JPH05504153A - ポリアニリン組成物、それらの製法並びにそれらの利用 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (107)
- 1.式I: ▲数式、化学式、表等があります▼I 〔式中、O≦y≦1、R1、R2、R3、R4、R5およびR6はH、SO3− 、−SO3H、−R7SO3、−R7SO3H、−OCH3、−CH3、−C2 H5、−F、−Cl、−Br、−I、−NR72、−NHCOR7、−OH、− O−、−SR7、−OR7、−OCOR7、−NO2、−COOH、−COO7 、−COR7、−CHOおよび−CN、(式中、R7はC1〜C8アルキル、ア リールまたはアラルキル基である)から成る群から独立に選ばれ、−SO3−、 −SO3H、−R7R3−または−R7SO3Hである少なくとも1個のR1、 R2、R3またはR4基を含有する環の部分は約20〜100%変化する〕の化 学的組成を有することを特徴とするスルホン化ポリアニリン組成物。
- 2.スルホン化ポリアニリン組成物が、約300(スルホン化ポリアニリンのオ リゴマー)から100,000以上の範囲の分子量である請求の範囲1に記載の 組成物。
- 3.R1が−SO3−、−SO3H、−R7SO2−および−R7SO3Hから 成る群から選ばれ、そしてR2=R3=R4=Hおよびy〜0.5である請求の 範囲1に記載の組成物。
- 4.ポリアニリンポリマーとH2SO4とを反応させることを特徴とする請求の 範囲1のポリアニリン組成物の製造方法。
- 5.反応を約−38°〜100℃の間の温度範囲で行う請求の範囲4に記載の方 法。
- 6.反応を空気中において行う請求の範囲4に記載の方法。
- 7.ポリアニリンポリマーが、反応の間長さが減少しない予め決められた鎖長を 有する請求の範囲4に記載の方法。
- 8.ポリアニリンとスルホン化ポリアニリンとのコポリマーを、ポリアニリンポ リマーの部分的スルホン化によって得る請求の範囲4に記載の方法。
- 9.ポリアニリンの部分的スルホン化が、スルホン化時間の短縮およびスルホン 化時間の低下を含む請求の範囲8に記載の方法。
- 10.ポリアニリンとスルホン化ポリアニリンとのコポリマーを、2−アミノス ルホン酸およびアニリンを酸性水性溶液中に過硫酸カリウムを含む酸化剤と反応 させることによって得る請求の範囲4に記載の方法。
- 11.導電性および非導電性状態間の電気化学的応答の転換用組成物であって、 電気化学的応答が約−0.2〜約0.8Vの範囲内であり、該組成物が式Iのス ルホン化ポリアニリン組成物から成ることを特徴とする前記の組成物。
- 12.組成物が電気発色ディスプレーにおいて使用される請求の範囲11に記載 の組成物。
- 13.組成物が電子スイッチにおいて使用される請求の範囲11に記載の組成物 。
- 14.組成物が再充電性バッテリーにおいて使用される請求の範囲11に記載の 組成物。
- 15.導電性および非導電性状態間の電気化学的応答を転換する方法であって、 式Iのスルホン化ポリアニリンに対する印加電位を変化させ、それによってスル ホン化ポリアニリン組成物における電気化学的応答を導電性および非導電性状態 間で転換させることを特徴とする前記の方法。
- 16.化学センサーとして使用するための式Iのスルホン化ポリアニリン組成物 から成る組成物であって、反応性薬剤に暴露することによって、スルホン化ポリ アニリン組成物の色および(または)導電率を変化させることを特徴とする前記 の組成物。
- 17.電気伝導用の組成物であって、導電率が約0.5S/cmの範囲内であり 、該組成物が式Iのスルホン化ポリアニリン組成物から成ることを特徴とする前 記の組成物。
- 18.組成物が、電子ビームリトグラフィー法用の放電層として使用される請求 の範囲17に記載の組成物。
- 19.組成物が、静電放電用の媒体として使用される請求の範囲17に記載の組 成物。
- 20.組成物が、絶縁性ポリマーを形成するために絶縁性ポリマーのマトリック ス中にブレンド、混合されるかまたは絶縁性ポリマーと共重合させる請求の範囲 18に記載の組成物。
- 21.導電性ポリマーが、カーペットおよび編織物を含む嵩高の被覆と共に使用 される請求の範囲20に記載の組成物。
- 22.導電性ポリマーが、導電性シール、ジョイントまたは成形品中において使 用される請求の範囲20に記載の組成物。
- 23.式Iのスルホン化ポリアニリン組成物を、定電流源に暴露し、それにより スルホン化ポリアニリン組成物によって電気を伝導させることを特徴とする電気 を伝導させる方法。
- 24.電磁線が、一般的に、約1000Å〜約50mの範囲内の波長を有し、組 成物が式Iのスルホン化ポリアニリン組成物から成ることを特徴とする電磁線吸 収用組成物。
- 25.電磁線が、一般的に約0.04〜約25cmの範囲内の波長を有するマイ クロ波電磁線である請求の範囲24に記載の組成物。
- 26.電磁線が、一般的に約8,000Å〜約0.04cmの波長を有する赤外 線である請求の範囲24に記載の組成物。
- 27.電磁線が、一般的に、約4,000〜約8,000Åの範囲内の波長を有 する可視光線である請求の範囲24に記載の組成物。
- 28.電磁線が、一般的に、約100〜約4,000Åの波長を有する紫外線で ある請求の範囲24に記載の組成物。
- 29.式Iのスルホン化ポリアニリン組成物を電磁線に暴露し、それによって該 電磁線をスルホン化ポリアニリン組成物によって吸収させることを特徴とする電 磁線の吸収方法。
- 30.スルホン化ポリアニリン組成物を赤外線に暴露し、それにより赤外線をス ルホン化ポリアニリン組成物によって吸収させる請求の範囲29に記載の電磁線 の吸収方法。
- 31.スルホン化ポリアニリン組成物を可視光線に暴露し、それにより可視光線 をスルホン化ポリアニリン組成物によって吸収させる請求の範囲29に記載の電 磁線を吸収する方法。
- 32.スルホン化ポリアニリン組成物を紫外線に暴露し、それにより紫外線をス ルホン化ポリアニリン組成物によって吸収させる請求の範囲29に記載の電磁線 を吸収する方法。
- 33.スルホン化ポリアニリン組成物をマイクロ波電磁線に暴露し、それにより マイクロ波電磁線をスルホン化ポリアニリン組成物によって吸収させる請求の範 囲29に記載の電磁線の吸収方法。
- 34.(a)基材に電磁線吸収性スルホン化ポリアニリン組成物またはその部分 自己−プロトン化塩を適用し;そして (b)電磁線吸収性スルホン化ポリアニリンまたはその部分自己−プロトン化塩 を電磁線に暴露し、それによって電磁線を電磁線吸収性スルホン化ポリアニリン またはその部分自己−プロトン化塩に吸収させることを特徴とする基材に熱を適 用する方法。
- 35.電磁線の吸収によって熱を発生させ、該熱をスルホン化ポリアニリン組成 物またはその部分自己−プロトン化塩から基材に伝達させる請求の範囲34に記 載の方法。
- 36.電磁線が、マイクロ波電磁線である請求の範囲34に記載の方法。
- 37.電磁線が、赤外線である請求の範囲34に記載の方法。
- 38.電磁線が、可視線である請求の範囲34に記載の方法。
- 39.電磁線が紫外線である請求の範囲34に記載の方法。
- 40.電磁線−吸収性スルホン化ポリアニリン組成物が一般式Iの組成物である 、請求の範囲34に記載の方法。
- 41.電磁線吸収性スルホン化ポリアニリン組成物が、約300(ポリアニリン のオリゴマー)から100,000を超える範囲内の分子量のものである請求の 範囲34に記載の方法。
- 42.電磁線吸収性スルホン化ポリアニリン組成物を、吹付被覆、浸漬被覆、ス ピンキャスティング、溶融押出、トランスファーロール被覆およびブラシーオン 被覆から成る群から選ばれる方法によって基材に適用する請求の範囲34に記載 の方法。
- 43.基材を、合成繊維物質、天然繊維物質、無機充填材物質、有機ポリマー物 質、織布物質、不織布物質およびシリケートー含有物質から成る群から選ぶ請求 の範囲34に記載の方法。
- 44.(a)少なくとも1種の物質に、マイクロ波吸収性スルホン化ポリアニリ ン組成物またはその部分的自己−プロトン化塩を適用し; (b)マイクロ波吸収性スルホン化ポリアニリン組成物またはその部分的自己− プロトン化塩が接着させるべき両物質と接触するように該物質を接触させ;そし て(c)マイクロ波吸収性スルホン化ポリアニリン組成物またはその部分的自己 −プロトン化塩を、前記の物質を互に接着させるのに十分にマイクロ波に暴露さ せることを特徴とする2種以上の物質の接着方法。
- 45.接着させる物質の一つが比較的高温溶融性マイクロ波透過性物質であり、 そして接着させる他の物質が比較的低温溶融性物質であり、それにより物質を溶 融させる請求の範囲44に記載の方法。
- 46.接着させる物質の少なくとも一つがプラスチックである請求の範囲44に 記載の方法。
- 47.接着させる物質の少なくとも一つが、シリケートー含有物質から成る請求 の範囲44に記載の方法。
- 48.(a)スルホン化ポリアニリンを光透過性基材に適用し; (b)波長Xの第1光線を臨界角yでスルホン化ポリアニリンに適用し; (c)波長zの第2光線をスルホン化ポリアニリンに適用し、それによりスルホ ン化ポリアニリンによって吸収された第2ビームがスルホン化ポリアニリンの屈 折率を変化させ、それによって光透過性基材を通過する第1ビームの透過率を変 化させる ことを特徴とするスルホン化ポリアニリンの屈折率を変化させる方法。
- 49.(a)波長xの第1光線を臨界角yでスルホン化ポリアニリンに適用し: (b)波長zの第2光線をスルホン化ポリアニリンに適用し、それにより第2ビ ームをスルホン化ポリアニリンに吸収させ、それによってスルホン化ポリアニリ ン組成物を通過する第1ビームの透過率を変化させることを特徴とするスルホン 化ポリアニリン組成物の屈折率を変化させる方法。
- 50.スルホン化ポリアニリンポリマー組成物またはその部分的自己−プロトン 化塩をレーダー波に暴露し、それによってスルホン化ポリアニリン組成物または その塩にレーダー波を吸収させる ことを特徴とする電磁波を吸収させる方法。
- 51.暴露される物体に少なくとも幾分かのレーダー線を吸収させるのに十分な 量で該物体にスルホン化ポリアニリン組成物またはその部分的自己−プロトン化 塩を適用し、それによって該物体のレーダーによる探知性を減少させることを特 徴とする物体のレーダーによる探知性を減少させる方法。
- 52.スルホン化ポリアニリン組成物によって一つの光透過性基材から他の光透 過性基材への光学信号を結合させる方法であって、 (a)スルホン化ポリアニリン組成物を第1および第2光透過性基材間に適用し 、それによってスルホン化ポリアニリンを両光透過性基材と接触させ;(b)第 1光透過性基材を通して光信号を誘導し;そして (c)第1光透過性基材を通して誘導された光信号がスルホン化ポリアニリン組 成物を通って第2光透適性基材中において結合し、それによって該光信号が第2 光透過性基材を透過するようにスルホン化ポリアニリン組成物の屈折率を変化さ せるのに十分な強さおよび波長の光にスルホン化ポリアニリン組成物を暴露する ことを特徴とする前記の方法。
- 53.遮蔽すべき物体上にスルホン化ポリアニリン組成物の層を付与し、それに よって電磁線の出入を防止することを特徴とする電子遮蔽を付与する方法。
- 54.(a)マイクロ波吸収性スルホン化ポリアニリン組成物またはこの部分的 自己−プロトン化塩を熱電対と接触させ;そして (b)マイクロ波吸収性スルホン化ポリアニリン組成物またはその部分的自己− プロトン化塩を該組成分が熱を発生するのに十分なマイクロ線を吸収し、それに よって熱電対を活性化させるのに十分にマイクロ波に暴露する ことを特徴とする熱スイッチの製造方法。
- 55.電子回路またはディバイスに適用された幅射線硬化性ポリマーを遮蔽する 方まであって;(a)幅射線硬化性ポリマーまたはプレポリマーを電子ディバイ スまたは回路に適用し; (b)該輻射線硬化性ポリマーまたはプレポリマーにスルホン化ポリアニリン組 成物を適用し;(c)輻射線硬化性ポリマーまたはプレポリマーおよびスルホン 化ポリアニリン組成物を有する前記のディバイスまたは回路を、硬化性ポリマー またはプレポリマーを硬化させるのに十分な輻射線に暴露し、それによってスル ホン化ポリアニリン組成物に紫外線の幾分かを吸収させ;そして (d)スルホン化ポリアニリンおよび任意の未硬化の硬化性ポリマーまたはプレ ポリマーを除去することを特徴とする前記の方法。
- 56.(a)スルホン化ポリアニリン組成物を含むポリマー物質を押出し; (b)該押出ポリマー物質から繊維を製造し;そして (c)押出ポリマー物質から製造した繊維から成る布を製造し、それによって布 のスルホン化ポリアニリン組成物に電磁線を吸収させることを特徴とする電磁線 吸収性布の製造方法。
- 57.スルホン化ポリアニリン組成物を含むポリマー物質が、ポリエチレン、ポ リエステル、ポリイミド、ナイロン、硝酸セルロース、酢酸セルロースおよびポ リビニルクロライドから成る群から選ばれる有機物質をさらに含む請求の範囲5 6に記載の方法。
- 58.請求の範囲56の方法によって製造された電磁線吸収性の布。
- 59.請求の範囲58の電磁線吸収性布から製造された物品。
- 60.一つの光透過性媒体から隣接の光透過性媒体へ結合された光を変調するた めの光弁であって、(a)電磁線吸収性スルホン化ポリアニリン物体が一つの光 透過性媒体を形成し; (b)該スルホン化ポリアニリン物体の屈折率を制御するため、その少なくとも 一部分上に制御された強さで光を射出するための変調用光源; (c)媒体間の界面に隣接する第1光透過性媒体を通して光を射出するための変 調光源;および(d)変調用光源からスルホン化ポリアニリン物体上に入射する 光の強さを制御できるように変化させ、それによって第1媒体から他の媒体へ結 合させる光を変調させる手段 から成ることを特徴とする前記の光弁。
- 61.前記の媒体の一つが導体の表面上にスルホン化ポリアニリンの層を有する 固体光導体である請求の範囲60に記載の光弁。
- 62.光導体が、その縦表面上にスルホン化ポリアニリンを有する光学繊維であ る請求の範囲61に記載の光弁。
- 63.光導体が、末端面上にスルホン化ポリアニリンを有する光学繊維である請 求の範囲61に記載の光弁。
- 64.末端面が、スルホン化ポリアニリン/導体界面に対して実質的に臨界角で ある繊維の光学軸に対するある角度で折りたたまれている請求の範囲63に記載 の光弁。
- 65.光導体の形態の第3媒体をさらに含み、かつ、第1媒体が第1光導体であ り、そしてスルホン化ポリアニリン物体が、第1導体から該スルホン化ポリアニ リンヘ、および該スルホン化ポリアニリンから第2導体へ光を結合させるための 2種の光導体間に挿入されている請求の範囲60に記載の光弁。
- 66.スルホン化ポリアニリン物体が一緒になって2種の媒体を形成している光 導体上の1層であり、変調光源が、変調光が最小の強さであるとき、その界面に 対する臨界角より実質的に大きい入射角で一つの媒体から媒体界面上へ、選定さ れた周波数での光を向けるように配置されており、他の媒体に結合される光は変 調光の強さに伴って増加し、界面の臨界角を前記の入射の角度より大きい角度に 増加させる請求の範囲60、61、62、63、64または65に記載の光弁。
- 67.スルホン化ポリアニリン物体が一緒に2つの媒体を形成している光導体上 の1層であり、変調光源が、変調光が最小であるとき、その界面に対する臨界角 より実質的に小さい入射角で一つの媒体から媒体界面へ、選定された周波数での 光を向けるように配置されており、他の媒体に結合される光は変調光の強さの増 加と共に減少し、界面の臨界角を前記の入射角より小さい角度に減少させる請求 の範囲60、61、62、63、64または65に記載の光弁。
- 68.光を伝播させる位相速度を制御可能なように変化させる装置であって、 (a)光を伝播させる光導体; (b)該導体上の電磁線吸収性スルホン化ポリアニリンの層; (c)該スルホン化ポリアニリン上に光を射出するように配置された可変強度変 調光源;および(d)変調光源の強さを制御可能なように変化させるための手段 から成ることを特徴とする前記の装置。
- 69.マイクロ波の伝播経路に配置されたスルホン化ポリアニリンの電磁線吸収 性エメラルジン塩形態の物体から成ることを特徴とするマイクロ波減衰器。
- 70.スルホン化ポリアニリン物質が、マイクロ波の伝播軸に沿う距離の関数と してその自己−スルホン化に変化を有する請求の範囲69に記載の減衰器。
- 71.自己−プロトン化が、スルホン化ポリアニリンに沿った伝播軸のマイクロ 波入力端の最小から伝播軸に沿った反対、出口端で最大に変化する請求の範囲7 0に記載の減衰器。
- 72.自己−プロトン化における変動の平均勾配が、伝播軸に沿った距離のほぼ 一次関数である請求の範囲71に記載の減衰器。
- 73.各層が異なる自己−プロトン化度を有するスルホン化ポリアニリンの複数 のラミネート層を有する請求項71に記載の減衰器。
- 74.スルホン化ポリアニリン物体が、第2電極および間に挿入された電解質を 有する電気化学電池の一つの電極であり、かつ、スルホン化ポリアニリン物体の 自己−プロトン化度を変化させることにより、その電位を制御可能なように変化 させ、それによってその減衰度を変化させる手段も付与されている請求の範囲6 9、70、71、72、または73に記載の減衰器。
- 75.スルホン化ポリアニリン物体が、伝播軸に沿って配列された一連の別個の セグメントから成り、各セグメントは各々が第2電極および間に挿入された電解 質を有する電気化学電池の電極を形成し、そして各セグメントのスルホン化ポリ アニリン物体の電位を制御可能なように変化させてその自己−プロトン化度を変 化させ、それによってセグメントの全体にわたってその減衰度を変化させる手段 をさらに備えている請求の範囲73に記載の減衰器。
- 76.前記の物体が、導波管の少なくとも一つの内壁上の層である請求の範囲6 9、70、71、72、または73に記載の減衰器。
- 77.スルホン化ポリアニリン物体が、第2電極および間に挿入された電解質を 有する電気化学電池の一つの電極であり、そしてスルホン化ポリアニリン物体の 電位を制御可能なように変化させてその自己−プロトン化度を変化させ、それに よりその減衰度を変化させるための手段をさらに備えている請求の範囲76に記 載の減衰器。
- 78.スルホン化ポリアニリン物体が、伝播軸に沿って配列された一連の別個の セグメントから成り、各セグメントは第2電極を介在する電解質を有する異なる 電気化学電池の電極を形成し、そして各セグメントのスルホン化ポリアニリン物 体の電位を制御可能なように変化させその自己−プロトン化度を変化させ、それ によりセグメント全体を横切る自己−プロトン化勾配を制御するため、その減衰 度を変化させる請求の範囲77に記載の減衰器。
- 79.前記の物体が導波管内および導波管壁の間のスパン内にあり、かつ、その 伝播軸に沿って選定された距離に拡がっている請求の範囲69、70、71、7 2または73に記載の減衰器。
- 80.スルホン化ポリアニリン物体が、第2電極および間に入れられた電解質を 有する電気化学電池の一つの電極であり、そしてスルホン化ポリアニリン物体の 電位を制御可能なように変化させてその自己−プロトン化度を変化させ、それに よってその減衰度を変化させる手段をさらに備えている請求の範囲79に記載の 減衰器。
- 81.スルホン化ポリアニリン物体が伝播軸に沿って配列された一連の別個のセ グメントから成り、各セグメントは各々が第2電極および間に挿入された電解質 を有する異なる電気化学電池の一つの電極を形成し、そして各セグメントのスル ホン化ポリアニリンの電位を制御可能なように変化させてその自己−プロトン化 度を変化させ、それによってその減衰度を変化させる手段をさらに備えている請 求の範囲80に記載の減衰器。
- 82.スルホン化ポリアニリン物体が、伝播軸に沿ってマイクロ波入力端で最小 面積からその反対端で最大面積に広がる、伝播軸に対して垂直な平面において漸 進的に大きくなる横断面積を有する請求の範囲79に記載の減衰器。
- 83.スルホン化ポリアニリン物体が、マイクロ波ストリップ導体の外部表面に 接着された層である請求の範囲69、70、71、72または73に記載の減衰 器。
- 84.スルホン化ポリアニリン物体が、第2電極および間に挿入された電解液を 有する電気化学電池の一つの電極であり、そしてスルホン化ポリアニリン物体の 電位を制御可能なように変化させ、その自己−プロトン化度を変化させ、それに よりその減衰度を変化させる手段も備えでいる請求の範囲83に記載の減衰器。
- 85.スルホン化ポリアニリン物体が、伝播軸に沿って配列された一連の別個の セグメントから成り、各セグメントは各々が第2電極および間に挿入された電解 質を有する電気化学電池の一つの電極を形成し、そして各セグメントのスルホン 化ポリアニリン物体の電位を制御可能なように変化させてその自己−プロトン化 度を変化させ、それによって輻射線の減衰度を変化させる手段をさらに備えてい る請求の範囲84に記載の減衰器。
- 86.スルホン化ポリアニリシ物体が、マイクロ波ストリップ導体の外部表面に 接着されている層であり、そして伝播軸に沿って距離の関数としてその自己−プ ロトン化度が変化し、該変化がマイクロ波入力端で最小から最大の自己−プロト ン化域へと変化し、次いで反対端で伝播軸に沿って最大の自己−プロトン化度か 最小のプロトン化度に変化して最小にされた反射を有する減衰器を形成する請求 の範囲69に記載の減衰器。
- 87.電磁線源と遮蔽すべき物体間にスルホン化ポリアニリン層を挿入すること を特徴とする電磁波から遮蔽する方法。
- 88.スルホン化ポリアニリンの層が、同時に電気回路中にも接続され、電流を 伝導する請求の範囲87に記載の方法。
- 89.前記の層が導電体の周囲に配置され、遮蔽ケーブルを付与し、かつ、該層 もケーブルに接続されているディバイスの接地用として接続されている請求の範 囲88に記載の方法。
- 90.マイクロ波エネルギーによって熱することができ、かつ、熱応答性フィル ム中に分布されたマイクロ波吸収性自己−プロトン化スルホン化ポリアニリン塩 を有する熱応答フィルムから成ることを特徴とする熱応答フィルム。
- 91.フィルムが熱活性化収縮包装フィルムである請求の範囲90に記載のフィ ルム。
- 92.(a)熱変形性フィルム中にスルホン化ポリアニリンのマクロ波吸収性自 己−プロトン化エメラルジン塩を分布させ; (b)該フィルムを使用して障壁を形成し;そして(c)該フィルムをマイクロ 波エネルギーで照射する ことを特徴とする流体通過に対する障壁を付与および該障壁の除去方法。
- 93.(a)熱活性化収縮包装フィルム中にネルホン化ポリアニリンのマイクロ 波吸収性、自己−プロトン化エメラルジン塩を分布させ; (b)物体を該フィルムでゆるく取囲み;そして(c)該フィルムをマイクロ波 エネルギーで照射する ことを特徴とする物体の少なくとも一部分の周囲に緊密に適用する方法。
- 94.(a)スルホン化ポリアニリンから成る回転光学ディスク; (b)情報の書込みビット用の書込みレーザーおよび鏡の組合せ; (c)光誘導情報読取り用の読取りレーザーおよび鏡の組合せ; (d)情報をビット毎に消去するための消去レーザーおよび鏡の組合せ;および (e)記憶情報のアウトプット用の検出器から成ることを特徴とする消去性光学 情報記憶装置。
- 95.(a)一部分がスルホン化ポリアニリンフィルムから成る記憶ユニットを 100Kelvinまたはそれ以下の温度に維持し: (b)該記憶ユニットを、スルホン化ポリアニリンフィルムの光学的吸収特性を 変化させるための既知の光量子振動数および強さを有し、かつ、情報またはデー タを表わす書込みビームに暴露し;そして(c)該記憶ユニットを、フィルムの 変化させた光学吸収スペクトルに適合するように予め決められた第2の既知の光 量子振動数および強さを有する読取りビームに暴露し、それによって前記の変化 させた光学吸収スペクトルから情報またはデータを検索することを特徴とする光 学的高密度消去性フォーマット。
- 96.記憶ユニットの温度を室温にまで高めることによって、書込みビーム入力 によって記憶させたデータを消去する工程も含む請求の範囲95に記載の方法。
- 97.記憶ユニットの選定したビットの温度を一時的に室温にまで高めることに よって選定したビットにより書込みビーム入力によって記憶されたデータを消去 する工程も含む請求の範囲95に記載の方法。
- 98.選定した波長の強力な光源に暴露することによって、書込みビーム入力に よって記憶させたデータを消去する工程も含む請求の範囲95に記載の方法。
- 99.記憶ユニットの選定したビットを、選定した波長の強力な直射光線に暴露 することによって、記憶データを消去する工程も含む請求の範囲95に記載の方 法。
- 100.スルホン化ポリアニリンの光学的吸収特性の改質の強さは、書込みビー ムの強さに正比例で応答性であり、それによって記憶ユニット上の選定した部位 に一つ以上の情報のビットの書込みが可能であるため、書込みビームの強さを選 択的に変化させることによって記憶された情報またはデータを積重ねる工程も含 まれる請求の範囲95に記載の方法。
- 101.(a)Kaptonまたはポリカーボネートのような透明親ポリマー中 にスルホン化ポリアニリンのフィルムの厚い試料を分散させ; (b)2種の光線をスルホン化ポリアニリンに焦点を合わせ、焦点を合わせた光 線とスルホン化ポリアニリンフィルム間に干渉縞を生成させ;そして(c)スル ホン化ポリアニリンフィルムを読取りビームに暴露する ことを特徴とする三次元ホログラフ回折格子の製造方法。
- 102.(a)ポリーオルトトルイジンおよびスルホン化ポリアニリンのエメラ ルジン型のナフタール変種の一部分から成る記憶ユニットを用意し; (b)該記憶ユニットを、スルホン化ポリアニリンフィルムの光学吸収特性を改 良するための既知の光量子振動数および強さを有し、情報またはデータを表わす 書込みビームに暴露し;そして (c)該記憶ユニットを、スルホン化ポリアニリンフィルムの変化させた光学吸 収スペクトルに適合するように予め決められている第2の既知の光量子振動数お よび強さを有する読取りビームに暴露し、それによって変化させた光学吸収スペ クトルから情報またはデータを検索する ことを特徴とする光学的高密度消去性フォルマート中における情報またはデータ の記憶および検索方法。
- 103.記憶ユニットを明確に室温以上に高められた温度に暴露することによっ て、書込み入力ビームによって記憶させたデータを消去する工程も含む請求の範 囲102に記載の方法。
- 104.(a)式Iから成るスルホン化ポリアニリンまたは誘導体化スルホン化 ポリアニリンのフィルムの一部から成る記憶ユニットを用意し; (b)該記憶ユニットを、スルホン化ポリアニリンフィルムの光学吸収特性を改 良するための既知の光量子振動数および強さを有し、情報またはデータを表わす 書込みビームに暴露し;そして (c)該記憶ユニットを、スルホン化ポリアニリンフィルムの変化させた光学吸 収スペクトルに適合するように予め決められている第2の既知の光量子振動数お よび強さを有する読取りビームに暴露し、それによって変化させた光字吸収スペ クトルから情報またはデータを検索する ことを特徴とする光学的高密度消去性フォルマート中におけるデータまたは情報 の記憶および検索方法。
- 105.記憶ユニットを明確に室温以上の高められた温度に暴露することにより 、書込みビーム入力によって記憶されたデータを消去する工程も含む請求の範囲 104に記載の方法。
- 106.R1=SO3H、R2=R3=R4=R5=R6=Hおよびy=0.5 そしてX=0.2〜1であり、かつ、かような記憶ユニットを200Kを超えな い温度に維持する請求の範囲105に記載の方法。
- 107.記憶ユニットを、明確に200K以上の高められた温度に暴露すること により、書込みビーム入力によって記憶されたデータを消去する工程も含む請求 の範囲106に記載の方法。
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