KR930005105A - 반도체 기억 장치 - Google Patents

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KR930005105A
KR930005105A KR1019910014872A KR910014872A KR930005105A KR 930005105 A KR930005105 A KR 930005105A KR 1019910014872 A KR1019910014872 A KR 1019910014872A KR 910014872 A KR910014872 A KR 910014872A KR 930005105 A KR930005105 A KR 930005105A
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박희철
김두응
황상기
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • GPHYSICS
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    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
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    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
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    • G11C11/413Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 기억 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체 기어 장치의 메모리 셀 부분의 회로도,
제2도는 제1도의 등화용 트랜지스터에 대한 종래 기술에 의한 레이아웃도,
제3도는 이 발명에 따른 등화용 트랜지스터에 대한 레이아웃도이다.

Claims (2)

  1. 충전 등화 회로 및 메모리 셀을 갖는 반도체 기억장치의 등화용 트랜지스터 형성을 위해 반도체 웨이퍼상에 마련된 액티브 영역상에 상기 메모리셀을 가로질러 배치된 워드라인과 동일 패턴으로, 다수의 분할된 가지를 갖고 상기 액티브 영역상의 각 게이트 라인 양쪽으로 소오스, 드레인 영역을 형성하여 동일 영역을 상호 전기적으로 연결하여 형성된 등화 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 액티브 영역상에 놓이는 분할된 게이트 전극라인은 적어도 2개의 가지 이상으로 형성됨을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100407373B1 (ko) * 1996-07-10 2004-03-18 주식회사 휴비스 폴리에스테르계 탄성 복합섬유의 제조방법

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KR100407373B1 (ko) * 1996-07-10 2004-03-18 주식회사 휴비스 폴리에스테르계 탄성 복합섬유의 제조방법

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