KR930006855A - 렌즈형 마스크 제조방법 - Google Patents

렌즈형 마스크 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR930006855A
KR930006855A KR1019910016965A KR910016965A KR930006855A KR 930006855 A KR930006855 A KR 930006855A KR 1019910016965 A KR1019910016965 A KR 1019910016965A KR 910016965 A KR910016965 A KR 910016965A KR 930006855 A KR930006855 A KR 930006855A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist
photoresist pattern
mask
lens
substrate
Prior art date
Application number
KR1019910016965A
Other languages
English (en)
Inventor
유상용
손정민
박한수
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019910016965A priority Critical patent/KR930006855A/ko
Publication of KR930006855A publication Critical patent/KR930006855A/ko

Links

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

본 발명은 렌즈형 마스크 제조방법에 관한 것으로, 투명재질의 기판에 비투광성 금속물질을 코팅하고 포토레지스트를 도포한후 노광, 현상하여 레지시트패턴을 형성하며 이를 마스크로 비투광성 금속물질을 에칭하여 광차단막을 형성하고, 상기 기판 전면에 새로운 레지스트를 도포한후 비투광성 금속물질이 도포된 마스터 마스크를 이용하여 노광처리하여 포토레지스트패턴을 형성한후 기판의 전면 또는 배면에서 노광처리하여 투과율을 높인후 열 또는 빛을 이용하여 포토레지스트패턴을 리플로우시켜 광차단막 사이에 렌즈형의 투명막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
따라서 마스크를 통과한 빛을 투명막의 렌즈역할로 인하여 광차단막 엣지부근의 회절광을 투명막 중앙으로 집속시킴으로써 콘트라스트를 향상시킬 수 있어 고해상되를 달성하여 64M급 이상의 고집적 메모리 제작이 가능하다.

Description

렌즈형 마스크 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도(A) 내지 제3도(F)는 본 발명에 의한 렌즈형 마스크의 제조공정 순서를 나타낸 단면도.

Claims (4)

  1. 투명재질로 된 기판(1)상에 비투광성 금속물질(2)을 코팅하는 공정과; 상기 고팅공정후 포토레지스트를 도포하고 마스터 마스크를 사용하여 상기 포토레지스트막을 노광후 형상하여 포토레지스트패턴(3)을 형성하는 공정; 상기 포토레지스터패턴(3)을 마스크로 하여 상기 비투광성 금속물질(2)을 에칭한후 상기 포토레지스트패턴(3)을 제거하여 광차단막(2a)을 형성하는 공정; 상기 기판(1)전면에 포토레지스트(4)를 도포한후 비투광성금속물질(2a')이 도포된 마스터 마스크(5)를 이용하여 노광처리하여 포토레지스트패턴(4a')를 형성하는 공정; 상기 공정으로 형성된 포토레지스트패턴(4a')을 상기 기판(1)의 전면 또는 배면에서 노광처리하는 공정; 상기 노광공정후 열 또는 빛을 이용하여 포토레지스트패턴(4a')을 리플로우시켜 상기 광차단막(2a)사이에 렌즈형상의 투명막(4a)을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 렌즈형 마스크 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트패턴(4a')은 리플로우 시킬 때 흘러내려 광차단막(2a)을 덮지않도록 광차단막(2a)과 일정거리(W)를 두고 형성되는 것을 특징으로 하는 렌즈형 마스크 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 렌즈형상의 투명막(4a)은 포지티브형(Positive type)의 포토레지스트로 형성되는 것을 특징으로 하는 렌즈형 마스크 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 렌즈형상의 투명막(4a)은 상기 포토레지스트패턴(4a')을 기판(1)의 전면 또는 배면에서 노광처리하여 투과율을 높이는 블리칭(bleaching)처리를 한후 열 또는 빛을 이용하여 리플로우시켜 형성됨을 특징으로 하는 렌즈형 마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910016965A 1991-09-28 1991-09-28 렌즈형 마스크 제조방법 KR930006855A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910016965A KR930006855A (ko) 1991-09-28 1991-09-28 렌즈형 마스크 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910016965A KR930006855A (ko) 1991-09-28 1991-09-28 렌즈형 마스크 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR930006855A true KR930006855A (ko) 1993-04-22

Family

ID=67433520

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910016965A KR930006855A (ko) 1991-09-28 1991-09-28 렌즈형 마스크 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930006855A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB2135793A (en) Bilevel ultraviolet resist system for patterning substrates of high reflectivity
JPS5595324A (en) Manufacturing method of semiconductor device
KR890012341A (ko) 색수상관 새도우 마스크 제조방법
KR930006855A (ko) 렌즈형 마스크 제조방법
KR0119377B1 (ko) 반도체장치 제조방법
KR930008951A (ko) 렌즈형 마스크 제조방법
KR930006854A (ko) 렌즈형 마스크 제조방법
US6492069B1 (en) Method for forming an attenuated phase-shifting mask
KR100212905B1 (ko) 내부전반사 홀로그램에 의한 고화질 영상 마스크
KR910020802A (ko) 마스크의 제작방법
KR930008996A (ko) 렌즈형 마스크 제조방법
JPS60166949A (ja) フオトマスク
KR0174626B1 (ko) 포토마스크 및 그의 제조방법
KR920015462A (ko) 렌즈형 마스크 및 그 제조방법
KR200188671Y1 (ko) 노광빛난반사방지용포토마스크
KR960000181B1 (ko) 반도체 소자의 패턴 형성 방법
KR950021047A (ko) 포토레지스트의 미세패턴 형성방법
KR950004397A (ko) 반도체 제조용 크롬 마스크의 결함 제거방법
KR970054993A (ko) 부분 회절 격자 형성 방법
KR950015584A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR950012630A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조 방법
KR960018766A (ko) 투영 노광 방법, 이에 사용되는 마스크 및 그 제조방법
JPS587135A (ja) ジアゾ感光紙の反射露光方法
KR960035153A (ko) 투영 노광 방법, 이에 사용되는 마스크
KR950014974A (ko) 반도체 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
SUBM Submission of document of abandonment before or after decision of registration