KR920012964A - 미세패턴 전사방법 및 그 장치 - Google Patents

미세패턴 전사방법 및 그 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

미세패턴 전사방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예인 미세패턴 전사장치의 개념도, 제2도는 광원으로 부터 발사되는 X선의 방사상태를 도시한 개념도, 제3도는 미세패턴 전사장치에 있어서의 마스크조명광의 진행경로를 도시한 도면.

Claims (23)

  1. X선영역 또는 진공자외영역의 빔을 방사하는 광원을 사용해서 제1의 기판상에 그려져 있는 패턴을 결상광학계를 거쳐서 제2의 기판상에 축소전사하는 미세패턴전사방법에 있어서, 상기 광원과 상기 제1의 기판사이에서 상기 빔을 상기 제1의 기판상의 광축으로 부터 소정의 거리 떨어진 소정영역에 조명하고, 또한 상기 제1의 기판에서 반사하는 0차 회전광의 방향이 상기 제1의 기판에 대해서 상기 결상광학계의 입사동공과 미러상의 위치를 향하는 방향으로 되도록 상기 빔을 편향하는 것을 특징으로 하는 미세패턴전사방법.
  2. X선영역 또는 진공자외영역의 빔을 방사하는 광원을 사용해서 제1의 기판상에 그려져 있는 패턴을 결상광학계를 거쳐서 제2의 기판상에 축소전사하는 미세패턴전사방법에 있어서, 상기 광원과 상기 제1의 기판사이에서 상기 빔을 상기 제1의 기판상에 원호형상으로 조명하고, 또한 상기 제1의 기판을 투과하는 0차 회전광의 방향이 상기 결상광학계의 입사동공위치를 향하는 방향으로 되도록 상기 빔을 편향하는 광학소자를 배치하는 것을 특징으로 하는 미세패턴전사방법.
  3. 특허청구의 범위 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1의 기판과 상기 제2의 기판을 상기 결상광학계의 축소 배율에 맞추어서 동기주사시키는 것에 의해 상기 제1의 기판상에 그려져 있는 패턴을 제2의 기판상에 축소전사하는 것을 특징으로 하는 미세패턴전사방법.
  4. X선영역 또는 진공자외영역의 빔을 방사하는 광원, 상기 빔을 소정의 방향으로 편향시켜서 제1의 기판상에 원호형상의 조명영역을 형성하는 조명수단, 상기 제1의 기판에서 반사하는 빔 또는 상기 제1의 기판을 투과하는 빔을 제2의 기판상에 집광시키는 반사형 결상광학수단, 상기 제1의 기판 및 상기 제2의 기판을 동기시켜서 각각의 면내에서 이동시키는 주사수단을 갖는 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  5. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 조명수단은 타원면경으로 구성되고, 상기 타원면경의 형상은 상기 X선영역 또는 진공자외영역의 빔을 방사하는 광원의 위치 및 상기 제1의 기판에 대해서 상기 반사형 결상광학수단의 입사동공위치와 미러상의 관계에 있는 위치 또는 상기 입사동공위치를 초점으로 하는 회전타원면인 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  6. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 광원에서 방사되는 빔은 주로 하나의 면내로 확장하는 발산빔이며, 상기 발산빔의 상기 타원면경에 의한 반사빔은 상기 타원면경의 상기 광원과는 다른 초점을 장점으로 하는 원추의 표면을 따라서 진행하는 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  7. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 반사형 결상광학수단은 적어도 2개의 오목변경과 적어도 1개의 볼록면경으로 구성되고, 상기 오목면경과 상기 볼록면경은 회전축 대칭으로 배치된 면형상의 일부이며, 또한 상기 회전축 대칭의 중심축은 상기 특허청구 범위 제6항에 기재된 미세패턴전사장치에 있어서의 상기 원추의 중심축과 일치하고 있는 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  8. 특허청구의 범위 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 제2의 기판상 또는 이 기판상에 대응하는 위치에 있어서의 상기 빔의 조사량을 검출하는 수단, 상기 검출수단에 얻어지는 검출결과에 따라서 상기 제1의 기판 및 제2의 주사속도를 제어하는 수단을 마련한 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  9. 특허청구의 범위 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 제2의 기판을 탑재하고 2차원 또는 3차원방향으로 이동할 수 있는 테이블에 상기 빔의 조사량을 검출하는 수단을 적어도 1개 마련한 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  10. 특허청구의 범위 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2의 기판의 상기 빔이 조사되는 면과는 반대측의 면에 마련한 마크의 위치를 검출하는 공정, 상기의 공정에서 얻어지는 검출결과에 따라서 상기 제1의 기판 및 제2의 기판의 주사개시의 위치 또는 타이밍을 연산하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세패턴전사방법.
  11. 특허청구의 범위 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 제2의 기판의 탑재위치를 검출하는 검출기를 제2의 기판에 대해서 상기 빔이 조사되는 면과는 반대측에 마련한 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  12. 특허청구의 범위 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 조명수단을 구성하는 타원면경의 반사면은 대역필터기능을 갖는 다층막인 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  13. 특허청구의 범위 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 조명수단을 구성하는 타원면경, 상기 제1의 기판, 상기 제1의 기판을 유지하는 수단의 적어도 1개에는 냉각수단이 마련된 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  14. X선영역 또는 진공자외영역의 빔을 방사하는 광원을 사용해서 제1의 기판상에 그려져 있는 패턴을 결상광학계를 거쳐서 제2의 기판상에 축소전사하는 미세패턴전사방법에 있어서, 상기 광원에서 상기 제2의 기판까지의 사이의 광로의 적어도 한곳에 상기 빔을 90°굴곡시켜서 반사시키는 반사경을 포함하고, 광원으로 부터 나오는 빔이 상기 반사경에서 반사될때에 상기 빔의 강한 전장의 진동면과 상기 반사경에 있어서의 입사빔과 반사빔을 포함하는 평면이 평행이 아니도록 선택되어 있는 것을 특징으로 하는 미세패턴전사방법.
  15. X선영역 또는 진공자외영역의 빔을 방사하는 광원, 상기 빔을 제1의 기판상에 조명하는 조명수단, 상기 제1의 기판에서 반사하는 빔 또는 상기 제1의 기판을 투과하는 빔을 제2의 기판상에 집광시키는 결상광학수단, 상기 제1의 기판및 상기 제2의 기판을 바라는 위치로 이동 또는 위치결정하는 위치결정수단으로 이루어지는 미세패턴전사장이에 있어서, 상기 광원에서 상기 제2의 기판까지의 사이의 광로의 적어도 한곳에 상기 빔을 90°굴곡시켜서 반사시키는 반사경을 마련하고, 또한 상기 빔의 강한 전장의 진동면과 상기 평면경에 있어서의 입사빔과 반사빔을 포함하는 평면이 평행종속으로 되지 않도록 구성한 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  16. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 반사경은 다층막경으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  17. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 X선영역 또는 진공자외영역의 빔을 방사하는 광원은 싱크로토론방사인 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  18. X선영역 또는 진공자외영역의 빔으로 제1의 기판상을 조명하고, 상기 제1의 기판상에 그려져 있는 패턴을 결상광학계를 거쳐서 제2의 기판상에 축소전사하는 X선 투영노출방법에 있어서, 상기 결상광학계의 동공위치에 형성되는 회절상중, 저차의 회절상보다 고차의 회절상을 약화시킬수 있는 공정을 포함하는것을 특징으로 하는 미세패턴전사방법.
  19. X선영역 또는 진공자외영역의 빔을 방사하는 광원, 제1의 기판상에 그려져 있는 패턴을 제2의 기판상에 축소전사하기 위한 결상광학수단, 상기 제2의 기판을 바라는 위치에 위치결정하는 위치결정수단을 갖는 X선 투영노출장치에 있어서, 상기 결상광학수단은 여러개의 반사경으로 구성되고, 또한 상기 결상광학계의 조리개의 위치에 중심부를 반사 또는 투과하는 빔보다 주변부를 반사 또는 투과하는 빔의 강도를 저하시키는 광학수단을 배치하고 있는 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  20. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 상기 조리개의 위치에 배치하는 광학수단은 주변부의 반사율이 중심부의 반사율보다 낮은 반사경인 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  21. 특허청구의 범위 제19항 또는 제20항에 있어서, 상기 반사경은 다층막경인 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  22. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 상기 조리개의 위치에 배치하는 광학수단은 주변부의 투과율이 중심부의 투과율보다 낮은 X선투과필터인 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
  23. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 상기 X선 영역 또는 진공자외영역의 빔을 방사하는 광원은 싱크로트론방사인 것을 특징으로 하는 미세패턴전사장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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