KR920703689A - 폴리아닐린 조성물, 이것의 제조방법 및 용도 - Google Patents

폴리아닐린 조성물, 이것의 제조방법 및 용도

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KR920703689A
KR920703689A KR1019920700890A KR920700890A KR920703689A KR 920703689 A KR920703689 A KR 920703689A KR 1019920700890 A KR1019920700890 A KR 1019920700890A KR 920700890 A KR920700890 A KR 920700890A KR 920703689 A KR920703689 A KR 920703689A
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제이.에프스테인 아서
위 지앙
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원본미기재
더 오하이오 스테이트 유니버시티 리서치 파운데이션
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Abstract

내용없음

Description

폴리아닐린 조성물, 이것의 제조방법 및 용도
[도면의 간단한 설명]
제1도는 (a) 자체-도우핑된 술폰화된 폴리아닐린, (b) 술폰화된 폴리아닐린의 어미 중합체인 에머럴딘염기의 FTIR 스펙트럼을 파수(m- 1)로 설명한 그래프이다.
제2도는 (a) (… NH4OH 수용액으로 부터 석영기판에 캐스팅된 후 공기건조된 나타낸 폴리아닐린 막(0.1M NaOH 중에서 3.88 및 2.16eV에서 피이크), (b) (-)NMP중의 에머럴딘염 막(3.76 및 2.0eV에서 피이크)의 전자 흡수 스펙트럼을 설명한 그래프이다.
제9도 내지 15도는 광학적 성질을 이용하는 본 발명의 대안적 구현을 설명한 개략도이다.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (107)

  1. 하기 일반식(I)의 화학적 조성을 갖는 술폰화된 폴리아닐린 조성물 :
    상기 식에서 Y는 0 내지 1이고, R1, R2, R3, R4, R5및 R6는 각각, H, SO3 -, -SO3H, R7S3 -, -R7SO3H, -OCH3, -CH3, C2H5, -F, -Cl, -Br, -I, -NR72, -NHCOR7, -OH, -O-, -SR7, -OR7, -OCOR7, -NO2, -COOH, -COOR7, -COR7, -CHO 및-CN이며, 여기에서, R7은 C1-C8-알킬, 아릴 또는 아랄킬기이고, -SO3 -, -SO3H, -R7SO3 -또는 -R7SO3H인 R1, R2, R3또는 R4기를 하나이상 함유하는 고리의 분율은 20% 내지 100%이다.
  2. 제1항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 조성물이 300(술폰화된 폴리아닐린의 올리고머) 내지 100,000이상의 분자량을 가짐을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, R1이 -SO3 -,-SO3H, -R7SO3 -및 -R7SO3H로 이루어진 군으로부터 선택되고, Rl, R2, R3및 R4은 H이고, y는 약 0.5임을 특징으로 하는 방법.
  4. 폴리아닐린 중합체의 H2SO4를 반응시키는 것으로 이루어지는, 제1항의 폴리아닐린 조성물의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 반응이 -38℃ 내지 100℃의 온도에서 수행됨을 특징으로 하는 방법.
  6. 제4항에 있어서, 반응이 공기중에서 수행됨을 특징으로 하는 방법.
  7. 제4항에 있어서, 폴리아닐린 중합체가, 반응하는 동안, 길이가 감소되지 않는 예정사슬 길이를 가짐을 특징으로 하는 방법.
  8. 제4항에 있어서, 폴리아닐린과 술폰화된 폴리아닐린의 공중합체가 폴리아닐린 중합체를 부분적으로 술폰화시킴으로써 얻어짐을 특징으로 하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 폴리아닐린 중합체의 부분적 술폰화가 술폰화 시간을 단축시키고, 그리고/또는 술폰화 온도를 저하시키는 것으로 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  10. 제4항에 있어서, 폴리아닐린과 술폰화된 폴리아닐린의 공중합체가, 2-아미노-술폰산 및 아닐린을 산성수용액중에서 과황산 칼륨으로 이루어진 산화제와 반응시킴으로써 얻어짐을 특징으로 하는 방법.
  11. 전도성 상태와 비전도성 상태 사이에서 -0.2V 내지 0.8V의 범위에 있는, 전기 화학적 감응을 전환시키기 위한, 일반식(8)의 술폰화된 폴리아닐린 조성물로 이루어지는 조성물.
  12. 제11항에 있어서, 조성물이 일레트로크로믹 디스플레이에 사용됨을 특징으로 하는 조성물.
  13. 제11항에 있어서, 조성물이 전자스위치에 사용됨을 특징으로 하는 조성물.
  14. 제11항에 있어서, 조성물이 재충전할 수 있는 축전지에 사용됨을 특징으로 하는 조성물.
  15. 일반식(I)의 술폰화된 폴리아닐린에 인가된 전위를 변화시켜서, 전도성 상태와 비전도성 상태 사이에서 술폰화된 폴리아닐린 조성물내의 전기 화학적 감응을 전환시키는 것으로 이루어지는 전도성 상태와 비전도성 상태 사이에서 전기화학적 감응을 전환시키기 위한 방법.
  16. 반응성 화학물질에 대한 노출을 통해 술폰화된 폴리아닐린 조성물의 색 및/또는 전도도가 변화되는, 화학적 센서로 사용하기 위한, 일반식(I)의 술폰화된 폴리아닐린 조성물로 이루어지는 조성물.
  17. 전기전도도가 약 0.5 S/cm의 범위에 있는, 전기를 전도하기 위한, 일반식(I)의 술폰화된 폴리아닐린 조성물로 이루어지는 조성물.
  18. 17항에 있어서, 조성물이 전자비임 석판인쇄 공정을 위한 방전층으로서 사용됨을 특징으로 하는 조성물.
  19. 제17항에 있어서, 조성물이 정전기 방전용 매질로서 사용됨을 특징으로 하는 조성물.
  20. 제18항에 있어서, 조성물이 절연성 중합체에 결합되거나, 이 중합체의 매트릭스에 동반되거나, 또는 이 중합체와 공중합되어 전도성 중합체를 생성시킴을 특징으로 하는 조성물.
  21. 제20항에 있어서, 전도성 중합체가 양탄자 및 직물을 포함하는 대형덮개에 사용됨을 특징으로 하는 조성물.
  22. 제20항에 있어서, 전도성 중합체가 전도성 시일, 조인트 또는 성형물에 사용됨을 특징으로 하는 조성물.
  23. 일반식(I)의 술폰화된 폴리아닐린 조성물을 일정한 전류원에 노출시켜서, 술폰화된 폴리아닐린 조성물에 의해 전기를 전도시키는 것으로 이루어지는, 전기를 전도시키기 위한 방법.
  24. 일반적으로 1,000A 내지 50m범위의 파장을 갖는 전자기파 복사를 흡수하기 위한, 일반식(I)의 술폰화된 폴리아닐린 조성물로 이루어진 조성물.
  25. 제24항에 있어서, 전자기파 복사가 일반적으로 0.04㎝ 내지 25㎝범위의 파장을 갖는 마이크로파 복사임을 특징으로 하는 조성물.
  26. 제24항에 있어서, 전자기파 복사가 일반적으로 3,000Å 내지 0.04m범위의 파장을 갖는 적외선 복사임을 특징으로 하는 조성물.
  27. 제24항에 있어서, 전자기파 복사가 일반적으로 4,000Å 내지 8000Å범위의 파장을 갖는 가시광선파 복사임을 특징으로 하는 조성물.
  28. 제24항에 있어서, 전자기파 복사가 일반적으로 100Å 내지 4,000Å범위의 파장을 갖는 자외선 복사임을 특징으로 하는 조성물
  29. 일반식(I)의 술폰화된 폴리아닐린 조성물을 전자기파 복사에 노출시켜서, 술폰화된 폴리아닐린 조성물에 의해 전자기파 복사를 흡수시키는 것으로 이루어지는, 전자기파 복사를 흡수시키기 위한 방법.
  30. 제29항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 조성물을 적외선 복사에 노출시켜서, 술폰화된 폴리아닐린 조성물에 의해 적외선 복사를 흡수시키는 것으로 이루어지는 전자기파 복사를 흡수시키기 위한 방법.
  31. 제29항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 조성물을 가시광선 복사에 노출시켜서, 술폰화된 폴리아닐린 조성물에 의해 가시광선 복사를 흡수시키는 것으로 이루어지는 전자기파 복사를 흡수시키기 위한 방법.
  32. 제29항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 조성물을 자외선 복사에 노출시켜서, 술폰화된 폴리아닐린 조성물에 의해 적외선 복사를 흡수시키는 것으로 이루어지는, 전자기파 복사를 흡수시키기 위한 방법.
  33. 제29항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 조성물을 마이크로파 복사에 노출시켜서, 술폰화된 폴리아닐린 조성물에 의해 마이크로파 복사를 흡수시키는 것으로 이루어지는, 전자기파 복사를 흡수시키기 위한 방법.
  34. (a) 전자기파 복사-흡수성 술폰화된 폴리아닐린 조성물, 또는 이것의 부분적으로 자체-양성자 첨가된 염을 기판에 도포시키고, (b) 전자기파 복사-흡수성 술폰화된 폴리아닐린 조성물, 또는 이것의 부분적으로 자체-양성자 첨가된 염을 전자기파 복사에 노출시켜서, 전자기파 복사-흡수성 술폰화된 폴리아닐린 조성물 또는 이것의 부분적으로 자체-양성자 첨가된 염이 전자기파 복사를 흡수하는 것으로 이루어지는, 기판에 열을 가하는 방법.
  35. 제34항에 있어서, 열이 전자기파 복사의 횹수에 의해 발생되고, 열이 술폰화된 폴리아닐린 조성물 또는 이것의 부분적으로 자체-양성자 첨가된 염으로부터 기판으로 전달됨 특징으로 하는 방법.
  36. 제34항에 있어서, 전자기파 복사가 마이크로파 복사임을 특징으로 하는 방법.
  37. 제34항에 있어서, 전자기파 복사가 적외선 복사임을 특징으로 하는 방법.
  38. 제34항에 있어서, 전자기파 복사가 가시광선 복사임을 특징으로 하는 방법.
  39. 제34항에 있어서, 전자기파 복사가 자외선 복사임을 특징으로 하는 방법.
  40. 제34항에 있어서, 전자기파 복사-흡수성 술폰화된 폴리아닐린 조성물이 일반식(I)의 조성물임을 특징으로 하는 방법.
  41. 제34항에 있어서, 전자기파 복사-흡수성 술폰화된 폴리아닐린 조성물이 300(폴리아닐린의 올리고머)내지 100,000 이상의 분자량을 갖는 조성물임을 특징으로 하는 방법.
  42. 제34항에 있어서, 전자기파 복사-흡수성 술폰화된 폴리아닐린 조성물이, 분무피복, 담금피복, 스핀캐스팅, 용융압출, 절도를 피복 또는 솔질피복으로 이루어진 군으로부터 선택된 방법에 의해 기판에 도포됨을 특징으로 하는 방법.
  43. 제34항에 있어서, 기판이 합성섬유재료, 천연섬유재료, 무기충전재료, 유길 중합체재료, 직조 직물재료, 비직조 직물재료, 및 규산염-함유 재료로 구성된 군으로부터 선택된 재료임을 특징으로 하는 방법.
  44. (a) 마이크로파 복사-흡수성 술폰화된 폴리아닐린 조성물, 또는 이것의 부분적으로 자체-양성자 첨가된 염을 하나이상의 재료에 도포하고, (b) 마이크로파 복사-흡수성 술폰화된 폴리아닐린 조성물 또는 이것의 부분적으로 자체-양성자 첨가된 염이 접착시키려는 두개의 재료에 접촉할 정도로, 접착시키려는 재료를 접촉시키고, (c) 마이크로파 복사-흡수성 술폰화된 폴리아닐린 조성물, 또는 이것의 부분적으로 자체-양성자 첨가된 염을, 재료들을 서로 접착시키기에 충분한 마이크로파 복사에 노출시키는 것으로 이루어지는 2개 이상의 재료를 접착시키는 방법.
  45. 제44항에 있어서, 접착시키려는 재료중 하나가 고온 용융 마이크로파 투과성 재료이고, 접착시키려는 다른 재료가 저온 용융재료이며, 이것에 의해 재료가 용융됨을 특징으로 하는 방법.
  46. 제44항에 있어서, 접착시키려는 재료중 적어도 하나가 플라스틱임을 특징으로 하는 방법.
  47. 제4항에 있어서, 접착시키려는 재료중 적어도 하나가 규산염-함유 재료로 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  48. (a) 술폰화된 폴리아닐린을 광투과성 기판에 도포시키고, (b) 임계각 y에서 파장 x의 제1광선을 술폰화된 폴리아닐린에 조사하고, (c) 파장 z의 제2비임을 술폰화된 폴리아닐린에 조사하고, 이것에 의해 제2비임을 술폰화된 폴리아닐린에 흡수시켜서 술폰화된 폴리아닐린의 굴절지수를 변화시키고, 이것에 의해 광투과성 기판을 통한 제1비임의 투과성을 변화시키는 것으로 이루어지는, 술폰화된 폴리아닐린의 굴절지수를 변화시키는방법.
  49. (a) 임계각 y에서 파장 x의 제1광선을 술폰화된 폴리아닐린에 조사하고, (b) 파장 z에서 제2광선을 술폰화된 폴리아닐린에 조사시키고, 이것에 의해 제2비임을 술폰화된 폴리아닐린에 흡수시켜서 폴리아닐린의 굴절지수를 변화시키고, 이것에 의해 술폰화된 폴리아닐린의 조성물을 통한 제1비임의 투과성을 변화시키는 것으로 이루어지는, 술폰화된 폴리아닐린 조성물의 굴절지수를 변화시키는 방법.
  50. 술폰화된 폴리아닐린 중합제 조성물 또는 이것의 부분적으로 자체-양성자 첨가된 염을 레이더파에 노출시키고, 이것에 의해, 술폰화된 폴리아닐린 조성물 또는 이것의 염에 레이더파를 횹수시키는 것으로 이루어지는 전자기파를 흡수시키는 방법.
  51. 물체가 노출될 수 있는 약간의 레이더파를 흡수시키기 충분한 양으로 술폰화된 폴리아닐린 조성물 또는 이것의 부분적으로 자체-양성자 첨가된 염을 물체에 도포시키고, 이것에 의해 레이더에 의한 물체의 검파도를 감소시키는 것으로 이루어지는, 레이더에 의한 물체의 검파도를 감소시키기 위한 방법.
  52. 제1 및 제2광투과성 기판사이에 술폰화된 폴리아닐린 조성물을 도포하여, 이것에 의해 술폰화된폴리아닐린을 광투파성 기판 둘 모두와 접촉시키고, (b) 제1광투과성 기판을 통해 광학신호를 유도하고, (c) 술폰화된 폴리아닐린 조성물을 술폰화된 폴리아닐린 조성물의 굴절지수률 변화시키기에 충분한 세기 및 파장의 광에 노출시켜서, 제1광투과성 기판을 통해 유도된 광학신호가 술폰화된 폴리아닐린 조성물을 통해 제2광투과성 기관내로 커플링되게하고, 이것에 의해 광학신호를 제2광투과성 기판을 통해 투과시키는 것으로 이루어지는, 술폰화된 폴리아닐린 조성물에 의해 하나의 광투과성 기판으로부터 다른 하나의 광투과성 기판까지 광학신호를 커플링시키는 방법.
  53. 차폐시키려는 물체상에 술폰화된 폴리아닐린 조성물의 층을 제공하고, 이것에 의해, 전자기파 복사의 출입을 방지시키는 것으로 이루어지는, 전자차폐를 제공하는 방법.
  54. (a) 마이크로파 복사-흡수성 술폰화된 폴리아닐린 조성물, 또는 이것의 부분적으로 자체-양성자 첨가된 염을 열전쌍과 접촉시키고, (b) 마이크로파 복사-흡수성 술폰화된 폴리아닐린 조성물, 또는 이것의 부분적으로 자체-양성자 첨가된 염을, 열을 발생시키기에 충분한 마이크로파 복사를 조성물이 흡수하기에 충분한 마이크로파 복사에 노출시키고, 이것에 의해, 열전쌍을 활성화시키는 것으로 이루어지는, 열스위치를 생성시키는 방법.
  55. (a) 방사선-경화성 중합체 또는 예비중합체를 전자장치 또는 회로에 도포시키고, (b) 방사선-경화성 중합체 또는 예비중합체를 술폰화된 폴리아닐린 조성물을 도포시키고, (c) 경화성 중합체 또는 예비중합체 및 술폰화된 폴리아닐린 조성물을 갖는 장치 및 회로를 경화성 중합체 또는 예비중합체를 경화시키기에 충분한 방사선에 노출시키고, 이것에 의해 자외선 복사의 일부를 술폰화된 폴리아닐린 조성물에 흡수시키고, (d) 술폰화된 폴리아닐린 및 경화되지 않은 경화성 중합체 또는 예비중합체를 제거하는 것으로 이루어지는, 전자회로 또는 장치에 도포된 방사선 경화성 중합체를 가려막는 방법.
  56. (a) 술폰화된 폴리아닐린 조성물로 이루어진 중합체 재료를 압출시키고, (b) 압출된 중합체 재료로부터 섬유를 만들고, (c) 압출된 중합체 재료로부터 만든 섬유로 이루어지는 직포를 제조하고, 이것에 의해 전자기파 복사를 직포의 술폰화된 폴리아닐린 조성물에 흡수시키는 것으로 이루어지는, 전자기파 복사 흡수성 직포를 제조하는 방법.
  57. 제56항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 조성물로 이루어진 중합체 재료가, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리이미드, 나일론, 질산 셀루로오스, 아세트산 셀룰로오스 및 염화 폴리비닐로 구성된 군으로부터 선택된 유기재료를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
  58. 제56항의 방법에 의해 제조된 전자기파 복사 흡수성 직포.
  59. 제58항의 전자기파 복사 흡수성 직포로부터 제조된 제품.
  60. 하나의 광투과성 매체로부터 인접한 광투과성 매체까지 커플링된 광을 조절하기 위한 광밸브로서,(a) 광투과성 매체중 하나를 생성시키는 일단의 전자기파 복사 흡수성 술폰화된 폴리아닐린, (b) 굴절지수를 조절하기 위한, 술폰화된 폴리아닐린 매스의 일부에 조절할 수 있는 세기에서 광을 복사기 위한 조절광원, (c) 매체사이의 계면에 인접한 광투과성 매체중 제1매체를 통해 광을 복사하기 위한 조절된 광원, 및 (d) 조절광원으로부터 술폰화된 폴리아닐린 매스에 입사한 광의 세기를 조절할 수 있게 변화시켜서, 이것에 의해 제1매체로부터 나머지 한 매체까지 커플링된 광을 조절하기 위한 수단으로 이루어지는 광밸브.
  61. 제60항에 있어서, 상기 매체중 하나가 도포의 표면에 술폰화된 폴리아닐린의 층을 갖는 고체 광 도체임을 특징으로 하는 광밸브.
  62. 제61항에 있어서, 광도체가 그 세로표면에 술폰화된 폴리아닐린을 갖는 광학섬유임을 특징으로 하는 광밸브.
  63. 제61항에 있어서, 광도체가 말단면에 술폰화된 폴리아닐린을 갖는 광학섬유임을 특징으로 하는 광밸브.
  64. 제63항에 있어서, 말단면이 술폰화된 폴리아닐린/도체 계면에 대한 임계각인 섬유의 광학축에 대한 각으로 래핑됨을 특징으로 하는 광밸브.
  65. 제60항에 있어서, 광도체 형태의 제3매체를 더 포함하고, 제1매체가 제1광도체이고 술폰화된 폴리아닐린매스가 제1도체로부터 술폰화된 폴리아닐린까지 그리고 술폰화된 폴리아닐린으로부터 제2도체까지 광을 커플링시키기 위한 2개의 광도체 사이에 끼워짐을 특징으로 하는 광밸브.
  66. 제60항, 61항, 62항, 63항, 64항 또는 65항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 매스가 함께 2개의 매체를 형성하는 광도체상의 층이고, 조절된 광원이 조절광이 최소세기에 있을 때 그 계면에 대한 임계각보다 실제로 더큰 입사각에서 매체 계면상의 하나의 매체내로부터 선택된 주파수 범위에서 광을 조절하도록 위치하여, 나머지 하나의 매체에 커플링된 광이, 조절광의 세기가 증가되어 상기 입사각보다 큰 각으로 계면의 임계각을 증가시킴으로써 증가됨을 특징으로 하는 광밸브.
  67. 제60항, 61항, 62항, 63항, 64항 또는 65항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 매스가 함께 2개의 매체를 형성하는 광도체상의 층이고, 조절된 광원이 조절광이 최소세기에 있을 때 그 계면에 대한 임계각보다 실제로 더큰 입사각에서 매체 계면상의 하나의 매체내로부터 선택된 주파수 범위에서 광을 조절하도록 위치하여, 나머지 하나의 매체에 커플링된 광이, 조절광의 세기가 증가되어 상기 입사각보다 작 각으로 계면의 임계각을 증가시킴으로써 증가됨을 특징으로 하는 광밸브.
  68. 전파광의 위상속도를 조절할 수 있게 변화시키는 장치로서, (a) 광이 전파되는 광도체, (b) 도체의 표면상의 전자기 복사 흡수성 술폰화된 폴리아닐린의 층, (c) 술폰화된 폴리아닐린층에 광을 복사시키도륵 위치한 가변성 세기조절 광원, 및 (d) 조절광원의 세기를 조절할 수 있게 변화시키는 수단으로 이루어지는 장치.
  69. 마이크로파의 전파경로에 위치한 술폰화된 폴리아닐린의 일단의 전자기파 복사 흡수성 에머릴딘염 형태로 이루어진 마이크로파 감쇠기.
  70. 제69항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린이 마이크로파 전파의 축을 따르는 거리의 함수로서 자체-양성자 첨가에서 변화를 가짐을 특징으로 하는 감쇠기.
  71. 제70항에 있어서, 자체-양성자 첨가가 술폰화된 폴리아닐린 매스를 따라 전파축의 마이크로파 인풋 말단에서의 최소값으로부터 전파축을 따라 반대쪽의 아웃풋 말단에서의 최대값으로 변화함을 특징으로 하는 감쇠기.
  72. 제1항에 있어서, 자체-양성자 첨가의 변화의 평균 그래디언트가 거의 전파축을 따르는 거리의 직선함수임을 특징으로 하는 감쇠기.
  73. 제71항에 있어서, 감쇠기가, 각각 다른 자체-양성자 첨가 수준을 갖는 다수의 술폰화된 폴리아닐린의 적층으로 형성됨을 특징으로 하는 감쇠기.
  74. 제69항, 70항 71항 72항 또는 73항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 매스가 제2전극 및 끼워진 전해질을 갖는 전자의 한 전극이고, 자체-양성자 첨가를 변화시키고 그것에 의해 감쇠를 변화시키기 위해 술폰화된 폴리아닐린 매스의 전위를 조절할 수 있게 변화시키는 수단이 더 제공됨을 특징으로 하는 감쇠기.
  75. 제74항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 매스가 전파축을 따라 배열된 일련의 불연속 세그멘트로 이루어지고, 각각의 세그멘트가 각각 제2전극 및 끼워진 전해질을 갖는 여러 전지의 전극을 형성하고, 세그멘트의 전체 매스를 따라 그 자체-양성자 첨가 및 감쇠를 변화시키기 위해 각각의 세그멘트의 술폰화된 폴리아닐린 매스의 전위를 조절할 수 있게 변화시키는 수단이 더 제공됨을 특징으로 하는 감쇠기.
  76. 제69항, 70항 71항, 72항 또는 73항에 있어서, 매스가 도파관의 하나이상의 내부벽상의 층임을 특징으로 하는 감쇠기.
  77. 제76항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 매스가 제2전극 및 끼워진 전해질을 갖는 전지의 한 전극이고, 자체-양성자 첨가를 변화시키고 이것에 의해 감쇠를 변화시키기 위해 술폰화된 폴리아닐린 매스의 전위를 조절할 수 있게 변화시키는 수단이 더 제공됨을 특징으로 하는 감쇠기.
  78. 제77항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 매스가 제2전극 및 끼워진 전해질을 갖는 전지의 한 전극이고, 자체-양성자 첨가를 변화시키고 이것에 의해 감쇠를 변화시키기 위해 술폰화된 폴리아닐린 매스의 전위를 조절할 수 있게 변화시키는 수단이 더 제공됨을 특징으로 하는 감쇠기.
  79. 제69항, 70항 71항, 72항 또는 73항에 있어서, 매스가 도파관내에 있고, 다파관의 벽들 사이에서 결쳐있고, 전파축을 따라 선택된 거리를 연장함을 특징으로 하는 감쇠기.
  80. 제79항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 매스가 제2전극 및 끼워진 전해질을 갖는 전지의 한 전극이고, 자체-양성자 첨가를 변화시키고 이것에 의해 감쇠를 변화시키기 위해 술폰화된 폴리아닐린 매스의 전위를 조절할 수 있게 변화시키는 수단이 더 제공됨을 특징으로 하는 감쇠기.
  81. 제80항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 매스가 전파축을 따라 배열된 일련의 불연속 세그멘트로 이루어지고, 각각의 세그멘트와, 각각 제2전극 및 끼워진 전해질을 갖는 여러 전지의 전극을 형성하고, 세그멘트의 전체 매스를 따라 그 자체-양성자 첨가 및 감쇠를 변화시키기 위해 각각의 세그멘트의 술폰화된 폴리아닐린 매스의 전위를 조절할 수 있게 변화시키는 수단이 더 제공됨을 특징으로 하는 감쇠기.
  82. 제79항에 있어서 마이크로파 입구에서의 최소 면적으로부터 전파축을 따라 반대말단에서의 최대 면적까지 확장하는 전파축에 수직인 평면에서 점차척으로 더 커지는 단면적을 가짐을 특징으로 하는 감쇠기.
  83. 제69항, 70항 71항, 72항 또는 73항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 매스가 조 도체의 외부표면에 결합된 층임을 특징으로 하는 감쇠기.
  84. 제83항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린인 매스가 제2전극 및 끼워진 전해질을 갖는 전지의 한 전극이고, 자체-양성자 첨가를 변화시키고 이것에 의해 감쇠를 변화시키기 위해 술폰화된 폴리아닐린 매스의 전위를 조절할 수 있게 변화시키는 수단이 더 제공됨을 특징으로 하는 감쇠기.
  85. 제84항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 매스가 전파축을 따라 배열된 일련의 불연속 세그멘트로 이루어지고, 각각의 세그멘트와, 각각 제2전극 및 끼워진 전해질을 갖는 여러 전지의 전극을 형성하고, 세그멘트의 전체 매스를 따라 그 자체-양성자 첨가 및 감쇠를 변화시키기 위해 각각의 세그멘트의 술폰화된 폴리아닐린 매스의 전위를 조절할 수 있게 변화시키는 수단이 더 제공됨을 특징으로 하는 감쇠기.
  86. 제69항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 매스가 마이크로파 조 도체의 외부표면에 결합된 층이고, 최소화된 반사를 갖는 감쇠기를 생성하기 위해, 마이크로파 인풋말단에서의 최소값으로부티 최대 자체-양성자 첨가 영역까지 변화한다. 최대 자체-양성자 첨가로부터 전파축을 따라 반대말단에서의 최소 자체-양성자 첨가까지 변화하는, 전파축을 따르는 거리의 함수로서 그 자체-양성자 첨가의 변화를 가짐을 특징으로 하는 감쇠기.
  87. 차폐시키려는 물체와 파의 원사이에 술폰화된 폴리아닐린염의 층을 삽입시키는 것으로 이루어지는, 전자기파로부터 차폐시키는 방법.
  88. 제87항에 있어서, 술폰화된 폴리아닐린 층이 또한 전기회로에 동시에 연결되어 전류를 전도시킴을 특징으로 하는 방법.
  89. 제88항에 있어서, 층이 전기 도체에 둘레에 위치하여 차폐 케이블을 제공하고, 또한 층이 케이블에 연결된 장치를 접지시키기 위해 연결됨을 특징으로 하는 방법.
  90. 열감응성 필름에 분포된 마이크로파 복사 흡수성 자체-양성자 첨가된 술폰화된 폴리아닐닌 염을 갖는 열감응 막으로 이루어지고 마이크로파 에너지에 의해 가열될 수 있는 열감응 필막.
  91. 제90항에 있어서, 막이 열활성화된 수축랩 막임을 특징으로 하는 필름.
  92. (a) 열이형성 막에 마이크로파 복사 흡수성 자체-양성자 첨가된, 술폰화된 폴리아닐린의 에머럴딘염을 분포시키고, (b) 상기 막을 갖는 장벽을 형성시키고, (c) 막에 마이크로파 에너지를 조사시키는 것으로 이루어지는, 유체통로에 장벽을 제공하고 장벽을 제거하기 위한 방법.
  93. (a) 열활성화되는 수축랩 막에 마이크로파 복사 흡수성 자체-양성자 첨가된,. 술폰화된 폴리아닐린의 에머럴딘염을 분포시키고, (b) 물체를 막으로 느슨하게 감싸고, (C) 막에 마이크로파 에너지를 조사시키는 것으로 이투어지는, 물체의 일부의 둘레에 견고하게 막을 가하는 방법.
  94. (a) 술폰화된 폴리아닐린으로 이루어지는 회전광학 디스크, (b) 정보의 쓰기비트를 위한 쓰기레이저와 거울의 결합물, (c) 광유도 정보를 읽기 위한 읽기 레이저 및 거울의 결합물, (d) 정보의 비트식 소거를 위한 소거 레이저 및 거울의 결합물, 및 (e) 기억된 정보를 출력하기 위한 검파기로 이루어지는 소거성 광학 정보기억장치.
  95. (a) 100K이하의 온도에서 부분적으로 술폰화된 폴리아닐린 막으로 구성된 기억장치를 유지시키고, (b) 술폰화된 폴리아닐린막의 광흡수 특성을 변형시키기 위해 공지된 광주주파수 및 세기를 갖는, 정보 또는 기억을 나타내는 쓰기비임에 기억장치를 노출시키고, (c) 막의 변경된 광흡수 스펙트럼에 부합시키기 위해 사전결정된 공지된 제2광자 주파수 및 세기를 갖는 읽기 비임에 기억장치를 노출시키고, 이것에 의해, 변경된 광흡수 스펙트럼으로부터 정보 또는 데니터를 검색하는 것으로 이루어지는, 광학적 고밀도 소거형식으로 징보를 기억하고 검색하기 위한 방법.
  96. 제95항에 있어서, 기억장치의 선택된 비트의 온도를 실온으로 상승시킴으로써, 쓰기비임 출력에 의해 기억된 데이터를 소거시키는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
  97. 제95항에 있어서, 기억장치의 선택된 비트의 온도를 실온으로 임시 상승시킴으로써 선택된 비트에 대해 의해 쓰기비임 출력에 의해 기억된 데이터를 소거시키는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
  98. 제95항에 있어서, 선택된 파장의 강한 광원에 기억장치를 노출시킴으로써 쓰기비임 출력에 의해 기억된 정보를 소거시키는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
  99. 제95항에 있어서, 선택된 파장의 강한 직사광비임에 기억장치의 선택된 비트를 노출시킴으로써, 선택된 비트에 의해 쓰기비임 출력에 의해 기억된 데이터를 소거시키는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
  100. 제95항에 있어서, 쓰기비임의 세기를 선택적으로 변화시킴으로써 쓰기비임에 의해 기억된 정보 또는 데이티를 스택킹시키는 단계를 더 포함하며, 여기에서 술폰화된 폴리아닐린 막의 광흡수 특성의 조절의 세기가 쓰기비임의 세기에 직접 감응하여, 이것에 의해 정보의 하나이상의 비트가 기억장치상의 선택된 자리에 쓰여지게 할 수 있음을 특징으로 하는 방법.
  101. (a) 카프톤 또는 폴리카아보네이트와 같은 투명한 호스트 중합체에 술폰화된 폴리아닐린 막의 두꺼운 시편을 분산시키고, (b) 술폰화된 폴리아닐린 막에서 2개의 광선의 촛점을 조정하여, 술폰화된 폴리아닐린막을 가지고 촛점조정된 광선 사이의 계면 패턴을 만들고, (c) 술폰화된 폴리아닐린 막을 읽기비임에 노출시키는 것으로 이루어지는, 3차원 홀로그래프 격자를 생성하는 방법.
  102. (a) 술폰화된 폴리아닐린의 에머럴딘 형태의 폴리오르토톨루이딘 및 나프탈 전환물의 막으로 부분적으로 구성된 기억장치를 제공하고, (b) 술폰화된 폴리아닐린막의 광흡수 특성을 조절하기 위해 공지된 광자 주파수 및 세기를 갖는 정보 또는 데이터를 나타내는 쓰기비임에 기억장치를 노출시키고, (c) 술폰화된 폴리아닐린막의 변화된 광흡수 스펙트럼에 부합시키기 위해 사전 결정된 제2의 공지된 광자 주파수 및 세기를 갖는 쓰기비임에 기억장치를 노출시키고, 이것에 의해, 변화된 광 흡수 스펙트럼으로부터 정보 또는 데이터를 검색하는 것으로 이루어지는, 광학적 고밀도 소거성 형식으로 데이터 또는 정보를 기억시키고 검색시키는 방법.
  103. 제102항에 있어서, 실온 이상으로 현저히 상승된 온도에 기억장치를 노출시킴으로써 쓰기비임 인력에의해 기억된 데이터를 소거시키는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
  104. (a) 일반식(I)으로 이루어진 술폰화된 폴리아닐린 또는 유도된 술폰화된 폴리아닐린의 막으로 부분적으로 구성된 기억장치를 제공하고, (b) 술폰화된 폴리아닐린막의 광흡수 특성을 조절하기 위해 공지된 광자주파수 및 세기를 갖는, 정보 또는 데이터를 나타내는 쓰기비임에 기억장치를 노출시키고, (c)막의 변화된 광흡수 스펙트럼에 부합시키기 위해 사전 결정된 제2의 공지된 광자주파수 및 세기를 갖는 읽기비임에 기억단위를 노출시키고, 이것에 의해, 변화된 광흡수 스펙트럼으로부터 정보 또는 데이터를 검색하는 것으로 이루어지는, 광학적 고밀도 소거성 형식으로 데이터 또는 정보를 기억시키고 검색시키는 방법.
  105. 제104항에 있어서, 실온이상으로 현저히 상승된 온도에 기억장치를 노출시킴으로써 쓰기비임 입력에의해 기억된 데이터를 소거시키는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
  106. 제105항에 있어서, R1=SO3H이고, R2=R3=R4=R5=R6=H이고, y=0.5이고, x=0.2∼1이며, 200K이하의 온도에서 상기 기억장치를 유지시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  107. 제106항에 있어서, 200K이상으로 현저히 상승된 온도에서 기억장치를 노출시킴으로써 쓰기비임 입력에의해 기억된 데이터를 소거시키는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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