KR920702025A - Mos 소자용 과전압 보호회로 - Google Patents

Mos 소자용 과전압 보호회로

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KR920702025A
KR920702025A KR1019910701053A KR910701053A KR920702025A KR 920702025 A KR920702025 A KR 920702025A KR 1019910701053 A KR1019910701053 A KR 1019910701053A KR 910701053 A KR910701053 A KR 910701053A KR 920702025 A KR920702025 A KR 920702025A
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fox
field oxide
diff
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테어레츠키 하르트무트
리슈 로타르
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발도르프, 피켄셔
지멘스 악티엔게젤샤프트
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Abstract

내용 없음

Description

MOS 소자용 과전압 보호회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 보호회로의 기초가 되는 선행 기술에서의 과전압 보호회로의 기본적인 접속도. 제2도는 과전압으로 인해 열적손상("스파이킹")이 발생된 MOS 소자의 일부 횡단면도, 제3도는 열적 손상을 예방하기 위해 부가의 확산장벽을 가진 MOS 소자의 일부 횡단면도.

Claims (7)

  1. 기생 바이폴라 트랜지스터를 가진 전계 산화막트랜지스터(FOX), 산화박막트랜지스터(DOX)및 저항(R)을 포함하며, 제1의 확산영역(n-Diff"')은 전계산화막(FOX)의 제1단자와 접속되고, 제2의 확산영역(n-Diff")은 전계 산화막 트랜지스터(FOX)의 제1단자, 산화 박막트랜지스터(DOX)의 게이트 단자 및 제1단자는 공통의 기준전압과 접속되고, 저항의 제1단자, 전계 산화막 트랜지스터(FOX)의 게이트 단자 및 제2단자는 MOS 소자의 단자(P)와 접속되며, 저항(R)의 제2단자는 산화박막 트랜지스터(DOX)의 제2단자 및 보호회로의 접점(A)과 접속되어 있는 MOS 소자용 과전압 보호회로에 있어서, 제1및 제2의 확산영역(n-Diff", n-Diff'")사이의 간격은 전계 산화막 트랜지스터의 누설전류의 한계를 통해 최소로 결정되며 기생 바이폴라 트랜지스터의 미리 주어진 천이시간을 통해 최대로 결정되도록 선택되고, 제2의 확산영역(n-Diff")아래에 보우트 형상으로 형성된 반도체 영역(n-W)이 배치되며, 이 반도체영역은 제2의 확산영역(n-Diff")과 동일한 종류로 또 더 약하게 도핑되어 있고, 제2의 확산영역(n-Diff")은 보우트 형상으로 형성된 반도체 영역(n-W)을 오버랩하는 것을 특징으로 하는 MOS 소자용 과전압 보호회로.
  2. 제1항에 있어서, 산화박막 트랜지스터(DOX)와 전계 산화막 트랜지스터(FOX)가 p채널 트랜지스터로서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 MOS 소자용 과전압 보호회로.
  3. 제1항에 있어서, 산화박막 트랜지스터(DOX)와 전계 산화막 트랜지스터(FOX)가 n채널 트랜지스터로서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 MOS 소자용 과전압 보호회로.
  4. 제1내지 3항중 어느 한 항에 있어서, 저항(R)은 저항을 가진 확산로로서 실현되어 있는 것을 특징으로 하는 MOS 소자용 과전압 보호회로.
  5. 제1 내지 4항중 어느 한 항에 있어서, 정상동작에서제1및 제2확산층(n-Diff", n-Diff"')사이의 전하이동을 저지하기 위해 전계 산화막 트랜지스터(FOX)는 상승된 베이스 도핑과 함께 형성되어 있는 것을 특징으로하는 MOS 소자용 과전압 보호회로.
  6. 제1 내지 5항중 어느 한 항에 있어서, 보호회로의 전계 산화막 트랜지스터(FOX)는 소용돌이 향상으로 반도체기판 상에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 MOS 소자용 과전압 보호회로.
  7. 제1내지 6항중 어느 한 항에 있어서, MOS 소자를 가진 보호회로가 반도체 기판상에 집적되어 있는 것을 특징으로 하는 MOS 소자용 과전압 보호회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910701053A 1989-03-08 1990-01-18 Mos 소자용 과전압 보호회로 KR0165897B1 (ko)

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EP0462108A1 (de) 1991-12-27
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