KR930009906B1 - 강유전성 액정 조성물 - Google Patents

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가네쯔꾸 데라시마
겐지 후루까와
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짓소 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

강유전성 액정 조성물
제 1 도는 본 발명의 강유전성 액정 조성물에 있어서 인가전압파를 도식화한 챠트이다.
제 2 도는 제 1 도에서 나타낸 전압파가 25KHz의 AC파와 중복되는 경우의 광학적 반응을 도식화한 챠트이다.
본 발명은 강유전성 액정 조성물에 관한 것이다. 더욱 특히는 본 발명 네거티브(negative) 유전 이방성을 지닌 키랄 또는 비키랄 화합물을 함유하며 네거티브 유전 이방성인 강유전성 액정 조성물 및 상기 강유전성 액정 조성물을 사용한 광스위치 소자(light switching element)에 관한 것이다.
최근, 액정 표시는 얇은 형태, 경량, 소동력 소비량의 고유특성을 이용한 표시소자로서 널리 사용되고 있다.
그러나, 이들 표시소자의 대부분은 네마틱 상의 액정 물질을 사용하는 TN 표시방법을 사용하여 이의 반응은 고 복합법(multiplexing)을 사용하여 적용분야에서 더욱 서서히 진행되므로, 이를 개선할 필요성이 주장되어 왔다.
최근, 이러한 상황에서 제안된 표시방법에는 광스위치 현상을 사용한 표시방법이 있다(참조 : N.A.Clark 및 S.T.Lagerwall(Applied Physics Letters, Vol. 36, p. 899 (1980)〕. 강유전성 액정이 처음으로 R. B. Meyer 등에 의해 1975년에 발표되었고(참조 : J. de Phys., Vol. 36, p. 69(1975)〕, 액정 분류 측면에서, 액정은 키랄 스메틱 C상, 키랄 스메틱 I 상, 키랄 스메틱 F상, 키랄 스메틱 G상, 키랄 스메틱 H상, 키랄 스메틱 J상 및 키랄 스메틱 K상 (이후부터는 SC*상, SI*상, SF*상, SG*상, SJ*상 및 SK*상으로 각각 약자를 사용한다)에 속한다.
강유전성 액정의 광스위치 효과가 표시 소자에 비해 사용될때, TN 표시방법에 비해 두개의 우수한 고유특성이 있다. 첫번째 고유 특성은 표시소자가 매우 높은 속도로 응답하고 반응시간은 TN 표시방법 소자보다 1/100이하이다. 두번째 고유 특성은 이의 기억효과인데, 복합 가동(drive)은 상기의 고속 반응 특성과 관련하여 쉽게 일어난다.
강유전성 점액정을 사용한 표시 소자가 기억 특성을 제공하기 위해, 두가지 방법이 고려된다. 하나는 엔. 에이. 클락(N.A.Clark) 등에 의해 제안된 방법으로, 이는 셀(cell) 두께(d)가 나선형 피치(p) 두께 미만으로 감소(d＜p) 됨으로서 나선이 꼬여, 기억 특성을 유발시키는 방법이다(참조 : Appl. Phys, Lett, Vol. 36. p. 899(1980)〕. 다른 하나는 프 피에샹(Le Piesant)에 의해 발견된 방법으로, 이는 기억특성을 AC-안정효과를 사용하여 나타내는 방법이다〔참조 : Paris Liquid Crystal Conference, p. 297. 1984〕.
통상의 강유전성 액정물질의 대부분은 짧은 나선형 피치를 가지므로, 엔. 에이. 클락에 의해 제시된 박충화(thinning)에 의해 부여된 기억 특성을 유발시키기 위해서는, 셀 두께를 약 1 내지 3㎛로 유지할 필요가 있지만, 현재의 셀 제조기술을 고려할 경우, 이렇게 하는 것이 비용면과 수율면에서 어렵다는 문제점이 발생된다.
또다른 방법을 사용할 경우, AC-안정화 효과를 이용하여 유발시킨 기억특성이 단지 네거티브 유전 이방성(
Figure kpo00001
ε)을 갖는 강유전성 액정 물질의 경우에서만 유효하다는 사실이 르 피에샹에 의해 밝혀졌지만, 5 내지 7㎛의 셀 두께에서도 기억 특성이 부여될 수 있기 때문에, 방법이 높은 실용성을 갖도록 현재의 셀 제조기술을 사용할 수 있다.
AC-안정화 효과는, 저 주파수의 강유전성 액정의 경우에서는, 자연발생분극(spontaneous polarization)(Ps)이 인가 전기장(impressed elecric field)에 응답하지만, 고주파수의 강유전성 액정의 경우에서는, 자연발생 분극이 발생할 수 없으므로, 그결과, 상유전이방성이 야기되며, 유전 이등방성 값 네서티브(
Figure kpo00002
ε＜0)일 경우, 액정 분자는 기질에 대하여 평행상태로 존재해야만 하므로, 기억특성이 심지어 두꺼운 셀에서도 나타나는 현상을 이용한 형태를 목적으로 한다. 이와같은 AS-안정화 효과를 실제적으로 이용한 매트릭스 표시(matrix display)에 관해 제안한 첫번째 보고서는 1985년도 제어리(Jeary)의 보고서이다〔참조 : SID '85, Digest, p. 128(1985)〕. 그러나, 이후로 이에 관한 보고는 거의 제시되지 않았다. 주원인은 네거티브 유전 이방성을 갖는 강유전성 액정물질이 거의 존재하지 않았기 때문이다. 또한, 제어리의 보고서에 따르면, AS－안정화 효과를 유발시키기 위해서는 약 40V의 전압이 필요하지만 통상적인 IC의 가동 전압 범위를 고려할 경우, 훨씬 낮은 전압(25V 이하)에서 AS－안정화 효과가 나타나는 것이 바람직한다. 유전 이방성 값이 보다 큰 네거티브일 경우, AS－안정화 효과는 보다 낮은 전압하에서 나타나므로, 큰 네거티브 유전 이방성 값을 갖는 강유전성 액정물질이 실제로 바람직하여 왔다.
또한, 제어리등에 의해 보고된 강유전성 액정물질의 반응 시간은 수 10-3초이며, 즉, 실용적인 면에 있어서는 여전히 느리므로, 네거티브 유전 이방성 및 또한 고속 반응 특성을 갖는 강유전성 액정물질이 바람직하였다.
본 발명의 첫번째 목적은 큰 네거티브 이방성 값, 낮은 전압하에서의 ,AS－안정화 효과 및 또한 고속 반응 특성을 지닌 강유전성 액정 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 두번째 목적은 상기－언급된 액정 조성물을 사용한 광 스위치 소자를 제공하는 것이다.
상기－언급된 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명자들은 강유전성 액정 조성물에 관하여 광범위한 연구를 한 결과, 하기 액정 조성물을 배합할 경우, 큰 네거티브 유전 이방성 값 및 또한 고속 반응 특성을 갖는 강유전성 액정 조성물이 수득된다는 사실을 본 발명으로 밝혀내었다.
본 발명은 2종 이상의 성분을 함유하며 이중 적어도 하나의 성분이 일반식(A)의 화합물임을 특징으로 하는 강유전성 액정 조성물, 및 상술한 액정 조성물을 사용한 광 스위치 소자에 관한 것이다.
Figure kpo00003
상기식에서, R1및 R2는 각각의 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹, 알콕시 그룹, 알카노일옥시 그룹, 알콕시카보닐 그룹, 알콕시카보닐옥시 그룹 또는 알카노일 그룹이고 ;
Figure kpo00004
및
Figure kpo00005
는 각각
Figure kpo00006
또는
Figure kpo00007
이며 ; X1, X2및 X3는 각각 수소원자 또는 할로겐 원자이고; P 및 Q는 각각 0 또는 1이며 P＋Q는 0 또는 1이다.
본 발명에서는 일반식(A)의 화합물 함량이 조성물의 중량을 기준으로 5 내지 50중량%이고 네거티브 유전이방성 값을 나타내는 강유전성 액정 조성물이 바람직하다.
또한, 본 발명의 강유전성 액정 조성물은 바람직하게는 일반식(A1)의 화합물을 함유하며 상기 화합물의 함량이 조성물의 중량을 기준으로 5 내지 50중량%이고, 네거티브 유전 이방성을 나타내는 강유전성 액정 조성물이다.
Figure kpo00008
상기식에서, R3및 R4는 각각의 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 또는 알콕시 그룹이고 ; X1, X2및 X3는 각각 수소원자 또는 할로겐 원자이고 ; P 및 Q는 각각 0 또는 1이며 P＋Q는 0 또는 1이다.
또한, 본 발명의 바람직한 강유전성 액정 조성물은 바람직하게는 일반식(A2)의 화합물을 함유하며, 상기 화합물의 함량은 조성물의 중량을 기준으로 5 내지 50중량%이고, 네거티브 유전 이방성을 나타내는 강유전성 액정 조성물이다.
Figure kpo00009
상기식에서, R5및 R6는 각각의 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 또는 알콕시 그룹이고; X4는 수소원자 또는 할로겐 원자이며; P 및 Q는 각각 0 또는 1이며 P＋Q는 0 또는 1이다.
또한, 본 발명의 강유전성 액정 조성물은 바람직하게는 적어도 다음 3가지 성분, A, B 및 C를 함유하고, 이들 성분 각각은 종성물의 중량을 기준으로, A의 비율이 5 내지 50중량%이며, B의 경우 5 내지 50중량%이고, C의 경우 5 내지 50중량%이며, 네거티브 유전 이방성을 나타내는 강유전성 액정 조성물이다; 성분 A는 상술한 일반식(A2)의 화합물이고, 성분 B는 일반식(B)의 화합물이며 성분 C는 일반식(C－1), (C－2) 또는 (C－3)의 화합물이다.
Figure kpo00010
상기식에서, R7및 R8은 각각의 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 또는 알콕시 그룹이고; X5는 수소원자 또는 할로겐 원자이며; R9및 R10은 각각의 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 축쇄 알킬 그룹 또는 알콕시 그룹이고, R9및 R10중 적어도 하나는 광학 활성을 나타내며; L 또는 M중 하나는 단일결합이고, 다른 하나는
Figure kpo00011
또는
Figure kpo00012
이며; Y는 수소원자, 할로겐원자 또는 시아노그룹 이고; R11은 각각의 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 알콕시 그룹이며; R12는 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 또는
Figure kpo00013
(여기서 R은 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹이고 ＊는 비대칭 탄소 원자를 나타낸다)이고; R13은 각각의 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 또는 알콕시 그룹이며; R14는 탄소수 2 내지 18의 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹이고; E 및 F는 각각 －OCH2－또는 －CH2O－이며, E 또는 F중 하나는 단일 결합이고; ＊는 비대칭 탄소 원자를 나타낸다.
또한, 상술한 경유전성 액정 조성물중 일반식(A2)의 화합물이 일반식(A2－1) 또는 일반식(A2－2)의 화합물인 것이 바람직하다.
Figure kpo00014
상기식에서, R15및 R16은 각각의 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 또는 알콕시 그룹이고; X6는 수소원자 또는 할로겐원자이며; R17및 R18은 각각의 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 또는 알콕시 그룹이고; X7은 수소원자 또는 할로겐 원자이다.
본 발명에서 사용되는 일반식(A)의 화합물은 피리다진 환을 함유하며, 또한 분자의 단축방향으로 거대한 쌍극자 모멘트(dipole moment)를 갖는다. 따라서 상기 화합물은 큰 네거티브 유전 이방성 값의 고유 특성을 갖는다. 여기에 속하는 주요 화합물의 유전 이방성 값을 측정하면 약 -8 내지 -2 범위의 값이다.
일반식(A)의 화합물은 각각 본 출원인에 의해 출원된 문헌〔참조 : Zashke H., Hyna Co., Schubert H.,Z. Chem. 17, 333 (1977); Schubert H., Koch R., Weinbrecher CH., Z. Chem. 6, 467 (1966); Weygand C., Lanzendorf W., J. prakt. Chem., 151, 221 (1938); 일본국 특허원 공개공보 소 제60-226861/1985호, 소 제63-68571/1988호, 및 소 제 63-72680/1988호〕에 기술되어 있다.
일반식(A)의 화합물중 대표적인 것을 표1 내지 5에 나타내었다. 또한, 본 발명에 있어서, 스멕틱 C상을 갖지 않는 화합물이라고 조성물의 상 전이점에 현저한 영향을 주지않을 정도의 양으로 사용될 경우 사용할 수 있다.
[표 1]
Figure kpo00015
(주) C, SG, SC, SA 및 I는, 각각 결정, 스멕틱 G상, 스멕틱 C상, 스멕틱 A상, 및 등방성 액체를 나타낸다.
[표 2]
Figure kpo00016
[표 3]
Figure kpo00017
[표 4]
Figure kpo00018
(주) N,*및 S2는, 각각 네마틱상, 광학 활성 그룹 및 미상의 스맥틱상을 나타낸다.
[표 5]
Figure kpo00019
일반식(B)의 주화합물을 하기의 표 6 내지 8로 나타낸다.
[표 6]
Figure kpo00020
[표 7]
Figure kpo00021
(주) S3: 미상의 스멕틱상
[표 8]
Figure kpo00022
(주)*: 광학활성그룹, (±) : 라세미형
일반식(C－1)의 주 화합물은 하기의 표 9 내지 12로 설명된 것이다.
[표 9]
Figure kpo00023
(주) SB,*및 (±)는 각각 스메틱 B상, 광학활성그룹 및 미상의 스멕틱상을 나타낸다.
[표 10]
Figure kpo00024
[표 11]
Figure kpo00025
[표 12]
Figure kpo00026
(주의) SH 및*는 각각 스멕틱 I 상 및 광학 활성 그룹을 나타낸다.
일반식(C－2)의 주 화합물의 예는 하기표 13과 같다.
[표 13]
Figure kpo00027
일반식 (C－3)의 주 화합물의 예는 하기 표 14와 같다.
[표 14]
Figure kpo00028
(주의) S3 *및 S4 *는 둘다 미상의 스멕틱상을 나타낸다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 네거티브 유전 이방성을 지닌 일반식(A) 화합물이 강유전성 액정 화합물 또는 강유전성 액정 조성물에 함유됨을 특징으로 하며, 성분 A로서 일반식(A) 화합물, 성분 B로서 일반식(B) 화합물 및 성분 C로서 일반식(C－1), (C－2) 또는 (C－3) 화합물이 함께 혼합될 경우, 네거티브 유전 이방성 및 고속 감응성을 지닌 강유전성 액정 조성물이 수득된다.
상술한 바와 같이, 성분 A로서의 화합물은 약-8 내지 -2만큼 큰 네거티브 유전 이방성 값을 지니며, 본 발명에서 목적하는 수득한 강유전성 액정 조성물에서 나타나는 네거티브 유전 이방성 값을 초래하고, 심지어 낮은 전압에서 발생하는 AC－안정화 효과를 초래하며, 결론적으로, 우수한 기억 특성을 생성하는데 있어 중요한 역할을 한다. 성분 A는 높은 융점을 지니므로 매우 높은 농도에서 사용될 경우, 수득한 강유전성 액체 결정 조성물의 융점은 상승한다; 따라서 스멕틱 C*상의 온도범위에 좁아지게 된다.
그러므로, 스멕틱 C*상이 실온을 포함한 넓은 온도 범위에서 존재하기 위해, 본 발명에서 사용되는 성분 A의 농도는 조성물 중량을 기준으로 50중량% 이하가 바람직하다. 성분 B로서 일반식(B) 화합물을 함유하는 피라미딘환은 매우 낮은 점성을 지닌 화합물이므로 감응성을 향상시킨데 있어 중요한 역할을 하지만, 대부분의 일반식 (B) 화합물은 약 0 내지 5의 유전 이방성 값을 가지므로 높은 농도에서 사용될 경우, 유전 이방성 값은 포지티브(positive)가 되는 경향이 있어서, 즉, 바람직하지 못하게 된다. 따라서, 성분 B의 대상물을 고려하여, 본 발명에서 사용되는 성분의 농도는조성물 중량을 기준으로 50중량%가 바람직하다.
성분 C로서 일반식(C-1) 화합물은 본 출원인에 의해 출원된 일본국 특허원 공개 공보 제(소) 61-43/1986호, 제(소) 61－210056/1986호 및 제(소) 63－48254/1988호, 일본국 특허원 제(소) 62－053778/1987호 및 제(소) 62－067097/1987호 등에 기술되어 있다 ; 또한 일반식(C－2) 화합물은 본 출원인에 의해 출원된 일본국 특허원 제(소) 60－149548/1985호에 기술되어 있다. 이들 화합물은 고속－감응성을 지닌 강유전성 액정 화합물이다.
이들 성분의 고유 특성을 사용하여 목적하는 우수한 고유 특성을 지닌 액정 조성물을 수득하는데 있어서 성분 A, B 및 C의 각각의 비율이 연구되어 왔다. 결론적으로, 성분 A, 성분 B 및 성분 C의 비율은 각각 조성물 중량을 기준으로 바람직하게는 5 내지 50중량%, 5 내지 50중량% 및 5 내지 50중량%이다.
본 발명은 실험 실시예 및 실시예에 의해 더욱 상세하게 기술되지만, 이로서 제한되지는 않는다. 이들 실시예에서, 자연발생 분극 값(Ps)은 소이어-타워(Sawyer-Tower) 방법에 따라 정해지며, 나선형 피치(P)는 균일하게 정렬된 약 200㎛두게의 셀을 사용하여 분극화된 현미경하에 나선형 피치에 상응하는 탈키랄화 반응을 직접적으로 측정함으로써 정해진다. 경사각(θ)는 나선형 구조를 소멸시키기 위해 균일하게 정렬되 셀에 대해 기준물보다 충분히 높은 전기장을 가하고, 분극성을 역전시킨 후 십자형 니콜하에 소멸위치에서 이동각(20에 해당)을 측정함으로써 결정된다.
감응시간은 각각의 조성물을 정렬처리된 셀내에 충전시키고, 2㎛의 전극간 거리를 지니도록 한 다음, ±5V/㎛, 100Hz의 스퀘어(square)파를 가한 후 그 시점에서 투과광도의 변화를 측정함으로써 정해진다.
유전 이방성 값은 셀을 평행 정렬 처리 및 수직 정렬 처리한 후, 1KHz에서 비충전셀의 부피 및 액정을 지닌충전 셀의 부피를 측정하고 유전 이방성 값을 계산함으로써 정해진다.
[실시예 1]
상기의 세 성분 A, B 및 C를 함유하는 강유전성 액정 조성물(혼합물 1)을 하기와 같이 제조한다 :
Figure kpo00029
이 강유전성 액정 조성물(혼합물 1)은 실온 내지 59.0℃의 온도범위, 25℃에서 250㎲c의 감응시간, 22.2°의 경사각, 14.2nC cm-2의 Ps 및 -2.7의 유전 이방성에서 SC*상을 나타낸다.
이 조성물(혼합물 1)을 각각의 표면상에 마찰 처리를 한 투명 전극을 지닌 두개으 기질 사이에 충전시키고 5㎛의 셀 두께를 생성하기 위해 전기광학적 소자를 서로 십자형으로 교차된 편광 프리즘 사이에 배치하고, 제 1 도에 도시한 바와 같이 펄스파(펄스폭 : 1msec, ±25V)를 가한 후, 20KHz, ±25V의 AC파를 펄스파와 겹치게 한 다음 투과광 수준의 변화를 측정하낟. 결과로서, 제 2 도에 도시한 바와 같은 우수한 기억특성을 획득한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 화합물로서 네거티브 유전 이방성을 지닌 화합물을 가할 경우, 획득된 강유전성 액정 조성물은 큰 네거티브 유전 이방성을 지니므로 AC－안정화 효과가 현저하게 나타나며, 우수한 기억 특성이 획득되고 또한 감응시간도 제어리 보고서에서 밝혀진 것과 낮은 AC 전압(약 1/2)과 비교할 때 매우 빠르다(약 1/4); 따라서 본 발명은 본 발명의 강유전성 액정 조성물이 실제적 사용에 있어 매우 적합함을 밝혀내었다.
[실시예 2 내지 7]
표 15는 강유전성 액정 조성물(혼합물 2 내지 혼합물 7)의 비율을 나타내며 표 16은 이의 고유 특성을 나타낸다.
[표 15]
(하기표의 비율은 중량%에 의함)
Figure kpo00030
[표－15 ( －계속)]
Figure kpo00031
[표－15 (－ 계속)]
Figure kpo00032
[표－15 ( －계속)]
Figure kpo00033
[표 16]
Figure kpo00034
표 15에서 조성물(혼합물 5)의 상전이 순서는 하기와 같다 : C→SC*→SA→N*→I. 이에 비해 기타 조성물의 상전이순서는 하기와 같다 : C→SC*→SA→I. 또한, 표 15의 조성물중 혼합물 5, 6 및 7에서, 성분 A, B 및 C외에, SC*상의 온도구간을 넓히고, SC*상의 나선형 피치를 신장시키기 위한 목적 및 유사한 목적을 지닌 기타의 비키랄성 화합물 또는 키랄성 액정 조성물이 존재하지만, 이들 조성물을 함유하는 본 발명의 강유전성 액정 조성물의 고유 특성에 해를 가하지는 않는다 : 따라서 이로 인한 문제는 일어나지 않는다.
혼합물 6의 강유전성 액정 조성물을 정렬처리제로서 각각 PVA로 피복하여 수득한 투명 전극이 제공된 5㎛셀 공간을 지닌 세포에 충전시키고, 수득한 표면을 마찰시킨 후, 평행 정렬 처리시킨 다음, 수득한 액정 셀을 십자형 니콜 상태로 배열된 두개의 편광 프리즘 사이에 배치하고, 1msec, ±25V의 펄스폭을 지닌 펄스파를 25KHZ, ±20V의 AC파의 겹치게 한다. 결과로서, 제 1 도 및 제 2 도에 도시한 바와 같은, 우수한 AC- 안정화 효과가 획득되며, 기억 특성도 또한 우수하고 대비율은 1:20 정도이다; 따라서 실제적 사용에 적합한 액정 표시 소자를 획득한다.
본 발명에 따라서, 상기 조성물을 사용하여 네거티브 유전 이방성, 우수한 AC－안정화 효과 및 고속 감응성, 및 광스위치 소자를 지닌 강유전성 액정 조성물이 획득된다. 본 발명의 강유전성 액정 조성물의 적용으로서, 고속 액정 셔터(shutter), 고 복합 표시 등을 들 수 있다.

Claims (4)

  1. 적어도 3종의 성분 A, B 및 C(여기서, 성분 A는 일반식(A2)의 화합물이고, 성분 B는 일반식(B)의 화합물이며, 성분 C는 일반식(C－1), (C－2) 또는 (C-3)의 화합물이다)를, 조성물의 중량을 기준으로 각각 5 내지 50중량%,5 내지 50중량% 및 5 내지 50중량%의 비율로 함유하며 네거티브 유전 이방성 값을 나타냄을 특징으로 하는 강유전성 액정 조성물.
    Figure kpo00035
    Figure kpo00036
    상기식에서, R5및6R는 각각의 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 또는 알콕시 그룹이고; X4는 수소원자 또는 할로겐 원자이며; P 및 Q는 각각 0 또는 1이고 P＋Q는 0 또는 1이며; R7및6R는 각각의 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 또는 알콕시 그룹이고; X5는 수소원자 또는 할로겐 원자이며; R9및 R10는 각각의 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 또는 알콕시 그룹이고, R9및 R10중 적어도 하나가 광학 활성을 나타내며; L 또는 M 중 하나는 단일결합이고, 다른 하나는
    Figure kpo00037
    또는
    Figure kpo00038
    이며; Y는 수소원자, 할로겐 원자 또는 시아노 그룹이고; R11은 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 또는 알콕시-그룹이며; R12는 탄소수 1내지 18의 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 또는
    Figure kpo00039
    (여기서 R은 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹이고, ＊는 비대칭 탄소원자를 나타낸다)이고; R13은 탄소수 1 내지 18의 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 또는 알콕시 그룹이며; R14는 탄소수 2 내지 18의 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹이고; E 및 F는 각각 －OCH2－ 또는 －CH2O－이며, E 또는 F중 하나는 단일 결합이고; ＊는 비대칭 탄소원자를 나타낸다.
  2. 제 1 항에 있어서, 일반식(A2)의 화합물이 일반식(A2－1) 또는 (A2－2)의 화합물인 액정 조성물.
    Figure kpo00040
    상기식에서, R15및 R16은 각각의 탄소수 1 내지 18인 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 또는 알콕시 그룹이고; X6는 수소원자 또는 할로겐원자이며; R17및 R18은 각각의 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 또는 알콕시 그룹이고; X7은 수소원자 또는 할로겐 원자이다.
  3. 제 1 항에 기술된 바와 같은 액정 조성물을 함유함을 특징으로 하는 광 스위치 소자.
  4. 제 2 항에 기술된 바와 같은 액정 조성물을 함유함을 특징으로 하는 광 스위치 소자.
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