JPH0582418A - 微細パターン転写方法およびその装置 - Google Patents
微細パターン転写方法およびその装置Info
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- JPH0582418A JPH0582418A JP3240806A JP24080691A JPH0582418A JP H0582418 A JPH0582418 A JP H0582418A JP 3240806 A JP3240806 A JP 3240806A JP 24080691 A JP24080691 A JP 24080691A JP H0582418 A JPH0582418 A JP H0582418A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、Ｘ線領域あるいは真空紫外領域のビ
ームを露光光として用い、反射型縮小投影光学系を介し
てマスク上のパターンをウェーハ上に精度よく転写する
方法およびその装置を提供することにある。 【構成】反射型縮小結像光学系の絞りの位置に、周辺部
の反射率が中心部の反射率よりも低い反射鏡を設ける
か、もしくは結像光学系の絞りの位置に周辺部の透過率
が中心部の透過率よりも低いＸ線フィルタを設けること
により達成される。 【効果】Ｘ線を露光ビームとする投影光学系が空間的に
コヒーレントな系であっても、隣接パターン相互の干渉
の影響が少なく形状精度の高いパターン転写が実現でき
るという効果がある。
ームを露光光として用い、反射型縮小投影光学系を介し
てマスク上のパターンをウェーハ上に精度よく転写する
方法およびその装置を提供することにある。 【構成】反射型縮小結像光学系の絞りの位置に、周辺部
の反射率が中心部の反射率よりも低い反射鏡を設ける
か、もしくは結像光学系の絞りの位置に周辺部の透過率
が中心部の透過率よりも低いＸ線フィルタを設けること
により達成される。 【効果】Ｘ線を露光ビームとする投影光学系が空間的に
コヒーレントな系であっても、隣接パターン相互の干渉
の影響が少なく形状精度の高いパターン転写が実現でき
るという効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハ上に微細パタ
ーンを転写させる投影露光方法および装置に関し、特に
Ｘ線領域あるいは真空紫外領域のビームを用いて、解像
力の高い微細パターンを転写させる方法およびそれを実
施する装置に関する。
ーンを転写させる投影露光方法および装置に関し、特に
Ｘ線領域あるいは真空紫外領域のビームを用いて、解像
力の高い微細パターンを転写させる方法およびそれを実
施する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】マスク上に描かれた半導体素子等の回路
パターンを、ウェーハ上に転写させる投影露光装置に
は、解像力が高く、微細なパターンの転写が可能な性能
が要求される。一般に、投影レンズの開口数（ＮＡ）が
大きいほど、あるいは露光光の波長が短いほど解像力は
向上する。ここで、ＮＡを大きくする方法はパターン転
写時に焦点深度の低下をもたらすため、その大きさには
限界がある。そこで、Ｘ線等の短波長のビームを用いて
解像力を向上させる検討が盛んに行われてきた。しか
し、波長が短いほどビームは吸収され易くなるので、水
銀ランプ等を光源とする従来の露光装置のように透過型
レンズによる結像光学系を実現させることは困難であつ
た。そこで、反射型結像光学系を用いる方法が提案され
てきた。Ｘ線を用いることを前提とした従来の反射型結
像光学系は、特開昭６３−１８６２６号公報や特開昭６
３−３１２６３８号公報に記述されている。この従来技
術においては、マスクパターンをウェーハ上に転写する
結像光学系の詳細な構成が開示されている。
パターンを、ウェーハ上に転写させる投影露光装置に
は、解像力が高く、微細なパターンの転写が可能な性能
が要求される。一般に、投影レンズの開口数（ＮＡ）が
大きいほど、あるいは露光光の波長が短いほど解像力は
向上する。ここで、ＮＡを大きくする方法はパターン転
写時に焦点深度の低下をもたらすため、その大きさには
限界がある。そこで、Ｘ線等の短波長のビームを用いて
解像力を向上させる検討が盛んに行われてきた。しか
し、波長が短いほどビームは吸収され易くなるので、水
銀ランプ等を光源とする従来の露光装置のように透過型
レンズによる結像光学系を実現させることは困難であつ
た。そこで、反射型結像光学系を用いる方法が提案され
てきた。Ｘ線を用いることを前提とした従来の反射型結
像光学系は、特開昭６３−１８６２６号公報や特開昭６
３−３１２６３８号公報に記述されている。この従来技
術においては、マスクパターンをウェーハ上に転写する
結像光学系の詳細な構成が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術にお
いては、Ｘ線源として、例えばシンクロトロン放射光を
用い、かつ多層膜鏡からなる結像光学系を使用すると、
露光用Ｘ線の波長領域が狭い範囲に限定されると同時
に、光源が実質的に点光源であることから、空間的なコ
ヒーレンスの度合が大きくなる。その結果、複雑に配置
された微細パターンを転写する場合には、隣接するパタ
ーン相互の干渉の影響により投影像の劣化が生じるとい
う問題があつた。また、上記従来技術においては、投影
像の劣化の防止についてなんら考慮されていなかった。
いては、Ｘ線源として、例えばシンクロトロン放射光を
用い、かつ多層膜鏡からなる結像光学系を使用すると、
露光用Ｘ線の波長領域が狭い範囲に限定されると同時
に、光源が実質的に点光源であることから、空間的なコ
ヒーレンスの度合が大きくなる。その結果、複雑に配置
された微細パターンを転写する場合には、隣接するパタ
ーン相互の干渉の影響により投影像の劣化が生じるとい
う問題があつた。また、上記従来技術においては、投影
像の劣化の防止についてなんら考慮されていなかった。
【０００４】本発明の課題は、露光光としてＸ線領域あ
るいは真空紫外領域のビームを用いる反射型露光装置に
おいて、空間的なコヒーレンスの度合いが大きくても近
接効果による投影像の劣化が生じないＸ線投影露光方法
による微細パタ−ンの転写方法およびそれを実施するた
めの装置を提供することにある。
るいは真空紫外領域のビームを用いる反射型露光装置に
おいて、空間的なコヒーレンスの度合いが大きくても近
接効果による投影像の劣化が生じないＸ線投影露光方法
による微細パタ−ンの転写方法およびそれを実施するた
めの装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１の基板
上に描かれているパターンを第２の基板上に縮小転写さ
せる結像光学系の絞りの位置に、周辺部の反射率が中心
部の反射率よりも低い反射鏡を設けるか、もしくは上記
結像光学系の絞りの位置に、周辺部の透過率が中心部の
透過率よりも低いＸ線フィルタを設けることにより達成
される。
上に描かれているパターンを第２の基板上に縮小転写さ
せる結像光学系の絞りの位置に、周辺部の反射率が中心
部の反射率よりも低い反射鏡を設けるか、もしくは上記
結像光学系の絞りの位置に、周辺部の透過率が中心部の
透過率よりも低いＸ線フィルタを設けることにより達成
される。
【０００６】
【作用】結像光学系の絞り位置に配置された反射鏡は、
上述した第１の基板側から見ると結像光学系の入射瞳に
対応するので、上記反射鏡は結像光学系の空間周波数フ
ィルタとして作用する。一般に、結像光学系の瞳位置に
透過率や位相に変化を与えるフィルタを置いて、投影像
を所望するものに変えていく像の改良法については、波
動光学，第１刷（１９７１年２月２日発行），第４４３
頁から第４４５頁〔岩波書店〕に開示があり、そこに
は、高次回折像を弱くして拡がりの小さい像を得ようと
するアポディゼイションフィルタの記述がある。本発明
の、結像光学系の入射瞳に対応する絞りの位置に配置す
る反射鏡あるいは透過フィルタは、その反射率あるいは
透過率の分布からアポディゼイションフィルタとして作
用するので、パターン転写の際に近接効果による投影像
の劣化を防止することができる
上述した第１の基板側から見ると結像光学系の入射瞳に
対応するので、上記反射鏡は結像光学系の空間周波数フ
ィルタとして作用する。一般に、結像光学系の瞳位置に
透過率や位相に変化を与えるフィルタを置いて、投影像
を所望するものに変えていく像の改良法については、波
動光学，第１刷（１９７１年２月２日発行），第４４３
頁から第４４５頁〔岩波書店〕に開示があり、そこに
は、高次回折像を弱くして拡がりの小さい像を得ようと
するアポディゼイションフィルタの記述がある。本発明
の、結像光学系の入射瞳に対応する絞りの位置に配置す
る反射鏡あるいは透過フィルタは、その反射率あるいは
透過率の分布からアポディゼイションフィルタとして作
用するので、パターン転写の際に近接効果による投影像
の劣化を防止することができる
【０００７】。
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用い詳
細に説明する。図１は、Ｘ線源１として電子蓄積リング
を用い、そこから放射されるＸ線（シンクロトロン放射
光）を露光光として用いる、本発明の微細パターン転写
装置の構成の一例を示す模式図である。Ｘ線源１から放
射されたＸ線は、照明光学系として作用する楕円面鏡２
で反射して、第１の基板上に形成されているマスク３を
照明する。マスク３からの反射光は、凹面鏡６、凸面鏡
７、凹面鏡８および平面鏡９から構成される反射型縮小
結像光学系１０を通して、第２の基板であるウェーハ１
１上に到達する。その結果、マスク３上の照明された領
域に描かれているパターンがウェーハ１１上に転写され
る。そして、マスク３上の照明領域が狭い場合には、マ
スク３を搭載したステージ４と、ウェーハ１１を搭載し
たウェーハ載置台１２を、反射型縮小結像光学系１０の
縮小倍率にあわせて同期走査させることにより、マスク
３上のパターンをすべてウェーハ１１上に転写させるこ
とができる。 ウェーハ載置台１２は、ウェーハ１１の
面と直角方向に移動できるｚステージ１５上に固定さ
れ、ｚステージ１５は、ウェーハ１１の面方向に移動可
能なｘｙステージ１６上に搭載されている。ウェーハ１
１の載置位置誤差は、裏面に形成されているマークを検
出光学系２０を介して、ベ−ス１９に設けられた位置検
出器２１で検出され、その検出結果は制御系２２に送ら
れる。一方、ウェーハ１１の移動位置の計測は、レーザ
測長器１３で、ｚステージ１５上に固定されたミラー１
４の位置を測定することにより行われ、その結果は常に
制御系２２に送られる。制御系２２は、マスク駆動手段
５、ｚステージ駆動手段１７およびｘｙステージ駆動手
段１８を制御することにより、マスク３とウェーハ１１
を所望の位置関係に保持することができる。ここで、反
射鏡の反射面をすべてＭｏ（モリブデン）とＳｉ（シリ
コン）とを交互に積層させて構成した多層膜構造体と
し、波長１４ｎｍのＸ線に対して４０％以上の反射率が
得られるようにした。また、凹面鏡６、凸面鏡７、凹面
鏡８の面は、いずれも一つの中心軸の回りに回転軸対称
に配置された面、もしくはその一部を切り出した面とし
た。上記中心軸上で表わすマスク３と凹面鏡６との間の
距離をｔ1、凹面鏡６と凸面鏡７との間の距離をｔ2、凸
面鏡７と凹面鏡８との間の距離をｔ3、凹面鏡８から平
面鏡９を経てウェーハ１１までの距離をｔ4とし、凹面
鏡６、凸面鏡７、凹面鏡８の面頂点の曲率半径をそれぞ
れｒ1、ｒ2、ｒ3、さらにそれぞれの面の非球面量を表
わす円錐定数をｃ1、ｃ2、ｃ3とすると、本実施例にお
いては上記パラメータの値を以下のように選定した。 ｔ1＝1000.0ｍｍ、ｔ2＝-149.863ｍｍ、ｔ3＝70.003ｍ
ｍ、ｔ4＝-120.951ｍｍ、 ｒ1＝-393.970ｍｍ、 ｒ2
＝108.6567ｍｍ、ｒ3＝-149.640ｍｍ ｃ1＝-0.94301、ｃ2＝-0.09193、ｃ3＝0.14273 ここで、凸面鏡７は、図２における曲線２３で示すよう
に、周辺部の反射率が中心部の反射率より低くなるよう
に多層膜の周期を連続的に変化させてある。そして、反
射率を変える方法は上記の方法に限らず、例えば、多層
膜の積層数を変化させる方法、多層膜形成後にイオン注
入等を行なう方法、多層膜上に適当な膜厚分布を有する
吸収体を設ける方法などを用いてもよい。この凸面鏡７
は、反射型結像光学系１０の絞り位置に相当するので、
図２に示す反射率の分布は、空間周波数フィルタとして
作用する。つぎに、本発明を実施したときのパターン投
影像について説明する。図３は、マスク３上のパターン
の一例を示す図である。図３において、領域２８はＸ線
を反射しない領域、領域２４，２５，２６，２７はＸ線
を反射してパターンを定義する領域である。凸面鏡７の
周辺部の反射率が中心部の反射率の１／２であるときの
投影像のＸ線強度分布の等高線図を、図４に示す。一
方、本発明を実施しないときに得られる投影像を、図５
に示す。本実施例においては、多層膜鏡で構成された結
像光学系を用いるため、パターン形成に寄与するＸ線の
波長領域は狭くなる。また、光源１も実質上点光源とみ
なせるから、図１に示す系は空間的には極めてコヒーレ
ントに近い結像系である。したがって、図５に示す投影
像は、干渉の効果が大きく現われており、強度分布や形
状精度の面で像が劣化している。しかし、本発明を実施
により得られた像は、図４に示すように、図５に比べて
像の劣化が少ない。すなわち、隣接パターンとの干渉の
影響が少なく形状精度も向上している。凸面鏡７の反射
率分布は、図２に示すような半径方向に単調に減少する
分布に限られることは無い。さらに、位相を変化させる
ように多層膜に分布を与えてもよい。反射率分布や位相
分布を適切に与えた反射鏡を用いると、投影像の焦点深
度または解像力を向上させることも可能である。本実施
例では、結像光学系の絞りの位置に凸面鏡７を配置し、
反射率分布を与えたが、結像光学系の絞りの位置に反射
面が存在しない系では、その絞り位置の近傍にＸ線の透
過率分布を有する薄膜フィルタを配置しても同様の効果
が得られる。また、上記フィルタ特性を有する凸面鏡７
あるいはＸ線透過フィルタにはビームが集中するので、
温度が上昇する可能性が有る。この場合、凸面鏡７ある
いはＸ線透過フィルタを絞りの位置からわずかにずらし
て配置することや、適宜冷却する手段を設けることがで
きる。なお、パターン転写とは通常ウェーハ上に塗布さ
れたレジストに、Ｘ線等のビームを照射して感光させて
潜像を作ることであるが、本発明は、Ｘ線を用いてマス
クパターンの像をウェーハ上に形成する光学系に関する
ものであるから、レジストの使用に限ることなく、例え
ばＸ線照射による試料表面の直接加工やＸ線を励起光と
する加工等にも適用できる。
細に説明する。図１は、Ｘ線源１として電子蓄積リング
を用い、そこから放射されるＸ線（シンクロトロン放射
光）を露光光として用いる、本発明の微細パターン転写
装置の構成の一例を示す模式図である。Ｘ線源１から放
射されたＸ線は、照明光学系として作用する楕円面鏡２
で反射して、第１の基板上に形成されているマスク３を
照明する。マスク３からの反射光は、凹面鏡６、凸面鏡
７、凹面鏡８および平面鏡９から構成される反射型縮小
結像光学系１０を通して、第２の基板であるウェーハ１
１上に到達する。その結果、マスク３上の照明された領
域に描かれているパターンがウェーハ１１上に転写され
る。そして、マスク３上の照明領域が狭い場合には、マ
スク３を搭載したステージ４と、ウェーハ１１を搭載し
たウェーハ載置台１２を、反射型縮小結像光学系１０の
縮小倍率にあわせて同期走査させることにより、マスク
３上のパターンをすべてウェーハ１１上に転写させるこ
とができる。 ウェーハ載置台１２は、ウェーハ１１の
面と直角方向に移動できるｚステージ１５上に固定さ
れ、ｚステージ１５は、ウェーハ１１の面方向に移動可
能なｘｙステージ１６上に搭載されている。ウェーハ１
１の載置位置誤差は、裏面に形成されているマークを検
出光学系２０を介して、ベ−ス１９に設けられた位置検
出器２１で検出され、その検出結果は制御系２２に送ら
れる。一方、ウェーハ１１の移動位置の計測は、レーザ
測長器１３で、ｚステージ１５上に固定されたミラー１
４の位置を測定することにより行われ、その結果は常に
制御系２２に送られる。制御系２２は、マスク駆動手段
５、ｚステージ駆動手段１７およびｘｙステージ駆動手
段１８を制御することにより、マスク３とウェーハ１１
を所望の位置関係に保持することができる。ここで、反
射鏡の反射面をすべてＭｏ（モリブデン）とＳｉ（シリ
コン）とを交互に積層させて構成した多層膜構造体と
し、波長１４ｎｍのＸ線に対して４０％以上の反射率が
得られるようにした。また、凹面鏡６、凸面鏡７、凹面
鏡８の面は、いずれも一つの中心軸の回りに回転軸対称
に配置された面、もしくはその一部を切り出した面とし
た。上記中心軸上で表わすマスク３と凹面鏡６との間の
距離をｔ1、凹面鏡６と凸面鏡７との間の距離をｔ2、凸
面鏡７と凹面鏡８との間の距離をｔ3、凹面鏡８から平
面鏡９を経てウェーハ１１までの距離をｔ4とし、凹面
鏡６、凸面鏡７、凹面鏡８の面頂点の曲率半径をそれぞ
れｒ1、ｒ2、ｒ3、さらにそれぞれの面の非球面量を表
わす円錐定数をｃ1、ｃ2、ｃ3とすると、本実施例にお
いては上記パラメータの値を以下のように選定した。 ｔ1＝1000.0ｍｍ、ｔ2＝-149.863ｍｍ、ｔ3＝70.003ｍ
ｍ、ｔ4＝-120.951ｍｍ、 ｒ1＝-393.970ｍｍ、 ｒ2
＝108.6567ｍｍ、ｒ3＝-149.640ｍｍ ｃ1＝-0.94301、ｃ2＝-0.09193、ｃ3＝0.14273 ここで、凸面鏡７は、図２における曲線２３で示すよう
に、周辺部の反射率が中心部の反射率より低くなるよう
に多層膜の周期を連続的に変化させてある。そして、反
射率を変える方法は上記の方法に限らず、例えば、多層
膜の積層数を変化させる方法、多層膜形成後にイオン注
入等を行なう方法、多層膜上に適当な膜厚分布を有する
吸収体を設ける方法などを用いてもよい。この凸面鏡７
は、反射型結像光学系１０の絞り位置に相当するので、
図２に示す反射率の分布は、空間周波数フィルタとして
作用する。つぎに、本発明を実施したときのパターン投
影像について説明する。図３は、マスク３上のパターン
の一例を示す図である。図３において、領域２８はＸ線
を反射しない領域、領域２４，２５，２６，２７はＸ線
を反射してパターンを定義する領域である。凸面鏡７の
周辺部の反射率が中心部の反射率の１／２であるときの
投影像のＸ線強度分布の等高線図を、図４に示す。一
方、本発明を実施しないときに得られる投影像を、図５
に示す。本実施例においては、多層膜鏡で構成された結
像光学系を用いるため、パターン形成に寄与するＸ線の
波長領域は狭くなる。また、光源１も実質上点光源とみ
なせるから、図１に示す系は空間的には極めてコヒーレ
ントに近い結像系である。したがって、図５に示す投影
像は、干渉の効果が大きく現われており、強度分布や形
状精度の面で像が劣化している。しかし、本発明を実施
により得られた像は、図４に示すように、図５に比べて
像の劣化が少ない。すなわち、隣接パターンとの干渉の
影響が少なく形状精度も向上している。凸面鏡７の反射
率分布は、図２に示すような半径方向に単調に減少する
分布に限られることは無い。さらに、位相を変化させる
ように多層膜に分布を与えてもよい。反射率分布や位相
分布を適切に与えた反射鏡を用いると、投影像の焦点深
度または解像力を向上させることも可能である。本実施
例では、結像光学系の絞りの位置に凸面鏡７を配置し、
反射率分布を与えたが、結像光学系の絞りの位置に反射
面が存在しない系では、その絞り位置の近傍にＸ線の透
過率分布を有する薄膜フィルタを配置しても同様の効果
が得られる。また、上記フィルタ特性を有する凸面鏡７
あるいはＸ線透過フィルタにはビームが集中するので、
温度が上昇する可能性が有る。この場合、凸面鏡７ある
いはＸ線透過フィルタを絞りの位置からわずかにずらし
て配置することや、適宜冷却する手段を設けることがで
きる。なお、パターン転写とは通常ウェーハ上に塗布さ
れたレジストに、Ｘ線等のビームを照射して感光させて
潜像を作ることであるが、本発明は、Ｘ線を用いてマス
クパターンの像をウェーハ上に形成する光学系に関する
ものであるから、レジストの使用に限ることなく、例え
ばＸ線照射による試料表面の直接加工やＸ線を励起光と
する加工等にも適用できる。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば、Ｘ線の投影光学系が空
間的にコヒーレントな系であっても、隣接パターン相互
の干渉の影響が少なく、形状精度の極めて高いパターン
転写を実現することができる。
間的にコヒーレントな系であっても、隣接パターン相互
の干渉の影響が少なく、形状精度の極めて高いパターン
転写を実現することができる。
【図１】本発明の実施例で例示した微細パターン転写装
置の構成の一例を示す模式図。
置の構成の一例を示す模式図。
【図２】本発明の実施例で例示した微細パタ−ン転写装
置の結像光学系の絞り位置に配置する反射鏡の反射率分
布を示す図。
置の結像光学系の絞り位置に配置する反射鏡の反射率分
布を示す図。
【図３】本発明の実施例で例示したマスクパターンの一
例を示す図。
例を示す図。
【図４】本発明の実施例で例示した微細パタ−ン転写装
置で得られた投影像を示す図。
置で得られた投影像を示す図。
【図５】従来の干渉効果の強い投影像を示す図。
１…Ｘ線源、２…楕円面鏡、３…マスク、４…ステ−
ジ、５…マスク駆動手段、６…凹面鏡、７…凸面鏡、８
…凹面鏡、９…平面鏡、１０…反射型縮小結像光学系、
１１…ウェーハ、１２…ウエ−ハ載置台、１３…レ−ザ
測長器、１４…ミラ−、１５…ｚステ−ジ、１６…ｘｙ
ステ−ジ、１７…ｚステ−ジ移動手段、１８…ｘｙステ
−ジ移動手段、１９…ベ−ス、２０…検出光学系、２１
…位置検出器、２２…制御系、２３…凸面鏡における反
射率分布、 ２４、２５、２６、２７…Ｘ線を反射する
パタ−ン領域、２８…Ｘ線を反射しないパタ−ン領域。
ジ、５…マスク駆動手段、６…凹面鏡、７…凸面鏡、８
…凹面鏡、９…平面鏡、１０…反射型縮小結像光学系、
１１…ウェーハ、１２…ウエ−ハ載置台、１３…レ−ザ
測長器、１４…ミラ−、１５…ｚステ−ジ、１６…ｘｙ
ステ−ジ、１７…ｚステ−ジ移動手段、１８…ｘｙステ
−ジ移動手段、１９…ベ−ス、２０…検出光学系、２１
…位置検出器、２２…制御系、２３…凸面鏡における反
射率分布、 ２４、２５、２６、２７…Ｘ線を反射する
パタ−ン領域、２８…Ｘ線を反射しないパタ−ン領域。
Claims (6)
- 【請求項１】Ｘ線領域あるいは真空紫外領域のビームを
第１の基板上に照明し、該第１の基板上に描かれている
パターンを結像光学系を介して、第２の基板上に縮小転
写させるＸ線投影露光方法において、上記結像光学系の
瞳位置に形成される回折像のうち低次の回折像よりも高
次の回折像を弱める工程を少なくとも含むことを特徴と
する微細パターン転写方法。 - 【請求項２】Ｘ線領域あるいは真空紫外領域のビームを
放射する光源と、第１の基板上に描かれているパターン
を第２の基板上に縮小転写するための結像光学手段と、
上記第２の基板を所望の位置に位置決めする手段とを有
するＸ線投影露光装置において、上記結像光学手段は複
数の反射鏡で構成され、かつ、上記結像光学系のほぼ絞
りの位置に、中心部を反射もしくは透過するビームより
も周辺部を反射もしくは透過するビームの強度を低下さ
せる光学手段を少なくとも備えたことを特徴とする微細
パターン転写装置。 - 【請求項３】請求項２において、結像光学系のほぼ絞り
の位置に配置する光学手段は、周辺部の反射率が中心部
の反射率よりも低い反射鏡であることを特徴とする微細
パターン転写装置。 - 【請求項４】請求項２または請求項３において、反射鏡
は多層膜鏡であることを特徴とする微細パターン転写装
置。 - 【請求項５】請求項２において、結像光学系のほぼ絞り
の位置に配置する光学手段は、周辺部の透過率が中心部
の透過率よりも低いＸ線透過フィルタであることを特徴
とする微細パターン転写装置。 - 【請求項６】請求項２において、Ｘ線領域あるいは真空
紫外領域のビームを放射する光源は、シンクロトロン放
射であることを特徴とする微細パターン転写装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240806A JPH0582418A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 微細パターン転写方法およびその装置 |
| US07/812,022 US5222112A (en) | 1990-12-27 | 1991-12-23 | X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system |
| KR1019910024303A KR100243965B1 (ko) | 1990-12-27 | 1991-12-26 | 미세패턴 전사 방법 및 그 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240806A JPH0582418A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 微細パターン転写方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582418A true JPH0582418A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17064967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3240806A Pending JPH0582418A (ja) | 1990-12-27 | 1991-09-20 | 微細パターン転写方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582418A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100563774B1 (ko) * | 2000-08-25 | 2006-03-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 마스크 조작장치, 리소그래피 투영장치, 디바이스제조방법 및 그것에 의하여 제조된 디바이스 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP3240806A patent/JPH0582418A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100563774B1 (ko) * | 2000-08-25 | 2006-03-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 마스크 조작장치, 리소그래피 투영장치, 디바이스제조방법 및 그것에 의하여 제조된 디바이스 |
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