KR920012535A - 다이아몬드의 화학 증착 방법에 사용되는 금속 성장 가속기 쉘 - Google Patents

다이아몬드의 화학 증착 방법에 사용되는 금속 성장 가속기 쉘 Download PDF

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KR920012535A
KR920012535A KR1019910023973A KR910023973A KR920012535A KR 920012535 A KR920012535 A KR 920012535A KR 1019910023973 A KR1019910023973 A KR 1019910023973A KR 910023973 A KR910023973 A KR 910023973A KR 920012535 A KR920012535 A KR 920012535A
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풀턴 플레이셔 제임스
리챠드 안토니 토마스
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아더 엠. 킹
제네랄 일렉트릭 캄파니
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Abstract

내용 없음

Description

다이아몬드의 화학 증착 방법에 사용되는 금속 성장 가속기 쉘
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 촉매 금속 외벽을 갖는 CVD 다이아몬드 증착 장치의 단면도, 제2도는 촉매 금속이 정렬된 외벽을 갖는 CVD 다이아몬드 증착 장치의 단면도, 제3도는 촉매 금속으로 제조된 부분 내벽의 외벽과 접촉하고 있는 CVD 다이아몬드 증착 장치의 단면도.

Claims (16)

  1. 화학 증착법으로 기재상에 다이아몬드를 증착시키는 장치로서, 적어도 하나의 가스입구와 적어도 하나의배기수단을 가지며, 대기보다 낮은 압력에서 작동될 수 있는 순환식 반응실과, 상기 기재를 상기 반응실내에 지지시키는 지지수단과, 열활성 수단을 포함하는 장치에 있어서, 상기 반응실내의 벽 표면을 촉매 금속을 함유하는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열활성 수단은 적어도 하나의 가열 필라멘트인 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 금속은 기재상의 다이아몬드 증착율을 적어도 시간 1.5μ까지 증가되도록 하는 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 금속은 몰리브덴인 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속은 구리와 같거나 높은 용융점을 갖는 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 금속은 구리, 니켈, 은, 금, 백금, 팔라듐, 몰리브덴 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로 부터 선택되는 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 금속은 구리, 니켈, 은, 금, 백금, 팔라듐 또는 몰리브덴 을 충분히 함유하는 합금군으로부터 선택되어 상기 증착율을 적어도 시간당 1.5μ까지 증가시키는 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 벽은 내벽인 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 벽은 상기 기재의 높이 보다 큰 높이를 가지며, 상기 기재의 위와 아래로 연장되는 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 내벽은 상기 기재와 외벽사이에 위치되는 장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 외벽은 상기 외벽은 석영인 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 내벽은 상기 외벽으로 부터 1~25㎜이격되는 장치.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 반응실 벽의 전체 내면이 촉매 금속을 함유하는 장치.
  14. 제 1항에 있어서, 상기 반응실 벽중 대부분의 내면이 촉매 금속을 함유하는 장치.
  15. 제 1항에 있어서, 상기 반응실 전체 내면이 촉매 금속을 함유하는 장치.
  16. 제 1항에 있어서, 상기 반응실 중 대부분의 내면이 촉매 금속을 함유하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910023973A 1990-12-24 1991-12-23 다이아몬드의 화학 증착 방법에 사용되는 금속 성장 가속기 쉘 KR920012535A (ko)

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