 계산결과에 근거한 제어신호에 의해 구동모터(4)의 회전속도가 제어된다.
마찬가지로, 연삭지석(3)의 작동기(6)가 제어될 경우에는, 목표열량에 상응하는 연삭지석(3)의 반송속도가 계산되고, 이 계산결과에 근거한 제어신호에 의해 제어된다. 회전테이블(2)의 구동모터(5)가 제어될 경우에는, 목표열량에 상응하는 회전테이블(2)의 회전속도가 계산되고, 이 계산결과에 근거한 제어신호에 의해 제어된다.
이 방법에서, 각각의 구성장치는 마이크로컴퓨터(33)에 피이드백제어되기 때문에, 연삭은 일정한 온도에서 수행될 수 있다.
유출측 온도계(32)가 급격한 온도상승을 감지하면, 위에 언급한 제어에도 불구하고 경보를 울리게 할 수 있다. 이 경우, 소정의 비정상적인 연삭이 발생했다고 생각할 수 있고, 작업자는 재빨리 그에 상응하는 조치를 취해야만 한다.
상기 실시예에 있어서는, 연삭지석(3)을 수직방향으로 반송, 공급하는 방법에 대해 설명했으나, 연삭지석(3)을 수평방향으로 반송하는 시스템에서는, 작동기(6)의 수평반송속도가 제어된다.
이하, 본 발명의 제2실시예에 대해 제2도를 참조하여 설명한다.
본 실시예의 독특한 특징은 유입구(22)와 연결된 유입관(21)의 상류측 부분이 순환유로(25)를 통해 유출구(24)와 연결된 유출관(23)의 하류측 부분과 연결되어 있는 점과, 유출측 온도계(32), 액펌프(26), 여과기(27) 및 라디에이터(열교환기)(28)가 순환유로(25)를 따라 중도에 설치되어 있는 점에 있다.
냉각액은 액펌프(26)에 의한 가압하에서 순환유로(25)를 따라 공급된다. 이 경우, 냉각액속의 연삭된 부스러기가 여과기(27)에 의해 제거된 후, 냉각액은 라디에이터(28)에 의해 냉각된다. 그후 냉각된 액은 유입구(22)에서 연삭면(S)으로 공급되고, 연삭면(S)상의 연삭열을 흡수한 냉각액은 집수통(13)을 통해 순환유로(25)로 모인다. 냉각액의 온도가 유출측온도계(32)로 측정된 후에, 냉각액은 액펌프(26)로 되돌아간다.
여과기(27)와 액펌프(26)간을 연결하는 순환유로(25)의 부분에는 액보급관(29)이 접속되어 있으므로, 이 액 보급관(29)으로부터 순환유로(25)로 냉각액이 보급된다.
유출측 온도계(32)로 측정된 냉각액의 온도는 연삭시작시부터 점차로 증가되어, 소정 시간이 경과한 후 정상 온도로 된다. 따라서 냉각액의 온도의 증가율 또는 상승곡선의 기울기와, 반도체 웨이퍼(W) 제조시의 불량품 발생빈도와의 관계는, 상기 정상 상태에 있어서의 유출측 온도계(32)가 나타내는 온도를 참고하여 수치적으로 구할 수 있다.
또, 이 정상 상태에 있어서는, 다음과 같은 관계가 기본적으로 성립된다. 즉, 연삭열=외부계로 방출되는 열량
보다 구체적으로는 냉각액의 온도가 일정하게 유지될때, 이것은 흡수된 열과 방출된 열이 균형을 이룬다는 것을 의미한다. 이 경우, 흡열요인은 연삭열이고, 방열요인은 주로 순환유로(25)로부터 공기중으로 방출되는 열이다. 따라서, 순환유로(25)로부터 공기중으로 방출된 열량을 계산할 수 있다면, 정상 상태에서의 연삭열을 구할 수 있다. 그래서, 순환유로(25)로부터 공기중으로 방출된 열량은 라디에이터(28)의 열용량으로부터 산정할 수 있다.
따라서, 본 실시예에 의하면, 상기 언급한 각 구성장치는 마이크로 컴퓨터(33)에 의해 제어된다.
제3도는 제2실시예의 변형예를 도시한 것이다. 이 변형예에서, 냉각액 탱크(30)는 액펌프(26)의 하류측에 설치되어 있다. 이러한 구성에 의해, 회수된 냉각액이 냉각액탱크(30)에 저장되고, 그 결과 유출측 온도계(32)에 의한 온도측정과 액펌프(26)에 의한 가압하에서의 냉각액의 공급이 매우 원활하게 수행될 수 있다.
이하, 본 발명의 제3실시예에 대해 제4도를 참조하여 설명한다.
이 실시예에서는, 유입구(22)로부터 연삭면(S)으로 공급된 냉각액이 연삭면(S)상의 연삭열을 흡수한 후, 회전테이블(2)을 둘러싸고 있는 사이드 테이블(16)로 흘러간다. 이 사이드 테이블(16)로 흘러간 냉각액은 사이드 테이블(16)의 외벽(16a)에 부착된 집수통(13)을 통해 이 장치의 외부로 배출된다.
보다 구체적으로는, 회전테이블(2)과 사이드 테이블(16)사이에는, 고무로 이루어진 칼라형상의 적하방지 덮개(17)가 놓여 있고, 이 적하방지덮개(17)는 회전테이블(2)과 밀착되어 고정되어 있다. 따라서, 회전테이블(2)위로 배출된 냉각액은 회전테이블(2)과 사이드 테이블(16)사이의 틈안으로 누출됨이 없이 회전테이블(2)의 원심력에 의해 원활하게 사이드 테이블(16)쪽으로 흘려간다. 사이드 테이블(16)의 상부면에는 경사면(16b)이 형성되어 있으므로, 회전테이블(2)에서 흘러온 냉각액은 바깥쪽으로 인도된다. 또한, 사이드 테이블(16)의 외벽(16a)에는, 사이드 테이블(16)을 둘러싸도록 집수통(13)이 설치되어 있다. 또, 집수통(13)은 비스틈하게 부착되어 있으므로 냉각액은 유출구(24)쪽으로 인도된다.
유입구(22)의 상류측에 있는 유입관(21)의 부분에는 유입측 온도계(31)가 설치되어 있고, 유출구(24)의 하류측에 있는 유출관(23)의 부분에는 유출측 온도계(32)가 설치되어 있다. 이 두 온도계(31),(32)에 비해 유입온도와 유출온도가 각각 측정된다.
이러한 구성에 의해, 냉각액의 유입, 유출온도의 차와 냉각액의 유량으로부터 연삭열을 계측할 수 있다.
이 연삭열에 의거하여 상기 제1실시예의 마이크로 컴퓨터(33)의 제어동작을 실행할 수 있다.
제5도는 제4도의 변형예를 도시한 것이다. 이 변형에서는 집수통(13)이 적하방지 덮개(17)와 인접한 부분에서 사이드 테이블(16)의 상부면에 설치되어 있다. 이러한 구성에서는, 열흡수후의 냉각액의 자연적인 방열을 제거할 수 있고, 또 냉각액의 온도를 보다 정확히 측정할 수 있다.
이상 설명한 본 발명으로부터, 본 발명은 여러가지 방법으로 변형시킬 수 있음은 명백하다. 이러한 변형을 본 발명의 정신과 범위에서 벗어나는 것으로 간주해서는 안되며, 당업자에게 명백한 바와 같은 이런 모든 변형을 이하의 특허청구의 범위내에 포함시키고자 한다.

Claims (21)

  1. 연삭가공할 웨이퍼를 탑재하는, 적어도 회전가능한 작업스테이지를 지니는 테이블과, 상기 작업스테이지의 회전축과 평행한 축을 중심으로 회전하면서 소정의 방향으로 상기 작업스테이지쪽으로 이동하는 연삭지석과, 상기 반도체 웨이퍼의 연삭면으로 냉각액을 인도하는 유입관로와, 상기 유입관로측에 설치되어 공급되는 냉각액의 온도를 검출하는 유입측 온도 검출수단과, 상기 작업스테이지상으로 흐른 냉각액을 수집하는 유출관로와, 상기 유출관로측에 설치되어, 수집한 냉각액의 온도를 검출하는 유출측 온도검출수단과, 냉각액의 유량과, 상기 연삭지석의 회전속도와, 상기 연삭지석의 이동속도와, 상기 작업스테이지의 회전속도중 적어도 하나의 제어량을 결정하는 제어수단과, 상기 작업스테이지 위쪽의 주변가장자리 부분을 돌출시켜 형성된 주위벽, 상기 주위벽의 내부스테이지와 상기 테이블의 측면에 형성되어 있는 방류구를 연통시키는 연통유로 및 상기 방류구의 회전관을 따라 설비된 집수통으로 구성된, 상기 작업스테이지 주위에 설치된 냉각액 수집수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  2. 연삭가공할 웨이퍼를 탑재하는, 적어도 회전가능한 작업 스테이지를 지니는 테이블과, 상기 작업스테이지의 회전축과 평행한 축을 중심으로 회전하면서 소정의 방향으로 상기 작업스테이지쪽으로 이동하는연삭지석과, 상기 반도체 웨이퍼의 연삭면으로 냉각액을 인도하는 유입관로와, 상기 유입관로측에 설치되어 공급되는 냉각액의 온도를 검출하는 유입측 온도검출수단과, 상기 회전테이블상으로 흐른 냉각액을 수집하는 유출관로와, 상기 유출관로측에 설치되어, 수집한 냉각액의 온도를 검출하는 유출측 온도검출수단과, 냉각액의 유량과, 상기 연삭지석의 회전속도와, 상기 연삭지석의 이동속도와 상기 작업스테이지의 회전속도중 적어도 하나의 제어량을 결정하는 제어수단과, 상기 테이블을 둘러싸고 있는 컬러형상의 적하방지덮개와, 상기 적하방지덮개에 의해 상기 테이블 바깥으로 인도되는 냉각액을 모으는 집수통으로 구성된, 상기 작업스테이지주위에 설치된 냉각액 수집수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  3. 연삭가공할 웨이퍼를 탑재하는, 적어도 회전가능한 작업스테이지를 지니는 테이블과, 상기 작업스테이지의 회전축과 평행한 축을 중심으로 회전하면서 소정의 방향으로 상기 작업스테이지쪽으로 이동하는 연삭지석과, 상기 반도체 웨이퍼의 연삭면으로 냉각액을 인도하는 유입관로와, 상기 작업스케이지상으로 흐른 냉각액을 수집하는 유출관로와, 상기 유출관로측에 설치되어, 수집한 냉각액의 온도를 검출하는 유출측 온도검출수단과, 상기 유출관로의 하류측 부분을 상기 유입관로의 상류측 부분과 연결시키기 위한 순환유로와, 냉각액의 유량과, 상기 연삭지석의 회전속도와, 상기 연삭지석의 이동속도와, 상기 작업스테이지의 회전속도중 적어도 하나의 제어량을 결정하는 제어수단과, 상기 작업스테이지주위에 설치된 냉각액 수집수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 순환유로중에는 액펌프가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 순환유로중에는 여과기가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 순환유로중에는 열교환기 또는 라디에이터가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 순환유로에는 냉각액 탱크가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 유입관로에는 유량조정밸브가 설치되어 있고, 상기 제어수단은 상기 유량조절밸브를 사용하여 냉각액의 유량을 제어하는 마이크로 컴퓨터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 연삭지석의 회전속도를 제어하는 마이크로 컴퓨터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 연삭지석의 이동속도를 제어하는 마이크로 컴퓨터로 구성된것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 작업스테이지의 회전속도를 제어하는 마이크로 컴퓨터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 집수통은 상기 테이블을 둘러싸도록 배치된 사이트테이블에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  13. 제2항에 있어서, 상기 집수통은 상기 테이블을 둘러싸도록 배치된 사이트테이블에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  14. 제2항에 있어서, 상기 유입관로에는 유량조절밸브가 설치되어 있고, 상기 제어수단은 상기 유량조정 밸브를 사용하여 냉각액의 유량을 제어하는 마이크로 컴퓨터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  15. 제2항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 연삭지석의 회전속도를 제어하는 마이크로 컴퓨터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  16. 제2항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 연삭지석의 이동속도를 제어하는 마이크로 컴퓨터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  17. 제2항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 회전속도를 제어하는 마이크로 컴퓨터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  18. 제3항에 있어서, 상기 유입관로에는 유량조정밸브가 설치되어 있고, 상기 제어수단은 상기 유량조정밸브를 사용하여 냉각액의 유량을 제어하는 마이크로 컴퓨터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  19. 제3항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 연삭지석의 회전속도를 제어하는 마이크로 컴퓨터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  20. 제3항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 연삭지석의 이동속도를 제어하는 마이크로 컴퓨터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
  21. 제3항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 작업스테이지의 회전속도를 제어하는 마이크로 컴퓨터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연삭장치.
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