KR930001337A - 표면처리장치 및 표면처리방법 - Google Patents

표면처리장치 및 표면처리방법 Download PDF

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Abstract

피처리물을 고정 밀도로 에칭 처리할 수 있고, 더욱이 에칭 처리후의 피처리물에 부착한 유해한 가스의 대기중으로의 방출을 억제할 수 있는 동시에, 상기 피처리물 표면으로의 반응 생성물의 부착 및 물방울의 부착을 방지한 표면처리 장치를 개시한다.
상기 표면처리장치는 반입된 피처리물을 활성화된 에칭가스에 의해 에칭 하기 위한 제1처리실과, 상기 제1처리실을 감압으로 하기 위한 배기부재와, 상기 제1처리실내에 반입된 피처리물을 냉각하기 위한 냉각부재와, 상기 제1처리실에서 에칭된 피처리물의 반입되는 제2처리실과 상기 제2처리실을 감압으로 하기 위한 배기 부재와, 상기 제2처리실내에 반입된 상기 피처리물을 가열하기 위한 가열부재를 구비하고 있다.

Description

표면처리장치 및 표면처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 표면처리장치를 나타낸 단면도.
제2도는, 실시예 1의 표면처리공정을 나타낸 플로우 차트.
제3도는, 램프로부터 에너지선을 다른 분위기에서 반도체 웨이퍼 표면에 조사(照射)했을 때의 상기 반도체 웨이퍼 표면의 온도변화를 나타낸 그래프.
제4도는, 본 발명의 실시예 2에 있어서의 표면처리장치를 나타낸 단면도.
제5도는, 본 발명의 실시예 3에 있어서의 표면처리장치를 나타낸 부분 절결정면도.
제6도는, 제5도의 표면처리장치에 짜넣은 탈가스실을 나타낸 단면도.
제7도는, 제6도의 탈가스실내에 배치되는 가스트랩부재를 나타낸 평면도.
제8도는, 제7도의 가스트랩부재를 나타낸 요부단면도.
제9도는, 본 발명의 실시예 4에 있어서의 표면처리장치에 짜넣은 탈가스실을 나타낸 단면도.
제10도는, 본 발명의 실시예 5에 있어서의 표면처리장치에 짜넣은 탈가스실 및 그 주변구조를 나타낸 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 개구부 2 : 원통체
3 : 원판 4 : 환형상 절연판
5 : 중공부 6 : 하부전극
7 : 환형상 절연판 8 : 에칭처리실
9 : 마그네트 10 : 회전축
11 : 매칭회로 12 : 고주파 전원
13 : 냉각매체 공급관 14 : 냉각매체 배출관
15 : 가스공급관 16 : 가스유통 구멍
17 : 가스배기관 18 : 창구멍
19 : 직4각형 통체 20 : 반송용 로드록실
21 : 제2게이트 밸브 22 : 쿼르츠윈도우(Quartz window)
23 : 박스 24 : 볼트
25 : 할로겐 램프 26 : 제3게이트 밸브
27 : 반송아암 28 : 가스공급관
29 : 가스유통구멍 30 : 가스배기관
31 : 반도체 웨이퍼 41 : 에칭처리실
42 : 직4각형 통체 43 : 제1게이트 밸브
44 : 제2게이트 밸브 45 : 제3게이트 밸브
46 : 제1로드록실 47 : 가열처리실
48 : 제2로드록실 49 : 제1반송아암
50 : 제1가스공급관 51 : 제1가스 배기관
52 : 히이터 53 : 웨이퍼 재치대
54 : 교류전원 55 : 제2가스 공급관
56 : 제2가스 배기관 57 : 제2반송아암
58 : 제3가스공급관 59 : 제3가스배기관
60 : 제4게이트 밸브 61 : 반도체 웨이퍼
71 : 직4각형 통체 72 : 플라즈마 에칭처리실
73 : 제1게이트 밸브 74 : 제2게이트 밸브
75 : 반입용 로드록실 76 : 탈가스실
77 : 제4게이트 밸브 78 : 반송아암
79 : 제1가스 공급관 80 : 제1가스 배기관
81 : 척판 82 : 창구멍
83 : 쿼르츠윈도우 84 : 박스
85 : 볼트 86 : 할로겐 램프
87 : 가스트랩기구 88 : 프레임
89 : 투명 트랩판 90 : 냉각매체 유로
91 : 열매체 유로 92 : 제2가스 공급관
93 : 가스유통구멍 94 : 제2가스 공급관
95 : 반도체 웨이퍼 96 : 플랜지부
97 : 볼트 98 : 냉각 가스 공급 노즐
99 : 가열가스 공급 노즐 100 : 제1예비 처리실
101 : 제2예비처리실 102 : 제5게이트 밸브
103 : 제6게이트 밸브 104 : 제2가스 트랩

Claims (27)

  1. 반입된 피처리물을 활성화된 에칭 가스에 의해 에칭하기 위한 제1처리실; 상기 제1처리실을 감압으로 하기 위한 배기 수단; 상기 제1처리실내에 반입된 피처리물을 냉각하기 위한 냉각 수단; 상기 제1처리실에서 에칭된 피처리물이 반입되는 제2처리실; 상기 제2처리실을 감압으로 하기 위한 배기 수단; 상기 제2처리실내에 반입된 상기 피처리물을 가열하기 위한 가열 수단; 을 구비한 표면처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1처리실은 에칭 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단과 플라즈마 발생 수단과를 가지며, 상기 활성화된 에칭 가스는 상기 가스 공급 수단으로부터 공급된 에칭 가스를 상기 플라즈마 발생 수단에 의해 상기 제1처리실내에 생성한 플라즈마에 의해 활성화함으로써, 형성되는 표면처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 냉각 수단은 상기 제1처리실내에 배치되고, 상기 피처리물이 얹여 놓여지는 중공 형상의 재치대(53)와, 상기 재치대(53)의 중공부(5)에 냉각 매체를 공급하는 공급관(13)과, 상기 재치대(53)의 중공부(5)에 공급된 냉각 매체를 배출하는 배출관(14)으로 구성되는 표면처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 냉각 매체는 액체 질소인 표면처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 가열 수단은, 상기 제2처리실의 외부에 배치된 에너지선 조사 램프이며, 상기 램프가 배치되는 상기 제2처리실의 벽부에는 에너지선 투과창이 형성되어 있는 표면처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 가열 수단은 상기 제2처리실내에 반송된 피처리물을 얹어 놓기 위한 핫플레이트인 표면처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2처리실내에 불활성 가스를 공급하기 위한 불활성 가스 공급 수단을 가지는 표면처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제2처리실내의 상기 피처리물에서 방출된 가스를 트랩하기 위한 트랩 수단을 가지는 표면처리장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제2처리실은 상기 피처리물을 상압 분위기에서 방출하는 로드록실인 표면처리장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제2처리실은, 상기 제1처리실에 연결되는 제1로드록실과, 상기 제1로드록실에서 반송된 상기 피처리물을 가열하기 위한 가열수단을 가지는 가열 처리실과, 상기 주처리실에서 반송된 상기 피처리물을 상압 분위기에서 반출하는 제2로드록실과 구성되는 표면처리장치.
  11. 피처리물을 냉각하면서 감압 분위기하에서 활성화된 에칭 가스를 작용시켜서, 상기 피처리물의 에칭 처리를 하는 공정; 상기 에칭 처리 후의 상기 피처리물을 감압 분위기 또는 불활성 분위기 하에서 가열 처리하는 공정; 을 구비한 표면처리방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 피처리물의 냉각은 -190 내지 10℃의 온도로 행해지는 표면처리방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 활성화된 에칭 가스는 염소계 가스를 플라즈마에 의해 활성화 된 것인 표면처리방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 피처리물의 가열 처리는, 50 내지 100℃의 온도로 행해지는 표면처리방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 피처리물의 가열처리 공정에 의해 상기 피처리물에서 방출된 가스는 공급된 불활성 가스에 의해 배출되는 표면처리방법.
  16. 피처리물이 반입되는 제1처리실; 상기 제1처리실내의 상기 피처리물에 에너지선을 조사하기 위한 활성화 수단; 상기 제1처리실내에 배치되어 상기 에너지선의 조사에 의해 상기 피처리물 표면에서 방출된 가스를 트랩하기 위한 가스트랩 수단; 상기 제1처리실 내의 피처리물이 반입되고, 상기 피처리물을 표면처리하기 위한 제2처리실; 을 구비한 표면처리장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 활성화 수단은, 상기 제1처리실의 외부에 배치된 에너지선 조사 램프이며, 상기 램프가 배치되는 상기 제1처리실의 벽부에는 에너지선 투과창이 형성되어 있는 표면처리장치.
  18. 제16항에 있어서, 상기 가스트랩 수단은 상기 피처리물과 상기 활성화 수단과의 사이에 위치하는 상기 제1처리실에 배치되어, 냉각 매체가 유통되는 틀체와, 상기 틀체에 지지되어 상기 활성화 수단으로부터의 에너지선을 투과하는 투과창으로 구성되는 표면처리장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 냉각 매체는 액체 질소인 표면처리장치.
  20. 제18항에 있어서, 상기 가스트랩수단의 상기 틀체는, 가열 매체가 유통되는 표면처리장치.
  21. 제16항에 있어서, 상기 가스 트랩 수단은 상기 피처리물과 상기 활성화 수단과의 사이에 위치하는 상기 제1처리실내에 배치되어, 틀체와 상기 틀체에 지지되어 상기 활성화 수단으로부터의 에너지선을 투과하는 투과창과 상기 투과창에 냉각 가스를 내뿜도록 하기 위한 냉각 가스 분사 부재로 구성되는 표면처리장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 가스 트랩 수단은, 상기 투과창에 가열 가스를 분사하기 위한 가열 가스 부사 부재를 가지는 표면처리장치.
  23. 제16항에 있어서, 상기 제1처리실은 상기 피처리물을 상압분위기에서 반입하는 로드록실인 표면처리장치.
  24. 제제16항에 있어서, 상기 제1처리실은, 상기 피처리물을 상압 분위기에서 반입하는 로드록시로가, 상기 로드록실과 상기 제2처리실 사이에 배치되어 상기 활성화 수단 및 가스 트랩 수단을 가지는 탈가스실로 구성되는 표면처리장치.
  25. 제16항에 있어서, 그 위에 제1, 제2의 예비 처리실(100),(101)은 상기 활성화 수단 및 상기 가스 트랩 수단을 가지는 상기 제1처리실(100)을 끼고 그 양쪽에 배치되고, 상기 제1예비 처리실(100)에는 다른 가스 트랩 수단이 배치되는 표면처리장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 가스 트랩 수단은 상기 제1처리실과 상기 제2예비 처리실(101) 사이에서 이동되고, 상기 다른 가스 트랩 수단은 상기 제1예비 처리실(100)과 상기 제1처리실 사이에서 이동되는 표면처리장치.
  27. 제26항에 있어서, 각각의 가스 트랩수단은 냉각 매체 및 가열 매체가 유통되는 틀체와, 상기 틀체에 지지되어 상기 제1처리실내에서 상기 활성화 수단으로 부터의 에너지선을 투과하는 투과창으로 구성되는 표면처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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