KR930008996A - 렌즈형 마스크 제조방법 - Google Patents

렌즈형 마스크 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR930008996A
KR930008996A KR1019910018042A KR910018042A KR930008996A KR 930008996 A KR930008996 A KR 930008996A KR 1019910018042 A KR1019910018042 A KR 1019910018042A KR 910018042 A KR910018042 A KR 910018042A KR 930008996 A KR930008996 A KR 930008996A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist
lens
film
photoresist pattern
substrate
Prior art date
Application number
KR1019910018042A
Other languages
English (en)
Inventor
유상용
손정민
박한수
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019910018042A priority Critical patent/KR930008996A/ko
Publication of KR930008996A publication Critical patent/KR930008996A/ko

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 렌즈형 마스크 제조방법에 관한 것으로, 투명재질의 기판에 비투광성 금속물질을 조성하고 포토레지스트를 도포한후 노광, 현상하여 레지스트패턴을 형성하며 이를 마스크로 비투광성 금속물질을 에칭하여 광차단막을 형성하고, 상기 기판 전면에 새로운 레지스트를 도포한후 기판의 배면에서 노광처리하여 포토레지스트패턴을 형성하고 상기 포토레지스트패턴을 화학약품으로 리플로우한후 수축시켜 광차단막 사이의 공간부에 렌즈형의 투명막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
따라서 마스크를 통과한 빛을 투명막의 렌즈역할로 인하여 광차단막 엣지부근의 회절광을 투명막 중앙으로 집속시킴으로써 콘트라스트를 향상시킬 수 있어 고해상도를 달성하여 64M급 이상의 고집적 메모리 제작이 가능하다.

Description

렌즈형 마스크 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 위상시프트 마스크의 단면도 및 마스크상의 광진폭, 웨이퍼상의 광진폭, 웨이퍼상의 광강도를 나타낸 도면,
제3도 (A) 내지 제3도 (F)는 본 발명에 의한 렌즈형 마스크의 제조 공정순서를 나타낸 단면도이다.

Claims (3)

  1. 투명재질로 된 기판(1)상에 비투광성 금속물질(2)을 코팅하는 공정과 상기 코팅공정후 포토레지스트를 도포하고 마스터 마스크를 사용하여 상기 포토레지스트막을 노광후 현상하여 포토레지스트패턴(3)을 형성하는 공정; 상기 포토레지스트패턴(3)을 마스크로 하여 상기 비투광성 금속물질(2)을 에칭한후 상기 포토레지슬패턴(3)을 제거하여 광차단막(2a)을 형성하는 공정; 상기 기판(1) 전면에 포토레지스트(4)를 도포한후 기판(1)의 배면에서 노광 처리하는 공정; 상기 노광처리후 현상하여 포토레지스트패턴(4a´)을 형성하는 공정; 상기 포토레지스트패턴(4a´)을 리플로우한후 수축시켜 상기 광차단막(2a) 사이의 공간부에 렌즈형상의 투명막(4a)을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 렌즈형 마스크 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 렌즈형상의 투명막(4a)은 네가티브형의 포토레지스트로 형성되는 것을 특징으로 하는 렌즈형 마스크 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 렌즈형상의 투명막(4a)은 상기 포토레지스트패턴(4a´)을 IPA(이소프로필렌), 알콜 등의 화학약품을 이용하여 리플로우한후 수축시켜 상기 광차단막(2a) 엣지를 일부 덮는 형태로 형성됨을 특징으로 하는 렌즈형 마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910018042A 1991-10-14 1991-10-14 렌즈형 마스크 제조방법 KR930008996A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910018042A KR930008996A (ko) 1991-10-14 1991-10-14 렌즈형 마스크 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910018042A KR930008996A (ko) 1991-10-14 1991-10-14 렌즈형 마스크 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR930008996A true KR930008996A (ko) 1993-05-22

Family

ID=67348799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910018042A KR930008996A (ko) 1991-10-14 1991-10-14 렌즈형 마스크 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930008996A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950021055A (ko) 하프톤형 위상반전 마스크 및 그 제조 방법
KR0119377B1 (ko) 반도체장치 제조방법
KR930008996A (ko) 렌즈형 마스크 제조방법
EP0517382A1 (en) Method for forming resist mask pattern by light exposure
US6492069B1 (en) Method for forming an attenuated phase-shifting mask
KR19980015360A (ko) 위상 반전 마스크 제조방법
KR930008951A (ko) 렌즈형 마스크 제조방법
KR930006854A (ko) 렌즈형 마스크 제조방법
KR930006855A (ko) 렌즈형 마스크 제조방법
KR920015462A (ko) 렌즈형 마스크 및 그 제조방법
JPS60166949A (ja) フオトマスク
KR920003811B1 (ko) 레지스트의 이중 도포에 의한 이중 노광방법
US7008729B2 (en) Method for fabricating phase mask of photolithography process
KR970054993A (ko) 부분 회절 격자 형성 방법
KR970016782A (ko) 포토마스크 및 그의 제조방법
KR100623922B1 (ko) 위상반전마스크의 제조 방법
KR0170336B1 (ko) 플라즈마 샤우어링을 이용한 마스크 제작방법
KR950015617A (ko) 반도체소자의 미세패턴 제조방법
KR950021047A (ko) 포토레지스트의 미세패턴 형성방법
KR950021041A (ko) 변형 미해상 회절마스크 구조 및 제작방법
KR970022517A (ko) 포토마스크 및 그 제조방법
KR950004397A (ko) 반도체 제조용 크롬 마스크의 결함 제거방법
KR19990012266A (ko) 포토 마스크의 리페어 방법
KR950014974A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
JPH0385716A (ja) パターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
SUBM Submission of document of abandonment before or after decision of registration