KR930005256A - Mesfet 반도체 장치 제조방법 - Google Patents
Mesfet 반도체 장치 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930005256A KR930005256A KR1019910014963A KR910014963A KR930005256A KR 930005256 A KR930005256 A KR 930005256A KR 1019910014963 A KR1019910014963 A KR 1019910014963A KR 910014963 A KR910014963 A KR 910014963A KR 930005256 A KR930005256 A KR 930005256A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mesfet
- type
- type mesfet
- semiconductor device
- sin
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 2
- 244000089409 Erythrina poeppigiana Species 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000009776 Rathbunia alamosensis Nutrition 0.000 claims 1
- 229910004161 SiNa Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 제1도에 따른 D형 MESFET와 함께 반도체 장치내 포함되는 E형 MESFET의 단면구조를 나타낸 E형 MESFET의 단면도이다.
Claims (1)
- E(enhancement)형과 D(deplection)형 MESFET가 공존하는 반도체 장치제조에 있어서, GaAs기판 내에 D형 도우즈량으로 이온주입하여 n불순물 영역의 형성단계와, 이 n불순물 형역에 소오스/드레인 영역을 형성하기 위한 n+불순물 영역을 형성하도특 상기 기판상에 SiN막을 포함하는 복수의 절연층 도포 및 패터닝 후 이온주입하여 형성하고, 기판 전면에 걸쳐 SiN2막을 도포하고 패터닝하여 n불순물 영역, SiN막 및 SiNa층을 갖는 게이트 전극부를 형성하여 D형 MESFET를 형성한 후에 E형 MESFET를 형성하기 위해서 선택된 D형 MESFET를 형성한 후에 E형 MESFET를 형성하기 위해서 선택된 D형 MESFET의 게이트 전극부를 구성하는 SiN막을 부분적으로 식각해 내어 E형 MESFET를 형성하므로써 D형 MESFET가 함께 형성된 반도체 장치가 형성됨을 특징으로 하는 MESFET반도체 장치 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910014963A KR940010561B1 (ko) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | Mesfet 반도체 장치 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910014963A KR940010561B1 (ko) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | Mesfet 반도체 장치 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930005256A true KR930005256A (ko) | 1993-03-23 |
| KR940010561B1 KR940010561B1 (ko) | 1994-10-24 |
Family
ID=19319266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910014963A KR940010561B1 (ko) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | Mesfet 반도체 장치 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940010561B1 (ko) |
-
1991
- 1991-08-28 KR KR1019910014963A patent/KR940010561B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940010561B1 (ko) | 1994-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930017188A (ko) | 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR970030681A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR960012564A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 형성방법 | |
| KR840005933A (ko) | 전계효과 트랜지스터의 제조방법 | |
| ATE35067T1 (de) | Kleinflaechiger duennfilmtransistor. | |
| KR960024604A (ko) | 이중 채널 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR940004856A (ko) | 전계효과 트랜지스터 제조방법 | |
| KR890003028A (ko) | 고저항 다결정 실리콘의 제조방법 | |
| EP0085916A3 (en) | Method of fabricating field effect transistors | |
| KR920010975A (ko) | 반도체장치 및 그의 제조방법 | |
| KR930005259A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR910010731A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR940002952A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR930005256A (ko) | Mesfet 반도체 장치 제조방법 | |
| KR960026570A (ko) | 고집적 반도체 소자 제조방법 | |
| KR950010138A (ko) | 엠엔오에스(mnos)형 반도체장치 | |
| KR910017646A (ko) | 플라즈마 산화를 이용한 박막 fet트랜지스터의 제조방법 | |
| KR930003430A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JPS56105677A (en) | Complementary type high breakdown voltage semiconductor device and manufacture thereof | |
| KR950004583A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR950021744A (ko) | 반도체 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR960026433A (ko) | 모스 트랜지스터 접합 형성 방법 | |
| KR970013047A (ko) | 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR940016924A (ko) | 고속소자용 트랜지스터 제조방법 | |
| KR930003370A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20010906 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |