KR930008866A - 반도체 기억 장치 - Google Patents

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KR930008866A
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요시히사 스기우라
요시히사 이아와따
마사끼 모모도미
야스오 이또
도모하루 다나까
요시유끼 다나까
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사또 후미오
가부시끼가이샤 도시바
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Abstract

본 발명의 목적은 간단한 회로 및 적은 회로 면적으로 페이지 내의 최종 번지를 검지하여 다음 프로그램을 실행하는 것이다.
NOR회로(31)에 의해 어드레스를 복수 비트씩 부정 논리합을 취하고, 이 결과에서 최종 번지 검지 회로(32)에 의해 페이지 내의 최종 번지가 검지된 경우 프로그램 개시회로(33)에 의해 메모리 셀에 대한 기입 동작을 행한다.
따라서 카운터 회로를 사용하지 않고 페이지 내의 최종 범위를 검지할 수 있어서 간단한 회로를 구성 가능함과 동시에 반도체 기억 장치 내부에서 차지하는 면적을 줄일 수 있다.

Description

반도체 기억 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 한 실시예를 도시하는 구성도, 제4도는 제3도에 도시하는 NOR회로를 구체적으로 도시하는 회로도.

Claims (2)

  1. 페이지 단위로 기입 가능한 불휘발성 반도체 기억소자(35), 상기 페이지 내의 최종 번지를 검지하는 검지회로(31및 32)및 상기 검지 회로의 출력신호에 따라 상기 불휘발성 반도체 기억 소자에 대해 기입 동작을 행하는 기입회로(33)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 검지 회로가 어드레스를 복수 비트씩 부정 논리합을 취하는 복수의 NOR 회로(43)과 이들 NOR회로의 출력 신호의 부정 논리곱을 취하는 NAND회로(51)에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920018241A 1991-10-07 1992-10-06 반도체 기억 장치 KR960003402B1 (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25947191A JPH05101684A (ja) 1991-10-07 1991-10-07 半導体記憶装置
JP91-259471 1991-10-07

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Publication Number Publication Date
KR930008866A true KR930008866A (ko) 1993-05-22
KR960003402B1 KR960003402B1 (ko) 1996-03-09

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KR1019920018241A KR960003402B1 (ko) 1991-10-07 1992-10-06 반도체 기억 장치

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EP (1) EP0536696A3 (ko)
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Publication number Publication date
JPH05101684A (ja) 1993-04-23
EP0536696A3 (en) 1993-10-06
KR960003402B1 (ko) 1996-03-09
US5327395A (en) 1994-07-05
EP0536696A2 (en) 1993-04-14

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