JPS5913586B2 - 炭化物または炭窒化物による基体表面被覆方法 - Google Patents
炭化物または炭窒化物による基体表面被覆方法Info
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- JPS5913586B2 JPS5913586B2 JP13627278A JP13627278A JPS5913586B2 JP S5913586 B2 JPS5913586 B2 JP S5913586B2 JP 13627278 A JP13627278 A JP 13627278A JP 13627278 A JP13627278 A JP 13627278A JP S5913586 B2 JPS5913586 B2 JP S5913586B2
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、耐摩耗性を向上させるための炭化物または
炭窒化物による基体表面被覆方法に関するものである。
炭窒化物による基体表面被覆方法に関するものである。
金属、合金、超硬質合金、セラミックス等の基２０体表
面に耐摩耗性が極度に優れる高融点化合物の薄膜を被覆
し、基体の耐摩耗性を向上させる方法としては、従来か
ら化学蒸着法（以下ＣＶＤ法という）および物理蒸着法
（以下ＰＶＤ法という）が知られている。
面に耐摩耗性が極度に優れる高融点化合物の薄膜を被覆
し、基体の耐摩耗性を向上させる方法としては、従来か
ら化学蒸着法（以下ＣＶＤ法という）および物理蒸着法
（以下ＰＶＤ法という）が知られている。
２５上記ＣＶＤ法は超硬合金スローアウエイチツプの被
覆に実用化されており、炭化チタン、窒化チタン、酸化
チタニウム等の単層あるいは多重層を設けることが一般
的に行なわれている。
覆に実用化されており、炭化チタン、窒化チタン、酸化
チタニウム等の単層あるいは多重層を設けることが一般
的に行なわれている。
さらに、ＣＶＤ法は工具鋼の被覆にも用いられ、耐摩耗
工３０具あるいは切削工具として使用されている。ＣＶ
Ｄ法による高融点化合物の被覆は、９００〜１２０００
Ｃで行なわれるが、基体によつては、より低い温度で被
覆する必要がある。すなわち、薄物あるいは細物の工具
鋼部品に被覆する場合、３５上記の如き高い温度では、
部品が変形を起しやすいからである。このために、ＣＶ
Ｄ法は被加工物の形状上の制限を受けているのが実情で
ある。また、高温度下において変質を生ずるような基体
もあり、このような場合には被覆を施しても十分に耐摩
耗性を発揮できないおそれがあり、さらに、反応温度よ
り融点の低い基体には被覆できないという制限もある。
そして、ＣＶＤ法における被覆形成速度ｋは、一般につ
ぎの式で表わされる。
工３０具あるいは切削工具として使用されている。ＣＶ
Ｄ法による高融点化合物の被覆は、９００〜１２０００
Ｃで行なわれるが、基体によつては、より低い温度で被
覆する必要がある。すなわち、薄物あるいは細物の工具
鋼部品に被覆する場合、３５上記の如き高い温度では、
部品が変形を起しやすいからである。このために、ＣＶ
Ｄ法は被加工物の形状上の制限を受けているのが実情で
ある。また、高温度下において変質を生ずるような基体
もあり、このような場合には被覆を施しても十分に耐摩
耗性を発揮できないおそれがあり、さらに、反応温度よ
り融点の低い基体には被覆できないという制限もある。
そして、ＣＶＤ法における被覆形成速度ｋは、一般につ
ぎの式で表わされる。
ここで、Ａは反応係数、Ｅは活性化エネルギーといわれ
る定数である。
る定数である。
この式からも明らかなように、反応温度と被覆形成速度
は負の指数関数の関係にあるので、反応温度を下げると
被覆形成速度は著しく減少し、実用に耐えなくなる。
は負の指数関数の関係にあるので、反応温度を下げると
被覆形成速度は著しく減少し、実用に耐えなくなる。
このため、一般に９００〜１２００℃の反応温度が必要
とされている。一方、ＰＶＤ法による高融点化合物の被
覆は、大別すればスパツタリング法とイオンプレーテイ
ング法に区分されるが、いずれも目的に応じて２００〜
８００℃程度まで被覆時の温度を変えることが可能であ
るため、種々の用途に実用化されている。しかしながら
、ＰＶＤ法は全て１０−２ａｔｍよりも高真空下でしか
実施することができず、このような条件下では、高融点
化合部被覆膜の形成に必要なメタル成分は、真空中を一
定方向にのみ飛散することとなり、基体の一方面しか良
好に被覆することができない。そのため、例えば、円筒
形状の部品や、立方体形の部品に均一な被覆を施すこと
が必要な場合は、その部品を回転させる治具を高精度で
部品の真下に設けることが必須の要件となる。したがつ
て、このような部品に均一に被覆を施す場合には、ＰＶ
Ｄ法はＣＶＤ法に比べてはるかにコストの高いものにな
るという問題点がある。本発明者等は、上述のような観
点から、ＣＶＤ法およびＰＶＤ法の有する種々の問題点
を解決し、どのような材質、形状の基体に対しても、そ
の表面に均一な高融点化合物被覆膜を良好に形成すべく
研究を重ねた結果、以下のような知見を得るに至つたの
である。
とされている。一方、ＰＶＤ法による高融点化合物の被
覆は、大別すればスパツタリング法とイオンプレーテイ
ング法に区分されるが、いずれも目的に応じて２００〜
８００℃程度まで被覆時の温度を変えることが可能であ
るため、種々の用途に実用化されている。しかしながら
、ＰＶＤ法は全て１０−２ａｔｍよりも高真空下でしか
実施することができず、このような条件下では、高融点
化合部被覆膜の形成に必要なメタル成分は、真空中を一
定方向にのみ飛散することとなり、基体の一方面しか良
好に被覆することができない。そのため、例えば、円筒
形状の部品や、立方体形の部品に均一な被覆を施すこと
が必要な場合は、その部品を回転させる治具を高精度で
部品の真下に設けることが必須の要件となる。したがつ
て、このような部品に均一に被覆を施す場合には、ＰＶ
Ｄ法はＣＶＤ法に比べてはるかにコストの高いものにな
るという問題点がある。本発明者等は、上述のような観
点から、ＣＶＤ法およびＰＶＤ法の有する種々の問題点
を解決し、どのような材質、形状の基体に対しても、そ
の表面に均一な高融点化合物被覆膜を良好に形成すべく
研究を重ねた結果、以下のような知見を得るに至つたの
である。
すなわち、放電空間中における反応ガスの化学反応は、
ＣＶＤ法における化学反応と比べ、同一温度では極めて
活発に起きる。
ＣＶＤ法における化学反応と比べ、同一温度では極めて
活発に起きる。
この理由は、十分に解明されていないが、反応ガスの分
子がイオン化されることによつて活性化エネルギーが増
大するからであると考えられる。すなわち、放電空間中
での反応ガスの活性化は、陰極の周囲数１ｍのところに
できる電位の急激な勾配によつていると考えられる。つ
まり、この急激な電位の勾配により反応ガスプラズマ中
にできるイオンまたは分子が加速され、大きな運動エネ
ルギーをもつて陰極を衝撃するので、これによつて反応
ガスにより陰極表面に被覆物質が固定される。また、前
記衝撃時に一部は陰極スパツタリングを起こし、陰極表
面から分子や原子をたたき出すが、反応ガスプラズマ中
では次々にイオンや分子が加速されて陰極を衝撃する。
このように、高エネルギーのイオンや分子の衝撃が次々
に繰り返えされる結果、同一温度の下では反応速度が向
上し、かつ、従来法では反応速度が遅すぎて実施が困難
であるような低温域であつても、実用上問題なく被覆を
することが可能となり得る。したがつて、この発明は上
記知見にもとづいてなされたもので、０．０５〜１０ト
ールに減圧した反応室内に装入した基体を陰極とし、該
反応室を陽極として、両極間に４００〜３ＫＶの電圧を
印加して前記基体周囲に放電空間を形成せしめて前記基
体の温度を１００〜１００００Ｃとし、この放電空間に
、Ｓｉ，Ｂおよび周期律表の４ａ，５ａ，６ａ族金属の
化合物（以下、これらを総称して金属の化合物という）
のうちの１種と、水素と、炭化水素とから成る反応ガス
、または、上記金属の化合物と、水素と、炭化水素と、
窒素またはアンモニアとから成る反応ガスを送り込んで
化学反応させることによつて、前記基体の表面にＳｉ，
Ｂおよび周期律表の４ａ，５ａ，６ａ族金属の炭化物ま
たは炭窒化物の被覆層を形成せしめることに特徴を有す
るものである。
子がイオン化されることによつて活性化エネルギーが増
大するからであると考えられる。すなわち、放電空間中
での反応ガスの活性化は、陰極の周囲数１ｍのところに
できる電位の急激な勾配によつていると考えられる。つ
まり、この急激な電位の勾配により反応ガスプラズマ中
にできるイオンまたは分子が加速され、大きな運動エネ
ルギーをもつて陰極を衝撃するので、これによつて反応
ガスにより陰極表面に被覆物質が固定される。また、前
記衝撃時に一部は陰極スパツタリングを起こし、陰極表
面から分子や原子をたたき出すが、反応ガスプラズマ中
では次々にイオンや分子が加速されて陰極を衝撃する。
このように、高エネルギーのイオンや分子の衝撃が次々
に繰り返えされる結果、同一温度の下では反応速度が向
上し、かつ、従来法では反応速度が遅すぎて実施が困難
であるような低温域であつても、実用上問題なく被覆を
することが可能となり得る。したがつて、この発明は上
記知見にもとづいてなされたもので、０．０５〜１０ト
ールに減圧した反応室内に装入した基体を陰極とし、該
反応室を陽極として、両極間に４００〜３ＫＶの電圧を
印加して前記基体周囲に放電空間を形成せしめて前記基
体の温度を１００〜１００００Ｃとし、この放電空間に
、Ｓｉ，Ｂおよび周期律表の４ａ，５ａ，６ａ族金属の
化合物（以下、これらを総称して金属の化合物という）
のうちの１種と、水素と、炭化水素とから成る反応ガス
、または、上記金属の化合物と、水素と、炭化水素と、
窒素またはアンモニアとから成る反応ガスを送り込んで
化学反応させることによつて、前記基体の表面にＳｉ，
Ｂおよび周期律表の４ａ，５ａ，６ａ族金属の炭化物ま
たは炭窒化物の被覆層を形成せしめることに特徴を有す
るものである。
この発明において、反応室内の反応ガス圧力を０．０５
〜１０トールとし、印加電圧を４００Ｖ〜３ＫＶとし、
基体温度を１００〜１０００℃に限定した理由について
説明する。
〜１０トールとし、印加電圧を４００Ｖ〜３ＫＶとし、
基体温度を１００〜１０００℃に限定した理由について
説明する。
（１）反応室内の反応ガス圧力を０．０５〜１０トール
に限定した理由。
に限定した理由。
反応ガ図王力が０．０５未満では、複雑な形状の基体表
面に微細で緻密な組織を有する被覆層を均一に形成する
ことができず、しかも反応室内への基体装入量を増やす
ことができない。
面に微細で緻密な組織を有する被覆層を均一に形成する
ことができず、しかも反応室内への基体装入量を増やす
ことができない。
一方、反応ガス圧力が１０トールを越えると、被覆層は
粗雑な、密度の低い組織や柱状組織になり易くなり、微
細でしかも十分な硬度を有する被覆層を得ることが困難
となる。
粗雑な、密度の低い組織や柱状組織になり易くなり、微
細でしかも十分な硬度を有する被覆層を得ることが困難
となる。
したがつて、この発明では、反応室内の反応ガス圧力を
０．０５〜１０トールの範囲に限定したのである。
０．０５〜１０トールの範囲に限定したのである。
（２）印加電圧を４００Ｖ〜３ＫＶに限定した理由。
印加電圧が４００Ｖ未満では、上述の反応ガス圧力が高
すぎる場合と同様に、被覆層は粗雑な、密度の低い組織
になり易くなり、微細でしかも十分な硬度を有する被覆
層を得ることが困難となる。一方、印加電圧が３Ｋを越
えると、反応ガスのイオンや原子、分子の陰極スパツタ
が被覆層の形成に悪影響をおよぼし、しかも印加電圧を
大きくしていくとそれだけ高出力電源が必要となつて設
備費が高価になる。
すぎる場合と同様に、被覆層は粗雑な、密度の低い組織
になり易くなり、微細でしかも十分な硬度を有する被覆
層を得ることが困難となる。一方、印加電圧が３Ｋを越
えると、反応ガスのイオンや原子、分子の陰極スパツタ
が被覆層の形成に悪影響をおよぼし、しかも印加電圧を
大きくしていくとそれだけ高出力電源が必要となつて設
備費が高価になる。
したがつて、この発明では、印加電圧を４００Ｖ〜８Ｋ
Ｖの範囲に限定したのである。
Ｖの範囲に限定したのである。
なお、印加電圧を上記範囲で上昇させていくとイオン衝
撃やプラズマ中で励起された高エネルギーの原子や分子
の衝撃により、先に基体表面に被覆された被覆物質が砕
かれ、微細で緻密な被覆層が形成でき、一部は陰極スパ
ツタされる。（３）基体の温度を１００〜１０００℃に
限定したた理由。
撃やプラズマ中で励起された高エネルギーの原子や分子
の衝撃により、先に基体表面に被覆された被覆物質が砕
かれ、微細で緻密な被覆層が形成でき、一部は陰極スパ
ツタされる。（３）基体の温度を１００〜１０００℃に
限定したた理由。
基体温度が１００℃未満では、微細で緻密な被覆層が形
成されないとともに、基体との強固な付着力を得ること
ができない。
成されないとともに、基体との強固な付着力を得ること
ができない。
一方、基体温度が１００『Ｃを越えると、被覆層は柱状
組織を経て大きな塊状の組織になり、しかも基体の変形
や変質が生じる。
組織を経て大きな塊状の組織になり、しかも基体の変形
や変質が生じる。
したがつて、この発明では、基体の温度を１００〜１０
００℃の範囲に限定したのである。
００℃の範囲に限定したのである。
なお、基体温度は反応ガスのイオン分子、原子の衝撃に
より大きな影響を受けるので、印加電圧を高くすること
で基体温度を上昇させることができる。以上のことから
、この発明では、反応室内への基体装入量の増加を計り
、生産性を向上させるとともに、基体の形状が複雑であ
つても微細でしかも緻密な組織を有する被覆層を均一に
基体に形成することができるように、反応室の反応ガス
圧力を上述のような値に限定したのである。
より大きな影響を受けるので、印加電圧を高くすること
で基体温度を上昇させることができる。以上のことから
、この発明では、反応室内への基体装入量の増加を計り
、生産性を向上させるとともに、基体の形状が複雑であ
つても微細でしかも緻密な組織を有する被覆層を均一に
基体に形成することができるように、反応室の反応ガス
圧力を上述のような値に限定したのである。
つぎに、この発明の被覆方法を図面とともに説明する。
第１図は、ＴｉＣの薄膜を基体表面に被覆する場合の被
覆方法を示すフローシートであり、第２図は、反応室の
断面図である。
覆方法を示すフローシートであり、第２図は、反応室の
断面図である。
すなわち、金属チタン源としてＴｉＣｌ４を入れた容器
１が、加熱用容器２内に収容されていて、前記容器１に
は還元ガスとしてＨ２ガスが供給されるようになつてお
り、発生したＴｉＣｌ４ガスはＣ２Ｈ２およびＨ２ガス
とともに反応ガスとして反応室３に送られるようになつ
ている。この際に、必要に応じてＡｒガスやＮ２ガスが
加えられる。Ｃ源としてＣ２Ｈ２を用いる理由は、Ｃ２
Ｈ２が放電中で分解し易いことによるが、他の炭化水素
を用いても良いことはもちろんである。
１が、加熱用容器２内に収容されていて、前記容器１に
は還元ガスとしてＨ２ガスが供給されるようになつてお
り、発生したＴｉＣｌ４ガスはＣ２Ｈ２およびＨ２ガス
とともに反応ガスとして反応室３に送られるようになつ
ている。この際に、必要に応じてＡｒガスやＮ２ガスが
加えられる。Ｃ源としてＣ２Ｈ２を用いる理由は、Ｃ２
Ｈ２が放電中で分解し易いことによるが、他の炭化水素
を用いても良いことはもちろんである。
前記反応室３内の反応ガス圧力は、反応室３上部の排ガ
スロ５に接続された真空ポンプ（図示せず）の排気量と
前記反応室３内に流入される前記反応ガス量を流量計Ａ
，ｂ，ｃおよびｄをそれぞれ調節することにより０．０
５〜１０トールの適当な値に常に保たれる。
スロ５に接続された真空ポンプ（図示せず）の排気量と
前記反応室３内に流入される前記反応ガス量を流量計Ａ
，ｂ，ｃおよびｄをそれぞれ調節することにより０．０
５〜１０トールの適当な値に常に保たれる。
前記ＴｉＣｌ４，Ｃ２Ｈ２およびＨ２ガスから成る反応
ガスは、反応室３で放電によりプラズマ化および活性化
され、反応室３内に陰極として装入された基体４の表面
にＴｉＮの被覆層を形成せしめる。
ガスは、反応室３で放電によりプラズマ化および活性化
され、反応室３内に陰極として装入された基体４の表面
にＴｉＮの被覆層を形成せしめる。
反応後、反応ガスは前記真空ポンプにより反応室３の排
ガスロ５から排出されるが、前記真空ポンプの直前に設
けられたトラツプ（図示せず）で固形物および反応ガス
中の塩素その他の生成ガスが除去される。被覆の付着強
度を向上させるために、上述の反応ガスを流す前にＡｒ
により基体表面をスパツターエツチングすることは、Ｐ
ＶＤ法でよく行われることであるが、この場合も有効で
ある。
ガスロ５から排出されるが、前記真空ポンプの直前に設
けられたトラツプ（図示せず）で固形物および反応ガス
中の塩素その他の生成ガスが除去される。被覆の付着強
度を向上させるために、上述の反応ガスを流す前にＡｒ
により基体表面をスパツターエツチングすることは、Ｐ
ＶＤ法でよく行われることであるが、この場合も有効で
ある。
上記反応室３は、第２図に示されるような構造になつて
いる。
いる。
すなわち、図中６は真空容器であり、その側部には窓７
が設けられていて、ここから内部の放電状態が自由に観
測できるようになつている。
が設けられていて、ここから内部の放電状態が自由に観
測できるようになつている。
真空容器６の上部に設けられた排ガスロ５は、真空ポン
プおよびトラツプ（いずれも図示せず）に接続されてい
る。８は真空容器６内に設けられた内壁である。
プおよびトラツプ（いずれも図示せず）に接続されてい
る。８は真空容器６内に設けられた内壁である。
前記内壁８は放電の際の陽電極になつていて、内壁８に
装入された基体４に均一なＴｌＣの被覆層が形成される
ように円筒形状に形成されている。そして、その上壁に
はガス流出口１０が多数個形成されている。内壁８内の
基体４は、内壁８内の中央部に垂直に固定された支柱９
に等間隔をあけて水平に固定されている。
装入された基体４に均一なＴｌＣの被覆層が形成される
ように円筒形状に形成されている。そして、その上壁に
はガス流出口１０が多数個形成されている。内壁８内の
基体４は、内壁８内の中央部に垂直に固定された支柱９
に等間隔をあけて水平に固定されている。
この支柱９は放電の際の陰電極になつており、したがつ
て基体４も陰電極となる。内壁８の底部および支柱９と
はそれぞれ絶縁材１１により電気的に絶縁されている。
なお、基体４に均一な被覆層を形成させるには、均一な
状態で内壁８と基体４間に放電を行なわしめる必要があ
るので、内壁８と基体４および支柱９とは１ＣＴｒＬ以
上、好ましくは４礪以上隔絶する必要がある。支柱９の
下部には、ドーナツ状のガス流出パイプ１２が配されて
おり、ここからＴｉＣｌ４，Ｃ２Ｈ２およびＨ２から成
る反応ガスあるいはＡｒガス等が反応室３内に均一に噴
射されるようになつている。反応室３は以上の如く構成
されているので、内壁８と基体４間に４００Ｖ〜３ＫＶ
の電圧を印加して基体４周囲に放電空間を形成せしめて
、反応室３内の反応ガスの圧力を０．０５〜１０トール
に調整すれば、基体４の表面には均質かつ均一な膜厚の
被覆層が形成される。反応後の反応ガスは、排ガスロ５
から真空ポンプによりトラツプを経て排気される。図面
では基体４を加熱する装置が示されていないが、必要に
応じて、真空容器６の外側あるいは内側にヒーターを取
り付けることができる。
て基体４も陰電極となる。内壁８の底部および支柱９と
はそれぞれ絶縁材１１により電気的に絶縁されている。
なお、基体４に均一な被覆層を形成させるには、均一な
状態で内壁８と基体４間に放電を行なわしめる必要があ
るので、内壁８と基体４および支柱９とは１ＣＴｒＬ以
上、好ましくは４礪以上隔絶する必要がある。支柱９の
下部には、ドーナツ状のガス流出パイプ１２が配されて
おり、ここからＴｉＣｌ４，Ｃ２Ｈ２およびＨ２から成
る反応ガスあるいはＡｒガス等が反応室３内に均一に噴
射されるようになつている。反応室３は以上の如く構成
されているので、内壁８と基体４間に４００Ｖ〜３ＫＶ
の電圧を印加して基体４周囲に放電空間を形成せしめて
、反応室３内の反応ガスの圧力を０．０５〜１０トール
に調整すれば、基体４の表面には均質かつ均一な膜厚の
被覆層が形成される。反応後の反応ガスは、排ガスロ５
から真空ポンプによりトラツプを経て排気される。図面
では基体４を加熱する装置が示されていないが、必要に
応じて、真空容器６の外側あるいは内側にヒーターを取
り付けることができる。
つぎに、この発明を実施例によつて説明する。実施例
１高さが４５ｍｍ１外径が７５７１ｔｍφ、内径が１２
ｍｍφで、材質がＳＫＤｌｌから成る環状金型に、第１
図および第２図で示したような装置によりＴｉＣの被覆
層を以下の手順で形成した。
１高さが４５ｍｍ１外径が７５７１ｔｍφ、内径が１２
ｍｍφで、材質がＳＫＤｌｌから成る環状金型に、第１
図および第２図で示したような装置によりＴｉＣの被覆
層を以下の手順で形成した。
まず、金型（基体）を支柱に取付けた後、反応室内を１
『２トールに減圧し、その後、Ａｒガスを反応室内圧力
が６×１０−１トールになるようにコントロールしなが
ら注入した。
『２トールに減圧し、その後、Ａｒガスを反応室内圧力
が６×１０−１トールになるようにコントロールしなが
ら注入した。
そして、金型を陰電極、反応室内壁を陽電極にして、１
Ｋの直流電圧を印加して放電させた（以下、この操作を
スパツターエツチングと呼ぶ）。つぎに、ガス成分比Ｔ
ｉＣｌ４：Ｈ２：Ｃ２Ｈ２＝１：１０：０．７の混合反
応ガスを反応室に注入し、４０分間反応を続行した。こ
の結果、厚さ６μの均質なＴｉＣの被覆層が金型表面に
均一に形成されたことが確認された。実施例 ２深さが
１０００ｍｍで、内径が９００中φの反応室の中央部の
６００ｍｍφ×６００ｍｍφの円形空間にＰｌＯのグレ
ードの超硬チツプＳＮＭＡ４３２を８０００個セツトし
、反応室内を１０−２トールに減圧し、その後Ａｒガス
を反応室圧力０．１トールになるようにコントロールし
て注入した。
Ｋの直流電圧を印加して放電させた（以下、この操作を
スパツターエツチングと呼ぶ）。つぎに、ガス成分比Ｔ
ｉＣｌ４：Ｈ２：Ｃ２Ｈ２＝１：１０：０．７の混合反
応ガスを反応室に注入し、４０分間反応を続行した。こ
の結果、厚さ６μの均質なＴｉＣの被覆層が金型表面に
均一に形成されたことが確認された。実施例 ２深さが
１０００ｍｍで、内径が９００中φの反応室の中央部の
６００ｍｍφ×６００ｍｍφの円形空間にＰｌＯのグレ
ードの超硬チツプＳＮＭＡ４３２を８０００個セツトし
、反応室内を１０−２トールに減圧し、その後Ａｒガス
を反応室圧力０．１トールになるようにコントロールし
て注入した。
ついで、超硬チツプを陰電極とし、反応室内壁を陽電極
として、２ＫＶの直流電圧を３０分間印加し放電させた
。このとき、超硬チツプの温度は８７０℃であつた。そ
の後、反応室内圧力が２トールとなるように、ガス成分
比が、ＴｉＣｌ４：Ｈ２：Ｃ２Ｈ２ｌ：８．０：０．６
の混合反応ガスを反応室に注入し、３５分間放電を続け
た。この結果、超硬チツプ表面には６μの均質なＴｌＣ
の被覆層が形成された。なお、形成された被覆層の被覆
場所によるバラツキは少く、厚みは±０．７μ以内にお
さまつた。さらに、この超硬チツプと同一基材で、被覆
を行なわない比較試験片とを、ＳＮＣＭ８（ＨＢ２３Ｏ
）の合金鋼で切削初速１５０ｍ／１１ｎ１送り速度０．
３ｍｍ／［Ｉｌｌｎｌ切り込み厚さ２ｍｍで切削試験を
行なつた。この結果、この発明の方法により被覆を施し
た超硬チツプは、比較試験片に比して２倍以上寿命が向
上したことが確認された。以上が、基体表面にＴｌＣの
被覆層を形成する場合の実施の一例であるが、この発明
において、ＴｌＣの被覆層を工具鋼や高速度鋼あるいは
超硬合金の表面に形成する場合には、反応室内に注入す
る混合反応ガスを、モル比で、ＴｉＣｌ４：Ｈ２：Ｃ２
Ｈ２ｌ：５〜１０：０．５〜２．０にコントロールする
のが好ましい。
として、２ＫＶの直流電圧を３０分間印加し放電させた
。このとき、超硬チツプの温度は８７０℃であつた。そ
の後、反応室内圧力が２トールとなるように、ガス成分
比が、ＴｉＣｌ４：Ｈ２：Ｃ２Ｈ２ｌ：８．０：０．６
の混合反応ガスを反応室に注入し、３５分間放電を続け
た。この結果、超硬チツプ表面には６μの均質なＴｌＣ
の被覆層が形成された。なお、形成された被覆層の被覆
場所によるバラツキは少く、厚みは±０．７μ以内にお
さまつた。さらに、この超硬チツプと同一基材で、被覆
を行なわない比較試験片とを、ＳＮＣＭ８（ＨＢ２３Ｏ
）の合金鋼で切削初速１５０ｍ／１１ｎ１送り速度０．
３ｍｍ／［Ｉｌｌｎｌ切り込み厚さ２ｍｍで切削試験を
行なつた。この結果、この発明の方法により被覆を施し
た超硬チツプは、比較試験片に比して２倍以上寿命が向
上したことが確認された。以上が、基体表面にＴｌＣの
被覆層を形成する場合の実施の一例であるが、この発明
において、ＴｌＣの被覆層を工具鋼や高速度鋼あるいは
超硬合金の表面に形成する場合には、反応室内に注入す
る混合反応ガスを、モル比で、ＴｉＣｌ４：Ｈ２：Ｃ２
Ｈ２ｌ：５〜１０：０．５〜２．０にコントロールする
のが好ましい。
ＴｉＣｌ４に対してＨ２を５〜１０倍流すのは、ＴｉＣ
ｌ４を希薄にさせ、塩素の基体への衝撃を柔げるととも
に、塩素をできるだけ塩素ガスとして存在させずに塩化
水素にするためである。また、Ｃ２Ｈ２がスのモル比を
ＴｉＣｌ４に対して０．５〜２．０と、Ｃのモル比とし
ては多くするのは、基体の脱酸を防止するためで、積極
的な意味では、基体表面近傍を強い炭素雰囲気にさらし
て部分的な炭化により、塩素の基体への衝撃を柔げ、微
細でしかも格子欠陥の少ないＴｌＣ被覆層を形成せしめ
るためである。なお、Ｃ２Ｈ２ガスのモル比を５．０よ
り多くすると、ＴｉＣの被覆層の緻密度および付着力が
劣化し、ビツカース硬度で２０００ｋ１Ｉ以上の硬さの
被覆層を得ることが困難となるからである。これまでは
、ＴｉＣの被覆層を形成する場合の実施例について述べ
たが、炭窒化チタン（ＴｉＣｘＮｙ；ｘ＋ｙ≦１）もほ
ぼ同様に行うことができる。
ｌ４を希薄にさせ、塩素の基体への衝撃を柔げるととも
に、塩素をできるだけ塩素ガスとして存在させずに塩化
水素にするためである。また、Ｃ２Ｈ２がスのモル比を
ＴｉＣｌ４に対して０．５〜２．０と、Ｃのモル比とし
ては多くするのは、基体の脱酸を防止するためで、積極
的な意味では、基体表面近傍を強い炭素雰囲気にさらし
て部分的な炭化により、塩素の基体への衝撃を柔げ、微
細でしかも格子欠陥の少ないＴｌＣ被覆層を形成せしめ
るためである。なお、Ｃ２Ｈ２ガスのモル比を５．０よ
り多くすると、ＴｉＣの被覆層の緻密度および付着力が
劣化し、ビツカース硬度で２０００ｋ１Ｉ以上の硬さの
被覆層を得ることが困難となるからである。これまでは
、ＴｉＣの被覆層を形成する場合の実施例について述べ
たが、炭窒化チタン（ＴｉＣｘＮｙ；ｘ＋ｙ≦１）もほ
ぼ同様に行うことができる。
この場合、反応ガスとして上記のガス以外に窒素ガス（
Ｎ２）またはアンモニア（ＮＨ３）が必要となる。この
場合、窒素ガスもアンモニアも窒素源として必要なので
あり、反応においては両者は均等な効果を発揮するもの
である。以下、この場合の実施例について説明する。
Ｎ２）またはアンモニア（ＮＨ３）が必要となる。この
場合、窒素ガスもアンモニアも窒素源として必要なので
あり、反応においては両者は均等な効果を発揮するもの
である。以下、この場合の実施例について説明する。
実施例 ３第２図に示すような反応装置を用いて、実施
例１と同様に、金型にＴｉＣｘＮｙを被覆した。
例１と同様に、金型にＴｉＣｘＮｙを被覆した。
反応ガスは、実施例１に示すものにさらにＮ２を加えた
ものを用いた。実施例１と同様に、Ａｒガスによるスパ
ツタエツチングを行い、つぎに、ガス成分比が、ＴｉＣ
ｌ４：Ｈ２：Ｃ２Ｈ２：Ｎ２−１：１０：０．５：１．
０の混合反応ガスを反応室に注入し、４０分間反応を行
つた。
ものを用いた。実施例１と同様に、Ａｒガスによるスパ
ツタエツチングを行い、つぎに、ガス成分比が、ＴｉＣ
ｌ４：Ｈ２：Ｃ２Ｈ２：Ｎ２−１：１０：０．５：１．
０の混合反応ガスを反応室に注入し、４０分間反応を行
つた。
この結果、厚さ６μの均一なＴｉＣＯ．３ＮＯ．７の被
覆層が金型表面に形成された。上記実施例は、いずれも
チタンの化合物に関するものであつたが、同様にして周
期律表の４ａ，５ａ，６ａの他の金属、ＳｌおよびＢの
炭化物や炭窒化物による被覆も可能である。
覆層が金型表面に形成された。上記実施例は、いずれも
チタンの化合物に関するものであつたが、同様にして周
期律表の４ａ，５ａ，６ａの他の金属、ＳｌおよびＢの
炭化物や炭窒化物による被覆も可能である。
実施例 ４
実施例１と同様な方法で、金型にＨｆＣを被覆した。
まず、Ａｒガスによるスパツタエツチングを行い、つぎ
に、ＨｆＣｌ４：Ｈ２：Ｃ２Ｈ２−１：１０：１の混合
反応ガスを反応室に注入し、６０分間反応を行つた。こ
の結果、厚さ６μの均一なＨｆＣの被覆層が金型表面に
形成された。実施例 ５ 実施例１と同様な方法で、ハイス製のツイストドリルに
ＴａＣを被覆した。
に、ＨｆＣｌ４：Ｈ２：Ｃ２Ｈ２−１：１０：１の混合
反応ガスを反応室に注入し、６０分間反応を行つた。こ
の結果、厚さ６μの均一なＨｆＣの被覆層が金型表面に
形成された。実施例 ５ 実施例１と同様な方法で、ハイス製のツイストドリルに
ＴａＣを被覆した。
まず、Ａｒによるスパツターエツチングの後、ＴａＣｌ
４：Ｈ２：Ｃ２Ｈ２−１：１０：１の比でガスを注入し
て反応させた。ただし、この場合、反応容器の外側に取
り付けた外熱式ヒーターにより３００℃に加熱して行つ
た。反応時間６０分で、４μの厚さのＴａＣが被覆され
た。被覆されたツイストドルリを炭素鋼Ｓ４５Ｃ（ブリ
ネル硬さＨＢ２ＯＯ）の穴あけに使用したところ、被覆
していないドリルに比べて２．５倍の寿命であつた。実
施例 ６ 実施例１と同様な方法で、ツイストドリルにタングステ
ンの炭化物を被覆した。
４：Ｈ２：Ｃ２Ｈ２−１：１０：１の比でガスを注入し
て反応させた。ただし、この場合、反応容器の外側に取
り付けた外熱式ヒーターにより３００℃に加熱して行つ
た。反応時間６０分で、４μの厚さのＴａＣが被覆され
た。被覆されたツイストドルリを炭素鋼Ｓ４５Ｃ（ブリ
ネル硬さＨＢ２ＯＯ）の穴あけに使用したところ、被覆
していないドリルに比べて２．５倍の寿命であつた。実
施例 ６ 実施例１と同様な方法で、ツイストドリルにタングステ
ンの炭化物を被覆した。
Ａｒによるスパツタエツチングの後、ＷＣｌ６：Ｈ２：
Ｃ２Ｈ２−１：２：０．７の比でガスを注入して反応さ
せた。反応温度は実施例５と同様に３００℃で行つた。
反応時間６０分で７μの厚さのタングステンの炭化物が
得られた。この被覆層をＸ線回折した結果、ＷＣとＷ２
Ｃの混合物で、一部Ｗも析出していることがわかつた。
被覆されたツイストドリルを実施例５と同様に穴あけテ
ストしたところ、被覆を施していないドリルに比して３
倍の寿命を有していることがわかつたＯ実施例 ７ 実施例１と同様の方法で、金型ＳｉＣを被覆した。
Ｃ２Ｈ２−１：２：０．７の比でガスを注入して反応さ
せた。反応温度は実施例５と同様に３００℃で行つた。
反応時間６０分で７μの厚さのタングステンの炭化物が
得られた。この被覆層をＸ線回折した結果、ＷＣとＷ２
Ｃの混合物で、一部Ｗも析出していることがわかつた。
被覆されたツイストドリルを実施例５と同様に穴あけテ
ストしたところ、被覆を施していないドリルに比して３
倍の寿命を有していることがわかつたＯ実施例 ７ 実施例１と同様の方法で、金型ＳｉＣを被覆した。
Ａｒによるスパツタエツチングの後、ＳｉＨＣｌ３：Ｈ
２：Ｃ２Ｈ２＝１：１０：１の比でガスを注入して反応
させた。反応時間３０分で５μのＳｌＣの被覆が得られ
た。実施例 ８ 実施例１と同様にして、金型にＢ４Ｃを被覆した。
２：Ｃ２Ｈ２＝１：１０：１の比でガスを注入して反応
させた。反応時間３０分で５μのＳｌＣの被覆が得られ
た。実施例 ８ 実施例１と同様にして、金型にＢ４Ｃを被覆した。
Ａｒによるスパツタエツチングの後、ＢＣｌ３：Ｈ２：
Ｃ２Ｈ２−４：１０：１の比でガスを注入して反応させ
た。反応時間３０分で５μのＢ４Ｃの被覆が得られた。
上述のように、この発明によれば、高温で変形したり、
あるいは変質したりしやすい形状や材質の物品に対して
も、変形や変質を生ずることなく短時間で高融点化合物
の被覆を形成することができ、しかも、製造設備も高価
なものを必要とせずに、均一な被覆層を基体表面上に形
成することができるなど工業上有用な効果がもたらされ
るのである。
Ｃ２Ｈ２−４：１０：１の比でガスを注入して反応させ
た。反応時間３０分で５μのＢ４Ｃの被覆が得られた。
上述のように、この発明によれば、高温で変形したり、
あるいは変質したりしやすい形状や材質の物品に対して
も、変形や変質を生ずることなく短時間で高融点化合物
の被覆を形成することができ、しかも、製造設備も高価
なものを必要とせずに、均一な被覆層を基体表面上に形
成することができるなど工業上有用な効果がもたらされ
るのである。
第１図はこの発明の被覆方法を示すフローシートであり
、第２図は第１図における反応室の断面図である。 図面において、１・・・・・・容器、２・・・・・・加
熱用容器、３・・・・・・反応室、４・・・・・・基体
、５・・・・・・排ガスロ、６・・・・・・真空容器、
７・・・・・・窓、８・・・・・・内壁、９・・・・・
・支柱、１０・・・・・・ガス流出口、１１・・・・・
・絶縁材、１２・・・・・・ガス流出パイプ、Ａ，ｂ，
ｃ，ｄ・・・・・・流量計。
、第２図は第１図における反応室の断面図である。 図面において、１・・・・・・容器、２・・・・・・加
熱用容器、３・・・・・・反応室、４・・・・・・基体
、５・・・・・・排ガスロ、６・・・・・・真空容器、
７・・・・・・窓、８・・・・・・内壁、９・・・・・
・支柱、１０・・・・・・ガス流出口、１１・・・・・
・絶縁材、１２・・・・・・ガス流出パイプ、Ａ，ｂ，
ｃ，ｄ・・・・・・流量計。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ０．０５〜１０トールに減圧した反応室内に装入し
た基体を陰極とし、該反応室を陽極として、両極間に４
００Ｖ〜３ＫＶの電圧を印加して前記基体周囲に放電空
間を形成せしめると共に、前記基体を１００〜１０００
℃に加熱し、前記放電空間に、Ｓｉ、Ｂ、並びに周期律
表の４ａ、５ａ、および６ａ族金属の化合物のうちの１
種と、水素と、炭化水素とからなる反応ガスを送り込ん
で化学反応させることによつて、前記基体の表面に、Ｓ
ｉ、Ｂ、並びに周期律表の４ａ、５ａ、および６ａ族金
属のうちの１種の炭化物層を形成することを特徴とする
基体表面被覆方法。 ２ ０．０５〜１０トールに減圧した反応室内に装入し
た基体を陰極とし、該反応室を陽極として、両極間に４
００Ｖ〜３ＫＶの電圧を印加して前記基体周囲に放電空
間を形成せしめると共に、前記基体を１００〜１０００
℃に加熱し、前記放電空間に、Ｓｉ、Ｂ、並びに周期律
表の４ａ、５ａ、および６ａ族金属の化合物のうちの１
種と、水素と、炭化水素と、窒素またはアンモニアとか
らなる反応ガスを送り込んで化学反応させることによつ
て、前記基体の表面に、Ｓｉ、Ｂ、並びに周期律表の４
ａ、５ａ、および６ａ族金属のうちの１種の炭窒化物層
を形成することを特徴とする基体表面被覆方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13627278A JPS5913586B2 (ja) | 1978-11-07 | 1978-11-07 | 炭化物または炭窒化物による基体表面被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13627278A JPS5913586B2 (ja) | 1978-11-07 | 1978-11-07 | 炭化物または炭窒化物による基体表面被覆方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5565357A JPS5565357A (en) | 1980-05-16 |
| JPS5913586B2 true JPS5913586B2 (ja) | 1984-03-30 |
Family
ID=15171307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13627278A Expired JPS5913586B2 (ja) | 1978-11-07 | 1978-11-07 | 炭化物または炭窒化物による基体表面被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913586B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5938372A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-02 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | プラズマ表面処理装置 |
| DE69117385T2 (de) * | 1990-08-10 | 1996-07-11 | Toyoda Chuo Kenkyusho Kk | Verfahren zur Herstellung eines Überzugs aus Nitrid oder Karbonitrid |
-
1978
- 1978-11-07 JP JP13627278A patent/JPS5913586B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5565357A (en) | 1980-05-16 |
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