KR920010082B1 - 3불화 질소가스의 정제방법 - Google Patents
3불화 질소가스의 정제방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920010082B1 KR920010082B1 KR1019890007523A KR890007523A KR920010082B1 KR 920010082 B1 KR920010082 B1 KR 920010082B1 KR 1019890007523 A KR1019890007523 A KR 1019890007523A KR 890007523 A KR890007523 A KR 890007523A KR 920010082 B1 KR920010082 B1 KR 920010082B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- aqueous solution
- nitrogen trifluoride
- trifluoride gas
- ppm
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
- C01B21/083—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more halogen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
- C01B21/083—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more halogen atoms
- C01B21/0832—Binary compounds of nitrogen with halogens
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Gas Separation By Absorption (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 발명의 실시에 적합한 NF3가스의 정제장치의 1예를 나타낸 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 가스 스크러버 2 : 물 또는 수용액
3 : 충진물층 4 : NF3가스 입구관
5 : NF3가스 출구관 6, 9, 10, 12 : 배관
7, 11 : 펌프 8 : 저장조
13 : 살수관 14 : 배출관
15 : 보급관
본 발명은 3불화 질소가스의 정제방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 3불화 질소가스중의 특히 2불화 산소의 제거방법에 관한 것이다.
3불화 질소(NF3) 가스는 반도체의 드라이 에칭제나 CVD 장치의 클리닝 가스로서 근래 주목되고 있지만, 이들의 용도에 사용되는 3불화 질소가스는 가급적 고순도의 것이 요구되고 있다.
NF3가스는 산성 불화 암모늄 또는 불화 암모늄과 불화 수소를 원료로 하는 NH4·xHF를 전해 분해하는 소위 용융염 전해법이나 암모니아 불소를 반응시키는 방법등, 여러 가지의 방법으로 제조된다. 본 발명자들은 어떤 방법으로 얻어진 NF3가스도 대부분의 경우 2불화 산소(OF2)를 비교적 다량으로 함유하고 있으며, 특히 용융염 전해법으로 얻어진 NF3가스에서는 많은 경우에는 수백 ppm정도(ppm은 용량 기준을 나타낸다. 이하 동일함)나 함유하고 있는 것을 확인하였다.
상기한 방법으로 제조된 NF3가스중에는 질소(N2), 2불화 2질소(N2F2), 아산화질소(N2O), 2산화탄소(CO2) 및 미반응의 불화수소(HF), 등 여러 가지의 화합물이 불순물로서 함유되어 있는 것은 공지되어 있다.
따라서 고순도의 NF3가스를 얻기 위하여는 이것들의 분순물을 제거, 정제할 필요가 있으나, 그의 정제방법은 여러 가지의 방법이 제안되어 있다.
OF2에 관해서는 문헌(Deutsche Luft and Raumfahrt, Forschungshericht, Oktober 1966, Herstellung von Stickstoffofluoriden durth Electrolyze, 21면, 19 내지 20행)에 아황산나트륨 및 요오드화 칼륨 수용액을 사용하여 NF3가스중의 OF2를 저감할 수 있다는 것이 기재되어 있다. 또 문헌[「불소화학과 공업, 진보와 응용」 와따나베노브아쓰편(화학공업사 발간) 208면(1973)]에는 티오황산나트륨 수용액으로 NF3가스를 세정함으로써 NF3가중의 N2O를 제거하는 방법이 기재되어 있다. 그러나 티오황산나트륨 수용액에 의하여 NF3가스중의 OF2가 제거할 수 있는 것은 기재되어 있지 않다.
또 문헌[J. Massonne저, Chem. Ing. Techn. 41(12) 695(1969)]에는 NF3가스중의 N2F3의 제거 방법으로서 KI,HI,Na2S,Na2S2O3등의 수용액과 N2F2를 반응조에서 반응시켜서 제거하는 방법이 기재되어 있다. 그러나, 이 방법으로는 N2F2를 완전히 제거하기 위해서는 비교적 장시간을 요하므로, 따라서 반응조가 상당히 크게될 뿐만 아니라, 대량의 약제도 필요로 한다. 이 문헌에도 OF2의 제거에 관해서는 언급되어 있지 않다.
본 발명자들은 저온가스 크로마토그래피를 사용하는 후기 OF2의 정량 방법을 확립하여 NF3가스중의 OF2함유량은 수백 ppm에나 달하는 경우가 있는 것을 확인하였다.
이 OF2는 함산소 화합물이므로, NF3을 정제하는 공정에 있어서 매우 위험하다고 추측된다. 따라서 NF3을 정제할 경우에, OF2는 가급적 초기 단계에서 제거할 필요가 있다.
또 정제된 NF3가스중에 OF2가 함유되어 있으면 고순도의 NF3가스를 얻는데 있어 불편할 뿐만 아니라 이와 같은 함산소 화합물을 함유하고 있으면, NF3가스를 반도체의 드라이 에칭제나 CVD 장치의 클리닝 가스로서 사용한 경우의 악영향을 미친다는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 3불화 질소가스중의 2불화 산소를 극히 효율적이며 경제적으로 제거하는 3불화 질소가스의 정제방법을 제공하는데 있다.
즉, 본 발명은 불화수소 및 2불화 산소를 함유하는 3불화 질소가스로부터 불화수소를 100ppm 이하로 될 때까지 제거한 후 또는 불화수소 함유량 100ppm 이하의 3불화 질소가스를 사용하여 이 3불화 질소가스를 티오황산나트륨, 요오드화수소, 황화나트륨으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 수용액에 접촉시키는 것을 포함하는 3불화 질소가스의 정제방법이다.
불소수소를 제거하는데는 물 또는 NaOH 수용액을 사용하여 3불화 질소가스와 접촉시켜서 불화수소 농도가 100ppm 이하로 되도록 하는 것이 바람직하다.
2불화 산소를 제거하는데는 상기 티오황산나트륨, 요오드화 수소, 황화나트륨으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 수용액에 0 내지 20℃의 온도에서 접촉시키는 것이 바람직하다.
이 가스-액체 접촉의 조작에는 가스 스크러버(scrubber)를 사용하는 것이 바람직하다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
NF3가스는 산성 불화암모늄 또는 불화암모늄과 불화수소를 원료로 하는 NH4F·xHF를 전해분해하는 소위 용융법 전해법이나 암모니아와 불소를 반응시키는 방법등, 여러 가지의 방법으로 제조된다.
본 발명에서는 먼저 NF3가스중의 HF를 제거하지 않으면 안된다. HF의 제거방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만 예를들면 제1도에 표시한 바와 같은 가스 스크러버를 사용하고, 이 가스 스크러버에 물 또는 수산화나트륨 등의 알칼리 수용액을 순환시켜 NF3가스를 이 물 또는 알칼리 수용액에 접촉시켜서, HF를 물 또는 상기 수용액에 흡수시켜 제거하는 방법(이 경우, 알칼리 수용액의 농도는 통상 0.1 내지 1중량%로 실시된다)이나 불화나트륨(NaF)등의 화합물을 흡착제로서 사용하고, 이 흡착제와 NF3가스를 100℃ 정도의 온도에서 접촉시켜서 HF를 흡착제거하는 방법등을 채용할 수가 있다.
이 HF를 제거하는 공정에서 NF3가스중의 HF는 극력 제거해 두는 것이 바람직하지만 적어도 100ppm 이하까지 제거하는 것이 필요하다. 최초부터 HF가 100ppm 이하인 NF3가스를 사용하면 이 HF 제거공정은 불필요하다는 것은 물론이다.
NF3가스를 물 또는 알칼리 수용액에 접촉시키는 온도로서는 후기 OF2의 제거공정과 동일하게 조작에 지장이 없는 범위에서 저온일수록, 바람직하지만, 물을 사용하는 것이 경제적이라는 것, 후에 OF2제거공정이 있다는 것을 고려하면, 예를들면 15 내지 30℃ 정도의 온도가 바람직하다.
이렇게하여 HF가 제거된 NF3가스는 이어서 티오황산나트륨(Na2S2O3), 요오드화수소(Hl), 황화나트륨(Na2S)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 수용액에 접촉시켜서 함유하는 OF2를 제거한다.
본 발명에서 사용하는 Na2S2O3,Hl,Na2S의 수용액(이하에서는 단순히 수용액이라고 약기한다)은 통상 시판의 공업용의 이들의 화합물을 물에 용해시킴으로써 간단히 얻을 수가 있다.
그리고 본 발명에서는 이 수용액은 0.1노르말 정도로부터 포화용해도 가까이의 농도로 실시할 수 있으나 바람직하기는 0.5노르말 내지 2노르말이다. 수용액의 농도가 0.5노르말 미만에서는 OF2의 제거속도가 매우 늦어지고 따라서 OF2를 충분히 제거할 수가 없다. 반대로 수용액의 농도가 포화용해도 부근에서는 경제적으로 득책은 아니고, 또 본 발명에서는 후기하는 바와 같이 NF3가스와 수용액의 접촉을 가스 스크러버를 사용하여 행하므로, 이들의 장치의 배관의 폐색을 야기하는 등의 문제의 원인이 되므로 바람직하지 않다. NF3가스와 수용액을 접촉시킬때의 온도는 특별히 한정은 없으나 수용액과 접촉후의 NF3가스중의 수분을 극력 적게함으로써 그후의 다른 불순물의 제거정제의 조작이 용이하게 된다. 따라서 상기 접촉온도는 조작에 저장이 없는 범위에서 저온일수록 좋고, 통상 0 내지 20℃ 정도의 온도에서 실시된다.
본 발명에서는 NF3가스를 수용액에 접촉시키는 방법으로서는 제1도에 나타낸 바와 같은 가스 스크러버를 사용하여 이 가스 스크러버에 상기한 수용액을 순환시키면서 이 가스 스크러버에 NF3가스를 통기시키는 방법이 바람직하게 사용된다.
가스 스크러버를 사용하는 방법으로는 이 가스 스크러버중에 라쉬히링, 낫슈링, 테라렛트등을 충진한 충진물층을 설치해두면 NF3가스와 순환하는 상기 수용액의 접촉을 양호하게 하기 때문에 바람직하다. 제1도의 가스 스크러버에 관해서는 실시예 1에서 설명한다.
또 이방법에서는 NF3가스중의 OF2농도의 변화에 대응하여 상기 수용액의 순환량이나 농도를 바꾸므로써 효율적으로 OF2를 제거할 수가 있는 장점이 있다.
수용액과 NF3가스의 접촉시간은 수용액의 농도나 순환량, NF3가스중의 OF2함유량에 따라서 달라진다. 접촉시간은 약 2 내지 1000초 정도에서 함유하는 OF2를 바람직하게 제거할 수가 있다.
가스 스크러버에 통기하는 NF3가스의 압력은 특별히 높게할 필요는 없고, 가스 스크러버에 통기 가능한 압력이면 가급적 저압의 편이 조작하기가 용이하여 바람직하다.
본 발명에서는 상기와 같이 수용액과 접촉시킬때의 NF3가스는 함유하는 HF를 미리 극력 제거해두는 것이 바람직하지만 적어도 100ppm 이하로 제거해두는 것이 필요하다.
NF3가스중에 HF가 함유되어 있으면 수용액중의 Na2S2O3등과 HF가 반응하여 불화나트륨 등의 불화물을 생성하므로, 수용액중의 Na2S2O3등의 농도가 희박하게 되고, 이 때문에 OF2의 제거효율이 저해된다는 문제가 있다. 또 이 생성된 불화물이 가스 스크러버의 배관의 폐색등을 야기시킨다는 문제도 있다.
이리하여 OF2를 제거한 NF3가스는 기타 불순물인 N2,N2F2,N2O,CO2등의 불순물을 종래 공지의 방법, 예컨대 분자체(Molecular Sieves)등과 접촉시키는 등의 방법으로 정제하면 극히 고순도의 NF3가스를 얻을 수가 있는 것이다.
다음에 NF3가스중의 OF2의 분석방법에 관하여 설명한다.
NF3가스중의 OF2는 저온용 가스 크로마토그래피를 사용하여 분석한다.
즉 저온용 가스 크로마토그래피의 컬럼의 충진재로 실리카겔을 사용하고, 이 컬럼의 온도를 -80℃정도로 냉각한다. 그런 후, OF2를 함유하는 NF3가스를 상기 저온용 가스 크로마토그래피의 컬럼에 주입한 후, 이 컬럼을 5℃/min의 속도로 승온해간다. 소위 저온으로부터의 승온 분석법이다. 이 방법에 의해 얻어지는 크로마토그래피는 N2,OF2NF3더 나아가서는 N2F2,N2O,CO2의 순서로 피이크가 검출된다. 따라서 이 검출된 피이크와 표준 시료의 피이크로부터 면적 백분율에 의해서 OF2의 함유량을 정량할 수가 있다.
이상 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 NF3가스중의 OF2를 제거하는 방법으로서, 최초부터 HF를 100ppm 이하밖에 함유하지 않은 NF3가스를 사용하거나, HF와 OF2를 함유하는 NF3가스로부터 HF를 제거한 후 이 NF3가스를 Na2S2O3등의 수용액과 접촉시키는 간단한 방법이며, 본 발명의 실시에 의해 NF3가스중의 OF2가 선택적으로 또한 효율적, 경제적으로 제거할 수 있는 것이다.
본 발명자들은 본 발명의 방법에 의해, OF2를 실질적으로 함유하지 않은 NF3가스를 얻는 것에 성공하였으나, 이것은 극히 획기적인 것이다.
이 OF2를 실질적으로 함유하지 않는 NF3가스를, 종래 공지의 방법인 분자체등과 접촉시키는 등의 방법으로 정제하여 함유하는 N2,N2F2,N2O,CO2등의 불순물을 제거하면 극히 고순도의 NF3가스를 얻을 수가 있는 것이다.
이와 같이 극히 고순도로한 NF3가스를 특히 반도체의 드라이 에칭제나 CVD 장치의 클리닝 가스에 사용한 경우, 지금까지 이상의 좋은 효과가 기대되는 것은 명백하다.
또 NF3가스의 제조에 있어서 특히 그의 정제 공정의 안정성이 크게 향상되므로 안정된 NF3가스의 제조가 가능케 되었다는 효과도 크게 평가되는 것이다.
[실시예]′
이하에서 실시예에 의하면 본 발명은 더욱 구체적으로 설명하겠으나, 본 발명은 본 실시예에 의해서 한정되는 것은 아닌 것은 물론이다. 또한 이하에서 % 및 ppm은 특기하지 않는한 용량기준을 나타낸다.
[실시예 1]
NH4F·HF계의 용융염을 사용하고, 이것을 용융염 전해하여 NF3가스를 얻었다. 얻어진 NF3가스를 저온용 가스 크로마토그래피에 의해 분석한바, OF2의 함유량은 740ppm였다. 또 HF의 함유량은 550ppm이었다. 이 NF3가스를 제1도에 나타낸 장치(가스 스크러버 장치)를 사용하여 함유하는 HF를 제거하였다.
제1도에 있어서, 1은 가스 스크러버, 2는 물 또는 수용액, 3은 충진물층, 4는 NF3가스 입구관, 5는 NF3가스 출구관, 6, 9, 10, 12는 배관, 7, 11은 펌프, 8은 저장조, 13은 살수관, 14는 배출관, 15는 보급관이다.
즉 저장조(8)에 물을 충진하고 이 물을 펌프(11)로 100ml/min의 유량으로 배관(12)을 경유하여 살수관(13)으로부터 가스 스크러버(1)에 살수하였다. 또 가스 스크러버(1)내의 물(2)은 펌프(7)로 배관(9) 및 배출관(14)을 경유하여 계외로 배출시켰다. 또 저장조(8)에는 이 배출분만큼 보급관(15)으로부터 물을 보급하여 가스 스크러버(1)내의 물(2)의 수면을 일정하게 유지하였다. 또한 가스 스크러버(1)는 높이 2m, 내경 50mm로 충진물층(3)에는 테프론제의 라쉬히링(직경, 높이 모두 8mm)을 500mm의 높이로 충진하였다.
이 상태에서 상기에서 얻어진 HF를 함유하는 NF3가스를 NF3가스 입구관(4)으로부터 500Nml/min의 유량으로 가스 스크러버(1)내로 동기하고 NF3가스 출구관(5)으로부터 꺼내어 NF3가스중의 HF를 제거하였다.
가스 스크러버(1)로부터 꺼내진 NF3가스중의 HF의 함유량은 제1표에 나타낸 바와 같이 42ppm이었다.
다음에 상기와 동일한 가스 스크러버 장치를 사용하여 제1표에 나타낸 조건으로 저장조(8)에 농도가 1노르말인 Na2S2O3수용액을 10ι넣고, 상기한 HF 제거의 경우와 동일한 방법으로 즉, 펌프(11)로 Na2S2O3수용액을 100ml/min의 유량으로 가스 스크러버(1)에 살수하였다. 또 가스 스크러버(1)내의 수용액(2)은 펌프(7)로 배관(9)을 경유하여 저장조(8)에 순환시키고 가스 스크러버(1)내의 액면을 일정하게 유지하였다.
그리하여 이 상태에서, 상기에서 얻는 HF를 제거한 NF3가스를 NF3가스 입구관(4)으로부터 연속적으로 가스 스크러버(1)에 동기하고, NF3가스 출구관(5)으로부터 꺼냈다.
통기 5시간 후에 NF3가스 출구관(5)으로부터 가스를 채취하고, 저온용 가스 크로마토그래피로 분석한 바, OF2의 함유량은 제1표에 나타낸 바와 같이 10ppm 이하였다.
또, 저장조(8)의 Na2S2O3의 농도가 1노르말이 되도록 1일 1회 Na2S2O3을 저조(8)에 보급하고 240시간 연속하여 OF2의 제거를 행하였으나, 통기후의 NF3가스중의 OF2함유량은 10ppm 이하를 유지하고 있으며, 또 문제도 없었다.
[실시예 2 내지 3]
농도 1노르말인 Na2S2O3수용액 대신에 제1표에 나타낸 종류, 농도의 수용액을 사용하고 또 제1표에 나타낸 조성의 NF3가스를 사용하여 실시예 1과 같은 방법으로 또한 제1표에 나타낸 조건으로 NF3가스중의 HF 및 OF2의 제거를 하였다. HF제거후의 OF2제거공정에서의 통기 5시간 후에 있어서의 가스 스크러버(1)에 통기후의 NF3가스중의 OF2의 함유량은 제1표에 나타낸 바와 같이 모두 10ppm 이하이고, 또 문제도 없었다.
[제1표]
주 1) 조가스란 용융염 전해법에서 얻어진 그대로의 NF3가스를 의미한다.
2) 통기후의 가스란 수용액의 순환하는 가스 스크러버를 통기한 후의 NF3가스를 의미한다.
[비교예 1 내지 3]
용융염 전해법에서 얻어진 제2표에 나타낸 조성이 NF3가스를 사용하여, 이 가스중의 HF를 미리 제거함이 없이 실시예 1에서 사용한 가스 스크러버 장치를 사용하여 NF3가스중의 OF2의 제거를 제2표에 나타낸 조건으로 실시예 1과 동일한 방법으로 행하였다.
가스 스크러버(1)의 통기전 및 통기 5시간후의 NF3가스를 저온용 가스 크로마토그래피에 의해 분석한 결과는 제2표에 표시한대로였다. 제2표의 결과로부터 NF3가스중의 HF 함유량이 많은 경우는 OF2의 제거율이 저하하는 것을 알 수 있다.
또 비교예 1에 있어서, Na2S2O3수용액의 농도가 1노르말이 되도록 1일 1회 Na2S2O3을 저장조(8)에 보급하여 연속해서 OF2의 제거를 행한바, 160시간후에 Na2S2O3수용액(2)을 저조(8)에 순환하는 배관(9)이 폐색되었다. 원인을 조사한 바 배관(9)의 내부에 불화나트륨의 스케일이 발생하고 있었다.
이 스케일은 NF3가스중의 HF와 Na2S2O3이 반응하여 생성한 것이라고 생각된다.
[제2표]
주 1) 조가스란 용융염 전해법에서 얻어진 그대로의 NF3가스를 의미한다.
2) 통기후의 가스란 수용액의 순환하는 가스 스크러버를 통기한 후의 NF3가스를 의미한다.
Claims (4)
- 불화수소 및 2불화 산소를 함유하는 3불화 질소가스로부터 불화수소를 100ppm 이하로 될 때까지 제거한 후, 혹은 불화수소 함유량 100ppm 이하의 3불화 질소가스를 사용하여 이 3불화 질소가스를 티오황산나트륨, 요오드화수소, 황화나트륨으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 수용액에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 3불화 질소가스의 정제방법.
- 제1항에 있어서, 3불화 질소가스를 물 또는 NaOH 수용액과 접촉시켜서 이 가스중의 불화수소를 제거하고, 불화수소 농도를 100ppm 이하로 함을 특징으로 하는 3불화 질소가스의 정제방법.
- 제1항에 있어서, 3불화 질소가스를 수용액에 접촉시킬때의 온도가 0 내지 20℃임을 특징으로 하는 3불화 질소가스의 정제방법.
- 제1항에 있어서, 3불화 질소가스를 수용액에 접촉시킬때에 가스 스크러버를 사용함을 특징으로 하는 3불화 질소가스의 정제방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63-135061 | 1988-06-01 | ||
JP135,061 | 1988-06-01 | ||
JP13506188 | 1988-06-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR900000288A KR900000288A (ko) | 1990-01-30 |
KR920010082B1 true KR920010082B1 (ko) | 1992-11-14 |
Family
ID=15142972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890007523A KR920010082B1 (ko) | 1988-06-01 | 1989-06-01 | 3불화 질소가스의 정제방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4980144A (ko) |
EP (1) | EP0344612B1 (ko) |
JP (1) | JPH0280310A (ko) |
KR (1) | KR920010082B1 (ko) |
CA (1) | CA1316330C (ko) |
DE (1) | DE68905379T2 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100481795B1 (ko) * | 2002-07-31 | 2005-04-11 | 주식회사 소디프신소재 | 고 순도의 삼불화 질소 가스 제조 방법 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01261208A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-18 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 三弗化窒素ガスの精製方法 |
US5069690A (en) * | 1991-02-21 | 1991-12-03 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for kinetic gas-solid chromatographic separations |
US5426944A (en) * | 1993-08-31 | 1995-06-27 | American Air Liquide, Inc. | Chemical purification for semiconductor processing by partial condensation |
US20010009652A1 (en) * | 1998-05-28 | 2001-07-26 | Jose I. Arno | Apparatus and method for point-of-use abatement of fluorocompounds |
US6759018B1 (en) | 1997-05-16 | 2004-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for point-of-use treatment of effluent gas streams |
US6458249B2 (en) * | 1997-11-10 | 2002-10-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for purifying perfluorinated products |
US8231851B2 (en) * | 1997-11-14 | 2012-07-31 | Hitachi, Ltd. | Method for processing perfluorocarbon, and apparatus therefor |
KR100432593B1 (ko) * | 2001-09-07 | 2004-05-24 | 주식회사 소디프신소재 | 삼불화 질소 가스의 정제 방법 |
US7074378B2 (en) * | 2004-01-23 | 2006-07-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for the purification of NF3 |
EP1765485B1 (en) * | 2004-07-08 | 2012-09-12 | Hyosung Corporation | Process for refining nitrogen trifluoride gas using alkali earth metal exchanged zeolite |
US7718145B2 (en) * | 2005-04-05 | 2010-05-18 | Mitsui Chemicals, Inc. | Polyisocyanate production system and gas treatment apparatus |
KR100777576B1 (ko) | 2006-12-15 | 2007-11-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Nf3를 클리닝 가스로 사용하는 cvd 공정에서의 가스스크러버 및 이의 운전 방법 |
KR100945520B1 (ko) | 2008-03-12 | 2010-03-09 | 엔텍이앤씨 주식회사 | 악취 가스 제거 방법 |
JP2010105825A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Central Glass Co Ltd | ハロゲンまたはハロゲン化合物を不純物として含む三フッ化窒素の精製方法 |
CN103180029A (zh) * | 2010-09-15 | 2013-06-26 | 索尔维公司 | 从气体中去除f2和/或of2的方法 |
US20210162341A1 (en) * | 2015-12-01 | 2021-06-03 | Showa Denko K. K. | Method for treating exhaust gas containing elemental fluorine |
WO2017094418A1 (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | 昭和電工株式会社 | フッ素元素を含有する排ガスの処理方法 |
CN111039266A (zh) * | 2019-12-29 | 2020-04-21 | 中船重工(邯郸)派瑞特种气体有限公司 | 一种除去三氟化氮中氧化亚氮的装置及方法 |
CN112742158B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-11-25 | 中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限公司 | 一种三氟化氮电解制备过程中氟化氢废气处理系统及方法 |
CN114524421A (zh) * | 2022-03-08 | 2022-05-24 | 中船(邯郸)派瑞特种气体股份有限公司 | 一种从冷阱排污气体中回收三氟化氮并制备氢氟酸的方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4193976A (en) * | 1978-04-06 | 1980-03-18 | Air Products & Chemicals, Inc. | Removal of dinitrogen difluoride from nitrogen trifluoride |
US4156598A (en) * | 1978-06-08 | 1979-05-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Purification of nitrogen trifluoride atmospheres |
JPS6071503A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-23 | Central Glass Co Ltd | Νf↓3の製造法 |
JPS61247609A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-04 | Showa Denko Kk | 三弗化窒素の精製方法 |
JPH03151608A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-06-27 | Toshiba Corp | リード線支持装置 |
-
1989
- 1989-05-23 JP JP1127854A patent/JPH0280310A/ja active Granted
- 1989-05-24 US US07/356,179 patent/US4980144A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-24 DE DE89109439T patent/DE68905379T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-24 EP EP89109439A patent/EP0344612B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-26 CA CA000600886A patent/CA1316330C/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-01 KR KR1019890007523A patent/KR920010082B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100481795B1 (ko) * | 2002-07-31 | 2005-04-11 | 주식회사 소디프신소재 | 고 순도의 삼불화 질소 가스 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0344612A3 (en) | 1990-05-30 |
KR900000288A (ko) | 1990-01-30 |
EP0344612B1 (en) | 1993-03-17 |
CA1316330C (en) | 1993-04-20 |
JPH0280310A (ja) | 1990-03-20 |
DE68905379T2 (de) | 1993-10-21 |
JPH0553725B2 (ko) | 1993-08-10 |
US4980144A (en) | 1990-12-25 |
DE68905379D1 (de) | 1993-04-22 |
EP0344612A2 (en) | 1989-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920010082B1 (ko) | 3불화 질소가스의 정제방법 | |
JP2005206461A (ja) | Nf3の精製方法 | |
EP0594558B1 (en) | Industrial process for the separation and recovery of chlorine | |
JP4423199B2 (ja) | ポリスルファンの変換法 | |
KR20080065672A (ko) | 무수 하이드로겐 플루오라이드 조성물 및 이를 제조하는방법 | |
JP2001522928A (ja) | 硫化水素除去法 | |
JP2000119024A (ja) | 六弗化タングステンの製造方法 | |
CN1384049A (zh) | 三氟化氮的制备方法 | |
KR100613678B1 (ko) | 휘발성 금속 수소화물로부터 황 함유 불순물을 제거하는방법 | |
EP2218492B1 (en) | METHOD FOR REMOVAL OF ClO3F | |
US6309618B1 (en) | Method for treating exhaust gas containing fluorine-containing interhalogen compound, and treating agent and treating apparatus | |
EP0714849B1 (en) | Production process for refined hydrogen iodide | |
JP3548135B2 (ja) | Pfc混合排ガスの回収前処理方法 | |
WO2010050342A1 (ja) | ハロゲンまたはハロゲン化合物を不純物として含む三フッ化窒素の精製方法及びシステム | |
JP2000005561A (ja) | フッ化物の処理方法 | |
KR100432593B1 (ko) | 삼불화 질소 가스의 정제 방법 | |
JP4010847B2 (ja) | 三弗化窒素ガスの精製方法 | |
JP4574259B2 (ja) | フルオロメタンの精製方法 | |
JP2002284512A (ja) | 高純度三弗化窒素の製造方法 | |
JPH11349304A (ja) | 高純度三弗化窒素ガスの精製方法 | |
RU2060930C1 (ru) | Способ получения серы | |
KR20060041265A (ko) | 플루오로메탄과 염화수소의 공비 혼합물 및 플루오로메탄의정제 방법 | |
JP2006282487A (ja) | 金属フッ化物脱酸剤及びその製造方法、並びにフッ化水素濃度が低減されたガスの製造方法 | |
JPH0692963B2 (ja) | 三弗化窒素ガス中の二弗化酸素の分析方法 | |
FR2477532A1 (fr) | Procede continu de preparation de dichlorhydrines de glycerine et produits obtenus par ce procede |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20081110 Year of fee payment: 17 |
|
EXPY | Expiration of term |