KR910003854B1 - 4-(광학활성 알킬)-3-시아노페닐 그룹을 갖는 액정화합물 - Google Patents
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Abstract
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Description
본 발명은 신규한 액정화합물 및 이를 함유하는 액정조성물에 관한 것이다. 더욱 특히, 본 발명은 광학활성 그룹을 갖는 액정화합물 및 이를 함유하는 키랄 액정조성물에 관한 것이다.
현재 TN(트위스트 네마틱) 디스플레이 모드가 가장 광벙위하게 사용되지만, 이는 전기발광도, 플라즈마 표시 등과 같은 발광형 디스플레이 소자에 대한 응답속도의 관점에서 볼 경우 부족하다 . 그러므로 이 관점에서 여러가지 개선방법이 시도되었으나, 이의 커다란 개선 가능성은 그렇게 많이 남아있는 것 같지 않다.
즉, TN 모드 디스플레이 소자의 원리대신 다른 원리에 의거한 여러가지 장치가 시도되었고 이들 중에서 강유전성 액정을 이용하는 디스플레이 모드가 있다(참조: N.A. Clark et al: Applied phys. lett. 36, 899(1980)]. 이 모드는 강유전성 액정 키랄 스멕틱 C상(이하에서 SC*상이라 약칭한다)또는 다른 스멕틱상(예 : SH*상, SF*상, SC*상 등)을 사용하며, TN 디스플레이 모드와 비교하여 다음 3가지의 우수한 특정한 양태를 갖는다.
첫번째 특정한 양태는 이 모드가 TN 모드 디스플레이 소자의 100배인 매우 높은 응답속도를 제공하는 것으로 이루어지고 : 두번째 이 모드가 메모리 효과를 제공하여 다중 구동이 상기한 고속 응답성과 쉽게 결합하게 되는 것으로 이루어지며 ; 세번째 특정한 양태는 분극의 반전시간만 조절함으로써 TN 디스플레이 모드보다 그레이 스케일을 더욱 쉽게 수득할 수 있으므로, 이 모드가 그래프 표시에 적합한 것으로 간주되는 것으로 이루어 진다.
그러나, 이 모드가 상기한 우수한 특정한 양태를 갖는다는 사실에도 불구하고. 현재 공지된 강유전성 액정 및 조성물은 아직 응답속도의 관점에서 충분히 만족할만한 결과를 제공하지 않으므로 이 모드는 이들을 실제적으로 사용하기 전에 약간 데드로크(deadrock)로 된다. 이것의 한가지 이유는 큰 자연발생 분극치 Ps를 갖는 화합물의 개발이 늦어졌기 때문이다.
본 발명 목적은 상기 디스플레이 모드에 적합한 특정 양태를 갖는, 특히 큰 자연발생 분극치를 갖는 액정 화합물을 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상기 디스플레이 모드에 사용하기에 적합한 광학활성 액정화합물을 개발하기 위해 광범하게 연구한 결과, 본 발명을 달성한다.
본 발명은 일반식(Ⅰ)의 광학활성 액정화합물 및, 하나 이상의 이 액정화합물을 함유하는 키랄 액정조성 물에 관한 것이다.
상기식에서, R1은 탄소수 2 내지 18의 알킬 그룹을 나타내고 ; R2는 각각 탄소수 1 내지 20의 알킬 그룹 또는 알콕시 그룹, 수소원자, 할로겐원자 또는 시아노 그룹을 나타내며 ; A는 -COO-또는 -OCO-를 나타내고 ; B 및 C는 각각 단일결합,또는(여기서, X는 수소원자, 할로겐원자 또는 시아노 그룹을 나타내며 ; l,m 및 n은 각각 0또는 1을 나타낸다.
본 발명의 일반식(I)의 화합물의 대표적인 상전이점 및 자연발생 분극치 Ps를 표1에 나타내었다.
[표 1]
* 1) 실시예 6 및 7에서 예시할 바와 같이 비키랄 Sc 물질과 이의 혼합물의 Ps의 치로부터 간단히 외삽시킴.
2) 샘플 3, 8 및 9번은 각각 실시예 3, 1 및 2에 상응한다.
일반식(Ⅰ)의 화합물의 첫번째 특정한 양태는 이의 자연발생 분극치가 큰 것이다. 큰 자연발생 값을 갖는 강유전성 액정에 있어서, 이의 응답속도, 즉 분자가 전기장에서 반전되는 속도는 적은 자연발생 분극치를 갖는 강유전성 액정보다 높은 것으로 공지되어 있다.
본 발명의 일반식(Ⅰ)의 특정한 화합물은 약 40nC/cm2를 초과하는 자연발생 분극치를 갖는다. 그 반면, 일반식(Ⅰ)의 화합물에 상응하지만 시아노 그룹을 갖지 않는(즉, 시아노 그룹 대신 수소원자를 갖는) 화합물의 경우, 예를들면 화합물(A)(일본국 공개특허원 제(소) 53-22883/1978호에 기술된 물질)는 본 발명자들에 의해 측정된 바와 같이 약 + InC/㎠를 갖는다.
즉, 본 발명의 일반식(Ⅰ)의 큰 자연발생 분극치는 시아노 그룹이 광학활성 그룹에 대해 오르토-위치에 존재한다는 사실로부터 유래하는 것으로 가정하게 되었다. 즉, 분자의 주축에 수직이고 영구 쌍극자 모멘트를 갖는 치환체, 즉, 시아노 그룹이 비대칭 탄소원자에 밀접한 위치에 존재하여 둘사이의 상호작용에 의해 큰 자연발생 분극이 야기되는 것으로 고려된다. 한편, 이의 치환체의 쌍극자 모멘트와는 별도의 비대칭 탄소원자를 갖는 화합물 또는 시아노 그룹(예 : 불소원자, 염소원자, 브롬원자 등) 보다 훨씬 작은 쌍극자 모멘트를 갖는 치환체를 갖는 화합물의 경우, 이의 자연발생 분극치는 그만큼 커지지 않는다. 즉, 본 발명자들의 연구에 의해 예를 들면 본 발명의 일반식(Ⅰ)의 시아노 그룹 대신 불소원자를 갖는 화합물의 경우, 이의 자연발생 분극치는 거의 없는 것으로 밝혀졌다.
큰 자연발생 분극치는 다음 핵으로부터 유래하는 것으로 볼 수 있다.
0-시아노-2-메틸알킬페닐 또는 0-시아노-1-메틸알킬페닐, 일반식(Ⅰ)에서 l=0또는 1인 경우에 상응하는 이들 그룹,또는및 이러한 핵을 함유하는 액정화합물이 큰 자연발생 분극치를 갖는 우수한 강유전성 액정 물질이다.
특히, l=1인 화합물, 즉, O-시아노-2-메틸알킬페닐 그룹을 갖는 화합물이 l=0인 화합물보다 제조하기 쉬우며 ; 이러한 점에서 전자 화합물이 실제적으로 후자보다 더 중요하다. 또한, 절대배위가 S-형인 광학활성 그룹을 갖는 화합물이 이의 천연물질이 시판용으로 이용가능하다는 관점에서 유리하다.
일반식(I)의 화합물과 일반식(A)의 시아노-비치환된 화합물의 비교가 흥미있다. 둘다 S-형의 절대배위를 갖는 2부류의 화합물을 비교할 경우, i, 일반식(I)의 화합물이 -부호이고 큰 자연발생 분극치를 갖는 반면, 일반식(A)의 화합물은 +부호이고 작은 분극치를 가지며 ; ii)일반식(I)의 화합물 및 일반식 (A)의 화합물 둘다 스멕틱 C상에서 우선성 트위스트 감각을 갖고: iii) 일반식(I)의 화합물 및 일반식 (A)의 화합물을 각각 네마틱 액정에 가하여 유도된 콜레스테릭상은 둘다 우선성 트위스트 감각을 갖는다
상기 (i)의 사실은 페닐환상 오르토-위치의 시아노 그룹이 2-메틸알킬페닐 그룹을 기본으로한 자연발생 분극화의 부호와 반대인 부호를 가지며 또한 후자보다 큰 자연발생 분극치를 갖는다는 사실로 설명할 수 있다. 또한, 상기 (ii) 및 (iii)의 사실은 나선형의 방향이 광학활성 그룹의 절대배위로만 결정됨을 나타낼 것이다. 일반식(I)의 화합물의 이러한 특정한 양태는 화합물이 키랄 스멕틱 C 액정조성물의 성분으로 유용 하게 한다. 즉, l=1인 일반식(I)의 S-형 화합물을 자연발생 분극치의 부호가 -인 다른 SC'화합물과 함께 사용할 경우, 전자화합물이 상기 A타입 화합물과는 달리 이의 자연발생 분극치를 상쇄시키지 않으면서 큰 자연발생 분극치를 제공할 수 있으며, 또한 이의 나선형 방향이 우선성이므로 전자화합물이 좌선성 SC*액정조성물의 나선형 피치를 더 길게 할 수 있다.
또한, 일반식(I)의 화합물은 광학활성 탄소를 가지므로 ; 이들을 네마틱 액정(콜레스테릭상)에 가할 경우, 이들은 트위스트 구조를 유도할 수 있는 능력을 갖는다.
트위스트 구조를 갖는 네마틱 액정, 즉, 키랄네마틱 액정은 소위 TN 모드 디스플레이 소자의 반전구역 을 형성하지 않으므로 ; 반전구역 형성 방지제로서 화합물을 사용하는 것도 가능하다.
본 발명의 일반식(I)의 화합물은 강한 트위스트력의 특정한 양태 및 작은 트위스트력의 온도-의존성을 갖는다. 즉, 키랄 네마틱 액정의 콜레스테릭 피치에 대하여, 예를 들면 표 1의 샘플 8번의 화합물 1중량%를 ZrI-1132(Merck Company 제품)에 가하고 생성된 조성물의 피치를 측정할 경우, 피치는 19㎛로서 짧으므로 ; 이들은 키랄 네마틱 액정조성물을 위한 피치-조절제로서 매우 유용하다.
또한, 이의 온도-의존성은 매우 작아서 다음 일반식으로 나타낸 온도 특정 양태 Sp는 +0.212 (t1=20 이고 t2=70℃일 경우)로서 매우 작다.
이것은 예를들면 키랄 네마틱 액정조성물을 위한 현재 공지된 피치-조절제인 (S)-4- (2'-메틸부틸)-4'-시아노비페닐을 동일한 상태하에 측정할 경우 +0.584의 P를 갖는 것과 비교하여 놀라운 양태이다.
일반식(I)화합물은 하기 기술하는 바와 같이 제조한다.
A가 -COO-이고 n이 1인 일반식(I)의 화합물은 하기 반응식에 따라 제조할 수 있다.
상기 반응식에서, R,1R2, I, m, B및 C는 전술한 바와 같다
즉, 4-(1'-메틸알킬)벤조산, 4-(2'-에틸알킬)벤조산, 4-(1'-메틸알킬)비페닐-4'-카복실산 또는 4-(2'-메틸알킬)비페닐-4'-카복실산(1)을 촉매존재하에 브롬화시켜 3-브로모-4-(1'-메틸알킬)벤조 산, 3-브로모-4-(2'-메틸알킬)벤조산, 3-브로모-4-(1'-메 틸알킬)비페닐-4'-카복실산 또는 3-브로모-4-(2'-메틸알킬)비페닐-4'-카복실산(2)를 생성시킨 후, 생성된 화합물을 페놀계 화합물과 반응시킴으로써 에스테르화시켜 화합물(3)을 생성시키고, 이 화합물을 시안화제 1동과 같은 시아노화제와 반응시켜 일반식 (I)의 화합물을 제조한다.
상기 반응단계에서, 시아노화 반응 및 에스테르화 반응은 그 순서를 바꿀 수도 있다. 즉, 화합물(2)를 시아노화시켜 3-시아노-4-(1'-메틸알킬)벤조산, 3-시아노-4-(2'-메틸알킬)벤조산, 3-시아노-4(1'-메틸알킬)비페닐-4'-카복실산 또는 3-시아노-4-(2'-에틸알킬)비페닐-4'-카복실산을 생성시킨 후, 생성된 화합물을 에스테르화시켜 일반식(I)의 화합물을 제조할 수 있다.
A가 -OCO-이고 n이 1인 일반식(I)의 화합물은 하기 반응식에 따라 제조할 수 있다 :
상기 반응식에서, R1, R2, I, m, B 및 C는 전술한 바와 같다.
상기 반응단계에서도. 시아노화 반응 및 에스테르화 반응의 순서를 바줄 수 있다. 즉, 화합물(7)을 시아노화시켜 3-시아노-4-(1'-메틸알킬페놀, 3-시아노-4-(2'-메틸알킬) 페놀, 3-시아노-4-(1'-메틸알킬)-4'-하이드록시비페닐 또는 3-시아노-4-(2'-메틸알킬)-4'-하비드록시페닐을 생성시킨 후, 생성된 화합물을 에스테르화시켜 일반식(I)의 화합물을 제조할 수 있다.
n이 0이고 B 및 C가 각각 단일결합을 나타내는 일반식(1)의 화합물은 하기 반응식에 따라 제조할 수 있다 :
R2가 알콕시인 경우
상기 반응식에서 R', I 및 m은 전술한 바와 같고 ; R은 알킬 그룹이다
즉, 상기에서 제조된 화합물(7)을 브롬화알킬과 같은 알질화제와 반응시켜 화한물(9)를 생성시키고 이 화합물을 시안화제 1동과 같은 시아노화제와 반응시켜 일반식(1)의 화합물을 제조한다.
R2가 알콕시인 경우
상기 반응식에서 R', I 및 -m은 전술한 바와 같고 ; R은 알킬 그룹이다.
즉, 4-(1'-메틸알킬)-알킬벤젠, 4-(2'-메틸알킬)-알킬벤젠, 4-(1'-메틸알킬)-4'-알킬비페닐 또는 4-(2' -메틸알킬)-4'-알킬비페닐(l0)을 촉매존재하에 브롬화시켜 화합물(11)을 생성시키고, 이 화합물을 시안화제 1동과 같은 시아노화제와 반응시켜 일반식(I)의 화합물을 제조한다.
본 발명에 따른 광학활성 액정화합물은 하기 실시예로써 상세히 기술될 것이다.
[실시예1]
(s)-3-시아노-4-(2'-메틸부틸)벤조산 4-옥틸옥시-4'-비페닐릴 에스테르[m=0 ; n=l ; A=-COO- ; R1=C2G5- ; R2=-IC8H17 ; 및 B=C=인 일반식(I)의 화합물(화합물번호8)]의 제조
물(500ml )중 질산은(177g, 1.1몰)의 용액을, 물(500ml )중의, (s)-4- (2'-메틸부틸)벤조산(200g, 1.0몰), 질산(680ml)및 브롬(183g, 1.1몰)의 흔합물의 용액에 빙냉하 적가한 후, 혼합물을 실온에서 5시간 교반하여 빙수에 붓는다. 침전된 결정을 여과하고 l0%탄산나트륨 수용액(2l)을 가한 후, 흔합물을 충분히 교반하고 잔류하는 불용성 물질을 여과해낸다. 여액을 황산을 사용하여 산성화시키고 침전된 결정을 여과한 후 아세트산(1L)로 재결정시켜 3-브로모-4-(2'-메틸부틸)벤조산(l06.0g ; 융점 ; 78.8 내지 79 .7'C)을 수득한다.
염화티오닐(118g)을 3-브로모-4- (2'-메틸부틸) 벤조산(100g, 0.37몰)에 가하고 생성된 혼합물을 2시간 동안 환류시킨 후, 과잉분의 염화티오닐을 감압하에 증류제거하여 3-브로모-4- (2'-메틸부틸)벤조산 클로라이드(I05.lg)를 수득한다.
제조된 3-브로모-4-(2'-메틸부틸) 벤조산 클로라이드(11.5g, 0.04.몰)를, 4-하이드록시-4'-옥틸옥시비페닐과 무수 피리딘과의 혼합물에 빙냉하 적가하고,생성된 혼합물을 50 내지 60℃에서 2시간동안 교반한 후, 톨루엔(100ml)을 가한다. 혼합물을 충부히 교반하여 6N-HCl로 세척한 후 2N-NaOH 수용액에서 세척하고 다시 물로 세척한 다음,무수 MgSO4상에서 건조시킨다. 톨루엔을 증류제거하고 잔유물을 에탄올(100ml)와 에틸 아세테이트(60ml)와의 혼합물로 재결정하여 3-브로모-4-(2'-메탈부틸)벤조산 4'-옥틸옥시-4-비페닐릴 에스테르(12.2g)을 수득한다. 이 화합물은 액정 특성을 나타내며 그의 상전이점은 다음과 같다.
제조된 3-브로모-4-(2'-메틸부틸)벤조산 4-옥틸옥시-4'-비페닐릴 에스테르(5.5g, 0.01몰),시안화 제1동(1.1g, 0.06몰) 및 디메틸포름아미드(20ml)의 혼합물을 145 내지 147℃로 가열하여 6시간동안 교반한후, 염화제1철(4g), 염산(1ml) 및 물(7ml)의 혼합물을 가한다. 혼합물을 60 내지 70℃에서 15분간 유지시키고 빙수에 가한 후 톨루엔을 가하고 혼합물을 충분히 교반하여 분리펀넬에 옮긴다. 생성된 유기층을 물로 수회 세척하고 무수 MgSO4상에서 건조시킨 후, 톨루엔을 증류제거하고 잔류물을 에탄올(50ml)로 재결정시켜 목적한 3-시아노-4-(2'-메틸부틸)벤조산 4'-옥틸옥시-4-비페닐릴 에스테르(1.7g)를 수득한다.
이 생성물의 상전이점은 다음과 같다.
[실시예 2]
(S)-3-사아노-4-(2'-메틸부틸)벤조산 4'-데실옥시-4-비페닐릴 에스테르[m=0 : n=1 : A=-COO- : R1=C2H5; R2=OC10H21; 및 B=C=인 일반식(Ⅰ)의 화합물(화합물번호 9)]의 제조
실시예 1을 반복수행하되, 단, 4-하이드록시-4'-옥틸옥시비페닐을 대신 4-하이드로시-4'-데실옥시비페날을 사용하여, (S)-3-시아노-4-(2'-메틸부틸)벤조산 4'-데실옥시-4-비페닐릴 에스테르를 수득한다. 이 생성물의 상전이점은 다음과 같다.
[실시예 3]
(S)-3-시아노-4-(2'-메틸부틸)밴조산 4-옥틸-4'-비페닐릴 에스테르[m=0 : n =1 : A=-COO- ; R1=C2H5;R2=C8H17; 및 B=C=인 일반식(Ⅰ)의 화합물(화합물번호 4)]의 제조
실시예 1을 반복수행하되, 단, 4-하이드록시-4'-옥틸옥시비페닐 대신 4-하이드록시-4'-옥틸비페닐을 사용하여, (S)-3-시아노-4'-(2'-메틸옥틸)벤조산 4'-옥틸-4-비페닐릴 에스테르를 수득한다. 이 생성물의 상전이점은 다음과 같다.
전술한 바와 같이, 시아노화 반응과 에스테르화 반응의 순서가 바뀔경우, 실시예 1 내지 3은 하기와 같이 변형된다 : 3-브로모-4-(2'-메틸부틸)벤조산을 먼저 시아노화시켜 3-시아노-4-(2'-메틸부틸)벤조산을 먼저 시아노화시켜 3-시아노-4-(2'-메틸부틸)벤조산(융점 91.2 내지 92.1℃)을 수득한 후 이를 에스테르화시킨다. 생성물의 물리적 특성은 실시예 1 내지 3의 경우와 동일하다.
[실시예 4]
(S)-사이노-4-(2'-메틸부틸)비페닐-4'-카복실산 4-옥틸옥시페닐에스테르[m=1 : n=1 : A=-COO-: R1=C2H5; R2=-OC8H17; 및 B=및 C=단일결합인 일반식(Ⅰ)의 화합물(화합물번호 17)]의 제조
실시예 1을 반복수행하되, 단, (S)-4-(2'-메틸부틸)벤조산 대신 (S)-4-(2'-메틸부틸)비페닐-4'-카복실산을 사용하여, (S)-3-시아노-4-(2'-메틸부틸)비페닐-4'-카복실산 4-옥틸옥시페닐 에스테르를 수득한다. 이 생성물의 상전이점은 다음과 같다 :
[실시예 5] (용도실시예1)
하기와 같은 비율의 아키랄 스멕틱 액정화합물로 이루어진 액정혼합물을 제조한다.
상기 혼합물은 융점이 4℃이며, 이보다 높은 온도에서 SC상을 나타내고 65℃에서는 SA상을 나타내며 79℃에서는 N상을 나타내고 90℃에서는 등방성 액체이다.
이 액정혼합물 (80중량%)에 표 1에 기재된 화합물번호 8(20중량%)을 가하여 키랄스멕틱 액정조성물을 제조한다.
이 액정조성물을, 표면에 PVC(폴리비닐 알콜)로 피복하고 생성된 표면을 문질러 평행정렬처리(parallel alingning treatment)하여 얻어진 투명한 전극이 장치된 2㎛두께의 전지에 충전시키고, 생성된 액정부재를 서로 엇갈려 있는 편광자와 분석기 사이에 넣고 15V의 전압을 가한다. 결과로서, 투과광의 강도 변화를 측정한다. 이때 투과광의 강도 변화로부터 반응시간을 측정하면 25℃에서 약 125μsec 이다.
상기 조성물은 융점이 0℃이며, 이보다 높은 온도에서 SC상을 나타내고 69.2℃에서는 SA상을나타내며 84.5℃에서는 콜레스테릭상(Ch상)을 나타내고 92.6℃에서는 등방성 액체이다. SC*상과 Ch상에서의 트위스트 감각은 모두 우선상이다.
또한, 상기 조성물의 자연발생 분극치는 25℃에서 -3nC/㎠이고 경사각은 19o이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 일반식(Ⅰ)의 화합물을 비-광학활성 액정화합물와 혼합할 경우, 우수한 강유전성 키랄 스메틱 액정조성물이 수득된다.
[실시예 6] (용도실시예)
실시예 5에서와 동일한 아키랄 액정조성물(80중량%)에 본 발명에 본 발명에 따른 화합물인 화합물번호 17(20중량%)을 가한다. 생성된 액성조성물은 다음과 같은 상전이점을 나타낸다.
C-SC*3℃, SC*-SA 70.0℃ SA -Ch 80.0℃ 및 Ch-Ⅰ90.6℃
또한, 이 조성물은 자연발생 분극치가 -4.2nC/㎝2이고 경사각이 25o이며 SC*트위스트 감각이 우선성이고 반응시간이 실시예 5와 동일한 조건하에서 120μSEC 이다.
화합물번호 17은, SC*상이 나타나는 온도로 냉각시키기 전에 결정화되므로, 그의 단독 SC*상을 직접 관찰하는 것은 불가능하다. 그러나, 이 실시예에서 나타난 바와 같이, SC 액정조성물을 화합물번호 4와 혼합함으로써, 이는 강유전성 액정조성물을 구성하는데 유용하다. 이러한 사실은, 단독으로는 SC*상을 나타내지 않는 표1에 기술된 다른 화합물에도 적용된다.
[실시예 7] (용도실시예 3)
실시예 5에 기술된 아키랄 스멕틱 액정조정물(80중량%)에 화합물번호 3(표 1에 기술) (20중량%)을 가하여 키랄 스멕틱 조성물을 제조한다. 이 조정물은 다음과 같은 상전이점을 나타낸다 :
C-SC*-11℃ ; SC*-SA 62.1℃ ; SA-Ch 77.5℃ ; 및 Ch-1 86.1℃ .
이 조성물의 자연발생 분극치는 25℃에서 -6.0nC/㎠ 이고 경사각은 18o이다.
이 액종 조성물을 실시예 5에서와 같이 액정전지로 만들고 반응시간을 동일한 조건(단 전압을 20V로 한다)하에서 측정한 결과 90μsec이었다.
[실시예 8] (용도실시예 4)
하기 성분으로 이루어진 네마틱 액정조성물을 전극들 사이에 10㎛의 거리가 있는 전지에 충진시켜 TN모드 디스플레이 전지를 만든 후, 편광 현미경으로 관찰한다.
결과로서, 반전구역(reverse domain)이 형성된 것으로 나타났다. 덧붙여, 사용된 전지는 그 표면을 폴리비닐알콜로 피복하고 표면을 문질러 평행정렬처리하여 수득된 것이다.
상기와 같이 네마틱 액정조성물에 표1에 기재된 화합물번호 8(0.1중량%)을 가하여 상술한 바와 동일한 TN 모드 전지를 제조한다. 전지 관찰결과, 반전구역이 해제되고 네마틱상이 나타났다.
Claims (8)
- 제 1 항에 있어서, R1이 C2H5를 나타내는 광학활성 액정화합물.
- 2개 이상의 성분을 함유하며, 그중 1개 이상이 제 1 항에 따른 광학활성 액정화합물이 액정조성물.
- 제 5 항에 있어서, 키랄 스메틱 C상을 나타내는 액정조성물.
- 제 5 항에 있어서, 키랄 네마틱상을 나타내는 액정 조성물.
- 제 6 항에 따른 키랄 스멕틱 C상을 나타내는 액정조성물을 함유하는 점등 스위치(light-switching)소자.
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