KR930001354A - 접촉구 형성후의 bpsg 리플로우 방법 - Google Patents
접촉구 형성후의 bpsg 리플로우 방법 Download PDFInfo
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- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 title claims 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- -1 TMB Chemical compound 0.000 claims 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 제조공정도.
제2도는 본 발명에 따른 제조공정도.
Claims (6)
- 접촉구 형성후의 BPSG 리플로우 방법에 있어서 소정의 제1도전형 반도체기판 상면에 절연막을 형성하는 제1공정과, 상기 절연막 상면에 TEOS, TMP, TMB, 산소의 혼합가스를 사용하여 제1농도의 BPSG막의 제2농도의 BPSG막을 연속적으로 형성하는 제2공정과, 소정의 패턴으로 상기 절연막이 노출될때까지 제1 및 제2농도의 BPSG막을 식각하여 접촉구를 형성하는 제3공정과, 상기 제1 및 제2농도의 BPSG막을 소정온도에서 소정시간 동안 리플로우 시키는 제4공정과, 이방성 식각을 실시하여 상기 제2농도의 BPSG막을 제거함과 동시에 상기 접촉구 내부에 잔류된 절연막을 제거하는 제5공정과, 상기 기판 상면에 상기 접촉구와 접촉하는 금속층을 형성하는 제6공정을 순차적으로 구비함을 특징으로 하는 접촉구 형성후의 BPSG 리플로우 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막이 산화막임을 특징으로 하는 접촉구 형성후의 BPSG 리플로우 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1농도가 상기 제2농도보다 저농도임을 특징으로 하는 접촉구 형성후의 BPSG 리플로우 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제1농도의 BPSG막이 3∼5wt%의 붕소농도와 5∼7wt%의 인농도를 가지며, 상기 제2농도의 BPSG막이 4∼7wt%의 붕소농도와 7∼10wt%의 인농도를 가짐을 특징으로 하는 접촉구 형성후의 BPSG 리플로우 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제1농도의 BPSG막이 6000∼8000Å의 두께를 가지고, 상기 제2농도의 BPSG막이 3000∼4500Å의 두께를 가짐을 특징으로 하는 접촉구 형성후의 BPSG 리플로우 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제4공정이 리플로우 공정이 질소 또는 질소와 산소 또는 수증기 분위기에서 780℃∼850℃의 온도로 30분정도 실시됨을 특징으로 하는 접촉구 형성후의 BPSG 리플로우 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910009994A KR930010401B1 (ko) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 접촉구 형성후의 bpsg 리플로우 방법 |
| JP3287670A JPH04372131A (ja) | 1991-06-17 | 1991-11-01 | 半導体装置におけるコンタクト孔形成後のｂｐｓｇ膜のリフロー法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019910009994A KR930010401B1 (ko) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 접촉구 형성후의 bpsg 리플로우 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930001354A true KR930001354A (ko) | 1993-01-16 |
| KR930010401B1 KR930010401B1 (ko) | 1993-10-23 |
Family
ID=19315893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910009994A KR930010401B1 (ko) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 접촉구 형성후의 bpsg 리플로우 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04372131A (ko) |
| KR (1) | KR930010401B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2965188B2 (ja) * | 1993-11-26 | 1999-10-18 | キヤノン販売 株式会社 | 成膜方法 |
| JP3245136B2 (ja) | 1999-09-01 | 2002-01-07 | キヤノン販売株式会社 | 絶縁膜の膜質改善方法 |
-
1991
- 1991-06-17 KR KR1019910009994A patent/KR930010401B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-11-01 JP JP3287670A patent/JPH04372131A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930010401B1 (ko) | 1993-10-23 |
| JPH04372131A (ja) | 1992-12-25 |
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