KR930005231A - 다중 링 에미터 구조의 바이폴라 트랜지스터 - Google Patents
다중 링 에미터 구조의 바이폴라 트랜지스터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930005231A KR930005231A KR1019910013490A KR910013490A KR930005231A KR 930005231 A KR930005231 A KR 930005231A KR 1019910013490 A KR1019910013490 A KR 1019910013490A KR 910013490 A KR910013490 A KR 910013490A KR 930005231 A KR930005231 A KR 930005231A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- bipolar transistor
- emitter
- regions
- emitter structure
- ring
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/732—Vertical transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명 다중 링 에미터구조의 바이폴라 트랜지스터의 평면도,
제4도는 본 발명에 따른 바이폴라 트랜지스터의 요부인 에미터 부분 발췌도,
제5도는 본 발명 다중 링 에미터구조의 바이폴라 트랜지스터의 수직단면도.
Claims (4)
- 콜렉터로 동작하는 반도체기판(11,12)과, 상기 반도체기판(11,12)의 표면영역내에 형성되는 베이스영역(13), 상기 베이스영역(13)의 표면영역내에서 형성되는 다수개의 에미터영역(21,22,23), 상기 베이스영역(13)과, 연결되어 있는 베이스전극(41,42,43,44), 상기 에미터 영역(21,22,23)과 연결되어 있는 에미터 전극(45,46,47)으로 이루어짐을 특징으로 하는 다중 링 에미터구조의 바이폴라 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 다수개의 상기 에미터영역(21,22,23)은 내부 일정영역을 제거하여 링 형태의 구조로 됨을 특징으로 하는 다중 링 에미터구조의 바이폴라 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 다수개의 상기 에미터영역(21,22,23)의 링 안쪽 부분은 콘택되지 않은 에미터전극으로 덮혀있음을 특징으로 하는 다중 링 에미터구조의 바이폴라 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 다수개의 상기 에미터영역(21,22,23)은 에미터단자와 연결될 패드(52)를 감싸고 있는 형태로 구성됨을 특징으로 하는 다중 링 에미터구조의 바이폴라 트랜지스터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910013490A KR940001259B1 (ko) | 1991-08-03 | 1991-08-03 | 다중 링 에미터 구조의 바이폴라 트랜지스터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910013490A KR940001259B1 (ko) | 1991-08-03 | 1991-08-03 | 다중 링 에미터 구조의 바이폴라 트랜지스터 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930005231A true KR930005231A (ko) | 1993-03-23 |
| KR940001259B1 KR940001259B1 (ko) | 1994-02-18 |
Family
ID=19318257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910013490A KR940001259B1 (ko) | 1991-08-03 | 1991-08-03 | 다중 링 에미터 구조의 바이폴라 트랜지스터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940001259B1 (ko) |
-
1991
- 1991-08-03 KR KR1019910013490A patent/KR940001259B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940001259B1 (ko) | 1994-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900004031A (ko) | 바이폴러 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR910015073A (ko) | 고전압 반도체 구조체 및 그 제조방법 | |
| KR940008112A (ko) | 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR880001058A (ko) | 헤테로 접합형 바이폴러트랜지스터의 제조방법 | |
| KR910007129A (ko) | 입력보호회로를 구비한 반도체장치 | |
| KR880005662A (ko) | 집적 회로 제조공정 | |
| KR940003103A (ko) | 집적 색선택성 광다이오드와 광다이오드에 접속하는 증폭기의 구성배열 | |
| KR890013746A (ko) | 쌍극성 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR880005688A (ko) | 헤테로 접합형 바이폴러트랜지스터 | |
| KR880013255A (ko) | 바이폴라트랜지스터 | |
| KR930005231A (ko) | 다중 링 에미터 구조의 바이폴라 트랜지스터 | |
| JPS55165672A (en) | Semiconductor device | |
| KR850003478A (ko) | 절연기판 실리콘내에 형성된 레이터랄 바이폴라 트랜지스터 | |
| KR970054488A (ko) | 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터 | |
| KR940006281A (ko) | 반도체 장치 | |
| JPS6467972A (en) | Power mosfet | |
| KR860001488A (ko) | 바이폴러 트랜지스터와 iil이 있는 반도체 장치 | |
| KR950015808A (ko) | 반도체 소자 | |
| KR880013256A (ko) | 헤테로접합형 바이폴라트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JPS54104779A (en) | Semiconductor device | |
| KR890013792A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JPS57133670A (en) | Structure of lateral transistor | |
| JPS6459959A (en) | Vertical field-effect transistor | |
| KR960019479A (ko) | 반도체소자 | |
| KR970054352A (ko) | 바이폴라 트랜지스터 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110128 Year of fee payment: 18 |
|
| EXPY | Expiration of term |