KR920004604A - 표면 처리 방법 - Google Patents

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KR920004604A
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도우루 아라이
가즈유끼 나까니시
히로마사 다께다
히데오 다찌까와
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모리모또 히데따께
가부시끼 가이샤 도요다 쥬오 겐꾸쇼
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C10/00—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/442—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using fluidised bed process

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Abstract

내용 없음

Description

표면 처리 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도, 제2도 및 제3도는 실시예 1내지 3, 5내지 7에서 사용한 장치를 도시하는 설명도.

Claims (9)

  1. 알루미나등의 내화 분말과 질화물 또는 탄화물 형성 금속 또는 이것들의 합금의 1종 이상의 분말로 이루는 처리제는 유동충식 노중에 배치되고, 불활성 가스를 도입해서 그 처리제를 유동화시킨 유동층중에 처리제 전량에 대해서 0.001∼5중량%/시간의 활성제인 할로겐화 암모늄 염을 수시 공급하므로써 700℃이하에 있어서 금속 재료의 표면에 질화물 또는 탄화물 형성 금속의 1종 이상의 질화물 또는 탄 질화물을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 재료의 표면 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 할로겐화 암모늄 염은 염화 암모늄, 취화 암모늄, 불화 암모늄, 요드화 암모늄, 플르오르붕산 암모늄의 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속 재료의 표면 처리 방법.
  3. 제1항에 있어서, 질화물 또는 형성 금속은 원소 주기율표의 Ⅳa, Ⅴa, Ⅵa에 속하는 금속 또는 망간의 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속 재료의 표면 처리 방법.
  4. 제1항에 있어서, 질화물 또는 탄화물 형성 금속의 처리제중의 양은 1∼100중량%인 것을 특징으로 하는 금속 재료의 표면 처리 방법.
  5. 알루미나등의 내화물 분말과 질화물 또는 탄화물 형성 금속 또는 이것들의 합금의 1종 이상의 분말로 구성되는 처리제를 유동충식 노중에 배치하고, 불활성 가스를 도입해서 그 처리제를 유동화시킨 유동층중의 처리제 전량에 대해서 0.001∼5중량%/시간의 활성제인 할로겐 화물과 할로겐 화물에 대해서 5∼1000몰%의 질소 함유 가스를 공급하므로서 700℃이하에 있어서 금속 재료의 표면에 질화물 또는 탄화물 형성 금속의 1종 이상의 질화물 또는 탄 질화물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 재료의 표면 처리 방법.
  6. 제5항에 있어서, 할로겐 화물은 할로겐화 수소, 할로겐 암모늄 염 또는 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속의 할로겐 화물의 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속 재료의 표면 처리 방법.
  7. 제5항에 있어서, 질소 함유 가스는 암모니아등의 질화용 가스 또는 메탄이나 프로판등의 침탄용 가스와의 혼합 가스 또는 이것과 알곤 등의 불활성 가스와의 혼합 가스인 것을 특징으로 하는 금속 재료의 표면 처리 방법.
  8. 제5항에 있어서, 질화물 또는 탄화물 형성 금속은 원소 주기율표의 Ⅳa, Ⅴa, Ⅵa에 속하는 금속 또는 망간의 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속 재료의 표면 처리 방법.
  9. 제5항에 있어서, 질화물 또는 탄화물 형성 금속의 처리제중의 양은 1∼100중량%인 것을 특징으로 하는 금속 재료의 표면 처리 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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